JP2006041250A - プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被処理基体2を反応容器1内でプラズマにより処理する際、反応容器内のガス圧力を増加する、プラズマ発生部と被処理基体との距離を離す、被処理基体を一時的に反応室外へ置く、プラズマ発生部と被処理基体との間にシャッタを配置する等により、プラズマ発生開始時の所定時間プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を実質的に遮断する。
【選択図】図1
Description
シリコン酸化膜を窒化処理する方法に、熱処理、リモートプラズマ処理およびマイクロ波プラズマ処理等が検討されている。
しかし、この熱窒化には800から1000℃という高温が必要であるため、窒素はシリコン酸化膜中を容易に移動し、シリコン酸化膜とシリコンの界面に到達する。シリコン酸化膜とシリコンでは拡散のしやすさが異なるため、窒素は、シリコン酸化膜とシリコンの界面に蓄積する。よって、熱窒化によるシリコン酸化膜中の深さ方向窒素濃度分布は、表面に窒素が局在せず、シリコンとシリコン酸化膜の界面の窒素濃度が高くなる。シリコン酸化膜とシリコンの界面の窒素濃度が高いので、素子特性が悪い。また、800から1000℃という高温でウエハを処理するため、窒素以外の物質も一緒に拡散させ、更に素子特性を悪化させやすい。また、処理時間が非常に長いといった問題がある。
しかし、リモートプラズマ処理においては、プラズマ中の窒素イオンと一緒に必要な窒素活性種も減るため、十分な窒素活性種を得られず、処理時間が非常に長い。また、シリコン酸化膜中の深さ方向窒素濃度分布は、深さに伴い急減するので、窒素面密度を高めることが難しいなどの問題がある。
マイクロ波プラズマによるシリコン酸窒化膜製法では、上述した2つの方式と比較し、マイクロ波プラズマが、数eVと低い電子温度であるので、イオン入射エネルギーを5eV以下にすることができ、シリコン酸化膜の極表層2nmにほぼ窒素を局在化させ、シリコン酸化膜とシリコンの界面にほとんど窒素がない状態にすることができる。また、イオンを主体とした高密度プラズマでウエハを処理するので、処理時間を短くできるといった利点がある。
しかしながら、このようなプラズマの処理方法には、局所的に発生したプラズマが誘電体窓全面に広がるまでの僅かな時間に、当該プラズマ中のイオンがシリコン酸化膜を局所的に窒化してしまい、シリコン酸化膜の窒化均一性を悪化させるという問題があった。また、高密度プラズマでシリコン酸化膜を窒化処理するので、所望窒素濃度のシリコン酸窒化膜を製造するに必要な時間が、この僅かな時間を無視できない程、短いという問題があった。
第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集 No2 P630 第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集 No2 P631
ここで、所定時間とはプラズマの発生を開始してプラズマの分布が被処理基体の窒化均一性を損ねない程度に安定するまでの時間であり、実測により求めることができるが、例えば1秒〜5秒である。また、実質的に遮断するとはイオンフラックスを本処理時の略1/10以下にすることである。
圧力制御手段は、イオン遮断時、前記反応容器内のガス圧力を通常処理時の5倍以上かつ100Pa以上とするとよい。
マイクロ波表面波プラズマは、高密度であるので、被処理基体に注入するイオン量を少なくしたいとき、数秒程度の処理で済む。しかし、このような短時間処理においては、局所的に発生したプラズマによる局所的な被処理基体の処理を無視できない。よって、マイクロ波表面波プラズマのような高密度プラズマでは、発生初期のプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させないことが均一性において重要である。
マイクロ波表面波プラズマ処理装置を用いた窒化処理は、特許文献1等に触れられているが、窒化処理するための諸条件、特に局所的に発生するプラズマ中のイオンを被処理基体に実質的に入射させないことで被処理基体を均一に処理する効果を開示していない。よって、本発明は、公知例から容易に類推されるものではなく、新規性および進歩性を有するものである。
本発明の好ましい第1の実施の形態では、反応容器内ガス圧力を本処理時の10倍以上かつ100Pa以上にした後、プラズマを発生させ、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させないようにする。プラズマ放電安定化後、前記ガス圧力を下げてイオンフラックスを被処理基体に到達させ、本処理(プラズマ処理)を実行する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るマイクロ波表面波プラズマ処理装置の構成を示す。同図において、1はプラズマ処理室、2は被処理基体、3は被処理基体2を保持する被処理基体載置台、4はヒーター、5は処理用ガス導入手段、6は排気口、8はマイクロ波をプラズマ処理室1に導入するためのスロット付無終端環状導波管、11は無終端環状導波管8にマイクロ波管内波長の1/2または1/4毎に設けられたスロット、7はプラズマ処理室1内にマイクロ波を導入する誘電体窓、10は無終端環状導波管8に内蔵された冷却水路である。プラズマ処理室1の内壁および誘電体窓7は、被処理基体2への金属コンタミの恐れのない石英製である。被処理基体戴置台3は、内蔵ヒーター4の熱伝導と金属コンタミを考慮し、窒化アルミニウムを主成分としたセラミック製である。24はプラズマ処理室1内の圧力を検出する圧力検出器、25はプラズマ処理室1内の圧力を弁の開き具合で調整する圧力調整弁、26はプラズマ処理室1内から排気する真空ポンプである。圧力検出器24は、市販のバラトロン圧力計(MKS製)等で良い。圧力調整弁25は、市販の排気スロットルバルブ(MKS製)等で良い。真空ポンプは、市販のドライポンプ(樫山製作所)等で良い。
また、プラズマ放電安定化後、プラズマ処理室1圧力を略130Pa以下にすると、プラズマ中のイオンは被処理基体2に到達し、被処理基体2を均一に処理できる。
よって、反応容器内ガス圧力を略130Pa以上にした後、プラズマを発生させ、前記ガス圧力を略130Paより下げる工程により、被処理基体の局所にイオンを入射させず、被処理基体全面を均一なイオン濃度にすることができる。
図2は誘電体窓からの距離とイオン濃度の関係の一例を示す。同図において、プラズマ中のイオンは、ガス圧力を略130Pa以上にするとプラズマ発生部から離れるに従い電子との再結合消滅や拡散長の低下により急速に減少し、プラズマ発生部(誘電体窓近辺)から略10cmの地点では略1/100以下に減少する。よって、ガス圧力を略130Paにした後プラズマを発生させることで、局所的に発生したプラズマによる被処理基体の局所的処理のみを少なくでき、被処理基体を短時間処理する場合であっても十分な均一性を得ることができる。そして続いて、ガス圧力を略130Paより低い所望の圧力にすることで、プラズマ中のイオンを減少させることなく効率良く被処理基体に輸送し、被処理基体を短時間で処理できる。特に、ガス圧力を略13Paより低くすると、プラズマ発生部から略10cm離れた地点でプラズマ中のイオンはプラズマ発生部の数分の1程度の減少で済むので、被処理基体をより短時間で処理することができる。
この実施形態1の装置を用いたプラズマ処理例を後述の実施例1にて説明する。
本発明の好ましい第2の実施の形態では、プラズマ中のイオンを被処理基体に実質的に入射させないようにプラズマ発生部と被処理基体の間に物体を配置した後、プラズマを発生させ、プラズマ放電安定化後、プラズマ中のイオンを被処理基体に入射するように前記物体を配置することにより、プラズマ発生初期に局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させないようにしている。
図3および4において、31は固定され複数の穴を開けた石英板、32は複数の穴を開けた往復可動な石英板、30は可動石英板32の動作部と被処理基体とを仕切る石英円筒管、33は可動石英板32に設けられた穴、34は固定石英板31に設けられた穴、35は蛇腹、36は可動石英板32を往復動させる直線動器(リニアアクチュエータ)である。直線動器36は大気側に設置されている。実施形態1と共通の要素には同一の符号を付して詳細な説明は割愛する。
可動石英板32は、可動石英板32の穴33と固定石英板31の穴34が重なってコンダクタンスが最大になる位置Bと、可動石英板32の穴33と固定石英板31の穴34がずれてコンダクタンスが最小になる位置Cを、直線動器36により往復動する。
局所的に発生したプラズマが誘電体窓7全面に広がるまでの間、可動石英板32を位置Cに置くと、局所的に発生したプラズマ中のイオンは被処理基体2に到達しないので、被処理基体2を局所的に処理することがない。
また、可動石英板32を位置Bに置くと、プラズマ中のイオンは被処理基体2に拡散し、被処理基体2を均一に処理できる。
よって、プラズマ中のイオンを被処理基体に実質的に入射させないようにプラズマ発生部と被処理基体の間に物体を配置した後、プラズマを発生させ、プラズマ放電安定化後、プラズマ中のイオンを被処理基体に入射するように前記物体を配置する工程により、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させず、被処理基体全面を均一なイオン濃度にすることができる。
本発明の好ましい第3の実施の形態では、反応容器内にプラズマを発生させてプラズマ放電が安定した後、被処理基体を反応容器内に搬入することにより、プラズマ発生初期に局所的に発生するプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させないようにしている。
同図において、40は前室、35は蛇腹、36は被処理基体戴置台3を往復動させる直線動器である。直線動器は大気側に設置されている。実施形態1と共通の要素には同一の符号を付して詳細な説明は割愛する。
被処理基体戴置台3は、被処理基体2がプラズマ中のイオンに曝される位置Dと被処理基体2がプラズマ中のイオンに曝され難い前室40内の位置Eを直線動器36により往復動する。位置Eにおいて、被処理基体戴置台3上面と前室との隙間を数mmから1cmにすることで、プラズマ中のイオンが被処理基体2に到達し難くしている。
局所的に発生したプラズマが誘電体窓7全面に広がるまでの間、被処理基体戴置台3を位置Eに置くと、局所的に発生したプラズマ中のイオンは被処理基体2に到達しないので、被処理基体2を局所的に処理することがない。
また、被処理基体戴置台3を位置Dに置くと、プラズマ中のイオンは被処理基体2に拡散し、被処理基体2を均一に処理できる。
よって、反応容器内にプラズマを発生した後、被処理基体を反応容器内に搬入する工程により、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させず、被処理基体全面を均一なイオン濃度にすることができる。
本発明の好ましい第4の実施の形態では、プラズマ発生部と被処理基体を離間させた後、プラズマを発生させ、プラズマ放電安定化後、プラズマ発生部と被処理基体を接近させることにより、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させないようにしている。
例えばガス圧力13Paにおいて、プラズマ発生部から略20cm離れた地点でプラズマ中のイオンは、図2から外挿すると、略1/100以下に減少する。よって、プラズマ発生部から被処理基体を略20cm離してからプラズマを発生させることで、局所的に発生したプラズマによる局所的処理のみを少なくでき、被処理基体を均一に処理することができる。そして続いて、被処理基体をプラズマ発生部から略20cmより近づけることで、プラズマ中のイオンを減少させることなく効率良く被処理基体に輸送し、被処理基体を短時間で処理できる。特に、被処理基体をプラズマ発生部から略10cmに近づけると、プラズマ中のイオンはプラズマ発生部の数分の1程度の減少で済むので、被処理基体をより短時間で処理できる。ガス圧力をより高くすると、プラズマ発生時のプラズマ発生部と被処理基体間をより短くしても同様の効果を得ることができる。
同図において、35は蛇腹、36は被処理基体戴置台3を上下動させる直線動器である。直線動器は大気側に設置されている。実施形態1と共通の要素には同一の符号を付して詳細な説明は割愛する。
被処理基体戴置台3は、誘電体窓7から略10cmの位置Fと略20cmの位置Gを直線動器36により上下動する。この時の処理圧力を13Paとする。
ガス圧力13Paの場合、図2から外挿すると、プラズマ発生部から略20cmの位置Gでプラズマ中のイオンは、略1/100以下に減少する。また、プラズマ発生部から略10cmの位置Fでプラズマ中のイオンはプラズマ発生部の数分の1程度の減少する。よって、位置Gにおける処理量は位置Fの数十分の一である。
局所的に発生したプラズマが誘電体窓7全面に広がるまでの間、被処理基体戴置台3を位置Gに置くことで、局所的に発生したプラズマ中のイオンによる局所的被処理基体2処理量を、位置Fにおける処理量の数十分の一に抑えることができる。
よって、被処理基体戴置台3を位置Gに置いた後、プラズマを発生させ、更に被処理基体戴置台3を位置Fに置くことで、被処理基体2のプラズマ発生時の局所的処理量を数十分の一から数百分の一に抑えることができる。
このように、プラズマ発生部と被処理基体を離間させた後、プラズマを発生させ、プラズマ放電安定化後、プラズマ発生部と被処理基体を接近させる工程により、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させず、被処理基体全面を均一なイオン濃度にすることができる。
冷却水路10に冷却水が流れ無終端環状導波管8を室温に冷却している。プラズマ処理室1内圧力を圧力検出器24で検出しながら、真空ポンプ26を運転し、圧力調節弁25により0.1Pa以下にする。被処理基体戴置台3をヒーター4により加熱し200℃にする。表面に厚さ2nmのシリコン酸化膜の付いた被処理基体2を被処理基体保持台3に搬送して載置する。続いて、窒素ガスを処理用ガス導入手段5を介して200sccmの流量でプラズマ処理室1に導入する。次に、圧力調整弁を調整し、プラズマ処理室1内を133Paに保持する。マイクロ波電源より1.5kWのマイクロ波を、無終端環状導波管8および誘電体7を介して、プラズマ処理室1内に供給し、プラズマ処理室1内でプラズマを発生させる。無終端環状導波管8内に導入されたマイクロ波は、左右に二分配され、スロット11から誘電体7を介してプラズマ処理室1に導入され、プラズマを生成する。このプラズマは局所的に発生し、誘電体窓7全面に広がるが、133Paという圧力のため誘電体窓7から離れるに従い急速に減少し、10cm離れた被処理基体2表面でほとんど無視できるほど少なくなる。
この被処理基体の窒素濃度分布を光学式膜厚計で測定したところ、13Paのみで処理した場合と比較し、均一性が略2割改善していた。
また、プラズマ中の窒素イオンは、図2に例示するように、130Paでプラズマ発生部から離れるに従い急速に減少する。また、13Paでは、穏やかに減少している。誘電体窓7と被処理基体2の距離を10cmにすると、133Paのイオン濃度は13Paの5%である。
よって、反応容器内ガス圧力を略130Pa以上にした後、プラズマを発生させ、前記ガス圧力を略130Paより下げる工程により、局所的に発生したプラズマ中のイオンのみを被処理基体に入射させず、被処理基体全面を均一な窒素濃度にすることができる。
2:被処理基体
3:被処理基体戴置台
4:ヒーター
5:処理用ガス導入手段
6:排気口
7:誘電体窓
8:環状導波管
10:冷却水路
11:スロット
24:圧力検出器
25:圧力調整弁
26:真空ポンプ
30:石英円筒管
31:固定石英板
32:可動石英板
33:可動石英板穴
34:固定石英板穴
35:蛇腹
36:直線動器
40:前室
B:コンダクタンス最大になる位置
C:コンダクタンス最小になる位置
D:プラズマに曝される位置
E:プラズマに曝せれにくい位置
F:誘電体窓に近接した位置
G:誘電体窓から離間した位置
Claims (8)
- 被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する装置であって、
プラズマ発生開始時の所定時間プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を実質的に遮断する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記遮断手段は、イオンを実質的に遮断する際、前記反応容器内のガス圧力を増加する圧力制御手段であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮断手段は、イオンを実質的に遮断する際、プラズマ発生部と前記被処理基体との間に配置されるシャッタ手段であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮断手段は、イオンを実質的に遮断する際、イオンが照射されない位置に前記被処理基体を退避させるステージ手段であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮断手段は、イオンを実質的に遮断する際、前記被処理基体を移動してプラズマ発生部から引き離すステージ手段であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマがマイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する方法であって、
プラズマ発生開始時の所定時間プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を実質的に遮断することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記プラズマがマイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理方法。
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