JPH108254A - 二酸化ケイ素層の形成方法 - Google Patents
二酸化ケイ素層の形成方法Info
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- JPH108254A JPH108254A JP16217596A JP16217596A JPH108254A JP H108254 A JPH108254 A JP H108254A JP 16217596 A JP16217596 A JP 16217596A JP 16217596 A JP16217596 A JP 16217596A JP H108254 A JPH108254 A JP H108254A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡便な設備により、確実に二酸化ケイ素層を形
成する。 【解決手段】シロキサン雰囲気の容器１内に被処理物４
と対向電極５とを対向配置し、被処理物４を負極として
被処理物４と対向電極５との間に直流電圧を印加して放
電させることにより、被処理物４の対向電極５との対向
面に二酸化ケイ素層を形成する。シロキサン雰囲気とさ
れた大気圧の容器１内で、低電圧、低電流の直流電圧を
負極としての被処理物４と対向電極５との間に印加する
という、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間
で確実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
成する。 【解決手段】シロキサン雰囲気の容器１内に被処理物４
と対向電極５とを対向配置し、被処理物４を負極として
被処理物４と対向電極５との間に直流電圧を印加して放
電させることにより、被処理物４の対向電極５との対向
面に二酸化ケイ素層を形成する。シロキサン雰囲気とさ
れた大気圧の容器１内で、低電圧、低電流の直流電圧を
負極としての被処理物４と対向電極５との間に印加する
という、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間
で確実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は二酸化ケイ素層の形
成方法に関する。
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気絶縁等の目的で被処理物の表面に二
酸化ケイ素層を形成する場合、一般的には、スパッタリ
ング法又はイオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理
的蒸着法）や、ＣＶＤ法（化学的蒸着法）等の技術が適
用されている。例えば、特開平７−１８８９０２号公報
には、シリコンモノマーと酸素を減圧チャンバー内に導
入して、低温プラズマを発生させることにより二酸化ケ
イ素層を形成するプラズマＣＶＤ法が開示されている。
このプラズマＣＶＤ法では、０．１〜１０００Ｐａ程度
の減圧チャンバー内に原料ガスとしてシリコンモノマー
及び酸素を所定の比率で導入し、該減圧チャンバー内に
設置された２つの電極間に交流電圧を印加して低温プラ
ズマを発生させることにより、一方の電極の他方の電極
との対向面に載置された被処理物の表面に二酸化ケイ素
層を形成する。
酸化ケイ素層を形成する場合、一般的には、スパッタリ
ング法又はイオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理
的蒸着法）や、ＣＶＤ法（化学的蒸着法）等の技術が適
用されている。例えば、特開平７−１８８９０２号公報
には、シリコンモノマーと酸素を減圧チャンバー内に導
入して、低温プラズマを発生させることにより二酸化ケ
イ素層を形成するプラズマＣＶＤ法が開示されている。
このプラズマＣＶＤ法では、０．１〜１０００Ｐａ程度
の減圧チャンバー内に原料ガスとしてシリコンモノマー
及び酸素を所定の比率で導入し、該減圧チャンバー内に
設置された２つの電極間に交流電圧を印加して低温プラ
ズマを発生させることにより、一方の電極の他方の電極
との対向面に載置された被処理物の表面に二酸化ケイ素
層を形成する。
【０００３】また、特開昭５６−１９８８０２号公報に
は、透明導電膜を形成した絶縁性基板上にポリシロキサ
ン膜をスピンナー法、スプレー法又は浸漬法により塗布
し、約５００℃で１０分間乾燥した後、約３５０〜４５
０℃で所定時間加熱焼成することにより、二酸化ケイ素
層を形成する方法が開示されている。
は、透明導電膜を形成した絶縁性基板上にポリシロキサ
ン膜をスピンナー法、スプレー法又は浸漬法により塗布
し、約５００℃で１０分間乾燥した後、約３５０〜４５
０℃で所定時間加熱焼成することにより、二酸化ケイ素
層を形成する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のプ
ラズマＣＶＤ法においては、減圧チャンバー、真空排気
系、原料ガスを所定比率で供給する精密ガス供給装置が
必要で、さらにはシリコンモノマーと酸素のプラズマを
発生させるために高電圧電流の供給源が必要である。こ
のため、設備が複雑、かつ、高価になるという問題点が
あった。
ラズマＣＶＤ法においては、減圧チャンバー、真空排気
系、原料ガスを所定比率で供給する精密ガス供給装置が
必要で、さらにはシリコンモノマーと酸素のプラズマを
発生させるために高電圧電流の供給源が必要である。こ
のため、設備が複雑、かつ、高価になるという問題点が
あった。
【０００５】また、上記従来のポリシロキサン膜を加熱
焼成する方法においては、加熱焼成時にポリシロキサン
のかなりの部分が雰囲気中に揮発してしまうという問題
点があった。本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、簡便な設備により、確実に二酸化ケイ素層を形成
することを解決すべき技術課題とするものである。
焼成する方法においては、加熱焼成時にポリシロキサン
のかなりの部分が雰囲気中に揮発してしまうという問題
点があった。本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、簡便な設備により、確実に二酸化ケイ素層を形成
することを解決すべき技術課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の二酸化ケイ素層の形成方法は、シロキサン雰
囲気の容器内に被処理物と対向電極とを対向配置し、該
被処理物を負極として該被処理物と該対向電極との間に
直流電圧を印加して放電させることにより、該被処理物
の該対向電極との対向面に二酸化ケイ素層を形成するこ
とを特徴とするものである。
項１記載の二酸化ケイ素層の形成方法は、シロキサン雰
囲気の容器内に被処理物と対向電極とを対向配置し、該
被処理物を負極として該被処理物と該対向電極との間に
直流電圧を印加して放電させることにより、該被処理物
の該対向電極との対向面に二酸化ケイ素層を形成するこ
とを特徴とするものである。
【０００７】上記課題を解決する請求項２記載の二酸化
ケイ素層の形成方法は、表面にシロキサン層が形成され
た負極としての被処理物と、該被処理物の該シロキサン
層に対向配置された対向電極との間に直流電圧を印加し
て放電させ、該シロキサン層を二酸化ケイ素層に変化さ
せることにより、該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を
形成することを特徴とするものである。
ケイ素層の形成方法は、表面にシロキサン層が形成され
た負極としての被処理物と、該被処理物の該シロキサン
層に対向配置された対向電極との間に直流電圧を印加し
て放電させ、該シロキサン層を二酸化ケイ素層に変化さ
せることにより、該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を
形成することを特徴とするものである。
【０００８】上記課題を解決する請求項３記載の二酸化
ケイ素層の形成方法は、表面にシロキサン層が形成され
た被処理物の該シロキサン層に高密度エネルギーを照射
して、該シロキサン層を二酸化ケイ素層に変化させるこ
とにより、該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を形成す
ることを特徴とするものである。
ケイ素層の形成方法は、表面にシロキサン層が形成され
た被処理物の該シロキサン層に高密度エネルギーを照射
して、該シロキサン層を二酸化ケイ素層に変化させるこ
とにより、該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を形成す
ることを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の二酸化ケイ素層の
形成方法の実施形態について、具体的に説明する。 （実施形態１）請求項１記載の二酸化ケイ素層の形成方
法では、シロキサン雰囲気の容器内に被処理物と対向電
極とを対向配置する。容器内をシロキサン雰囲気にする
方法としては、容器内で液体又はゲル状のシロキサン
（（Ｒ2 ＳｉＯ）n 、Ｒ：ＣＨ3等の炭化水素基）を加
熱蒸発させたり、あるいは気体状のシロキサン（Ｒ3 Ｓ
ｉＯ−（Ｒ2 ＳｉＯ）n −ＳｉＲ3 、Ｒ：ＣＨ3 等の炭
化水素基）を直接容器内に導入したりする方法を採用す
ることができる。なお、この容器内には、シロキサンを
均一に拡散させるためのファン等の拡散手段を設けても
よい。
形成方法の実施形態について、具体的に説明する。 （実施形態１）請求項１記載の二酸化ケイ素層の形成方
法では、シロキサン雰囲気の容器内に被処理物と対向電
極とを対向配置する。容器内をシロキサン雰囲気にする
方法としては、容器内で液体又はゲル状のシロキサン
（（Ｒ2 ＳｉＯ）n 、Ｒ：ＣＨ3等の炭化水素基）を加
熱蒸発させたり、あるいは気体状のシロキサン（Ｒ3 Ｓ
ｉＯ−（Ｒ2 ＳｉＯ）n −ＳｉＲ3 、Ｒ：ＣＨ3 等の炭
化水素基）を直接容器内に導入したりする方法を採用す
ることができる。なお、この容器内には、シロキサンを
均一に拡散させるためのファン等の拡散手段を設けても
よい。
【００１０】この容器内におけるシロキサン濃度として
は、１〜１０％程度とすることが好ましい。容器内のシ
ロキサン濃度が１％より低いと、ＳｉＯ2 形成と放電に
よるＳｉＯ2 破壊とのバランスでＳｉＯ2 破壊が優勢と
なりＳｉＯ2 膜が成長しなくなり、一方１０％より高い
と、形成される二酸化ケイ素層が非常にポーラスとな
る。
は、１〜１０％程度とすることが好ましい。容器内のシ
ロキサン濃度が１％より低いと、ＳｉＯ2 形成と放電に
よるＳｉＯ2 破壊とのバランスでＳｉＯ2 破壊が優勢と
なりＳｉＯ2 膜が成長しなくなり、一方１０％より高い
と、形成される二酸化ケイ素層が非常にポーラスとな
る。
【００１１】上記シロキサンの種類としては特に限定さ
れないが、液体又はゲル状のシロキサンの蒸発及び二酸
化ケイ素の形成をより容易にする観点からは、なるべく
低分子のシロキサンを用いることが好ましい。具体的に
は、（Ｒ2 ＳｉＯ）n のｎが３０以下のシロキサンを用
いることが好ましい。請求項１記載の方法で用いる被処
理物としては、特に限定されるものではなく、ＳｉＯ2
形成のための放電が維持できるものであればよい。この
被処理物は負極として容器内に対向電極と対向配置され
る。そして、負極としての被処理物と対向電極との間に
直流電圧を印加して放電させる。このときの電圧、電流
条件は特に限定されるものではなく、大気中で放電を発
生させることのできる電力を供給できればよい。具体的
には、電極間のギャップが１ｍｍの場合、電圧：５〜１
０ｋＶ程度、電流：ｍＡオーダー（１〜１０ｍＡ程度）
とすることができる。
れないが、液体又はゲル状のシロキサンの蒸発及び二酸
化ケイ素の形成をより容易にする観点からは、なるべく
低分子のシロキサンを用いることが好ましい。具体的に
は、（Ｒ2 ＳｉＯ）n のｎが３０以下のシロキサンを用
いることが好ましい。請求項１記載の方法で用いる被処
理物としては、特に限定されるものではなく、ＳｉＯ2
形成のための放電が維持できるものであればよい。この
被処理物は負極として容器内に対向電極と対向配置され
る。そして、負極としての被処理物と対向電極との間に
直流電圧を印加して放電させる。このときの電圧、電流
条件は特に限定されるものではなく、大気中で放電を発
生させることのできる電力を供給できればよい。具体的
には、電極間のギャップが１ｍｍの場合、電圧：５〜１
０ｋＶ程度、電流：ｍＡオーダー（１〜１０ｍＡ程度）
とすることができる。
【００１２】このようにして電極間で放電を発生させる
ことにより、負極としての被処理物から正極としての対
向電極に向かって電子が移動する。そして、この放電発
生のエネルギーによりシロキサン中の炭化水素基が消滅
し、最終的に被処理物の対向電極との対向面にＳｉＯ2
の形で付着する。このとき、二酸化ケイ素層を形成する
のに必要な量のシロキサンが容器内に存在していれば、
被処理物の表面に確実に二酸化ケイ素層を形成すること
ができる。
ことにより、負極としての被処理物から正極としての対
向電極に向かって電子が移動する。そして、この放電発
生のエネルギーによりシロキサン中の炭化水素基が消滅
し、最終的に被処理物の対向電極との対向面にＳｉＯ2
の形で付着する。このとき、二酸化ケイ素層を形成する
のに必要な量のシロキサンが容器内に存在していれば、
被処理物の表面に確実に二酸化ケイ素層を形成すること
ができる。
【００１３】このように請求項１記載の方法によれば、
シロキサン雰囲気とされた大気圧の容器内で、直流電圧
を負極としての被処理物と対向電極との間に印加すると
いう、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間で
確実に二酸化ケイ素層を形成することができる。また、
シロキサンを加熱蒸発させることにより容器内をシロキ
サン雰囲気とした場合には、加熱温度及び処理時間を調
整することにより、二酸化ケイ素層の膜厚を高精度に制
御することが可能である。例えば、加熱温度：１００〜
２００℃程度、処理時間：１〜６０分間程度とすること
により、二酸化ケイ素層の膜厚を０．１〜６μｍ程度と
することができ、５０μｍ以下の薄膜を形成することも
可能となる。
シロキサン雰囲気とされた大気圧の容器内で、直流電圧
を負極としての被処理物と対向電極との間に印加すると
いう、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間で
確実に二酸化ケイ素層を形成することができる。また、
シロキサンを加熱蒸発させることにより容器内をシロキ
サン雰囲気とした場合には、加熱温度及び処理時間を調
整することにより、二酸化ケイ素層の膜厚を高精度に制
御することが可能である。例えば、加熱温度：１００〜
２００℃程度、処理時間：１〜６０分間程度とすること
により、二酸化ケイ素層の膜厚を０．１〜６μｍ程度と
することができ、５０μｍ以下の薄膜を形成することも
可能となる。
【００１４】さらに、被処理物の表面においては、Ｓｉ
Ｏ2 の形成・堆積が繰り返し行われ、二酸化ケイ素層の
膜厚が少しずつ増大するため、気孔率が５０％以下で表
面粗さが２μｍＲｚ以下の、緻密で平滑性の高い良質な
二酸化ケイ素層を形成することが可能となる。さらに、
上記直流電圧の印加中に、被処理物と対向電極とを、両
者のギャップを一定にしつつ相対移動させることによ
り、被処理物に広範囲に二酸化ケイ素層を形成すること
が可能となる。
Ｏ2 の形成・堆積が繰り返し行われ、二酸化ケイ素層の
膜厚が少しずつ増大するため、気孔率が５０％以下で表
面粗さが２μｍＲｚ以下の、緻密で平滑性の高い良質な
二酸化ケイ素層を形成することが可能となる。さらに、
上記直流電圧の印加中に、被処理物と対向電極とを、両
者のギャップを一定にしつつ相対移動させることによ
り、被処理物に広範囲に二酸化ケイ素層を形成すること
が可能となる。
【００１５】（実施形態２）請求項２記載の二酸化ケイ
素層の形成方法では、請求項１記載の方法と同様の被処
理物の表面にシロキサン層を形成する。この被処理物の
表面にシロキサン層を形成する方法としては、トルエン
等の希釈溶剤で液体状のシロキサンを希釈しておき、こ
の希釈溶液を塗布、スプレー、ディッピング等の方法で
付着させる方法等を採用することができる。
素層の形成方法では、請求項１記載の方法と同様の被処
理物の表面にシロキサン層を形成する。この被処理物の
表面にシロキサン層を形成する方法としては、トルエン
等の希釈溶剤で液体状のシロキサンを希釈しておき、こ
の希釈溶液を塗布、スプレー、ディッピング等の方法で
付着させる方法等を採用することができる。
【００１６】上記シロキサンの種類としては特に限定さ
れないが、二酸化ケイ素の形成をより容易にする観点か
らは、なるべく低分子のシロキサンを用いることが好ま
しい。なお、シロキサン層の厚さについては、このシロ
キサン層の厚さにより最終的に形成される二酸化ケイ素
層の膜厚が決定されるので、形成しようとする二酸化ケ
イ素層の膜厚に応じて適宜シロキサン層の厚さを決定す
ることができる。
れないが、二酸化ケイ素の形成をより容易にする観点か
らは、なるべく低分子のシロキサンを用いることが好ま
しい。なお、シロキサン層の厚さについては、このシロ
キサン層の厚さにより最終的に形成される二酸化ケイ素
層の膜厚が決定されるので、形成しようとする二酸化ケ
イ素層の膜厚に応じて適宜シロキサン層の厚さを決定す
ることができる。
【００１７】そして、表面にシロキサン層が形成された
負極としての被処理物と、この被処理物のシロキサン層
に対向配置された対向電極との間に直流電圧を印加して
放電させる。このときの電圧、電流条件は特に限定され
るものではなく、大気中で放電を発生させることのでき
る電力を供給できればよく、請求項１記載の方法と同程
度の条件とすることができる。
負極としての被処理物と、この被処理物のシロキサン層
に対向配置された対向電極との間に直流電圧を印加して
放電させる。このときの電圧、電流条件は特に限定され
るものではなく、大気中で放電を発生させることのでき
る電力を供給できればよく、請求項１記載の方法と同程
度の条件とすることができる。
【００１８】このようにして電極間で放電を発生させる
ことにより、負極としての被処理物から正極としての対
向電極に向かって電子が移動する。そして、この放電発
生のエネルギーによりシロキサン中の炭化水素基が消滅
し、最終的にシロキサン層が二酸化ケイ素層に変化す
る。このとき、放電発生のエネルギーによりシロキサン
は瞬時にＳｉＯ2 に変化するため、シロキサンが揮発す
るおそれが少ない。このため、二酸化ケイ素層を形成す
るのに必要な量のシロキサン層を予め被処理物の表面に
形成しておけば、確実に二酸化ケイ素層を形成すること
ができる。
ことにより、負極としての被処理物から正極としての対
向電極に向かって電子が移動する。そして、この放電発
生のエネルギーによりシロキサン中の炭化水素基が消滅
し、最終的にシロキサン層が二酸化ケイ素層に変化す
る。このとき、放電発生のエネルギーによりシロキサン
は瞬時にＳｉＯ2 に変化するため、シロキサンが揮発す
るおそれが少ない。このため、二酸化ケイ素層を形成す
るのに必要な量のシロキサン層を予め被処理物の表面に
形成しておけば、確実に二酸化ケイ素層を形成すること
ができる。
【００１９】このように請求項２記載の方法によれば、
被処理物の表面にシロキサン層を形成し、大気圧下で、
低電圧、低電流の直流電圧を負極としての被処理物と対
向電極との間に印加するという、極めて簡便で安価な方
法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を形成
することができる。また、請求項２記載の方法では、被
処理物の表面に部分的にシロキサン層を形成し、大気圧
下で、このシロキサン層と対向電極を対向させて放電を
発生させることにより、被処理物の必要部位のみに効率
的に二酸化ケイ素層を形成することが可能となる。
被処理物の表面にシロキサン層を形成し、大気圧下で、
低電圧、低電流の直流電圧を負極としての被処理物と対
向電極との間に印加するという、極めて簡便で安価な方
法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を形成
することができる。また、請求項２記載の方法では、被
処理物の表面に部分的にシロキサン層を形成し、大気圧
下で、このシロキサン層と対向電極を対向させて放電を
発生させることにより、被処理物の必要部位のみに効率
的に二酸化ケイ素層を形成することが可能となる。
【００２０】さらに、上記直流電圧の印加中に、被処理
物と対向電極とを、両者のギャップを一定にしつつ相対
移動させることにより、被処理物に広範囲に二酸化ケイ
素層を形成することが可能となる。 （実施形態３）請求項３記載の二酸化ケイ素層の形成方
法では、請求項２記載の方法と同様に被処理物の表面に
シロキサン層を形成する。請求項３記載の方法において
も、請求項２記載の方法と同様の被処理物及びシロキサ
ンを用いることができる。
物と対向電極とを、両者のギャップを一定にしつつ相対
移動させることにより、被処理物に広範囲に二酸化ケイ
素層を形成することが可能となる。 （実施形態３）請求項３記載の二酸化ケイ素層の形成方
法では、請求項２記載の方法と同様に被処理物の表面に
シロキサン層を形成する。請求項３記載の方法において
も、請求項２記載の方法と同様の被処理物及びシロキサ
ンを用いることができる。
【００２１】そして、表面にシロキサン層が形成された
被処理物の該シロキサン層に高密度エネルギーを照射す
る。このとき用いる高密度エネルギーの発生源として
は、溶射ガン等のプラズマフレーム発生装置や、レーザ
ー発振器等を用いることができる。このようにして被処
理物のシロキサン層に高密度エネルギーを照射すること
により、シロキサン中の炭化水素基が消滅し、最終的に
シロキサン層が二酸化ケイ素層に変化する。このとき、
高密度エネルギーによりシロキサンは瞬時にＳｉＯ 2 に
変化するため、シロキサンが揮発するおそれが少ない。
このため、二酸化ケイ素層を形成するのに必要な量のシ
ロキサン層を予め被処理物の表面に形成しておけば、確
実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
被処理物の該シロキサン層に高密度エネルギーを照射す
る。このとき用いる高密度エネルギーの発生源として
は、溶射ガン等のプラズマフレーム発生装置や、レーザ
ー発振器等を用いることができる。このようにして被処
理物のシロキサン層に高密度エネルギーを照射すること
により、シロキサン中の炭化水素基が消滅し、最終的に
シロキサン層が二酸化ケイ素層に変化する。このとき、
高密度エネルギーによりシロキサンは瞬時にＳｉＯ 2 に
変化するため、シロキサンが揮発するおそれが少ない。
このため、二酸化ケイ素層を形成するのに必要な量のシ
ロキサン層を予め被処理物の表面に形成しておけば、確
実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
【００２２】このように請求項３記載の方法によれば、
被処理物の表面にシロキサン層を形成し、大気圧下で高
密度エネルギーを照射するという、極めて簡便で安価な
方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を形
成することができる。また、請求項３記載の方法では、
被処理物の表面に部分的にシロキサン層を形成し、大気
圧下で、このシロキサン層と対向する位置に高密度エネ
ルギーの発生源を移動させて、高密度エネルギーを照射
することにより、被処理物の必要部位のみに効率的に二
酸化ケイ素層を形成することが可能となる。
被処理物の表面にシロキサン層を形成し、大気圧下で高
密度エネルギーを照射するという、極めて簡便で安価な
方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を形
成することができる。また、請求項３記載の方法では、
被処理物の表面に部分的にシロキサン層を形成し、大気
圧下で、このシロキサン層と対向する位置に高密度エネ
ルギーの発生源を移動させて、高密度エネルギーを照射
することにより、被処理物の必要部位のみに効率的に二
酸化ケイ素層を形成することが可能となる。
【００２３】さらに、高密度エネルギーの発生中に、被
処理物と高密度エネルギーの発生源とを、両者のギャッ
プを一定にしつつ相対移動させることにより、被処理物
に広範囲に二酸化ケイ素層を形成することが可能とな
る。
処理物と高密度エネルギーの発生源とを、両者のギャッ
プを一定にしつつ相対移動させることにより、被処理物
に広範囲に二酸化ケイ素層を形成することが可能とな
る。
【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明の二酸化ケイ素層
の形成方法を、より具体的に説明する。 （実施例１）図１に模式的に示す装置は、密閉容器１
と、この密閉容器１の底面に配置されたヒータ２付きの
蓋無し容器３と、密閉容器１の上方に対向配置された負
極としての被処理物（本実施例では純銅を用いた）４及
び正極としての対向電極５と、両電極間に直流電圧を印
加する直流電源６とから構成されている。なお、負極と
しての被処理物４及び対向電極５間のギャップは１ｍｍ
とした。
の形成方法を、より具体的に説明する。 （実施例１）図１に模式的に示す装置は、密閉容器１
と、この密閉容器１の底面に配置されたヒータ２付きの
蓋無し容器３と、密閉容器１の上方に対向配置された負
極としての被処理物（本実施例では純銅を用いた）４及
び正極としての対向電極５と、両電極間に直流電圧を印
加する直流電源６とから構成されている。なお、負極と
しての被処理物４及び対向電極５間のギャップは１ｍｍ
とした。
【００２５】本実施例では、液体状のシロキサン７とし
て（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦２８の
ものを用い、これを上記蓋無し容器３内に供給した。そ
して、ヒータ２によりシロキサン７を１５０℃に加熱し
てシロキサン７を蒸発させた。このとき、密閉容器１内
のシロキサン濃度は５％程度であった。なお、密閉容器
１内は大気圧とした。
て（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦２８の
ものを用い、これを上記蓋無し容器３内に供給した。そ
して、ヒータ２によりシロキサン７を１５０℃に加熱し
てシロキサン７を蒸発させた。このとき、密閉容器１内
のシロキサン濃度は５％程度であった。なお、密閉容器
１内は大気圧とした。
【００２６】この状態で、直流電源６の電源を入れ、電
圧：２ｋＶ、電流：５ｍＡの直流電圧を負極としての被
処理物４及び対向電極５間に印加して放電させた。そし
て、直流電源６の電源を入れてから１０分経過後に直流
電源６の電源を切り、処理を完了した。これにより、被
処理物４の対向電極５との対向面に、膜厚：１μｍ、表
面粗さ：Ｒｚ０．８μｍの二酸化ケイ素層を形成するこ
とができた。
圧：２ｋＶ、電流：５ｍＡの直流電圧を負極としての被
処理物４及び対向電極５間に印加して放電させた。そし
て、直流電源６の電源を入れてから１０分経過後に直流
電源６の電源を切り、処理を完了した。これにより、被
処理物４の対向電極５との対向面に、膜厚：１μｍ、表
面粗さ：Ｒｚ０．８μｍの二酸化ケイ素層を形成するこ
とができた。
【００２７】（実施例２）図２に模式的に示す本実施例
では、被処理物４として純銅を用い、シロキサンとして
液体状の（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦
２８のものを用いた。そして、シロキサンを希釈溶剤
（本実施例ではトルエンを用いた）で１０倍程度に希釈
して、この希釈溶液を被処理物４の表面に塗布すること
により、膜厚：１０μｍのシロキサン層８を形成した。
では、被処理物４として純銅を用い、シロキサンとして
液体状の（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦
２８のものを用いた。そして、シロキサンを希釈溶剤
（本実施例ではトルエンを用いた）で１０倍程度に希釈
して、この希釈溶液を被処理物４の表面に塗布すること
により、膜厚：１０μｍのシロキサン層８を形成した。
【００２８】上記表面にシロキサン層８が形成された被
処理物４を負極とし、この被処理物４のシロキサン層８
と対向するように正極としての対向電極５を大気中に対
向配置した。なお、負極としての被処理物４及び対向電
極５間のギャップは１ｍｍとした。この状態で、直流電
源６の電源を入れ、電圧：２ｋＶ、電流：５ｍＡの直流
電圧を負極としての被処理物４及び対向電極５間に印加
して放電させた。そして、直流電源６の電源を入れてか
ら３０分経過後に直流電源６の電源を切り、処理を完了
した。これにより、被処理物４の対向電極５との対向面
に、膜厚：３μｍ、表面粗さ：Ｒｚ１．５μｍの二酸化
ケイ素層を形成することができた。
処理物４を負極とし、この被処理物４のシロキサン層８
と対向するように正極としての対向電極５を大気中に対
向配置した。なお、負極としての被処理物４及び対向電
極５間のギャップは１ｍｍとした。この状態で、直流電
源６の電源を入れ、電圧：２ｋＶ、電流：５ｍＡの直流
電圧を負極としての被処理物４及び対向電極５間に印加
して放電させた。そして、直流電源６の電源を入れてか
ら３０分経過後に直流電源６の電源を切り、処理を完了
した。これにより、被処理物４の対向電極５との対向面
に、膜厚：３μｍ、表面粗さ：Ｒｚ１．５μｍの二酸化
ケイ素層を形成することができた。
【００２９】（実施例３）図３に模式的に示す本実施例
では、被処理物４として純銅を用い、シロキサンとして
液体状の（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦
２８のものを用いた。そして、シロキサンを希釈溶剤
（本実施例ではトルエンを用いた）で１０倍程度に希釈
して、この希釈溶液を被処理物４の表面に塗布すること
により、膜厚：１０μｍのシロキサン層８を形成した。
では、被処理物４として純銅を用い、シロキサンとして
液体状の（Ｒ2 ＳｉＯ）n でＲ：ＣＨ3 、ｎ：４≦ｎ≦
２８のものを用いた。そして、シロキサンを希釈溶剤
（本実施例ではトルエンを用いた）で１０倍程度に希釈
して、この希釈溶液を被処理物４の表面に塗布すること
により、膜厚：１０μｍのシロキサン層８を形成した。
【００３０】上記表面にシロキサン層８が形成された被
処理物４を大気中に置き、被処理物４のシロキサン層８
と対向する位置に高密度エネルギーの発生源としてのプ
ラズマフレーム発生装置（溶射ガン）９を配置した。な
お、プラズマフレーム発生装置９とシロキサン層８との
距離は５０ｍｍとした。そして、電圧：８０Ｖ、電流：
５００Ａの条件でプラズマフレーム発生装置９を作動し
て、被処理物４のシロキサン層８に高密度エネルギーを
５秒間照射した。これにより、被処理物４の表面に膜
厚：２μｍ、表面粗さ：Ｒｚ１．０μｍの二酸化ケイ素
層を形成することができた。
処理物４を大気中に置き、被処理物４のシロキサン層８
と対向する位置に高密度エネルギーの発生源としてのプ
ラズマフレーム発生装置（溶射ガン）９を配置した。な
お、プラズマフレーム発生装置９とシロキサン層８との
距離は５０ｍｍとした。そして、電圧：８０Ｖ、電流：
５００Ａの条件でプラズマフレーム発生装置９を作動し
て、被処理物４のシロキサン層８に高密度エネルギーを
５秒間照射した。これにより、被処理物４の表面に膜
厚：２μｍ、表面粗さ：Ｒｚ１．０μｍの二酸化ケイ素
層を形成することができた。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の方
法によれば、大気圧下のシロキサン雰囲気とされた容器
内で負極としての被処理物と対向電極との間に低電流、
低電圧の直流電流を印加するという、極めて簡便で安価
な方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を
形成することができる。また、二酸化ケイ素層の膜厚を
高精度に制御することが可能となり、しかも緻密で平滑
性の高い良質な二酸化ケイ素層を形成することが可能と
なる。
法によれば、大気圧下のシロキサン雰囲気とされた容器
内で負極としての被処理物と対向電極との間に低電流、
低電圧の直流電流を印加するという、極めて簡便で安価
な方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素層を
形成することができる。また、二酸化ケイ素層の膜厚を
高精度に制御することが可能となり、しかも緻密で平滑
性の高い良質な二酸化ケイ素層を形成することが可能と
なる。
【００３２】請求項２記載の方法によれば、表面にシロ
キサン層が形成された被処理物を負極とし、この負極と
しての被処理物と対向電極との間に大気圧下で、低電
圧、低電流の直流電圧を印加するという、極めて簡便で
安価な方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素
層を形成することができる。請求項３記載の方法によれ
ば、被処理物の表面にシロキサン層を形成し、このシロ
キサン層に大気圧下で高密度エネルギーを照射するとい
う、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間で確
実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
キサン層が形成された被処理物を負極とし、この負極と
しての被処理物と対向電極との間に大気圧下で、低電
圧、低電流の直流電圧を印加するという、極めて簡便で
安価な方法により、しかも短時間で確実に二酸化ケイ素
層を形成することができる。請求項３記載の方法によれ
ば、被処理物の表面にシロキサン層を形成し、このシロ
キサン層に大気圧下で高密度エネルギーを照射するとい
う、極めて簡便で安価な方法により、しかも短時間で確
実に二酸化ケイ素層を形成することができる。
【００３３】また請求項２及び請求項３記載の方法で
は、シロキサン雰囲気とするための容器を必要としない
ので、より簡便に二酸化ケイ素層を形成することができ
る。
は、シロキサン雰囲気とするための容器を必要としない
ので、より簡便に二酸化ケイ素層を形成することができ
る。
【図１】本実施例１の方法を模式的に説明する構成図で
ある。
ある。
【図２】本実施例２の方法を模式的に説明する構成図で
ある。
ある。
【図３】本実施例３の方法を模式的に説明する構成図で
ある。
ある。
図中、１は密閉容器、２はヒータ、３は蓋無し容器、４
は被処理物、５は対向電極、６は直流電源、７はシロキ
サン、８はシロキサン層、９はプラズマフレーム発生装
置である。
は被処理物、５は対向電極、６は直流電源、７はシロキ
サン、８はシロキサン層、９はプラズマフレーム発生装
置である。
Claims (3)
- 【請求項１】シロキサン雰囲気の容器内に被処理物と対
向電極とを対向配置し、該被処理物を負極として該被処
理物と該対向電極との間に直流電圧を印加して放電させ
ることにより、該被処理物の該対向電極との対向面に二
酸化ケイ素層を形成することを特徴とする二酸化ケイ素
層の形成方法。 - 【請求項２】表面にシロキサン層が形成された負極とし
ての被処理物と、該被処理物の該シロキサン層に対向配
置された対向電極との間に直流電圧を印加して放電さ
せ、該シロキサン層を二酸化ケイ素層に変化させること
により、該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を形成する
ことを特徴とする二酸化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項３】表面にシロキサン層が形成された被処理物
の該シロキサン層に高密度エネルギーを照射して、該シ
ロキサン層を二酸化ケイ素層に変化させることにより、
該被処理物の表面に二酸化ケイ素層を形成することを特
徴とする二酸化ケイ素層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16217596A JPH108254A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 二酸化ケイ素層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16217596A JPH108254A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 二酸化ケイ素層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108254A true JPH108254A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15749448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16217596A Pending JPH108254A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 二酸化ケイ素層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108254A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007046432A1 (ja) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 金属酸化膜の形成方法、金属酸化膜及び光学電子デバイス |
| US7985188B2 (en) | 2009-05-13 | 2011-07-26 | Cv Holdings Llc | Vessel, coating, inspection and processing apparatus |
| US8834954B2 (en) | 2009-05-13 | 2014-09-16 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessel inspection apparatus and methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| US10189603B2 (en) | 2011-11-11 | 2019-01-29 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US10201660B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-02-12 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US11066745B2 (en) | 2014-03-28 | 2021-07-20 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US11077233B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-08-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP16217596A patent/JPH108254A/ja active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5006203B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | 金属酸化膜の形成方法、金属酸化膜及び光学電子デバイス |
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| US11344473B2 (en) | 2013-03-11 | 2022-05-31 | SiO2Medical Products, Inc. | Coated packaging |
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