KR930005132A - 플라즈마 처리장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

플라즈마 처리장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관게되는 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도,
제2도는 웨이퍼 지지대의 재치면 위치와 마이크로파의 파장과의 관계를 나타낸 설명도,
제3도는 자속(磁束)밀도와 전자에너지와의 관계를 나타낸 특성도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 관계되는 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도,
제5도는 본 발명의 제3실시예에 관계되는 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도,
제6도는 제5도에 나타낸 장치의 개관을 나타낸 사시도,
제7도는 마이크로파 도입구를 구비한 금속판의 예를 나타낸 평면도,
제8도는 제3실시예 장치에서의 에칭프로세서의 개략을 나타낸 플로우챠으트이다.

Claims (19)

  1. 전자사이클로트론 공명에 의하여 플라즈마를 발생시기고, 이 발생플라즈마를 사용하여 피처리기판의 처리를 하는 방법으로서; 상기 기판을 재치하기 위한 재치면이 배설된 처리쳄버를 제공하는 공정과, 상기 쳄버내에서 상기 재치면 위편에 방전공간이 형성되는 것과, 상기 기판을 상기 재치면상에 제치하는 공정과, 상기 쳄버 내를 고감압분위기로 설정하는 공정과, 상기 쳄버 내에 플라즈마로 되는 처리가스를 공급하는 공정과, 상기 방전공간에 마이크로파를 공급하는 공정과, 상기 방전공간에 마이크로파를 공급하는 공정과, 상기 방전공간에 강도가 똑같은 자장을 형성하는 공정과, 상기 자장의 강도를, 저가 사이클로트론 공명의 이상조건으로부터, 0.3%∼1.8%어긋난 값으로 설정하는 것과, 를 구비하는 마이크로파 플라즈마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자장의 강도를, 전자사이클로트론 공명의 이상 조건으로부터, 0. 5%-1.5%어긋난 값으로 설정하는 마이크로파 플라즈마 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 마이크로파를 상기 재치면에 대향하는 도입구로부터 공급하고, 또한 상기 재치면 또는 기판의 포면으로부터 상기 도입구까지의 거리를, 아미크로파의 파장의 1/2의 정수배로 설정하는 마이크로 플라즈마 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 처리가스를 공급하는 공정이, 에칭가스를 공급하는 공정을 구비하는 마이크로파플라즈마 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판을 재치하는 공정이, 반도체 웨이퍼를 재치하는 공정을 구비하는 마이크로파 플라즈마 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 재치면에 RF 바이어스전위를 부여하는 공정을 또한 포함하고, 여기서 상기 재치면이 도전체로 이루어지는 마이크로파 플라즈마 방법.
  7. 전자사이클로트론 공명에 의하여 플라즈마를 발생시키고, 이 발생 플라즈마를 사용하여 기판의 처리를 하는 장치으로서; 처리쳄버와, 상기 쳄버를 고감압분위기로 설정하는 수단과, 상기 쳄버 내에 배설된 지지대와, 상기 지지대가 상기 기판을 재치하기 위한 재치면을 가지는 것과, 상기 쳄버 내에서 상기 재치면 위편에 방전공간이 형성되는 것과, 상기 쳄버에 플라즈마로 되는 처리가스를 공급하는 공급수단과, 상기 방전공간의 양쪽에서 또한 상기 쳄버의 외부에 각각 배설된 제1 및 제2자극과, 상기 제1 및 제2자극이 상기 방전공간에 강도가 똑같은 자장을 형성하는 것과, 상기 자장의 강도를 조정하는 수단과, 상기 방전공간에 대면하여 상기 쳄버에 형성된 마이크로파 투과창과, 상기 쳄버의 바깥쪽에서 상기 투과창 위에 겹쳐진 제1도전성판과, 상기 제1도전성판에 형성된 복수의 슬리트와, 상기 슬리트가 마이크로파 도입구로서 기능하는 것과, 상기 제1도전성판 위에 겹쳐지 유전성판과, 상기 유전성판을 피복하는 제2도전성판과, 상기 제1 및 제2도전 성판은 서로 절연되는 것과, 상기 제1도전성판에 마이크로파를 공급하는 마이크로파 공급수단과, 를 구비한 마이크로파 플라즈마 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 공급수단이, 중심도체 및 도전성외관으로 이루어지는 동축라인을 구비하고, 상기 중심도체가 상기 제1도전성판에 접속되고, 상기 외관이 상기 제2도전성판에 접속되는 마이크로파 플라즈마 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 마이크로파 도입구가 상기 재치면에 대향하여 배치되고, 상기 재치면 또는 기판의 표면으로부터 상기 도입구까지의 거리가, 마이크로파의 파장의 12/의 정수배로 설정되는 마이크로파 플라즈마장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 유전성판이 세라믹으로 이루어지는 마이크로파 플라즈마 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 동축라인이 동축변환기 및 도파관을 개재하여 마이크로파 발생기에 접속되는 마이크로파 플라즈마 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도파관에, 임피던스매칭을 조정하기 위한 튜너가 배설되는 마이크로파 플라즈마장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 재치면이 반도체 웨이퍼를 지지하도록 형성되는 마이크로파 플라마즈 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 가스공급수단이, 에칭가스 공급수단을 구비하는 마이크로파 플라즈마 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 재치면에 RF 바이어스전위를 부여하는 수단을 또한 구비하고, 여기서 상기 재치면이 도전체로 이루어지는 마이크로파 플라즈마장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 재치면을 냉각하기 위한 냉매통로가 상기 지지대내에 배설되는 마이크로파 플라즈마장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 재치면에 고정하기 위한 정전척수단이 상기 지지대 내에 배설되는 마이크로파 플라즈마 장치.
  18. 제13항에 있어서, 상기 지지대를 승강시키는 승강수단을 구비하는 마이크로가 플라즈마 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 재치면에 RF 바이어스전위를 부여하는 수단과, 여기서 상기 재치면이 도전체로 이루어지는 것과, 상기 지지대 내에 배설된, 상기 재치면을 냉각하기 위한 냉매통로 및 상기 웨이퍼를 상기 재치면에 고정하기위한 정전척수단과, 를 또한 구비하는 것과, 상기 승강수단이 상기 쳄버를 관통하는 중공 승강로드를 구비하는 것과, 상기 바이어스전위 부여수단, 냉매통로, 및 정전척수단이, 상기 로드 내를 통과하여 상기 챔버밖의 관련하는 부재와 연이어 제휴하는 마이크로파 플라즈마장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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