KR101406203B1 - 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비 Download PDF

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Abstract

마이크로파 플라즈마 어플리케이터를 개시한다. 마이크로파 플라즈마 어플리케이터는 중앙에 수평으로 연장된 마이크로파 도파관이 결합된 수직 실린더형 하우징과, 하우징 상단에 연결되어 하우징 내부 공동으로 가스를 유입하기 위한 가스 유입관과, 하우징 하단에 형성되어 플라즈마를 외부로 유출하기 위한 유출구와, 하우징 내부 공동에 배치되어 상단이 가스 유입관에 결합되고 하단이 유출구에 결합된 플라즈마 튜브와, 마이크로파 도파관에 유입되는 마이크로파가 통과할 간격을 유지하면서 플라즈마 튜브의 외주면에 감겨지고, 내부에 냉각액이 공급되는 솔레노이드형 동관과, 솔레노이드 동관 상단에 결합된 제1전극과, 솔레노이드 동관 하단에 결합된 제2전극을 포함한다. 따라서 솔레노이드 코일에 의해 플라즈마 튜브에 자기장을 형성하여 플라즈마 튜브가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Description

마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비{Microwave Plasma Applicator and Remote Plasma Semiconductor Etching Apparatus}
본 발명은 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로파 에너지에 의해 생성된 플라즈마 미립자들의 플라즈마 튜브 내표면 충돌에 의해 야기되는 플라즈마 튜브의 손상을 방지할 수 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비에 관한 것이다.
플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정 등 다양하게 사용되고 있다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마와 유도 결합 플라즈마가 그 대표적인 예이다. 그중 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 비교적 용이하게 증가시킬 수 있어서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그러나 유도 결합 플라즈마 방식은 공급되는 에너지에 비하여 플라즈마에 결합되는 에너지가 낮아서 매우 고전압의 구동 코일을 사용하고 있다. 그럼으로 이온 에너지가 높아서 플라즈마 반응기의 내부 표면이 이온 충격(ion bombardment)에 의해 손상되는 경우가 발생된다. 이온 충격에 의한 플라즈마 반응기의 내부 표면 손상은 플라즈마 반응기의 수명을 단축하는 것뿐만 아니라 플라즈마 처리 오염원으로 작용하는 부정적인 결과를 얻게 된다. 이온 에너지를 낮추려는 경우에는 플라즈마에 결합되는 에너지가 낮아서 잦은 플라즈마 방전이 오프 되는 경우가 발생하게 된다. 그럼으로 안정적인 플라즈마 유지가 어렵게 되는 문제점이 발생한다.
한편, 반도체 제조 공정에서 플라즈마를 이용한 공정에서 원격 플라즈마의 사용은 매우 유용한 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 공정 챔버의 세정이나 포토레지스트 스트립을 위한 에싱 공정에서 유용하게 사용되고 있다. 그런데 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 증가되고 있어서 고밀도의 활성 가스를 충분히 원격으로 공급할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다.
일반적으로, 공급 또는 소스 가스는 플라즈마 튜브를 통하여 반응 영역으로 전달된다. 플라즈마 튜브를 통한 이송 동안에 마이크로파에 소스 가스가 노출됨에 따라, 소스 가스의 반응성은 증가하고 플라즈마를 생성한다. 플라즈마 시스템은 석영 튜브(quartz tube)를 사용한다. 석영 튜브는 제조하기 용이하다. 그러나, 석영 튜브가 플라즈마 시스템의 환경적 스트레스를 견딜 수 있는 정도는 변한다. 플라즈마 공정에의 노출은 석영 튜브의 구조적 안전성을 저하한다. 장기간에 걸친 플라즈마 시스템의 사용은 석영 튜브의 벽을 얇게 닳아지게 하여, 상기 벽이 파열될 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 시스템에서 사용되는 CF4는 석영 튜브의 내부를 화학적으로 식각하여, 정상보다 더 빨리 석영 튜브를 약화시킨다. 특히, 플라즈마와 직접적으로 접촉되고 있는 석영 튜브는 급속히 열화되어 자주 교체하여야 한다. 수정관의 교체시마다 관자체의 비용이 발생할 뿐만 아니라, 보다 중요하게는 관의 교체 중에 반응기를 가동 중지하게 되어, 결국, 기판의 처리량이 감소된다.
그러므로 어플리케이터를 몇 번만 사용한 후 또는 작동의 지속 주기 동안에 튜브의 벽은 매우 얇아져서 이런 시스템에 사용되는 고온 및 진공에 계속해서 노출되면 파괴될 것이다. 그러므로 매우 짧은 튜브의 수명 때문에 그것은 버려지고 새로운 튜브로 교체되어야 한다. 반복적으로 수정 튜브를 교체하는 불편과 비용은 둘 다 아주 높아질 수 있다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 플라즈마 튜브의 내부표면이 미립자 충돌에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 미립자들을 자기장으로 구속시켜서 튜브에 충돌되는 것을 방지함으로써 튜브 수명을 연장시킬 수 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 자지장 구속에 의해 미립자 충동을 방지할 수 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터를 사용함으로써 장비 유지 보수 비용을 절감시킬 수 있는 원격 플라즈마 반도체 식각장비를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로파 플라즈마 어플리케이터는 중앙에 수평으로 연장된 마이크로파 도파관이 결합된 수직 실린더형 하우징과, 하우징 상단에 연결되어 하우징 내부 공동으로 가스를 유입하기 위한 가스 유입관과, 하우징 하단에 연결되어 플라즈마를 외부로 유출하기 위한 유출구와, 하우징 내부 공동에 배치되어 상단이 가스 유입관에 결합되고 하단이 유출구에 결합된 플라즈마 튜브와, 마이크로파 도파관에 유입되는 마이크로파가 통과할 간격을 유지하면서 플라즈마 튜브의 외주면에 감겨지고, 내부에 냉각액이 공급되는 솔레노이드 동관과, 솔레노이드 동관 상단에 결합된 제1전극과, 솔레노이드 동관 하단에 결합된 제2전극을 포함한다. 따라서 솔레노이드 코일에 의해 플라즈마 튜브에 자기장을 형성하여 플라즈마 튜브가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 따라서 솔레노이드 코일에 의해 플라즈마 튜브에 자기장을 형성하여 플라즈마 튜브가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로 플라즈마 튜브의 손상을 방지하여 수명을 연장시킬 수 있으므로 식각장비의 유지보수비용을 절감시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기에서 언급된 효과로 제한되는 것은 아니며, 상기에서 언급되지 않은 다른 효과들은 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 원격 플라즈마 반도체 식각장비의 개략도.
도 2는은 본 발명에 의한 마이크로파 플라즈마 어플리케이터의 바람직한 일 실시예의 구조를 설명하기 위한 도면.
도 3은 자기장이 없는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터에서의 하전입자의 운동상태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 의한 자기장이 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터에서의 하전입자의 운동상태를 나타낸 도면.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시(說示)된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
한편, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정 블록 내에 명기된 기능 또는 동작이 순서도에 명기된 순서와 다르게 일어날 수도 있다. 예를 들어, 연속하는 두 블록이 실제로는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 관련된 기능 또는 동작에 따라서는 상기 블록들이 거꾸로 수행될 수도 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명에 의한 원격 플라즈마 반도체 식각장비의 개략도를 나타낸다.
도 1을 참조하면 원격 플라즈마 반도체 식각장비는 어플리케이터(100)의 상단에는 가스소스(200)가 가스공급관을 통해 연결되고 하단에는 이송관을 통해 식각챔버(300)가 연결된다. 식각챔버(300)의 내부에는 웨이퍼 받침대 상에 웨이퍼가 재치된다.
도 2는 본 발명에 의한 마이크로파 플라즈마 어플리케이터의 바람직한 일 실시예의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면 마이크로파 플라즈마 어플리케이터(100)는 실린더형 하우징(110)과 마이크로파 도파관(120), 프라즈마 튜브(130), 솔레노이드 동관(140), 가스 유입관(150)을 포함한다.
수직 실린더형 하우징(110)의 중간부분에 마이크로파 도파관(120)이 수평으로 결합된다. 마이크로파 도파관(120)의 우측단에는 마그네트론이 결합된다. 마그네트론으로는 미국 일리노이주 라폭스에 소재하는 리차드슨 일렉트로닉스사 제조의 제품명 NL 10230과 NL 10250이 상용화되어 있다. NL 10230 마그네트론 발생기는 약 3,000 W의 마이크로파 전력을 2,450MHz로 생성할 수 있다. 마이크로파 도파관(120)은 수직 실린더형 하우징(110)의 중간 부분을 관통하여 좌측으로 연장된다. 마이크로파 도파관(120)의 좌측단에는 임피던스 정합을 위한 자동 조정기가 결합된다. 따라서 마그네트론에서 생성된 2,450MHz 마이크로파는 도파관(120)을 따라 플라즈마 튜브(130) 내부의 마이크로파 캐비티에 전달되고 이 마이크로파 캐비티에 흐르는 가스에 결합된다. 이에 가스는 여기, 즉 플라즈마 상태로 되고, 따라서 플라즈마 미립자, 즉 프리 라디칼이 형성된다.
하우징(110)의 상단에는 가스유입관(150)이 결합되고 이 가스 유입관(150)은 가스소스와 연결된다. 가스소스로 제공되는 불소가스의 불소 프리 라디칼(F)은 불소원 기체가 그 흐름에 첨가될 때 형성된다. 공통 소스기체는 산소 프리 라디칼(O)을 제공하기 위한 O2와, F를 제공하기 위한 NF3, CF4, SF6 또는 C2F6를 포함하고 있다. 질소(N2) 또는 형성 기체(N2/H2)는 입자의 운동을 증가시키기 위해 흐름에 자주 첨가되고, 그 결과, 라디칼 발생의 효율이 개선된다.
하우징(110)의 하단에는 반응챔버(미도시)와 연결되는 플라즈마 유출구(122)가 형성된다.
플라즈마 튜브(130)는 수정이나 사파이어 등을 투명 튜브 형태로 가공하여 형성한 것으로 상단은 가스 유입관(150)에 결합되고 하단은 유출구(122)에 결합되고 그 내부는 진공상태로 유지된다.
솔레노이드 동관(140)은 플라즈마 튜브(130)의 외주면을 감싸는 구조로 형성되고 그 양단은 플라즈마 튜브(130)의 양단을 감싸서 진동이나 충격으로부터 보호한다. 솔레노이드 동관(140)의 상단에는 냉각수 유입구(142)가 형성되고, 하단에는 냉각수 유출구(144)가 형성되어 동관 내부에는 냉각수가 공급되어 플라즈마 튜브(130)로부터 발생된 열을 흡수하여 냉각시킨다. 솔레노이드 동관(140)이 감겨진 피치 사이는 마이크로파가 통과되어 플라즈마 튜브(130)에 전달될 수 있는 정도의 간격을 유지하여야 한다.
즉 플라즈마 튜브(130)의 마이크로파 캐비티에서는 여자된 입자들간, 그리고 이러한 입자들과 공급기의 벽간의 고속의 빈번한 충돌로 인해 튜브(130)의 온도가 상승하여, 관에 열적 스트레스가 가해진다. 또한 튜브(130)내부 표면이 고온으로 상승하면 해리된 입자들의 재결합을 촉진시킨다. 이온들과 전자들의 재결합은 바람직하지만, 프리 라디칼들(F, O)의 재결합은 반대의 결과를 초래한다. 냉각액 유체는 마이크로파 에너지를 쉽게 흡수하는 수소(H) 함유량을 극소로 갖도록 선택된다. 양호하게는, 냉각액은 수소를 함유하지 않고, 예시한 실시예의 경우에 불소화된 불활성 열전달 유체로 이루어진다. 이러한 유체는 미국 펜실바니아주 의 클레어튼에 소재하는 커트 제이. 레스커사가 제조하는 상표명 GaldenTM으로 시판하고 있다. 유리하게는, 이 액체 냉각액은 끓는점이 다른 복수 개의 형성물로 이용 가능하다.
본 발명의 솔레노이드 동관(140)의 상단에는 제1전극(146)이 결합되고, 하단에는 제2전극(148)이 결합된다. 그러므로 솔레노이드 동관(140)은 제1전극(146)과 제2전극(148)에 전류를 인가하면 솔레노이드 코일 자석으로 작동되어 플라즈마 튜브(130) 내부 공간에 균일한 자기장을 형성한다. 이자기장에 의해 플라즈마 튜브(130) 내부에 생성된 플라즈마 미립자, 이온, 라디컬 또는 하전입자들은 로렌츠의 힘을 받아 원운동을 하게 된다. 자기장 속에서 이들 미립자들은 구속되는 것이 아니라 가스 유입관(150)으로부터 유입되는 가스압력과 플라즈마 확산력에 의해 실제로 하전입자들은 유출구(112) 방향으로 나선운동을 하면서 반응챔버 방향으로 진행되게 된다. 미립자의 진행속도를 높이기 위해서는 상단에서 하단으로 향하는 전기장을 걸러주는 것이 바람직하다.
따라서 마이크로파에 의해 여기된 입자들이 튜브(130) 내벽을 향하여 진행하다가 자기장에 의한 로렌츠 힘에 의해 원운동을 하게 되므로 튜브 내벽에 충돌하지 않고 유출구(112) 쪽으로 진행되어 나가게 된다.
본 발명의 솔레노이드 동관(140)은 내부에 냉각수가 흐르는 관형상이므로 동관의 표면전류밀도를 높이기 위하여 표면을 금으로 코팅 또는 도금처리한다. 이는 표면전류밀도를 높여서 자기장 세기를 증가시킨다.
도 3은 자기장이 없는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터에서의 하전입자의 운동상태를 나타낸 도면이고 도 4는 본 발명에 의한 자기장이 있는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터에서의 하전입자의 운동상태를 나타낸 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이 플라즈마 튜브(130)에 유입된 가스 분자(12)는 마이크로파 캐비티(14)에서 마이크로파 에너지가 결합되어 플라즈마 상태 즉 이온들 또는 프리 라디컬들(16)의 하전된 미립자로 생성된다. 미립자(16)들은 서로 충돌되거나 튜브 내벽에 충돌되면서 유출구 방향으로 확산된다. 따라서 이와 같이 미립자들이 튜브 내벽에 충돌되므로 튜브 내벽이 손상되게 된다.
그러나 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 어플리케이터에서는 솔레노이드 동관(140)의 양전극(146, 148) 사이에 전류를 인가하여 자기장(18)을 플라즈마 튜브(130) 내부에 형성함으로써 생성된 플라즈마 미립자(16)가 나선운동을 하면서 유출구 방향으로 진행하게 된다. 그러므로 튜브내벽에 충돌되지 않고 진행되므로 플라즈마 튜브(130)의 내벽이 미립자 충돌에 의한 손상을 받지 않게 되므로 튜브의 수명을 연장시킬 수 있다.
그러므로 반도체 식각장비의 유지보수비용을 절감시킬 수 있고 유지보수 횟수를 줄임으로서 장비운전시간을 늘릴 수 있으므로 생산효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 중앙에 수평으로 연장된 마이크로파 도파관(120)이 결합된 수직 실린더형 하우징(110);
    상기 하우징(110) 상단에 연결되어 하우징(110) 내부 공동으로 가스를 유입하기 위한 가스 유입관(150);
    상기 하우징(110) 하단에 연결되어 플라즈마를 외부로 유출하기 위한 유출관(112);
    상기 하우징(110) 내부 공동에 배치되어 상단이 상기 가스 유입관(150)에 결합되고 하단이 상기 유출관(112)에 결합된 플라즈마 투명 수정 튜브(130);
    상기 마이크로파 도파관(120)에 유입되는 마이크로파가 통과할 간격을 유지하면서 상기 플라즈마 투명 수정 튜브(130)의 전체 외주면에 걸쳐서 감겨지고, 상단에 냉각수 유입구(142)와 하단에 냉각수 유출구(144)가 형성되어 내부에 냉각수가 공급되는 솔레노이드형 동관(140);
    상기 솔레노이드형 동관(140) 상단에 결합된 제1전극(146); 및
    상기 솔레노이드형 동관 하단에 결합된 제2전극(148)을 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 솔레노이드형 동관(140)의 표면은 금으로 코팅된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 어플리케이터.
  3. 식각챔버(300)와, 상기 식각챔버에 플라즈마 프리 라디컬을 공급하기 위한 원격 플라즈마 어플리케이터(100)를 구비한 원격 플라즈마 반도체 식각장비에 있어서,
    상기 원격 플라즈마 어플리케이터(100)는
    중앙에 수평으로 연장된 마이크로파 도파관이 결합된 수직 실린더형 하우징(110);
    상기 하우징(110) 상단에 연결되어 하우징(110) 내부 공동으로 가스를 유입하기 위한 가스 유입관(150);
    상기 하우징(110) 하단에 형성되어 내부에서 생성된 플라즈마를 외부로 유출하기 위한 유출구(112);
    상기 하우징(110) 내부 공동에 배치되어 상단이 상기 가스 유입관(150)에 결합되고 하단이 상기 유출구(112)에 결합된 플라즈마 투명 수정 튜브(130);
    상기 마이크로파 도파관(120)에 유입되는 마이크로파가 통과할 간격을 유지하면서 상기 플라즈마 투명 수정 튜브(130)의 전체 외주면에 걸쳐서 감겨지고, 상단에 냉각수 유입구(142)와 하단에 냉각수 유출구(144)가 형성되어 내부에 냉각수가 공급되는 솔레노이드형 동관(140);
    상기 솔레노이드형 동관(140) 상단에 결합된 제1전극(146); 및
    상기 솔레노이드형 동관(140) 하단에 결합된 제2전극(148)을 구비한 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반도체 식각장비.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 솔레노이드형 동관(140)의 표면은 금으로 코팅된 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반도체 식각장비.
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