JPS59154029A - 絶縁膜形成方法 - Google Patents

絶縁膜形成方法

Info

Publication number
JPS59154029A
JPS59154029A JP58027693A JP2769383A JPS59154029A JP S59154029 A JPS59154029 A JP S59154029A JP 58027693 A JP58027693 A JP 58027693A JP 2769383 A JP2769383 A JP 2769383A JP S59154029 A JPS59154029 A JP S59154029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
forming
insulating film
plasma polymerization
irradiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58027693A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Ono
大野　正善
Takeshi Okada
岡田　武司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP58027693A priority Critical patent/JPS59154029A/ja
Publication of JPS59154029A publication Critical patent/JPS59154029A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路などの素子における層間絶縁
膜などの絶縁膜形成方法に関するものである。
半導体集積回路などの小型電子装置では、一般に絶縁層
と導体層を順次作成しその際その絶縁層および導体層を
所定のパターンに微細加工している。そのため何層も積
層した後の表面には、いくつかの膜層の厚さに対応する
非常に極端な段差が生じることになる。このような段差
があると、通常の金属蒸着等により表面に導体層を形成
した場合段差の側面で金属の蒸着量が少なく、断線が生
じやすくなる。また、絶縁層を形成した場合、段差の側
面では膜質か弱く、クランクが入りやすくなったりして
、この部分で上下の導体層間で短絡が生じやすくなる。
このように、表面の凹凸が著しい場合には、製品の歩留
りを悪くするほか、製品使用時の故障率を高めることに
もなる。
上述のような、歩留りおよび信頼性を向上させるために
、絶縁膜の表面をなだらかにするための表面平坦化が重
要となっている。しかし、従来から絶縁膜として用いら
れているＳｉ　０２　、　Ｓｉ３Ｎ４などの無機膜では
表面平坦化のために、絶縁膜形成後リフトオフ操作など
の複雑な操作を必要とし、そのためコスト上昇と歩留り
の低下を生じることになる。
一方、容易に平坦化できる絶縁層として、５ｉｎ２に燐
などを含１せた、無機ガラス層を１０００℃近くの加熱
処理で塑性流動させるガラスフロー法や。
ポリイミド等の有機系物質を塗布し硬化させる途布法が
知られている。
このガラスフロー法には、高温処理であって導体層に耐
熱性を必要とするため、高融点金属を必要とすることや
、半導体層中のドーパントの分布の拡散による変化とい
う問題点がある。一方、塗布法では、ち密な膜を形成す
ることが困難とされているため、吸湿性が大きく、ピン
ホールが生じやす（なるため絶縁性などの電気的特性が
雰囲気の影響を受けて劣化しやすく、歩留りや信頼性が
劣るという問題点がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、平坦化が容易でピ
ンホールが生じにくく絶縁性の良好な絶縁膜を形成する
方法を提供するものである。
上記目的を達成するための本発明における絶縁膜形成方
法は、有機物をプラズマ中で反応させ薄膜を形成するい
わゆるプラズマ重合法において反応条件によって膜質を
ち密な膜から流動性を持った膜まで自由に変えられるこ
とを利用したものである。
すなわち、プラズマ重合によって凹凸を有する下部基板
上にち密なピンホールの入りにくい薄膜を形成し、引き
続（・て膜形成条件を変化させ、流動性を有するプラズ
マ重合膜を形成し、その流動性を利用して表面の平坦化
を行ない、光照射、電子線照射、放射線照射、加熱処理
、あるいはこれらの処理を組み合わせた処理を行なし・
、膜中の流動性の部分を硬化させるようにしている。以
上の工程によって表面の平坦な絶縁膜を形成でき、しか
も最初から流動性を有するプラズマ重合膜を基板上に形
成するよりも、基板への密着性や絶縁性を向上すること
ができる。もちろん、第１段階として、プラズマＣＶＤ
法によって５ｉ０２やＳｉ３Ｎ、などの無機簿膜を利用
することも可能である。
以下に図１を用（・て本発明の実施例を順次説明する。
〔実施例１〕まず凹凸を有する基板１に平行平板プラズ
マＣＶＤ装置を用いて、プラズマ重合によってポリシル
キサン膜を形成した。モノマとして有機シリコン化合物
オクタメチルシクロテトラシロキサンを選び基板温度２
００℃、モノマ供給量５ｍｇ／ｍｉｎ　、印加電力１０
０Ｗ、キャリアガス（Ｎ２）流量５０　ｃｃ／ｍｉｎ、
全圧０．５　Ｔｏｒｒの条件によって２０分間膜形成す
ることによって、膜厚５ｏｏｏＡのち密な膜２を得るこ
とができた。装置から試料をとり出さず、そのまま、基
板温度を１５℃に冷却し、モノマ供給量２０ｍｇ／ｍｉ
ｎ、　印加電力５Ｗ、キャリアガス（Ｎ２　）流量３０
ｃｃ／ｍｉｎ、全圧１　’ｌ’ｏｒｒの条件で３分間膜
形成することによって、流動性の被覆が得られる。次に
、低圧水鋼溶（ＩＩＯＷ）を用υ・て紫外光照射した。
上記の操作によって、膜厚およそ１μｍの表面の平坦な
膜３が得−もれた。表面被覆の断面図を図１に示す。
得られた膜の電気的特性を調べたところ、周波数１０〜
１０’　Ｈｚにおいて誘電率が３．８、絶縁耐圧２〜３
　Ｘ　１０６Ｖ／　ｃｍ　、抵抗率４Ｘ１０”０ｍで良
好な特性を示した。
〔実施例２〕プラズマＣＶＤ法によって、５１０２膜を
膜厚３０００　Ａはど形成し、ひき続いて、プラズマ重
合を実施例１で述べた条件で行ない、流動性の膜を形成
し、紫外光照射によって硬化させ、膜厚０８μｍの表面
の平坦な膜が得られた。
表面被覆の断面は、図１に示したものと同様であった。
得られた膜の電気的特性を調べたところ、周波数１０〜
１０’Ｈｚにお〜・て誘電率４０、絶縁耐圧２〜３　Ｘ
　１０’　Ｖ／ａｎ、抵抗率５　Ｘ　１０”０口で良好
であった。
以上説明したように、本発明によれば、まずち密な膜を
基板に形成し、次に流動性を有する膜を形成し硬化させ
ることによって、基板への密着性が向上するばかりでな
く、水蒸気などが透過することについて、従来の塗布膜
も含めて、直接に流動性を有する膜を基板上に形成し硬
化させる場合に比較して、密閉性もかく段に向上する。
また絶縁性などの電気的特性の湿度などの雰囲気による
劣化も防止できる。もちろん、従来の塗布膜を用℃・る
平坦化に比較して、オールトライプロセスで表面が平坦
な絶縁膜が形成でき、原料の高純度化や、プロセスの制
御性が優れて（・るという利点がある。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明忙よって絶縁膜を凹凸を有する基板□上に
形成した場合の断面図である。 １・・・下部基板、　　２・・・プラズマ重合・である
いはプラズマＣＶＤ法で形成したち密な膜、３・・・プ
ラズマ重合で形成した流動性を有する膜を硬化させた部
分。 特許出願人　　日本電信電話公社 代　理　人　　　白　　水　　常　　雄外１名

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板表面にプラズマ重合法によって有機薄膜を形
    成し、続いて形成した膜上にプラズマ重合によって流動
    性の生成物を形成した後光照射、電子線照射、放射線照
    射、加熱処理又はこれらの処理を組み合わせた処理を行
    なって流動性の膜を硬化させ、表面の平坦な膜を形成す
    ることを特徴とする絶縁膜形成方法。
  2. （２）前記流動性の生成物を形成するプラズマ重含法に
    お℃゛て有機シリコン化合物を反応物として用いること
    を特徴とする特許 １項記載の絶縁膜形成方法。
  3. （３）基板表面にプラズマＣＶＤ法によって無機薄膜を
    形成し、続いて形成した膜上に、プラズマ重合によって
    、流動性の生成物を形成した後、光照射、電子線照射、
    放射線照射、加熱処理又はこれらの処理を組み合わせた
    処理を行なって流動性の膜を硬化させ、表面の平坦な膜
    を形成することを特徴とする絶縁膜形成方法。
  4. （４）前記流動性の生成物を形成するプラズマ重合法κ
    おいて、有機シリコン化合物を反応物として用いること
    を特徴とする前記特許請求の範囲第３項記載の絶縁膜形
    成方法。
JP58027693A 1983-02-23 1983-02-23 絶縁膜形成方法 Pending JPS59154029A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58027693A JPS59154029A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 絶縁膜形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58027693A JPS59154029A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 絶縁膜形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59154029A true JPS59154029A (ja) 1984-09-03

Family

ID=12228044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58027693A Pending JPS59154029A (ja) 1983-02-23 1983-02-23 絶縁膜形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59154029A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01181533A (ja) * 1988-01-12 1989-07-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP0353583A2 (de) * 1988-08-05 1990-02-07 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung dünner Schichten auf Siliconbasis
KR970023847A (ko) * 1995-10-27 1997-05-30 김주용 반도체 소자의 단차완화 방법
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US10016338B2 (en) 2013-03-11 2018-07-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
US10189603B2 (en) 2011-11-11 2019-01-29 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US10201660B2 (en) 2012-11-30 2019-02-12 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US10390744B2 (en) 2009-05-13 2019-08-27 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubricity layer, apparatus and method for transporting a vessel to and from a PECVD processing station, and double wall plastic vessel
US11066745B2 (en) 2014-03-28 2021-07-20 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US11077233B2 (en) 2015-08-18 2021-08-03 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01181533A (ja) * 1988-01-12 1989-07-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP0353583A2 (de) * 1988-08-05 1990-02-07 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung dünner Schichten auf Siliconbasis
US4983419A (en) * 1988-08-05 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for generating thin layers on a silicone base
KR970023847A (ko) * 1995-10-27 1997-05-30 김주용 반도체 소자의 단차완화 방법
US10390744B2 (en) 2009-05-13 2019-08-27 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubricity layer, apparatus and method for transporting a vessel to and from a PECVD processing station, and double wall plastic vessel
US10537273B2 (en) 2009-05-13 2020-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubricity layer
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US11123491B2 (en) 2010-11-12 2021-09-21 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US11148856B2 (en) 2011-11-11 2021-10-19 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US11884446B2 (en) 2011-11-11 2024-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US10189603B2 (en) 2011-11-11 2019-01-29 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11724860B2 (en) 2011-11-11 2023-08-15 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US10577154B2 (en) 2011-11-11 2020-03-03 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US10201660B2 (en) 2012-11-30 2019-02-12 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US10363370B2 (en) 2012-11-30 2019-07-30 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US11406765B2 (en) 2012-11-30 2022-08-09 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11298293B2 (en) 2013-03-11 2022-04-12 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coated pharmaceutical packaging
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US11344473B2 (en) 2013-03-11 2022-05-31 SiO2Medical Products, Inc. Coated packaging
US10912714B2 (en) 2013-03-11 2021-02-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coated pharmaceutical packaging
US11684546B2 (en) 2013-03-11 2023-06-27 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coated pharmaceutical packaging
US10537494B2 (en) 2013-03-11 2020-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated blood collection tube with low oxygen transmission rate
US10016338B2 (en) 2013-03-11 2018-07-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
US11066745B2 (en) 2014-03-28 2021-07-20 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US11077233B2 (en) 2015-08-18 2021-08-03 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59154029A (ja) 絶縁膜形成方法
US5874367A (en) Method of treating a semi-conductor wafer
EP1050599B1 (en) Method of forming interlayer insulating film
JP2001060584A (ja) 炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理
JPH08153784A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013520792A (ja) 低誘電率誘電体を含む超小型電子構造およびその構造内の炭素分配を制御する方法
KR100817350B1 (ko) 규소 탄화물 박막의 이중 플라즈마 처리
JPH03190232A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100743440B1 (ko) 노광광 차폐막 형성용 재료, 다층 배선 및 이의 제조 방법,및 반도체 장치
US20040266216A1 (en) Method for improving uniformity in deposited low k dielectric material
JP2850834B2 (ja) 非晶質炭素膜の製造方法及び半導体装置
JP3149739B2 (ja) 多層配線形成法
JP3061558B2 (ja) 半導体装置の絶縁層の形成方法
JPH06104181A (ja) 光ｃｖｄ法利用絶縁膜の製造方法と平坦化絶縁膜の製造方法
JP2000106364A (ja) 絶縁膜の製造方法
JPH01319942A (ja) 絶縁膜の形成方法
US20010051228A1 (en) Method of forming interlayer insulating film
JP2001035843A (ja) 層間絶縁膜の形成方法
JPH07176613A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11274296A (ja) 多層配線構造及びその形成方法
JPS59225529A (ja) 絶縁層の平坦化方法
JPS6227745B2 (ja)
JPS59124729A (ja) 絶縁膜形成方法
JP3008996B2 (ja) 絶縁膜の形成方法
JPH06326200A (ja) 層間絶縁膜の形成方法