JPH06295797A - プラズマの発生装置及び発生方法 - Google Patents

プラズマの発生装置及び発生方法

Info

Publication number
JPH06295797A
JPH06295797A JP6021375A JP2137594A JPH06295797A JP H06295797 A JPH06295797 A JP H06295797A JP 6021375 A JP6021375 A JP 6021375A JP 2137594 A JP2137594 A JP 2137594A JP H06295797 A JPH06295797 A JP H06295797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
cavity
coil
plasma
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6021375A
Other languages
English (en)
Inventor
Ajit P Paranjpe
ピー.パランジプ アジット
S Fang Steve
エス.ファング スチーブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH06295797A publication Critical patent/JPH06295797A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229Waveguides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】高価なチューニング及び冷却機構を必要とする
ことなくプラズマを発生させる装置及び方法を提供す
る。 【構成】サーファトロン12が、同軸導波管30の区域
に結合されてそれらの間の交点にて空胴28を規定する
第1導波管32を含んで設けられている。同軸導波管3
0は外側円筒36及び外側円筒36内に配置された内側
円筒34を含む。内側円筒34は導波管32の第1区域
の壁に接近して配置された端を有する。空間40は、内
側円筒34の端及び導波管32の壁の間に規定される。
放電管22は、内側円筒34内に配置された第1部分及
び内側円筒34の端及び導波管32の壁の間で空間40
を通し延出する第2部分を有して設けられている。コイ
ル38は内側円筒34の端及び導波管32の壁の間で空
間40を通り延出する放電管22の一部の周りに配置さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】発明の技術的分野 本発明は一般的にはプラズマの発生に係り、特にプラズ
マの発生装置及び発生方法に関する。
【0002】発明の背景 遠隔のマイクロ波プラズマが、エッチング及び蒸着に対
するラジカルスピーシーズ(radical spec
ies)の発生のための半導体処理において日常的に使
用されている。遠隔のマイクロ波発生源は、空胴内にて
強度の電界を発生してプラズマを形成し、このプラズマ
はそれから残光プラズマとして処理室内に拡散する。周
知の空胴装置は簡単な構成を使用するが、それらはいく
つかの欠点をもっている。プラズマは、それ自体、損失
のある誘電体であるから、その空胴におけるその存在
は、空胴内のインピーダンスにおける実質的な変化に帰
着する初期の電界分布を修正する。プラズマが発生され
て適当なインピーダンス整合及び最適な電力結合を達成
した後は、関連した同調スタブが、しばしば、調整され
ねばならない。さらに、電力の消散が全体の空胴内で起
こり、そして高電力レベルでは放電管が高熱負荷により
損害を与えられ得るので、その空胴の適当な冷却が不可
欠である。最終的に、その空胴の外側へのプラズマの輸
送は拡散によって単独で起こる。かくして、室における
残光プラズマは完全に弱まり得る。表面波放電は空胴持
続放電に関しいくつかの利益を提供する。ありふれた空
胴維持放電とは異なり、プラズマは短い間隙内で発生さ
れ、この間隙は、その短い間隙の近くを除き、空胴がよ
り冷たく作用するように全体の空胴の小さな一部にすぎ
ない。全体の電力の小さな部分のみが短い間隙内で消散
され、その残りは放射される。これにより、ありふれた
空胴とは異なり、空胴のインピーダンスは、プラズマの
状態に敏感ではない。さらに、放電管に沿って伝播する
表面波は、室内にてより密なプラズマを提供する長いプ
ラズマ柱を発生する。3或いは4のスタブチューナーを
要求するありふれた空胴と比較して、表面波放電に対す
るインピーダンス整合は、同軸のそして長方形の導波管
区域における移動可能なショート(shorts)によ
り達成される。かくして、チューニングは、簡単で空胴
の性質故にプラズマの状態から相対的に独立する。
【0003】しかしながら、ありふれた表面波プラズマ
発生機はまた、実質的な不利益をもつ。より高い電力表
面波はより強い電界により特徴づけられる。最大電力処
理容量は、間隙内にて電界により誘導される絶縁破壊に
よって制限される。もしも電界が余りに強ければ、アー
クが間隙内に失敗を起こさせる。例えアークが起こらな
くても、短い間隙が極度に熱くなる。もしも間隙が余り
に長ければ、表面波は放電管内に発射され得ない。加う
るに、ある幾何学的形状及び処理状態に対しては、電気
火花或いはテスラコイルのような外部トリガーの助けな
くしてプラズマを打つことは困難である。これらの外部
トリガーの双方がリアクター内にて電気的ノイズの発生
源であり、そしてだから望ましくない。最終的には、最
小のプラズマ柱長さがマイクロ波電力を完全に吸収する
ために要求される。
【0004】かくして、その必要性が、マイクロ波プラ
ズマを発生させるための改善された方法及び装置に対し
生じた。そのような改善された装置及び方法は、広いチ
ューニング及び冷却機構に対する必要性なしにプラズマ
を発生させるべきである。さらに、改善された装置及び
方法は、半導体製造システムのような応用における使用
のための十分に強いプラズマを発生させるべきである。
【0005】発明の概要 本発明によれば、プラズマ発生装置が、導波管の第1区
域と導波管の第1区域に結合されて両区域の交点にて空
胴を規定する同軸導波管の区域を含んで設けられてい
る。その同軸導波管は、外側円筒と、内側円筒の一部及
び外側円筒の一部の間に規定される空間と共に当該外側
円筒内に配置された移動可能な内側円筒を含む。内側円
筒の一端が第1導波管の壁に接近して配置され、これに
より、調整可能な空間が前記端及び前記壁の間に規定さ
れる。放電管は、内側円筒内に配置された第1部分と、
内側円筒の端及び前記壁の間で前記空間を通り延出する
第2部分とを有して、設けられている。コイルは、内側
円筒の端及び前記壁の間で、前記空間を通し延出する放
電管の一部の周りに配置されている。
【0006】本発明に応じたプラズマ発生装置は、あり
ふれたプラズマ発生装置における固有の実質的な不利益
を軽減する。本発明の実施例は、広範なチューニング及
び冷却の機構に対する必要性を伴うことなくプラズマの
発生を許容する。さらに、本発明の実施例は半導体製造
システムのような応用における使用に対し十分に強いプ
ラズマの発生を許容する。
【0007】本発明及びその利点のより完全な理解のた
めに、添付図面との関連でとられる次の記述に言及され
る。
【0008】
【実施例】本発明のより好ましい実施例は及びその利益
は、図面の図1乃至図3を参照することにより最もよく
理解される。同じ数字が色々な図面の同じそして対応す
る部分に対し使用される。
【0009】まず図1を参照すれば、半導体処理システ
ム10が、本発明の実施例に応じて改善されたサーファ
トロン(surfatron)(プラズマ発生器)12
を使用して表されている。処理システム10は、ベロー
ズ18により室16に結合された処理室14を含む。室
16はサーファトロン12を含み、これは、さらに後述
するように、マグネトロン20或いは他の適当な電磁気
的電力発生源と関連して作動する。放電管22は、サー
ファトロン12を介して処理室14に延出する。放電管
22はガスを受け、このガスからプラズマが一端にて発
生されそして結果的に生ずるプラズマを反対端を通して
処理室14に引き渡す。VAT弁24及びターボ形ポン
プ26は処理室14からガス物質を除去するために使用
される。
【0010】図2は、本発明の概念を使用してなる共鳴
的に結合した導波管サーファトロン12の一実施例を示
す。28にて破線により一般的に示される短い間隙空胴
は、同軸導波管30の長方形導波管32との交差により
形成されている。同軸導波管30は移動可能な円筒の内
側導体34及び円筒の外側導体36を含む。同軸導波管
30の内側導体34は、軸方向に移動されて、内側導体
34の端と長方形導波管32の上壁との間にて間隙40
内に置かれたソレノイドコイル38の長さを調整する。
示された実施例において、ソレノイドコイル38は、放
電管22に巻かれた短い二つのターンコイルであって、
その一端は内側導体34の端に付着され、そしてその他
端は同軸導波管区域の上壁42に結合されている。放電
管22は、それを通して流れるガスと両立すべく選択さ
れるように、パイレックスガラス(耐熱ガラスの商標
名)、石英或いはサファイアのような誘電体から例えば
製造され得る。内側の同軸導体34と放電管44との間
の薄い環状空間44はポート46を介するユニットの強
制冷却のために提供される。オイル(マイクロ波と両立
する品位)冷却もまた空気冷却の代わりに使用され得
る。
【0011】長方形導波管区域32は、二つの腕42a
及び42bを含む。図2の示された実施例においては、
非接触のプランジャ50が腕42aの導波管壁内に装備
されている一方、一マグネトロンヘッド20が使用さ
れ、腕42b上に装着されている。図2の構成において
は、二つの腕42が、プランジャ50に間隙内への最大
電力結合の調整をさせるようにして、所定の位置に固定
され得る。図3は、二つのマグネトロンヘッド20a及
び20bが使用されている代わりの実施例を示してい
る。この実施例においては、各腕42a、42bは、そ
れらが空隙40内への電力結合を最小にすべくスライド
可能に調整を許容されるように、固定された導波管区域
49の各端内に挿入されている。代わりの実施例におい
ては、付加的な長方形の導波管腕及びマグネトロンが短
い空隙空胴28に結合され得る。
【0012】マグネトロン同軸アンテナ54は、TE1
0モード波を長方形導波管32内に発射する。これが、
順番に、TEMモード波を同軸区域30内に発生する。
図2の長方形の導波管プランジャを調整すること(図3
の実施例にて、各腕42a、42bをスライドさせるこ
と)及び同軸区域30における同軸プランジャ56を調
整することにより、電界を変える強烈な時間が空隙40
を横切って創造される。同軸区域におけるプランジャ5
6、好ましくは、無接触のプランジャは、アンテナ54
の出力インピーダンスを同軸区域30、空隙40及び導
波管32の正味の入力インピーダンスに整合させる一
方、短い空隙空胴28が共鳴を起こすことを確保する。
より好ましい実施例においては、短い空隙マイクロ波空
胴28は、空隙40の静電容量が同軸区域30の静電容
量よりも大きくなるように設計されている。空隙40を
横切る電磁界は、順次、コイル38を通して電流を発生
する。内側導体34をスライドさせることにより空隙の
間隔を調整することによって、コイル38のインダクタ
ンスが、共鳴結合となるマイクロ波周波数にて、空隙4
0の静電容量と共鳴するように作られる。空隙40及び
コイル38により発生される強烈な時間変化電磁界が誘
電体放電管22を通り伝播し、これにより、処理室14
に向けて流れるガスをイオン化する。代わりの実施例に
おいては、短い空隙空胴28及びコイル38の正味のイ
ンピーダンスがプラズマ作動状態とは相対的に独立的で
あるので、各プランジャ50及び56は、溶接ショート
(welded shorts)により置き換えられ得
る。
【0013】例示目的のみのために、図2の実施例に応
じて2.5GHzの正味の周波数にて作動するサーファ
トロン12のための設計計算が示される(500MHz
乃至10GHzの作動周波数範囲)。膨大な代わりの実
施例が所望の作動周波数、有用な導波管及び電磁気的エ
ネルギーの有用な発生源に依存して利用できるというこ
とを認識することが重要である。2.45GHzにて作
動する長方形導波管32のための代表的な計算は、次の
ようである。 作動周波数=2.45GHz
【0014】長方形導波管が、a1 =3.4×25.4
mm及びb1 =1.7×25.4mmの断面寸法をもつ
WR340導波管であると仮定すると、そのときには
【0015】寸法l1 、即ちいずれかの腕42の端から
対応アンテナ54の中央への距離は、そのとき、次の式
に応じて計算され得る。
【数1】 ここにおいて、 λo =自由な空間波長(cm) λg =導波管内波長(cm) fc =遮断周波数(Hz) f =作動周波数(Hz) TE10モードに対しては、 2.45GHzに対して、λo =12.2cm それから、λg =17.3cmそして
【数2】
【0016】例示された実施例においては、放電管22
は、25.4mmの公称管直径、23mmの内側直径及
び25mmの外側直径を有する。内側導体34と管22
との間の強制的な空気流は冷却を考慮している。もしも
空間44が近似的に1mmならば、最大の熱伝達が達成
され得る。2mm乃至3mmの内側導体の典型的な厚さ
は十分な空隙静電容量を提供するだろう。内側導体34
の内側直径は従って正味27mmでありそして外側直径
は正味30mmである。
【0017】同軸空胴は、TE及びTMのモードが許容
されないようにTEMモードにて作動するように設計さ
れている。2.45GHzの作動周波数に対しては、内
側導体34の外側直径の外側導体36の内側直径に対す
る比が、1.4乃至1.7の範囲にあるように選択され
る。
【0018】同軸空胴の長さl2 は近似的に自由空間波
長の半分であるべきである。同軸プランジャ56は、短
い空隙空胴の共鳴長さが、全体の同軸空胴のそれの3分
の2倍以下のオーダーであるように、同軸空胴の長さを
変化させるために使用される。同軸空胴の長さl2 は次
のように算定される。
【数3】 ここにおいて、
【数4】 そしてここにおいて Zo は同軸区域の特性インピーダンス(オーム)であ
る。 ω=角度作動周波数(ラジアン/秒) Cg はコイル38無しの空隙40の静電容量(ファラ
ド)である。 b/aは、外側導体36の正味の半径の内側導体34の
正味の半径に対する比である。 l2 =短い空隙空胴の共鳴長さ28(m)。 εr は典型的には空気(εr ≒1)である空胴における
誘電体の相対的な誘電率である。
【0019】空隙静電容量(コイル38無し)は次のよ
うに計算され得る。
【数5】 ここにおいて、 do =内側導体34の外側直径。 di =内側導体34の内側直径(m)。 dg =空隙40の長さ(m)。
【0020】内側導体34の調整可能性及びコイル38
無しにもかかわらず、空隙40の長さはアークを避ける
に十分に大きくあるべきである。導波管32内で伝播す
るマイクロ波電力の正味の1000Wに対する電界は、
近似的に次のようである。
【数6】 ここにおいて、
【数7】 そしてa1 及びb1 は、長方形導波管32の断面寸法
(a1 =3.4×25.4mmで図2及び図3において
紙面に直角であり、WR340導波管に対してb1
1.7×25.4mm)。 従って、E=120 V/cm.
【0021】大気圧におけるマイクロ波絶縁破壊を避け
るために、空隙40における電界は、1KV/cmであ
るべきである。このことは2mmの最小空隙につなが
る。従って、dg (空隙40の長さ)は、この例におけ
る計算目的のために3mmであると選定され得る。この
ことからCg =0.4pF及びZo =30.6(オー
ム)である。従って、l2 に対する解は、l2 =27.
9mm及び89.2mmである。最適化のために、l2
はこれらの二つの値の間に選定されるべきである。この
例に対しては、l2 は80mmとしてとられる。
【0022】この例において決定されるべき次の寸法
は、l3 及びl4 (各腕の長さ)である。双方が、先に
計算した導波管内波長λg の半分のオーダーであるべき
である。プランジャ50を装着する都合のために、l3
は8×25.4mmととられ、そしてl4 は図2の実施
例において5×25.4mmとしてとられる。そのプラ
ンジャはインピーダンス整合に対して1つの自由度を許
容する。図3の実施例では、l3 とl4 は本質的に等し
く、2つの摺動可能な腕42がインピーダンス整合に対
し2つの自由度を許容する。
【0023】上述の計算は、コイル40を含まずに、与
えられた例に対する正味の寸法を提供する。その設計
は、今、コイルを加えるように修正される。より好まし
い実施例においては、コイル38がいくつかの拘束を満
たすように設計された。コイル38の内側直径は放電管
22の外側直径と整合する。コイルの長さは空隙40と
両立するべきである。加えるに、2.45GHzにおい
て、インダクタンスは短い空隙40の静電容量と共鳴す
べきである。最終的には、コイル38は、コイル加熱及
び改善された結合効率を最小にするための高いQを有す
るべきである。示された例においては、短い空隙空胴の
静電容量は次のように近似され得る。
【0024】空隙40がコイル38を収容するために実
質的に増加されている。空隙40の正味の調整が0.7
7cmであると仮定すると、静電容量は近似的に0.0
9pFになる。示された例においては、コイル38は次
のように名目上特徴づけられる。 ターン数N=2 コイル半径R=0.625cm ワイヤ半径=0.1cm コイル長さ=0.765cm インダクタンスL=0.046μH 周波数=2.45GHz ワイヤ長さ=銅コイルに対して7.85cm 表皮深さ=銅コイルに対して1.32×10-4cm コンダクタンスσ=銅コイルに対して5.9×105
ー/cm ワイヤ抵抗値=0.16オーム Q=4.5×103 ここにおいて
【数8】 ここで
【数9】μ0=4πχ10-7H/m;
【数10】
【0025】図2及び図3にて示された例示実施例は、
標準的な短い空隙プラズマ発生機と共に発見される問題
を軽減する。共鳴結合が空胴の電力処理容量を高める。
共鳴において、大きな電流がコイル38及び空隙40の
コンデンサの間で循環する。プラズマはソレノイドコイ
ル38により誘導される渦電流との重合わせにおいて空
隙40により発射される表面波により維持される。この
二重性は作動状態の広い範囲に亘りプラズマの安定性を
改善する。表面波による結合は低圧にて優勢であるが、
より高い圧力では、電力結合は主としてコイル38によ
る。ソレノイドコイル38の存在は電力消散密度を増加
させる。コイルのパラメータを調整することにより、プ
ラズマ柱長さは与えられた電力レベルに対して最適化さ
れ得る。最終的には、運転開始中に、二つのターンコイ
ルがテスラコイルとして機能しプラズマ点火を助ける。
【0026】高い電力マイクロ波供給は、マイクロ波オ
ーブンにおいて標準的である低電力(<600W)供給
に比べて高価である。都合のよいことには、図3の実施
例において、二つの相対的な低電力600Wマグネトロ
ンヘッドが提供されており、それは1200Wの全電力
能力を発生する。付加的な電力能力は、さらに、空隙4
0における電界の強度を増大させるコイル38の使用に
より高められる。付加的な腕42及びマグネトロン20
は、短い空隙空胴28に結合されて有効な電力をさらに
高め得る。
【0027】本発明及びその利益が詳細に述べられてき
たが、色々な変化、代用及び変更が、付属の請求項によ
り規定されるような本発明の精神及び範囲から逸脱する
ことなくここでなされ得る。
【0028】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 第1導波管と、この第1導波管に結合されて当
該第1導波管との交点にて空胴を規定する同軸導波管で
あって、外側円筒とこの外側円筒内に配置された内側円
筒を含み、空間がこの内側円筒の一部及び前記外側円筒
の一部の間に規定されそして前記第1導波管の壁に接近
して配置された端を有し、空間が前記端と前記壁との間
に規定されるようにした同軸導波管と、前記内側円筒内
に配置された第1部分及び前記内側円筒の前記端及び前
記壁の間で前記空間を通り延出する第2部分を有する放
電管と、前記端及び前記壁の間で前記空間を通り延出す
る前記放電管の前記一部の周囲に配置されたコイルを含
むプラズマの発生装置。 (2)第1項記載のプラズマの発生装置において、前記
第1導波管が、前記同軸導波管の区域に対しある角度に
て各々配置された第1及び第2の腕を含む長方形導波管
の区域を含むプラズマの発生装置。 (3)第2項記載のプラズマの発生装置であってさらに
前記第1の腕に結合された電磁的な電力源をさらに含む
プラズマの発生装置。 (4)第3項記載のプラズマの発生装置であって前記第
2の腕に結合された第2の電磁的な電力源を含むプラズ
マの発生装置。
【0029】(5)第1項記載のプラズマの発生装置で
あって前記内側導体及び前記外側導体の間で規定された
前記空間内に配置されたプランジャをさらに含むプラズ
マの発生装置。 (6)前記第2項記載のプラズマの発生装置であって前
記長方形導波管の区域の前記第2の腕内に配置されたプ
ランジャをさらに含むプラズマの発生装置。 (7)第1項記載のプラズマの発生装置において前記長
方形導波管の区域が第1及び第2の端と第1及び第2の
腕をもつ固定された区域を含み、前記第1の腕は前記第
1の端にスライド可能に挿入されそして前記第2の腕は
前記固定された区域の前記第2の端内にスライド可能に
挿入されるようにしたプラズマの発生装置。 (8)第1項記載のプラズマの発生装置において前記内
側円筒が、前記内側円筒の前記端及び前記壁の間の前記
空隙の長さが調整可能なように、前記外側円筒の軸に沿
いスライド可能であるプラズマの発生装置。
【0030】(9)第1項記載のプラズマの発生装置に
おいて前記第1導波管が前記同軸導波管から半径方向へ
延出する長方形導波管の複数の区域を含むようにしたプ
ラズマの発生装置。 (10)第1及び第2の腕を含む長方形導波管の区域
と、前記腕の選択された一つに結合された電磁的な電力
源と、前記長方形導波管の区域の第1壁を介し結合され
て空胴を形成する同軸導波管の区域であって、第1円筒
とこの第1円筒内にスライド可能に配置された第2円筒
とを含み、空間が前記第1及び第2の円筒の対応部分の
間に配置されて前記空胴の一部を形成し、前記第2円筒
の端が前記長方形導波管の区域の壁に接近して可変に配
置されそしてそれらの間に可変の空間を規定し、そして
前記第1及び第2の円筒の前記対応部分の間で前記空間
内に配置された同軸プランジャを含む同軸導波管の区域
と、前記第2円筒内に配置された第1部分及び前記第2
円筒の前記端及び前記長方形導波管の前記壁の間で前記
空間を通り延出する第2部分を有する放電管と、前記放
電管の前記第2部分の周りに巻回されたコイルとを含む
プラズマの発生装置。
【0031】(11)第10項記載のプラズマの発生装
置において空間が前記放電管の一部及び前記第2円筒の
対応部分の間に規定され、ポートが前記第2円筒を介し
配置されて前記空間との流体連通を許容するようにした
プラズマの発生装置。 (12)第10項記載のプラズマの発生装置において前
記プランジャが無接触のプランジャを含むプラズマの発
生装置。 (13)第10項記載のプラズマの発生装置において前
記電磁的電力源がマグネトロンを含むプラズマの発生装
置。 (14)第10項記載のプラズマの発生装置においてプ
ランジャが前記各腕の他の一つ内に配置されるようにし
たプラズマの発生装置。 (15)第10項記載のプラズマの発生装置において前
記放電管が石英管を含むようにしたプラズマの発生装
置。 (16)第10項記載のプラズマの発生装置において前
記放電管がサファイア管を含むようにしたプラズマの発
生装置。
【0032】(17)処理室と、 第1及び第2の腕を含む長方形導波管の区域と、前記各
腕の選択された一つに結合されたマグネトロンと、前記
長方形導波管の区域の第1壁を通し結合されて空胴を形
成する同軸導波管の区域であって、第1円筒とこの第1
円筒内にスライド可能に配置された第2円筒とを含み、
空間が前記第1及び第2の円筒の対応部分の間に配置さ
れて前記空胴の一部を形成し、前記第2円筒の端が前記
長方形導波管の区域の第2壁に接近して配置されそして
それらの間に空間を規定する同軸導波管の区域と、前記
第2円筒内に配置された第1部分及び前記第2円筒の前
記端及び前記長方形導波管の前記壁の間の前記空間を通
り延出する第2部分を有する放電管であって、この放電
管の第1の端は前記室に結合されてプラズマをそれに提
供する放電管と、前記放電管の前記第2部分の周りに巻
回されたコイルであって、可変空隙が前記第2円筒の前
記端及び前記コイルの一部の間で規定されるコイルとを
含むプラズマ発生装置と、前記放電管の第2の端に結合
されたガス源とを含むようにした処理システム。
【0033】(18)第17項記載の処理システムにお
いて前記プラズマ発生機が前記第1及び第2の円筒の対
応部分の間で前記空間内に配置された同軸プランジャを
さらに含むようにした処理システム。 (19)第17項記載の処理システムであって前記各腕
のもう一つに結合された第2マグネトロンを含むように
した処理システム。 (20)長方形導波管の区域及び同軸導波管の区域の交
点にてマイクロ波空胴を形成し、前記空胴内に前記同軸
導波管の内側導体を配置して前記長方形導波管の壁と共
に容量的空隙を形成し、予め選択されたガスを搬送する
放電管の一部を前記容量的空隙を通して延出させ、前記
容量的空隙を通り延出する前記放電管の前記一部の周り
にコイルを巻回し、そして電界が前記容量的空隙内に創
造されるように、電磁波を前記空胴内に発射し、電流が
前記コイル内に誘導されそして前記コイルに接近した前
記管内に搬送されるガスがイオン化される各ステップを
含むようにしたプラズマを発生させる方法。 (21)第20項記載の方法であって前記同軸導波管の
内側導体を移動させるとにより前記管内のガスのイオン
化を最小にして前記容量的空隙の長さを調整し共鳴が前
記空隙の静電容量と前記コイルのインダクタンスの間で
確立されるように前記空隙の静容量と前記コイルのイン
ダクタンスの間の共鳴を達成するステップをさらに含む
ようにした方法。
【0034】(22) サーファトロン12が、同軸導
波管30の区域に結合されてそれらの間の交点にて空胴
28を規定する第1導波管32を含んで設けられてい
る。同軸導波管30は外側円筒36及び外側円筒36内
に配置された内側円筒34を含む。内側円筒34は導波
管32の第1区域の壁に接近して配置された端を有す
る。空間40は、内側円筒34の端及び導波管32の壁
の間に規定される。放電管22は、内側円筒34内に配
置された第1部分及び内側円筒34の端及び導波管32
の壁の間で空間40を通し延出する第2部分を有して設
けられている。コイル38は内側円筒34の端及び導波
管32の壁の間で空間40を通り延出する放電管22の
一部の周りに配置されている。
【0035】注意 (c)著作権、★M★ テキサス・インスツルメンツ・
インコーポレーテッド(Texas Instrume
nts Incorporated)、1990。この
特許書類の開示の一部は、著作権保護を必要とする題材
を含む。著作権及びマスクワーク所有者(mask w
ork owner)は、米国特許庁、特許ファイル或
いは記録において明らかになるとき、特許書類或いは特
許開示の誰かによるファクシミリ再生に異存はないが、
さもなければ、その著作権及びマスクワークにおける全
ての権利を保留する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するプラズマ発生方法及び装置を
使用した半導体製造システムの断面図である。
【図2】本発明の原理を実施するプラズマ発生装置の断
面図である。
【図3】本発明の原理を実施するプラズマ発生装置の第
2実施例の断面図である。
【符号の説明】
12 サーファトロン 22 放電管 28 空胴 32 長方形導波管 30 同軸導波管 34 内側円筒 36 外側円筒 38 コイル 40 空間 42a、42b 腕 50 プランジャ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1導波管と、 この第1導波管に結合されて当該第1導波管との交点に
    て空胴を規定する同軸導波管であって、外側円筒とこの
    外側円筒内に配置された内側円筒を含み、空間がこの内
    側円筒の一部及び前記外側円筒の一部の間に規定されそ
    して前記第1導波管の壁に接近して配置された端を有
    し、空間が前記端と前記壁との間に規定されるようにし
    た同軸導波管と、 前記内側円筒内に配置された第1部分及び前記内側円筒
    の前記端及び前記壁の間で前記空間を通り延出する第2
    部分を有する放電管と、 前記端及び前記壁の間で前記空間を通り延出する前記放
    電管の前記一部の周囲に配置されたコイルを含むプラズ
    マの発生装置。
  2. 【請求項2】 長方形導波管の区域及び同軸導波管の区
    域の交点にてマイクロ波空胴を形成し、 前記空胴内に前記同軸導波管の内側導体を配置して前記
    長方形導波管の壁と共に容量的空隙を形成し、 予め選択されたガスを搬送する放電管の一部を前記容量
    的空隙を通して延出させ、 前記容量的空隙を通り延出する前記放電管の前記一部の
    周りにコイルを巻回し、そして電界が前記容量的空隙内
    に創造されるように、電磁波を前記空胴内に発射し、電
    流が前記コイル内に誘導されそして前記コイルに接近し
    た前記管内に搬送されるガスがイオン化される各ステッ
    プを含むようにしたプラズマを発生させる方法。
JP6021375A 1993-02-19 1994-02-18 プラズマの発生装置及び発生方法 Pending JPH06295797A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US019941 1993-02-19
US08/019,941 US5389153A (en) 1993-02-19 1993-02-19 Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06295797A true JPH06295797A (ja) 1994-10-21

Family

ID=21795903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6021375A Pending JPH06295797A (ja) 1993-02-19 1994-02-18 プラズマの発生装置及び発生方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5389153A (ja)
JP (1) JPH06295797A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005099322A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Adtec Plasma Technology Co., Ltd. 同軸形マイクロ波プラズマトーチ
KR100528357B1 (ko) * 1997-03-05 2006-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마이크로파플라즈마공급원을구비한기판처리시스템을개선하기위한장치및방법
JP2008506235A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 アマランテ テクノロジーズ,インク. プルーム安定性及び加熱効率が改善されたマイクロ波プラズマノズル
KR101406203B1 (ko) * 2012-05-23 2014-06-12 (주)제이오션 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비
KR20220015166A (ko) * 2020-07-30 2022-02-08 한국핵융합에너지연구원 전자파 플라즈마 토치의 점화기 및 이를 이용하는 전자파 플라즈마 토치

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4132558C1 (ja) * 1991-09-30 1992-12-03 Secon Halbleiterproduktionsgeraete Ges.M.B.H., Wien, At
MX9303141A (es) * 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
US5625259A (en) * 1995-02-16 1997-04-29 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma applicator with a helical fluid cooling channel surrounding a microwave transparent discharge tube
DE19510827C2 (de) * 1995-03-24 2002-02-07 Celsis Ges Zur Anwendung Der M Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen reaktiver Gase
FR2733384B1 (fr) * 1995-04-21 1997-07-04 Univ Lille Sciences Tech Dispositif pour creer deux ou plusieurs decharges plasma dans un meme tube guide d'onde
JP2000501573A (ja) * 1996-09-24 2000-02-08 フュージョン システムズ コーポレイション サファイヤダウンストリームプラズマアッシャーにおける弗素援助型剥離及び残留物除去
JP2967060B2 (ja) * 1997-02-21 1999-10-25 日本高周波株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置
FR2762748B1 (fr) * 1997-04-25 1999-06-11 Air Liquide Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface
US6057645A (en) * 1997-12-31 2000-05-02 Eaton Corporation Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap
WO1999049705A1 (fr) * 1998-03-20 1999-09-30 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement plasmique
KR19990068381A (ko) * 1999-05-11 1999-09-06 허방욱 마이크로웨이브플라즈마버너
US6502529B2 (en) 1999-05-27 2003-01-07 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas energizer and method
US6401653B1 (en) * 2000-04-18 2002-06-11 Daihen Corporation Microwave plasma generator
JP4610126B2 (ja) * 2001-06-14 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 プラズマcvd装置
EP1421832B1 (de) * 2001-08-28 2006-10-04 Jeng-Ming Wu Plasmabrenner mit mikrowellenanregung
JP4163432B2 (ja) * 2002-03-26 2008-10-08 矢崎総業株式会社 プラズマ処理装置
US20050212626A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-29 Toshiyuki Takamatsu High frequency reaction processing system
KR100520635B1 (ko) * 2003-12-10 2005-10-13 삼성전자주식회사 플레어 각이 변화하는 혼 안테나를 구비하는 전자사이클로트론 공명 장비
FR2880236B1 (fr) * 2004-12-23 2007-03-30 Air Liquide Excitateurs de plasmas micro-ondes
CN1333489C (zh) * 2005-03-23 2007-08-22 长飞光纤光缆有限公司 等离子体谐振腔可调谐波导装置
KR100689037B1 (ko) * 2005-08-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
JP4852997B2 (ja) * 2005-11-25 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
KR101277032B1 (ko) * 2009-03-27 2013-06-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 튜너 및 마이크로파 플라즈마원
WO2010120810A1 (en) 2009-04-14 2010-10-21 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for excitation of resonances in molecules
US8800483B2 (en) * 2009-05-08 2014-08-12 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
US9295968B2 (en) 2010-03-17 2016-03-29 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance
RU2468544C1 (ru) * 2011-03-21 2012-11-27 Общество с ограниченной ответственностью "Фиберус" Устройство для возбуждения и поддержания свч-разрядов в плазмохимических реакторах
JP6010406B2 (ja) * 2012-01-27 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
KR101427720B1 (ko) * 2013-03-27 2014-08-13 (주)트리플코어스코리아 단차부 및 블록부를 이용한 플라즈마 도파관
JP2015018684A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置
CZ2015265A3 (cs) * 2015-04-20 2015-10-21 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Hybridní plazmová tryska s povrchovou vlnou pro buzení vysoce reaktivních výbojů
JP6732006B2 (ja) * 2015-07-31 2020-07-29 アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc. マイクロ波プラズマ生成用チャンバ及びプラズマ生成方法
US10861667B2 (en) 2017-06-27 2020-12-08 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
CN111033689B (zh) 2017-06-27 2023-07-28 彼得·F·范德莫伊伦 用于等离子体沉积和处理的方法及系统
WO2021183373A1 (en) * 2020-03-13 2021-09-16 Vandermeulen Peter F Methods and systems for medical plasma treatment and generation of plasma activated media

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2533397A2 (fr) * 1982-09-16 1984-03-23 Anvar Perfectionnements aux torches a plasma
CA1246762A (en) * 1985-07-05 1988-12-13 Zenon Zakrzewski Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes
DE3905303C2 (de) * 1988-02-24 1996-07-04 Hitachi Ltd Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen
JP2805009B2 (ja) * 1988-05-11 1998-09-30 株式会社日立製作所 プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置
GB8821673D0 (en) * 1988-09-02 1988-10-19 Emi Plc Thorn Discharge tube arrangement
JPH02215038A (ja) * 1989-02-15 1990-08-28 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置
JP2922223B2 (ja) * 1989-09-08 1999-07-19 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ発生装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528357B1 (ko) * 1997-03-05 2006-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마이크로파플라즈마공급원을구비한기판처리시스템을개선하기위한장치및방법
WO2005099322A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Adtec Plasma Technology Co., Ltd. 同軸形マイクロ波プラズマトーチ
US7858899B2 (en) 2004-03-31 2010-12-28 Adtec Plasma Technology Co., Ltd. Coaxial microwave plasma torch
JP2008506235A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 アマランテ テクノロジーズ,インク. プルーム安定性及び加熱効率が改善されたマイクロ波プラズマノズル
KR101406203B1 (ko) * 2012-05-23 2014-06-12 (주)제이오션 마이크로파 플라즈마 어플리케이터 및 원격 플라즈마 반도체 식각장비
KR20220015166A (ko) * 2020-07-30 2022-02-08 한국핵융합에너지연구원 전자파 플라즈마 토치의 점화기 및 이를 이용하는 전자파 플라즈마 토치

Also Published As

Publication number Publication date
US5389153A (en) 1995-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5389153A (en) Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
US10863611B2 (en) Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator
US6432260B1 (en) Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof
US6057645A (en) Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap
US6855906B2 (en) Induction plasma reactor
US4609808A (en) Plasma generator
US5650032A (en) Apparatus for producing an inductive plasma for plasma processes
KR100396214B1 (ko) 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치
JPH088095A (ja) プラズマ処理用高周波誘導プラズマ源装置
US6158383A (en) Plasma processing method and apparatus
US5517085A (en) Apparatus including ring-shaped resonators for producing microwave plasmas
US4727293A (en) Plasma generating apparatus using magnets and method
US6459066B1 (en) Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance
US4906898A (en) Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes
KR930005132A (ko) 플라즈마 처리장치 및 방법
JP2002519861A5 (ja)
JP3907087B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH07263187A (ja) プラズマ処理装置
KR100332257B1 (ko) 플라즈마 처리장치
US6303007B1 (en) Plasma injector
JPH09289099A (ja) プラズマ処理方法および装置
RU2171554C2 (ru) Способ генерации плазмы и устройство для его осуществления
US5580387A (en) Corrugated waveguide for a microwave plasma applicator
KR100500360B1 (ko) 고효율 상압 마이크로웨이브 플라즈마시스템
JPH08316205A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置