KR100256173B1 - 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버 - Google Patents

반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR100256173B1
KR100256173B1 KR1019970071740A KR19970071740A KR100256173B1 KR 100256173 B1 KR100256173 B1 KR 100256173B1 KR 1019970071740 A KR1019970071740 A KR 1019970071740A KR 19970071740 A KR19970071740 A KR 19970071740A KR 100256173 B1 KR100256173 B1 KR 100256173B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cable
bracket
plasma
etching chamber
chamber
Prior art date
Application number
KR1019970071740A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990052283A (ko
Inventor
이상열
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970071740A priority Critical patent/KR100256173B1/ko
Priority to TW087114634A priority patent/TW388933B/zh
Priority to JP26779598A priority patent/JP3727180B2/ja
Priority to US09/185,092 priority patent/US6082295A/en
Publication of KR19990052283A publication Critical patent/KR19990052283A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100256173B1 publication Critical patent/KR100256173B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means

Abstract

본 발명은 고주파(Radio Frequency, RF) 에너지로 형성된 플라즈마 가스를 웨이퍼로 유도하기 위하여 형성되는 자기장이 안정화되어 특정 부분으로의 플라즈마의 쏠림을 방지하기 위한 것으로써, 고주파(Radio Frequency, RF) 에너지에 의하여 형성된 플라즈마 상태의 식각가스를 유도하는 자기장을 발생하는 마그네트 코일이 외벽에 설치되고 상기 마그네트 코일로 전류를 공급하도록 케이블이 연결되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버에 절연성 재질의 브라켓이 외벽에 설치되고 상기 브라켓에 상기 케이블이 연결되어 있고, 그에 따라서 챔버 내부에서의 플라즈마 쏠림 현상이 해결되어 식각의 균일도가 개선되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버
본 발명은 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고주파(Radio Frequency, RF) 에너지로 형성된 플라즈마 가스를 웨이퍼로 유도하기 위하여 형성되는 자기장이 안정화되어 특정 부분으로의 플라즈마의 쏠림을 방지하도록 개선시킨 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버에 관한 것이다.
통상, 플라즈마 식각은 웨이퍼를 가공하는 공정 중 건식식각의 일례로써, 플라즈마 가스는 전기적 파괴에 의해 생성되며 가스의 종류에 따라서 웨이퍼의 표면을 이루는 물질과 강한 화학 반응을 일으킬 수 있다.
일반적인 웨이퍼 가공을 위하여 적용되는 플라즈마 식각은 다음과 같이 진행된다.
먼저, 식각될 웨이퍼가 보트에 실려서 반응실로 이송되고, 그 후 반응실 내부가 진공상태로 된 후 특수 가스가 반응실로 유입된다. 반응실에 특수 가스가 유입된 후 RF 에너지가 혼합 가스에 가해짐으로써 플라즈마 가스가 생성되고, 플라즈마 가스에 의하여 웨이퍼의 식각이 진행된다.
전술한 종래의 플라즈마 식각 방법을 보완하기 위하여 최근 자기장을 챔버 내부에 형성시켜서 웨이퍼로 플라즈마 가스를 유도하는 기술이 개발된 바 있다.
이를 위하여 도1과 같은 챔버가 적용되고 있으며, 구체적으로 설명하면, 종래의 플라즈마 식각 챔버는 챔버(10)의 외벽에 복수 개의 마그네트 코일(12)이 설치되고 케이블(14)을 통하여 마그네트 코일(12)로 전류를 공급하도록 구성되어 있다. 마그네트 코일(12)로 전류가 공급되면 챔버(10) 내부에 자기장이 형성되고, 자기장은 플라즈마 상태를 이루고 있는 각 성분별 전기적 극성에 따라 유도된다. 이 과정에서 웨이퍼 방향으로 플라즈마 가스가 진행되고, 웨이퍼 표면 물질과 플라즈마 가스가 반응되어 식각이 진행된다.
그리고, 전술한 바와 같이 구성되는 플라즈마 식각 챔버에서 마그네트 코일(12)로 전류를 공급하는 케이블(14)이 챔버(10)에 부착되는 브라켓(16)에 연결되어 있으며, 브라켓(16)에 케이블(14)이 연결되는 부분에는 연결너트(18)가 결합되어서 케이블(14)을 지지하도록 구성되어 있다.
그러나, 전술한 바와 같이 구성된 종래의 건식식각설비는 브라켓(16)이 설치되는(도시되지 않았으나 식각종료점 확인 윈도우가 형성된 부분임) 부분에서 내부에 형성된 플라즈마의 쏠림 현상이 발생된다.
이는 마그네트 코일(12)에 전류를 공급하기 위한 케이블(14)이 결합되는 브라켓(16)이 설치된 부분에서 부분적인 방전(放電)이 발생됨으로써 일어나는 현상이다. 종래의 브라켓(16)은 재질이 도전성을 갖는 알루미늄이며 전기분해로 표면처리(Hard Anodizing)된 것이기 때문에 전술한 방전이 발생되었고, 방전은 결과적으로 챔버(10) 내부에 형성되는 자기장에 도1에 도시된 화살표와 같이 영향을 미치고, 결국, 챔버 내부에서 웨이퍼를 식각하는 플라즈마 가스의 일방향 쏠림 현상이 발생되었다.
그러므로, 챔버(10) 내부의 플라즈마 가스 분포 상태의 균형이 깨어지면서 플라즈마가 쏠리는 부분에서 웨이퍼의 과식각이 발생되며, 식각종료점 확인 윈도우 부분에서 식각의 균일도(Uniformity)가 저하되는 문제점이 발생되었다.
한편, 종래의 브라켓(16)에 결합되는 연결너트(18)에 의하여 지지되는 케이블은 구조적으로 접속부분이 취약하게 설계되었다. 그러므로 케이블(14)은 수직 방향으로 부가되는 스트레스와 접속부분의 잦은 마찰로 인하여 단선되는 경우가 종종 발생되었다. 단선이 발생되는 경우, 정상적인 설비의 작동이 불가능하므로 이를 보수하기 위한 설비의 다운이 빈번하게 발생되었고 그에 따른 설비의 가동률이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 마그네트 코일로 전류를 공급하는 케이블을 고정하는 브라켓을 개선시킴으로써 방전을 방지하여 플라즈마 쏠림 현상을 해결하여 식각 균일도를 개선시키기 위한 반도체 제조용 플라즈마 식각 챔버를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 마그네트 코일로 전류를 공급하는 케이블을 고정하는 브라켓의 케이블 고정 구조를 개선시킴으로써 케이블의 단선을 방지하고 그로 인한 설비의 다운을 예방하기 위한 반도체 제조용 플라즈마 식각 챔버를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버의 단면도이다.
도2는 종래의 브라켓 연결부의 단면도이다.
도3은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버의 실시예를 나타내는 단면도이다.
도4는 본 발명에 따른 브라켓 연결부의 단면도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 챔버 12 : 마그네트 코일
14 : 케이블 16, 20 : 브라켓
18, 22 : 연결너트 24 : 결합나사부
26 : 연장너트
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조용 플라즈마 식각 챔버는, 고주파 에너지에 의하여 형성된 플라즈마 상태의 식각가스를 유도하는 자기장을 발생하는 마그네트 코일이 외벽에 설치되고 상기 마그네트 코일로 전류를 공급하도록 케이블이 연결되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버에 있어서, 절연성 재질의 브라켓이 외벽에 설치되고 상기 브라켓에 상기 케이블이 연결됨을 특징으로 한다.
그리고, 브라켓(20)은 폴리아미드(Polyamide), 폴리아세탈(Polyacetal), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에스터(Polyester) 또는 변형 폴리페닐옥사이드(Modified Polyphenylene Oxide) 중 어느 하나로 제작될 수 있다.
그리고, 상기 브라켓의 케이블 연결부분에 케이블 쳐짐 방지용 연장너트가 더 구성됨이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명은 챔버에 케이블을 고정하는 브라켓의 재질을 변경하여 방전을 방지함으로써 챔버 내부의 플라즈마 쏠림을 방지한 것으로써 브라켓의 재질은 절연성 플라스틱이 이용되었다.
도1을 참조하면, 식각 반응이 이루어지는 챔버(10)의 외벽에 마그네트 코일(12)이 네방향으로 부착되어 있고, 챔버(10)의 외측벽에 케이블(14)을 고정하는 브라켓(20)이 결합되어 있다.
브라켓(20)은 그 재질로써 절연성을 갖는 플라스틱으로써 구체적으로 폴리아미드(Polyamide), 폴리아세탈(Polyacetal), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에스터(Polyester) 또는 변형 폴리페닐옥사이드(Modified Polyphenylene Oxide)와 같은 엔지니어링 플라스틱 중 어느 하나가 선택적으로 이용된다.
그리고, 브라켓(20)은 케이블(14)의 단부를 지지하는 연결너트(22)가 결합되는 결합나사부(24)가 돌출 구성되어 있다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 실시예에서 챔버 내부는 케이블(14)을 통한 전류 공급으로 마그네트 코일(12)에 의하여 자기장이 도시된 화살표와 같이 외부 영향에 의한 변형없이 형성된다.
케이블(14)이 접속되는 브라켓(20)으로 전류가 공급되지만, 브라켓(20)의 재질이 절연성을 갖는 것이므로 이를 통한 경로로 방전이 발생되지 않는다. 그러므로, 브라켓(20)은 챔버(10) 내부에 형성되는 자기장에 영향을 미치지 않는다.
그러므로, 챔버(10) 내부에 자기장이 도3의 화살표와 같이 브라켓(20)이 설치된 식각 종료점 확인 윈도우 부분으로 치우치지 않는 안정적인 상태를 유지하게 되고, 그에 따라서 챔버(10) 내부에 형성되는 전기적 성질을 띠는 플라즈마 가스는 균일하게 분포되며 쏠림이 발생되지 않는다. 따라서, 식각에 대한 균일도가 확보된다.
또한, 본 발명에 따른 실시예에서 브라켓(20)에 형성된 연결나사부(24)에 결합되어 케이블(14)을 접속하는 연결너트(22)에 연장너트(26)가 보강되어 있다.
이는 연장너트(26)가 연결되어 케이블(14)을 지지하게 구성된 것으로써 연결너트(22)의 길이를 늘이는 효과를 가짐으로써 케이블(14)을 지지하여 구조적으로 단선이 발생되는 부분을 스트레스 또는 마찰로부터 보호하여 단선을 방지하게 된다.
그리고, 전술한 연장너트(26)의 구성없이 단순히 연결너트(22)의 길이를 소정 길이 이상 연장제작함으로써 케이블의 처짐을 방지할 수 있다.
그러므로, 케이블의 처짐과 마찰에 의한 케이블의 단선이 예방된다. 케이블의 단선이 예방됨에 따라서 단선으로 인한 설비의 다운 시간이 줄어들어서 설비의 가동률이 개선된다.
따라서, 본 발명에 의하면 챔버 내부에서의 플라즈마 쏠림 현상이 해결되어 식각의 균일도가 개선되는 효과가 있다.
그리고, 전류를 공급하는 케이블이 스트레스와 마찰로 단선됨이 방지되어 설비의 다운시간이 최소화됨으로써 설비의 가동률이 개선되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (3)

  1. 고주파(Radio Frequency, RF) 에너지에 의하여 형성된 플라즈마 상태의 식각가스를 유도하는 자기장을 발생하는 마그네트 코일이 외벽에 설치되고 상기 마그네트 코일로 전류를 공급하도록 케이블이 연결되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버에 있어서,
    절연성 재질의 브라켓이 외벽에 설치되고 상기 브라켓에 상기 케이블이 연결됨을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    브라켓(20)은 폴리아미드(Polyamide), 폴리아세탈(Polyacetal), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에스터(Polyester) 또는 변형 폴리페닐옥사이드(Modified Polyphenylene Oxide) 중 어느 하나로 제작됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 브라켓의 케이블 연결부분에 케이블 쳐짐 방지용 연장너트가 더 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버.
KR1019970071740A 1997-12-22 1997-12-22 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버 KR100256173B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970071740A KR100256173B1 (ko) 1997-12-22 1997-12-22 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버
TW087114634A TW388933B (en) 1997-12-22 1998-09-03 Plasma etching chamber for manufacturing semiconductor devices
JP26779598A JP3727180B2 (ja) 1997-12-22 1998-09-22 半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバ
US09/185,092 US6082295A (en) 1997-12-22 1998-11-03 Plasma etching chamber for manufacturing semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970071740A KR100256173B1 (ko) 1997-12-22 1997-12-22 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990052283A KR19990052283A (ko) 1999-07-05
KR100256173B1 true KR100256173B1 (ko) 2000-05-15

Family

ID=19528128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970071740A KR100256173B1 (ko) 1997-12-22 1997-12-22 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6082295A (ko)
JP (1) JP3727180B2 (ko)
KR (1) KR100256173B1 (ko)
TW (1) TW388933B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010047103A (ko) * 1999-11-17 2001-06-15 윤종용 웨이퍼 식각장치
KR100425453B1 (ko) * 2001-07-06 2004-03-30 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마용 자석과 그 제조방법 및 이를 이용한고밀도 플라즈마용 반도체 제조장치
KR100455350B1 (ko) 2002-02-08 2004-11-06 권광호 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
EP3222749A1 (en) 2009-05-13 2017-09-27 SiO2 Medical Products, Inc. Outgassing method for inspecting a coated surface
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
CN105705676B (zh) 2012-11-30 2018-09-07 Sio2医药产品公司 控制在医用注射器、药筒等上的pecvd沉积的均匀性
US20160015898A1 (en) 2013-03-01 2016-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
WO2017031354A2 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
CN108655519B (zh) * 2018-05-21 2019-10-01 上海交通大学 电弧放电加工冲液区域调控系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3886387A (en) * 1973-07-31 1975-05-27 Gen Electric Flux shield for dynamoelectric machines
US3994320A (en) * 1975-06-11 1976-11-30 Dorsey Ted C Wire wrap tool
US4952273A (en) * 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
US5435900A (en) * 1992-11-04 1995-07-25 Gorokhovsky; Vladimir I. Apparatus for application of coatings in vacuum
JPH08148702A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 赤外線検知器

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11191553A (ja) 1999-07-13
TW388933B (en) 2000-05-01
JP3727180B2 (ja) 2005-12-14
US6082295A (en) 2000-07-04
KR19990052283A (ko) 1999-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100256173B1 (ko) 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버
CN107210178B (zh) 用于利用自谐振设备的等离子体点火的装置和方法
CN102148125B (zh) 等离子体处理装置
KR20040010228A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP3364675B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2004095502A2 (en) Plasma processing system and method
KR20190103025A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 탑재대의 제조 방법
KR20080067042A (ko) 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기
US20080236489A1 (en) Plasma Processing Apparatus
KR100455350B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법
JP4527432B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN105789011B (zh) 感应耦合型等离子体处理装置
US6917508B2 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
Ikushima et al. Production of large diameter microwave plasma using an annular slot antenna
KR20180034840A (ko) 기판 지지 어셈블리
CN114078680B (zh) 等离子体处理装置
KR100625319B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR101406203B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비
KR100387926B1 (ko) 플라즈마 에칭 장치
KR100980288B1 (ko) 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치
CN209811889U (zh) 一种射频离子源
KR20080060834A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100418261B1 (ko) 시편의 양면 처리가 가능한 플라즈마 가공장치
KR20040021809A (ko) 부위별로 단면적이 다른 안테나를 구비한 유도결합플라즈마 발생장치
CN114038766A (zh) 半导体工艺设备及其工艺腔室

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 16