CN114717653A - 一种镀膜设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种镀膜设备,涉及化学气相沉积技术领域。镀膜设备包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件;壳体与机械手腔体相连,壳体上接有柔性管道;反应室位于壳体内,反应室朝向机械手腔体的一侧设有进气通道;气路组件穿设于柔性管道内,并与柔性管道密封连接,气路组件位于反应室朝向机械手腔体的一侧;驱动组件与气路组件相连。镀膜设备将气路组件和机械手腔体设置在反应室的同一侧,不影响机械手取放反应室内的物品,在维护时仅需将壳体远离机械手腔体的一端打开,即可取出反应室内部的零件进行打磨清洗,有效地降低了维护的总耗时。此外,机械手不经过副反应产物聚集区,避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面,提高产品良率。

Description

一种镀膜设备
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种镀膜设备。
背景技术
MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀)是在气相外延生长(Vapor Phase Epitaxy,简称VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
目前行业内的多腔室MOCVD设备,其反应室内部左侧为气路结构,中间为反应腔体,右侧为机械手取放晶圆组件,且反应室右侧与真空机械手腔体连接。
以碳化硅镀膜设备为例,其反应腔体内部的零件在多次镀膜后,表面被镀上了较厚的SiC等材料。该材料是不稳定的,会从零件表面脱落,然后随气流被带到晶圆表面,增加了SiC薄膜外延生长时的表面缺陷,从而影响成膜质量。因而,此时需要将反应腔内的零件拆卸下来进行清洗。
但是,现有的多腔室MOCVD设备的反应室在拆卸内部零件时,需要先拆卸掉反应腔体右侧的真空机械手腔体,然后才可以取出反应腔体内部的零件进行打磨清洗。待清理完已被镀上薄膜的零件后,再安装复原好右侧的真空机械手腔体。每次维护反应腔体都需拆装右侧的真空机械手腔体,导致维护的总耗时长。此外,反应腔体远离气路结构的一侧为副反应产物聚集区,且副反应产物结构疏松,在机械手取放晶圆的过程中容易掉落在晶圆上,导致晶圆表面产生缺陷。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种镀膜设备。
本发明提供如下技术方案:
一种镀膜设备,包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件;
所述壳体的一端与所述机械手腔体相连,所述壳体的侧壁上接有柔性管道;
所述反应室位于所述壳体内,所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有进气通道;
所述气路组件穿设于所述柔性管道内,并与所述柔性管道远离所述壳体的一端密封连接,所述气路组件位于所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧,所述气路组件与所述反应室抵接以通过所述进气通道连通至所述反应室内部;
所述驱动组件与所述气路组件相连,所述驱动组件用于驱使所述气路组件移动以将所述进气通道露出。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有卡口部以形成所述进气通道,所述气路组件朝向所述反应室的一侧设有卡接部;
所述驱动组件还用于驱使所述气路组件沿所述进气通道的轴向移动,以使所述卡接部与所述卡口部插接或脱离。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述驱动组件包括安装底板、滑槽板、连接底板和直线驱动件;
所述滑槽板固设于所述安装底板上,所述滑槽板上开设有第一滑槽和第二滑槽,所述第一滑槽沿所述进气通道的轴向设置,所述第二滑槽与所述第一滑槽之间的夹角为钝角;
所述连接底板通过所述第一滑槽和所述第二滑槽与所述滑槽板滑动配合,所述连接底板与所述气路组件相连;
所述直线驱动件设置于所述安装底板上,所述直线驱动件用于向所述连接底板施加沿所述进气通道轴向的驱动力。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述驱动组件还包括滑块底板,所述滑块底板沿所述进气通道的轴向滑动设置在所述安装底板上,所述滑块底板与所述连接底板平行,所述滑块底板通过连杆与所述连接底板相连;
所述连杆成对设置,所述连杆的两端分别与所述滑块底板和所述连接底板铰接。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述直线驱动件与所述滑块底板相连,以通过所述滑块底板和所述连杆驱使所述连接底板移动。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述安装底板上设有减震块,所述减震块成对设置,分别与所述滑块底板沿所述进气通道轴向的两端相对。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述安装底板上固设有第三固定板,所述第三固定板上滑动穿设有减震连接杆;
所述减震连接杆沿所述进气通道的轴向设置,所述减震连接杆上套设有调节螺母,且所述调节螺母成对设置在所述第三固定板的两侧;
所述减震块与所述减震连接杆相连。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述气路组件包括支架、进气管、进气板和进气盘;
所述支架穿设于所述柔性管道内,所述支架的一端与所述驱动组件相连;
所述进气管设有多个,所述进气管与所述支架相连,并穿设于所述柔性管道内;
所述进气板位于所述壳体内,并固定于所述支架上,所述进气板内设有多个气室,多个所述气室分别与多个所述进气管连通;
所述进气盘固定连接于所述进气板朝向所述反应室的一侧,所述进气盘内设有气道,所述气道同时与多个所述气室连通。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述进气板朝向所述进气盘的一侧设有均气板,所述均气板上开设有多个气孔,多个所述气孔均匀分布,所述气室通过所述气孔与所述气道连通。
作为对所述镀膜设备的进一步可选的方案,所述气室内设有均气挡板,所述均气挡板位于所述气室的进气口朝向所述均气板的一侧。
本发明的实施例具有如下有益效果:
反应时,气路组件与反应室抵接,通过进气通道连通至反应室内部,向反应室内部输送气体。反应结束后,驱动组件驱使气路组件移动,将进气通道露出,此时机械手腔体内的机械手可从进气通道进入反应室内部取放物品。待机械手取放物品后,驱动组件驱使气路组件复位,准备下一次反应。在此过程中,柔性管道远离壳体的一端始终与气路组件密封连接,并随气路组件移动,从而使壳体内保持密封状态。上述镀膜设备将气路组件和机械手腔体设置在反应室的同一侧,不影响机械手取放反应室内的物品,在维护时仅需将壳体远离机械手腔体的一端打开,即可取出反应室内部的零件进行打磨清洗,省去了对机械手腔体的拆装工序,有效地降低了维护的总耗时,实现了生产效率的提升。此外,机械手从进气通道进入反应室,不经过反应室远离气路组件一侧的副反应产物聚集区,避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面,减少因掉落物带来的晶圆表面缺陷,从而提高了产品良率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显和易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,做详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本发明实施例1提供的一种镀膜设备的整体结构示意图;
图2示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备的整体结构示意图;
图3示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中气路组件与驱动组件之间的连接关系示意图;
图4示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中气路组件的正视图;
图5示出了图4中A-A向剖面示意图;
图6示出了图5中B处放大示意图;
图7示出了图4中C-C向剖面示意图;
图8示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中进气盘与进气板之间的连接关系示意图;
图9示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中驱动组件的结构示意图;
图10示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中连接底板与滑槽板之间的连接关系示意图;
图11示出了本发明实施例2提供的一种镀膜设备中连接底板与滑块底板之间的连接关系示意图。
主要元件符号说明:
100-壳体;110-法兰接头;120-柔性管道;121-密封件;200-反应室;210-卡口部;300-气路组件;310-支架;320-进气管;321-O型密封圈;330-进气板;331-气室;332-进气通道;333-第一固定板;334-托板;335-均气挡板;340-均气板;341-气孔;350-进气盘;351-气道;352-凸缘;360-卡接部;400-驱动组件;410-安装底板;411-滑轨;412-电缸连接板;413-第三固定板;414-减震连接杆;415-调节螺母;416-减震块;420-滑槽板;421-第一滑槽;422-第二滑槽;430-连接底板;431-滑槽轴;432-轴承;433-连杆固定块;434-衬套轴;440-滑块底板;450-连杆;460-直线驱动件;461-浮动接头;462-第二固定板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
请参阅图1,本实施例提供一种镀膜设备,尤其是一种碳化硅镀膜设备,用于在晶圆表面反应生成碳化硅膜。镀膜设备由壳体100、机械手腔体、反应室200、气路组件300和驱动组件400组成。
具体地,壳体100的右端与机械手腔体相连,壳体100的侧壁上接有柔性管道120。反应室200位于壳体100内,由壳体100支撑,且反应室200的右侧设有进气通道,左侧设有出气通道(图中未示出)。气路组件300穿设于柔性管道120内,与柔性管道120远离壳体100的一端密封连接。气路组件300的一端位于壳体100外,与驱动组件400相连。气路组件300的另一端位于壳体100内,且位于反应室200的右侧。
反应时,气路组件300与反应室200抵接,通过进气通道连通至反应室200内部,向反应室200内部输送气体。反应结束后,驱动组件400驱使气路组件300朝向壳体100的侧壁移动,将进气通道露出,此时机械手腔体内的机械手可从进气通道进入反应室200内部取放晶圆。待机械手取放晶圆后,驱动组件400驱使气路组件300复位,准备下一次反应。在此过程中,柔性管道120远离壳体100的一端始终与气路组件300密封连接,并随气路组件300移动,从而使壳体100内保持密封状态。上述镀膜设备将气路组件300和机械手腔体设置在反应室200的右侧,不影响机械手取放反应室200内的晶圆,在维护时仅需将壳体100的左端打开,即可取出反应室200内部的零件进行打磨清洗,省去了对机械手腔体的拆装工序,有效地降低了维护的总耗时,实现了生产效率的提升。此外,机械手从进气通道进入反应室200,不经过反应室200远离气路组件300一侧的副反应产物聚集区,避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面,减少因掉落物带来的晶圆表面缺陷,从而提高了产品良率。
上述镀膜设备的整体结构得以简化,可靠性得到提高,能够满足大规模量产的需求。
实施例2
请参阅图2,本实施例提供一种镀膜设备,尤其是一种碳化硅镀膜设备,用于在晶圆表面反应生成碳化硅膜。镀膜设备由壳体100、机械手腔体、反应室200、气路组件300和驱动组件400组成,其中,机械手腔体、反应室200和气路组件300均与壳体100相连,机械手腔体内的机械手取放反应室200内的晶圆,气路组件300向反应室200供气,驱动组件400则驱使气路组件300移动。
具体地,壳体100为石英材质,呈圆筒状设置,且壳体100沿水平方向设置。壳体100的右端固设有筒状的法兰接头110,且法兰接头110与机械手腔体(图中未示出)连接。壳体100的左端固设有法兰盘,法兰板上连接有真空法兰盖,真空法兰盖将壳体100的左端封闭。
此外,法兰接头110的侧壁上接有柔性管道120。柔性管道120位于法兰接头110下方,整体竖直设置,通过法兰接头110与壳体100内部连通。
具体地,反应室200设置在壳体100内,由壳体100支撑。反应室200的右端端面上嵌设有扁平的卡口部210,卡口部210呈环形设置,形成进气通道,反应室200的左端端面上对应开设有出气通道(图中未示出)。进气通道沿壳体100的轴向设置,并与反应室200的内部连通。
请一并参阅图3和图4,具体地,气路组件300由支架310、进气管320、进气板330、均气板340(参阅图6)、进气盘350和卡接部360组成。进气管320和进气板330均设置在支架310上,且进气管320、进气板330、均气板340、进气盘350和卡接部360依次连通,卡接部360则与卡口部210相连,进而与反应室200的内部连通。
支架310沿竖直方向设置,且穿设于柔性管道120内。支架310的底端与驱动组件400相连,驱动组件400驱使支架310移动,进而驱使整个气路组件300移动。
请一并参阅图5和图6,进气管320设有三根,三根进气管320均沿竖直方向设置。进气管320的顶部穿设于支架310顶端,并与支架310一体成型。
进气管320随支架310一起穿设于柔性管道120内,特别地,柔性管道120的底端固定连接有密封件121。进气管320和支架310均从密封件121上穿过,与密封件121固定连接,从而实现柔性管道120底端与气路组件300之间的密封连接。
当驱动组件400驱使气路组件300移动时,密封件121随之移动,并带动柔性管道120伸缩和弯曲,柔性管道120底端与气路组件300之间始终保持密封,进而使壳体100内部保持密封状态。
在本实施例中,柔性管道120采用波纹管。
请一并参阅图6和图7,进气板330位于壳体100内,与支架310的顶端固定连接。进气板330朝向反应室200的一侧开设有凹槽,凹槽的槽底则开设有五个气室331。进气管320的顶部穿过支架310顶端后,穿入进气板330的底面,中间的进气管320与一个气室331连通,两侧的进气管320各与两个气室331连通。
特别地,进气管320的顶端通过O型密封圈321与进气板330相抵,以保证进气管320与进气板330之间的气密性。
均气板340嵌设于凹槽内,与进气板330固定连接。均气板340上开设有多个气孔341,多个气孔341分为五组,分别与五个气室331对应,各组气孔341各个气室331所处的区域内均匀分布。
请一并参阅图7和图8,石英材质的进气盘350沿壳体100的轴向设置,进气盘350的一端与进气板330朝向反应室200的一侧固定连接,另一端则与卡接部360固定连接。进气盘350内设有气道351,五组气孔341分别将对应的气室331连通至气道351。设置均气板340后,气室331内的气体能够较为均与地流入气道351内。
在本实施例中,进气盘350朝向进气板330的一端设有凸缘352,进气板330朝向反应室200一侧的顶部和底部分别栓接有第一固定板333。第一固定板333紧压于凸缘352上,进而将进气盘350扣住,使进气盘350与进气板330相连。此外,进气板330的底面上成对栓接有托板334。托板334托住进气盘350的底面,使进气盘350保持稳定。
进一步地,五个气室331内分别设有均气挡板335。均气挡板335插接固定在均气板340上,不与均气板340贴合,且均气挡板335位于气室331的进气口朝向均气板340的一侧。
气室331的进气口即为进气通道332的出气口,气体由进气通道332进入气室331内之后受到均气挡板335的阻挡,无法直接进入气孔341,只能向气室331内其它区域流动,从而更加均匀地穿过均气板340。
卡接部360同样呈扁平状设置,与卡口部210插接配合。卡接部360插入卡口部210内并抵紧,即可保证气路组件300与反应室200连接处的气密性。
反应时,卡接部360插入卡口部210内,反应气体依次流经进气管320、进气板330、均气板340、进气盘350、卡接部360和卡口部210,最终流入反应室200内部。反应结束后,驱动组件400先驱使气路组件300沿进气通道的轴向背向反应室200移动,使卡接部360与卡口部210脱离,然后驱使气路组件300向下移动,将进气通道露出。此时,机械手腔体内的机械手可从进气通道进入反应室200内部取放晶圆。待机械手取放晶圆后,驱动组件400驱使气路组件300复位,准备下一次反应。
请参阅图9,具体地,驱动组件400包括安装底板410、滑槽板420、连接底板430、滑块底板440、连杆450和直线驱动件460等结构。其中,安装底板410作为安装基础,滑槽板420对连接底板430进行导向和限位,连接底板430与气路组件300相连,滑块底板440、连杆450和直线驱动件460则驱使连接底板430移动,进而带动气路组件300移动。
安装底板410沿水平方向设置,滑槽板420则沿竖直方向设置,且滑槽板420与壳体100的轴线平行。滑槽板420成对设置在安装底板410的两侧,滑槽板420底端与安装底板410栓接固定。
请参阅图10,两个滑槽板420相对的一侧均开设有第一滑槽421和第二滑槽422。其中,第一滑槽421沿进气通道的轴向设置,第二滑槽422的一端与第一滑槽421的末端相连,另一端则倾斜向下,且第二滑槽422与第一滑槽421之间的夹角为钝角。
连接底板430沿水平方向设置,支架310的底端栓接固定在连接底板430的上表面。连接底板430的两侧面分别固设有滑槽轴431,滑槽轴431上则套设有轴承432,轴承432嵌于第一滑槽421或第二滑槽422内。连接底板430通过滑槽轴431和轴承432与第一滑槽421和第二滑槽422滑动配合,轴承432能够减小连接底板430滑动时所受的阻力。
当连接底板430在第一滑槽421内朝向第二滑槽422滑动时,气路组件300沿进气通道的轴向背向反应室200移动。当连接底板430滑入第二滑槽422时,卡口部210与卡接部360完全脱离。当连接底板430沿第二滑槽422继续滑动时,气路组件300倾斜向下移动,将进气通道露出。
请参阅图11,安装底板410的上表面栓接固定有两条滑轨411(参阅图9),滑轨411与第一滑槽421平行。滑块底板440沿水平方向设置,通过滑轨411滑动设置在安装底板410上。此外,滑块底板440和连接底板430的四个顶角处均开设有缺口,缺口处则栓接固定有连杆固定块433,连杆固定块433与对应的滑块底板440或连接底板430之间架设有衬套轴434。
连杆450设有四根,四根连杆450相互平行,四根连杆450的顶端分别与连接底板430四个顶角处的衬套轴434相连,通过对应的衬套轴434与连接底板430铰接,四根连杆450的底端则分别与滑块底板440四个顶角处的衬套轴434相连,通过对应的衬套轴434与滑块底板440铰接。
此时,连接底板430、连杆450和滑块底板440之间构成平行四边形结构。在滑块底板440保持水平的情况下,连接底板430始终保持水平,进而使气路组件300保持平稳。
请再次参阅图9,直线驱动件460固定设置在安装底板410上,并与滑块底板440相连,驱使滑块底板440在滑轨411上滑动,滑块底板440进一步通过连杆450带动连接底板430移动。
当连接底板430与第一滑槽421滑动配合时,连接底板430和滑块底板440同步移动,上述平行四边形结构保持不变。当连接底板430与第二滑槽422滑动配合时,由于第二滑槽422与第一滑槽421之间的夹角为钝角,故滑块底板440沿滑轨411滑动时仍能带动连接底板430沿第二滑槽422滑动,此时连接底板430的高度降低,上述平行四边形的结构发生变化,连接底板430与滑动底板沿水平方向发生相对移动。显然,滑块底板440沿水平方向的移动距离大于连接底板430沿水平方向的移动距离,以补偿连接底板430和滑动底板沿水平方向的相对移动。
通过第一滑槽421和第二滑槽422的设置,驱动组件400中只需设置一个直线驱动件460,向连接底板430施加沿进气通道轴向的驱动力,即可驱使气路组件300先后沿不同的方向移动,完成气路组件300与反应室200脱离、气路组件300将进气通道露出这两个动作。
在本实施例中,直线驱动件460采用伺服电缸。安装底板410上栓接固定有电缸连接板412,伺服电缸与电缸连接板412栓接固定。伺服电缸的输出端接有浮动接头461,浮动接头461通过第二固定板462与滑块底板440相连。
在本申请的另一实施例中,直线驱动件460也可以采用气缸或者油缸。
进一步地,安装底板410沿进气通道轴向的两端面上分别设有两个第三固定板413。第三固定板413呈L型设置,其水平段与安装底板410栓接固定,其竖直段上滑动穿设有减震连接杆414。减震连接杆414沿进气通道的轴向设置,减震连接杆414上套设有调节螺母415。调节螺母415与减震连接杆414螺纹配合,且成对设置在第三固定板413的两侧,将减震连接杆414固定在第三固定板413上。此外,减震连接杆414朝向安装底板410的一端栓接固定有橡胶材质的减震块416,减震块416与滑块底板440相对。
当气路组件300移动至行程的终点时,滑块底板440撞击在减震块416上,起到缓冲的作用。旋拧调节螺母415,调整减震连接杆414与第三固定板413的相对位置,进而调整减震块416与安装底板410的相对位置,可以对气路组件300的行程进行调节,与实际情况相适配。
在本实施例中,当机械手需要取放反应室200内的晶圆时,驱动组件400驱使气路组件300整体往右移动20mm,再斜向下移动40mm,预留出机械手取放晶圆的通道,方便机械手进入反应室200内。待机械手取放晶圆后,驱动组件400驱使气路组件300斜向上移动40mm,再往左移动20mm,使卡接部360与卡口部210对接完成,保证反应室200内镀膜时的气体供应。
总之,上述镀膜设备将气路组件300和机械手腔体设置在反应室200的右侧,不影响机械手取放反应室200内的晶圆,在维护时仅需将壳体100左端的真空法兰盖打开,即可取出反应室200内部的零件进行打磨清洗,省去了对机械手腔体的拆装工序,有效地降低了维护的总耗时,实现了生产效率的提升。此外,机械手从进气通道进入反应室200,不经过反应室200远离气路组件300一侧的副反应产物聚集区,避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面,减少因掉落物带来的晶圆表面缺陷,从而提高了产品良率。
在这里示出和描述的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制,因此,示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种镀膜设备,其特征在于,包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件;
所述壳体的一端与所述机械手腔体相连,所述壳体的侧壁上接有柔性管道;
所述反应室位于所述壳体内,所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有进气通道;
所述气路组件穿设于所述柔性管道内,并与所述柔性管道远离所述壳体的一端密封连接,所述气路组件位于所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧,所述气路组件与所述反应室抵接以通过所述进气通道连通至所述反应室内部;
所述驱动组件与所述气路组件相连,所述驱动组件用于驱使所述气路组件移动以将所述进气通道露出。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于,所述反应室朝向所述机械手腔体的一侧设有卡口部以形成所述进气通道,所述气路组件朝向所述反应室的一侧设有卡接部;
所述驱动组件还用于驱使所述气路组件沿所述进气通道的轴向移动,以使所述卡接部与所述卡口部插接或脱离。
3.根据权利要求2所述的镀膜设备,其特征在于,所述驱动组件包括安装底板、滑槽板、连接底板和直线驱动件;
所述滑槽板固设于所述安装底板上,所述滑槽板上开设有第一滑槽和第二滑槽,所述第一滑槽沿所述进气通道的轴向设置,所述第二滑槽与所述第一滑槽之间的夹角为钝角;
所述连接底板通过所述第一滑槽和所述第二滑槽与所述滑槽板滑动配合,所述连接底板与所述气路组件相连;
所述直线驱动件设置于所述安装底板上,所述直线驱动件用于向所述连接底板施加沿所述进气通道轴向的驱动力。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备,其特征在于,所述驱动组件还包括滑块底板,所述滑块底板沿所述进气通道的轴向滑动设置在所述安装底板上,所述滑块底板与所述连接底板平行,所述滑块底板通过连杆与所述连接底板相连;
所述连杆成对设置,所述连杆的两端分别与所述滑块底板和所述连接底板铰接。
5.根据权利要求4所述的镀膜设备,其特征在于,所述直线驱动件与所述滑块底板相连,以通过所述滑块底板和所述连杆驱使所述连接底板移动。
6.根据权利要求5所述的镀膜设备,其特征在于,所述安装底板上设有减震块,所述减震块成对设置,分别与所述滑块底板沿所述进气通道轴向的两端相对。
7.根据权利要求6所述的镀膜设备,其特征在于,所述安装底板上固设有第三固定板,所述第三固定板上滑动穿设有减震连接杆;
所述减震连接杆沿所述进气通道的轴向设置,所述减震连接杆上套设有调节螺母,且所述调节螺母成对设置在所述第三固定板的两侧;
所述减震块与所述减震连接杆相连。
8.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于,所述气路组件包括支架、进气管、进气板和进气盘;
所述支架穿设于所述柔性管道内,所述支架的一端与所述驱动组件相连;
所述进气管设有多个,所述进气管与所述支架相连,并穿设于所述柔性管道内;
所述进气板位于所述壳体内,并固定于所述支架上,所述进气板内设有多个气室,多个所述气室分别与多个所述进气管连通;
所述进气盘固定连接于所述进气板朝向所述反应室的一侧,所述进气盘内设有气道,所述气道同时与多个所述气室连通。
9.根据权利要求8所述的镀膜设备,其特征在于,所述进气板朝向所述进气盘的一侧设有均气板,所述均气板上开设有多个气孔,多个所述气孔均匀分布,所述气室通过所述气孔与所述气道连通。
10.根据权利要求9所述的镀膜设备,其特征在于,所述气室内设有均气挡板,所述均气挡板位于所述气室的进气口朝向所述均气板的一侧。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077099A (ja) * 1999-09-01 2001-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
CN104934353A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 传输系统、反应腔室及半导体加工设备
CN110931410A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 浙江求是半导体设备有限公司 一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法
CN113604873A (zh) * 2021-07-26 2021-11-05 楚赟精工科技(上海)有限公司 一种气相外延系统及其维护操作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077099A (ja) * 1999-09-01 2001-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
CN104934353A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 传输系统、反应腔室及半导体加工设备
CN110931410A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 浙江求是半导体设备有限公司 一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法
CN113604873A (zh) * 2021-07-26 2021-11-05 楚赟精工科技(上海)有限公司 一种气相外延系统及其维护操作方法

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