NO812436L - Fremgangsmaate ved fremstilling av et optisk belegg - Google Patents
Fremgangsmaate ved fremstilling av et optisk beleggInfo
- Publication number
- NO812436L NO812436L NO812436A NO812436A NO812436L NO 812436 L NO812436 L NO 812436L NO 812436 A NO812436 A NO 812436A NO 812436 A NO812436 A NO 812436A NO 812436 L NO812436 L NO 812436L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- plasma
- deposition
- carbon
- voltage
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
- H01J2237/3385—Carburising
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Eyeglasses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
Denne oppfinnelse angår optiske belegg og spesielt en fremgangsmåte ved optisk belegging av overflaten av et materiale med et carbonbelegg, dvs. med carbon enten i ren form eller med carbon inneholdende bare små mengder forurensninger (såsom hydrogen foreliggende i C-H bundet form).
Det er kjent flere vakuumavsetningsprosesser for av-setning av carbon i diverse former på overflater, men hver av disse prosesser er behefte<t>med ulemper som gjør kvali-
teten av det erholdte produkt utilfredsstillende. Dette rede-gjøres det for i tysk offentliggjørelsesskrift (DE-OS)
nr. 2 736 514, svarende til britisk patentskrift nr. 1 582 231. For fremstilling av carbonbelegg er det i nevnte tyske off. skrift foreslått å anvende en høyfrekvenskilde, nemlig en kilde med frekvens 500 kHz eller høyere, som er kapasitivt koblet til avsetningsoverflaten,for opprettelse av en for-spenning på denne overflate for derigjennom å tiltrekke de positive ioner fra en ionisert hydrocarbongass i nærheten av overflaten, og det har vist seg i henhold til nevnte offentlig-gjørelsesskrif t at den avsatte film består hovedsakelig av carbon.
Det har nu vist seg at ved de frekvenser som foreslåes
i nevnte offentliggjørelsesskrift (dvs. 500 kHz og høyere frekvenser) gir ioniseringen av hydrocarbongasser, såsom butan, et plasma med en elektrisk impedans som er en kompleks variabel av et antall parametere, og disse parametere varierer under avsetningprosessen og resulterer i variasjoner i plasmaets impedans og medfører mangelfull regulering og ikke-reproduserbarhet av avsetningsprosessen. Dette gir seg uttrykk i carbonbelegg av en tykkelse som varierer for hver utførelse av operasjonen. Oppfinnerne har vurdert å anvende en energikilde koblet til avsetningskammeret via en justerbar impedans-tilpasningsenhet og å overvåke avsetningsprosessen og energi-nivåene og å benytte justeringsutstyr for impedanstilpasnings-enheten for å oppnå konstante og reproduserbare avsetnings-betingelser. Slike arrangementer er imidlertid kompliserte og kostbare.
Det har nu vist seg at de parametere som plasmaimpedansen avhenger av undeE 'iiyBr^nkelfe operas i,©,n,"Innbefatter trykket
og variasjonene |L tifykfcettfUiul^a]cuumk^iTJm[eret, arten av hydro-
carbongassen og av materialet hvis overflate skal belegges, elektrodekonfigurasjonen og avstanden mellom elektrodene i kammeret og størrelsen av spenningen mellom elektrodene,
og det er overraskende blitt fastslått at for et gitt sett av slike parametere vil plasmaimpedansen praktisk talt ikke variere dersom avsetningen utføres ved frekvenser under en bestembar frekvens, som selv er lavere enn 500 kHz, og at plasmaimpedansen over den bestembare frekvens varierer på en kompleks måte under avsetningsprosessen.
For at carbonbelegget skal kunne bli av den type som det her henvises til, er det nødvendig at overflaten som skal belegges, bombarderes med ioner av relativt høy energi, nemlig med tilstrekkelig høyt energiinnhold til å bryte eller dissosiere samtlige eller i det minste det alt overveiende flertall av C-H bindingene som er tilstede i hydrocarbon-gassen fra hvilken plasmaet fremstilles. Dette oppnåes ved å anvende en energikilde med relativt høy spenning for fremstilling av plasmaet (en spenning av størrelsesordenen 1KV eller høyere) i forhold til de meget lavere tilførte spenninger (av størrelsesordenen 500V eller lavere) som det er kjent
å anvende for fremstilling av belegg med helt andre optiske egenskaper og som inneholder et vesentlig antall C-H bindinger. Disse belegg er ikke "carbonbelegg" som her definert.
I henhold til oppfinnelsen tilveiebringes der en fremgangsmåte ved påføring av et carbonbelegg på en overflate ved vakuumavsetning av carbon avledet fra en hydrocarbongass i plasmaform, ved hvilken overflaten kobles til en veksel-strømkilde som drives ved en frekvens under 500 kHz, ved hvilken plasmaets elektriske impedans praktisk talt ikke varierer under avsetningsprosessen.
Det er verd å merke seg at der ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen anvendes frekvenser som er relativt lave, nemlig under 50 0 kHz, og som kan genereres uten anvendelse av kost-bart utstyr, og fordi plasmaimpedansen holder seg hovedsakelig konstant gjennom hele avsetningsprosessen, er fremgangsmåten relativt sikker og reproduserbar og kan utføres uten dynamiske overvåkings- og justeringsforanstaltninger. Den krever heller ikke noe i'lf!p^danIs:td=l^a=ss-eB4«=ae4^fevej:k mellom veksel-
strømskilden og Vj<a>ku<up>kS<mWe>r^.
Fortrinnsvis utføres fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen ved et trykk i området 6 x 10 -3 torr, idet RMS-spenningen
som leveres fra energikilden, er av størrelsesordenen 2KV.
Ved dette trykk og denne spenning er arten av hydrocarbon-gassen ikke av avgjørende betydning, og skjønt butan er den foretrukne hydrocarbongass, fordi den er kommersielt lett anskaffelig, kan også hydrocarbongasser med høyere eller lavere molekylvekt anvendes.
Med det trykk og den spenning som er angitt ovenfor og
ved bruk av den elektriske krets som er illustrert på tegningen, har energikilden fortrinnsvis konstant frekvens,
nemlig 300 kHz. Med disse parametere har det vist seg at diamantlignende carbonbelegg med. god optisk kvalitet kan avsettes på substratmaterialer som glass og germanium.
Den vedføyede tegning viser et apparat for påføring av
et carbonbelegg på en overflate av et materiale ved hjelp av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen.
På tegningen vises et substrat 10 av et materiale hvis øvre overflate skal belegges, hvilket substrat understøttes av en metallelektrode 11 som ved 12 er isolert mot en jordet J-arm 13 opphengt på innsiden av et jordet vakuumkammer 14. Elektroden 11 er via en 800 Pf sperrekondensator 26 forbundet med den ene polklemme av en 300 kHz energikilde 15 med to metallrør 12A, som også benyttes for tilførsel av sirkulerende kjølevann til elektroden. Energikildens 15 andre polklemme er jordet. En tynn metallskjerm 8 som understøttes av og er forbundet med J-armen 13, er anordnet rundt elektroden 11
og tjener, sammen med en plate 24 opphengt på innsiden av kammeret 14, til å avgrense utladningen inne i kammeret. Energikilden 15 omfatter en generator som gir konstant spenning og en transformator for å variere spenningen, og driftsfrekvensen kan være enten fast eller variabel. De vannledende rør 12A holdes ved atmosfæretrykk inne i J-armen 13 og elektroden 11.
Til kammeret er det festet en utløpsåpning som kan for-bindes, som antydet ved pilen 17, til en vakuumpumpe og til
en luftinntaksventil 18. Forbundet med kammeret er dessuten en termoelement-v akxiummåler_19 og en rørforbindelse til en nå leven til 20, g j 1m^SflTfl^ s en utvalgt
gass fra en kilde so^a^fdb^ve^-jljfe^^l^- 21A.
Under drift évakueres kammeret 14 til ca. 2 x 10 torr, og argon tilføres fra kilden 21 gjennom nåleventilen 20. Energikilden 15 påsettes, slik at det finner sted utladning, mellom elektroden 11 og den jordede etsningsoppfanger 24,
som er anordnet på ca. 9 cm avstand, for dannelse av et argon-ioneplasma. Denne utladning fortsettes i ca. 15 minutter ved et trykk på 5,0 x 10 torr, idet energikilden 15 leverer ca. 1,9KV, for å rengjøre den eksponerte overflate av substratet 10 meget grundig og oppvarme substratet til den ønskede temperatur. Argonet avstenges, og hydrocarbongass (f.eks. butan) fra kilden 21A tilføres i stedet, uten at utladningen stoppes, og tilførselen av hydrocarbongass fortsettes så lenge som det er påkrevet, ved et trykk på -3
5,0 x 10 torr. Under disse betingelser bygges der langsomt opp en ekstremt hard film av hovedsakelig rent carbon på overflaten som skal belegges, som angitt ved henvisningstall 23. Substratet 10 kan være ledende eller ikke-ledende eller halvledende,bg kondensatoren 26 kan om ønskes utelates. Imidlertid gir kondensatoren 26 en enkelt metode til å regu-lere buedannelsen i kammeret 14 når substratet 10 er ledende.
I et annet eksempel ble det dannet plasmaer ved 390 kHz med en likestrømsforspenning på understøttelseselektroden 11 for substratet i området 200 - 600 V fra en energikilde med operasjonsområde 0,5 - 1,5 KW ved en spenning på ca. 1,5 KV. Elektrodens 11 begynnelsestemperatur var 30°C, og drifts-trykket under avsetningen var innenfor området 0,1 - 1,0 torr. Innenfor disse parameterområder har det vært mulig hurtig å fremstille varige carbonbelegg av god kvalitet på substrater som germanium, men det antas at belegg av tilsvarende god kvalitet vil kunne oppnåes også ved høyere trykk ( opp til 10,0 torr) og likeledes ved trykk i området fra 1,0 x 10<_3>til 0,1 torr. I forhold til den kjente fremgangsmåte ifølge tysk offentliggjørelsesskrift nr. 2 736 514 ble belegnings-tiden redusert med en faktor på 2 ved anvendelse av 390 kHz, og belegningsarealet øket med en faktor på 2, samtidig som ensartetheten av beleggtykkelsen ble forbedret og beleggets absorpsjon av stfålihg^ ble redusert
med 20%. Holdbarheta (Ev^Mérife Mms&ilt ved denne frem-UUU(i=> linL- UJT II
gangsmåte ble målt til å være i overkant av 200.000 av-strykninger på en standard avstryknirigstestanordning (for-likelig med RSRE Technical Specification for InfraRed Optical Coatings, No. TS 1888), og i overensstemmelse med oppfinnelsen var selvfølgelig den frekvens som ble benyttet, lavere enn den ved hvilken plasmaimpedansen varierte, og følgelig var kraftkilden koblet direkte til avsetningskammeret uten tilpasningsinnretninger eller innretninger for dynamisk kontroll innkoblet mellom disse.
Det vil forståes at de optiske belegg som her er be-skrevet, først og fremst er beregnet på å redusere overflate-reflektiviteten for substrater som i det synlige område kan være glass og i det infrarøde område kan være germanium. Belegget kan danne én enkelt film eller ett skikt i et lag med flere skikt, og det kan anvendes for absorpsjonsfiltere med regulert tetthet f.eks. på ofthalmiske linser. En alternativ anvendelse av de beskrevne optiske belegg er som et slitasjeresistent skikt på relativt myke optiske materialer, i hvilket tilfelle beleggene eventuelt kan ha antirefleksjons-egenskaper.
Claims (6)
1. Fremgangsmåte ved påføring av et carbonbelegg på en overflate ved vakuumavsetning av carbon avledet fra en hydrocarbongass i plasmaform,
karakterisert ved at overflaten kobles til en yekselstrømskilde som drives ved en frekvens lavere enn 500 kHz, ved hvilken plasmaets elektriske impedans praktisk talt ikke varierer under avsetningsprosessen.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1,
karakterisert ved at trykket under avsetningsprosessen og spenningen som leveres fra vekselstrømskilden, er slik at arten av den hydrocarbongass fra hvilken plasmaet avledes, ikke er av avgjørende betydning.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 2,
karakterisert ved at der anvendes et trykk i området fra 1 x IO <-3> til 10,0 torr.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 2 eller 3,
karakterisert ved at der anvendes en spenning på ca. 2 KV.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1-4,
karakterisert ved at man før avsetningen foretas, rengjør substratet med et ioneplasma avledet fra en inert gass.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1-5,
karakterisert ved at substratet til å begynne med har en forhåndsbestemt temperatur over romtemperatur.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8023435 | 1980-07-17 | ||
| GB8118713 | 1981-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO812436L true NO812436L (no) | 1984-08-24 |
Family
ID=26276256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO812436A NO812436L (no) | 1980-07-17 | 1981-07-15 | Fremgangsmaate ved fremstilling av et optisk belegg |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4444805A (no) |
| DE (1) | DE3128022A1 (no) |
| FR (1) | FR2518581B3 (no) |
| IT (1) | IT1144745B (no) |
| NL (1) | NL8103333A (no) |
| NO (1) | NO812436L (no) |
| SE (1) | SE8104410L (no) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0142176A1 (en) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | George Gergely Merkl | Cubic carbon |
| US4645713A (en) * | 1985-01-25 | 1987-02-24 | Agency Of Industrial Science & Technology | Method for forming conductive graphite film and film formed thereby |
| US4626447A (en) * | 1985-03-18 | 1986-12-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma confining apparatus |
| US4603082A (en) * | 1985-04-29 | 1986-07-29 | Rca Corporation | Diamond-like film |
| GB2175016B (en) * | 1985-05-11 | 1990-01-24 | Barr & Stroud Ltd | Optical coating |
| DE3630419A1 (de) * | 1986-09-06 | 1988-03-10 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur beschichtung von hoher waermebelastung ausgesetzten bauelementen mit einer amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffschicht |
| DE3630418C1 (de) * | 1986-09-06 | 1987-12-17 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur Beschichtung von Werkstuecken mit amorphem,wasserstoffhaltigem Kohlenstoff |
| DE3719616A1 (de) * | 1987-06-12 | 1988-12-29 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats |
| US5283087A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| US4994298A (en) * | 1988-06-07 | 1991-02-19 | Biogold Inc. | Method of making a biocompatible prosthesis |
| US4992298A (en) * | 1988-10-11 | 1991-02-12 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
| US5055318A (en) * | 1988-10-11 | 1991-10-08 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
| CA2065581C (en) | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
| GB9420089D0 (en) * | 1994-10-05 | 1994-11-16 | Applied Vision Ltd | Coatings for optical lens having low surface energy properties |
| DE19819414A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
| US8545995B2 (en) * | 2009-12-14 | 2013-10-01 | Lawrence Livermore National Security, Llc. | Systems having optical absorption layer for mid and long wave infrared and methods for making the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3776762A (en) * | 1971-10-18 | 1973-12-04 | Kote Corp Du | Dry lubrication |
| US3961103A (en) * | 1972-07-12 | 1976-06-01 | Space Sciences, Inc. | Film deposition |
| US4170662A (en) * | 1974-11-05 | 1979-10-09 | Eastman Kodak Company | Plasma plating |
| GB1582231A (en) * | 1976-08-13 | 1981-01-07 | Nat Res Dev | Application of a layer of carbonaceous material to a surface |
| WO1980000504A1 (en) * | 1978-08-18 | 1980-03-20 | Nat Res Dev | Control of deposition of thin films |
| JPS5846057B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1981
- 1981-06-22 US US06/276,259 patent/US4444805A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-07-14 NL NL8103333A patent/NL8103333A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-07-15 NO NO812436A patent/NO812436L/no unknown
- 1981-07-16 SE SE8104410A patent/SE8104410L/xx unknown
- 1981-07-16 FR FR8113844A patent/FR2518581B3/fr not_active Expired
- 1981-07-16 DE DE19813128022 patent/DE3128022A1/de not_active Withdrawn
- 1981-07-17 IT IT67986/81A patent/IT1144745B/it active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3128022A1 (de) | 1984-01-26 |
| IT1144745B (it) | 1986-10-29 |
| FR2518581A1 (no) | 1983-06-24 |
| US4444805A (en) | 1984-04-24 |
| NL8103333A (nl) | 1983-04-05 |
| FR2518581B3 (no) | 1984-09-07 |
| IT8167986A0 (it) | 1981-07-17 |
| SE8104410L (sv) | 1983-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO812436L (no) | Fremgangsmaate ved fremstilling av et optisk belegg | |
| US4400410A (en) | Coating insulating materials by glow discharge | |
| US5171607A (en) | Method of depositing diamond-like carbon film onto a substrate having a low melting temperature | |
| EP0048542B2 (en) | Coating infra red transparent semiconductor material | |
| US5102523A (en) | Arrangement for the production of a plasma | |
| JPH0247256A (ja) | 反応形スパッタリングによる酸化物膜の形成 | |
| JP2010103455A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2004535037A (ja) | グロー放電プラズマを用いた表面処理方法及び装置 | |
| EP0106637B1 (en) | Infra red transparent optical components | |
| JPH108254A (ja) | 二酸化ケイ素層の形成方法 | |
| US3756847A (en) | Method for controlling the composition of a deposited film | |
| US5258074A (en) | Evaporation apparatus comprising film substrate voltage applying means and current measurement means | |
| US5988104A (en) | Plasma treatment system | |
| GB2082562A (en) | Coating germanium or silica with carbon | |
| EP0440326A1 (en) | Method of depositing diamond-like film onto a substrate having a low melting temperature | |
| JP3286951B2 (ja) | プラズマｃｖｄ成膜方法と装置 | |
| RU173348U1 (ru) | Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий | |
| WO2005021833A2 (en) | Apparatus for the coating and/or conditioning of substrates | |
| JP2003064207A (ja) | 多孔質材料表面を親水性化する乾式表面処理方法 | |
| JPH08209329A (ja) | 巻き取り式蒸着装置及びｃｖｄ装置 | |
| JPS6320447A (ja) | 金属帯を連続的にセラミツクでコ−テイングする方法と装置 | |
| Shimizu et al. | Microstructures of hydrogenated silicon films prepared by ion plating | |
| JPS60236215A (ja) | レ−ザｃｖｄ方法 | |
| JPS6226869A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| BE889648A (fr) | Enduit optique |