JPH11191553A - 半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバ - Google Patents
半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバInfo
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- JPH11191553A JPH11191553A JP10267795A JP26779598A JPH11191553A JP H11191553 A JPH11191553 A JP H11191553A JP 10267795 A JP10267795 A JP 10267795A JP 26779598 A JP26779598 A JP 26779598A JP H11191553 A JPH11191553 A JP H11191553A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波（ＲＦ）エネルギーで形成されたプラ
ズマガスをウェーハに誘導するために形成する磁場を安
定化し、特定部分へのプラズマの偏りを防止する半導体
装置製造用プラズマエッチングチャンバを提供する。 【解決手段】 チャンバ１０内で高周波エネルギーによ
り形成されるプラズマ状態のプラズマガスを誘導するた
めに磁場を発生させるマグネットコイル１２をチャンバ
１０の外壁に設け、このマグネットコイル１２に電流を
供給するケーブル１４を有し、このケーブル１４をチャ
ンバ１０の外壁に設けた絶縁性のプラスチックからなる
ブラケット２０を介してマグネットコイル１２に接続す
る。また、ケーブル１４の端部には連結ナット２２を設
け、この連結ナット２２をネジ締結する結合ネジ部２４
をブラケット２０に設ける。また、連結ナット２２に
は、摩擦によるケーブル１４の断線を防止する延長ナッ
ト２６を設ける。
ズマガスをウェーハに誘導するために形成する磁場を安
定化し、特定部分へのプラズマの偏りを防止する半導体
装置製造用プラズマエッチングチャンバを提供する。 【解決手段】 チャンバ１０内で高周波エネルギーによ
り形成されるプラズマ状態のプラズマガスを誘導するた
めに磁場を発生させるマグネットコイル１２をチャンバ
１０の外壁に設け、このマグネットコイル１２に電流を
供給するケーブル１４を有し、このケーブル１４をチャ
ンバ１０の外壁に設けた絶縁性のプラスチックからなる
ブラケット２０を介してマグネットコイル１２に接続す
る。また、ケーブル１４の端部には連結ナット２２を設
け、この連結ナット２２をネジ締結する結合ネジ部２４
をブラケット２０に設ける。また、連結ナット２２に
は、摩擦によるケーブル１４の断線を防止する延長ナッ
ト２６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造用
プラズマエッチングチャンバに係り、より詳しくは高周
波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）エネルギ
ーで形成されたプラズマガスをチャンバの内部に磁場を
発生させることでウェーハにプラズマガスを誘導する半
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバに関する。
プラズマエッチングチャンバに係り、より詳しくは高周
波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）エネルギ
ーで形成されたプラズマガスをチャンバの内部に磁場を
発生させることでウェーハにプラズマガスを誘導する半
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、プラズマエッチングは、ウェーハ
を加工する工程のうち、乾式エッチングの一例である。
この際、プラズマガスは、電気的な分解により生成さ
れ、この分解により生成されたガスの種類によりウェー
ハの表面をなす物質と強い化学反応を起こしてエッチン
グする。一般的にウェーハ加工のために適用されるプラ
ズマエッチングは、次のように行われる。まず、エッチ
ングしたウェーハをボートに収納して反応室に移送し、
その後、反応室の内部が真空状態になってから特殊ガス
が反応室に流入される。反応室に特殊ガスが流入された
後、高周波（ＲＦ）エネルギーが混合ガスに加えられる
ことによりプラズマガスが生成され、このプラズマガス
によりウェーハのエッチングが行われる。
を加工する工程のうち、乾式エッチングの一例である。
この際、プラズマガスは、電気的な分解により生成さ
れ、この分解により生成されたガスの種類によりウェー
ハの表面をなす物質と強い化学反応を起こしてエッチン
グする。一般的にウェーハ加工のために適用されるプラ
ズマエッチングは、次のように行われる。まず、エッチ
ングしたウェーハをボートに収納して反応室に移送し、
その後、反応室の内部が真空状態になってから特殊ガス
が反応室に流入される。反応室に特殊ガスが流入された
後、高周波（ＲＦ）エネルギーが混合ガスに加えられる
ことによりプラズマガスが生成され、このプラズマガス
によりウェーハのエッチングが行われる。
【０００３】このような従来のプラズマエッチング方法
において、エッチングを補うために最近は磁場をチャン
バの内部に発生させてウェーハ方向にプラズマガスを誘
導する技術が開発されている。図３は、このように磁場
によりプラズマガスを誘導する従来の半導体装置製造用
プラズマエッチングチャンバの断面を示す断面図であ
る。また、図４は、図３に示したブラケット１６とケー
ブル１４との接続部を示す断面図である。
において、エッチングを補うために最近は磁場をチャン
バの内部に発生させてウェーハ方向にプラズマガスを誘
導する技術が開発されている。図３は、このように磁場
によりプラズマガスを誘導する従来の半導体装置製造用
プラズマエッチングチャンバの断面を示す断面図であ
る。また、図４は、図３に示したブラケット１６とケー
ブル１４との接続部を示す断面図である。
【０００４】図３に示すように、従来の半導体装置製造
用プラズマエッチングチャンバは、外壁に複数のマグネ
ットコイル１２が設けられ、ケーブル１４をマグネット
コイル１２に接続して電流を供給するように構成されて
いる。ここで、マグネットコイル１２に電流が供給され
ると、チャンバ１０の内部に磁場を形成し、この磁場に
よりチャンバ１０内でプラズマ状態にある各成分別のプ
ラズマガスを電気的な極性により誘導する。この過程で
プラズマガスは、ウェーハ方向（周方向）に進み、ウェ
ーハの表面物質と反応してエッチングが行われる。そし
て、このような従来の半導体装置製造用プラズマエッチ
ングチャンバには、マグネットコイル１２に電流を供給
するケーブル１４がチャンバ１０の外壁に装着したブラ
ケット１６を介して接続されている。ここでケーブル１
４は、先端部分にブラケット１６と接続するための連結
ナット１８を設け、この連結ナット１８を図４に示すブ
ラケット１６の表面から突出する突部に嵌入させること
により装着されている。
用プラズマエッチングチャンバは、外壁に複数のマグネ
ットコイル１２が設けられ、ケーブル１４をマグネット
コイル１２に接続して電流を供給するように構成されて
いる。ここで、マグネットコイル１２に電流が供給され
ると、チャンバ１０の内部に磁場を形成し、この磁場に
よりチャンバ１０内でプラズマ状態にある各成分別のプ
ラズマガスを電気的な極性により誘導する。この過程で
プラズマガスは、ウェーハ方向（周方向）に進み、ウェ
ーハの表面物質と反応してエッチングが行われる。そし
て、このような従来の半導体装置製造用プラズマエッチ
ングチャンバには、マグネットコイル１２に電流を供給
するケーブル１４がチャンバ１０の外壁に装着したブラ
ケット１６を介して接続されている。ここでケーブル１
４は、先端部分にブラケット１６と接続するための連結
ナット１８を設け、この連結ナット１８を図４に示すブ
ラケット１６の表面から突出する突部に嵌入させること
により装着されている。
【０００５】しかし、このような構成による従来の半導
体装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、エッチ
ングの終了点を確認するウィンドウが形成された部分
（図示せず）、即ち、チャンバ１０の外壁にブラケット
１６を設けた部分の内部に形成されるプラズマの偏り現
象が発生する。これは、マグネットコイル１２に電流を
供給する際、ケーブル１４を接続するブラケット１６を
設けた部分で部分的な放電が発生することにより起こる
現象である。従来、ブラケット１６は、材質が導電性を
有するアルミニウムであり、電気分解により表面処理
（Ｈａｒｄ Ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）を施しているため、
前述した放電が発生する。このように放電が発生する
と、放電はチャンバ１０の内部に形成される磁場に図３
に示した矢印のように影響を与え、結局、チャンバ１０
の内部でウェーハをエッチングするプラズマガスの一方
向で偏り現象を発生させてしまう。
体装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、エッチ
ングの終了点を確認するウィンドウが形成された部分
（図示せず）、即ち、チャンバ１０の外壁にブラケット
１６を設けた部分の内部に形成されるプラズマの偏り現
象が発生する。これは、マグネットコイル１２に電流を
供給する際、ケーブル１４を接続するブラケット１６を
設けた部分で部分的な放電が発生することにより起こる
現象である。従来、ブラケット１６は、材質が導電性を
有するアルミニウムであり、電気分解により表面処理
（Ｈａｒｄ Ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）を施しているため、
前述した放電が発生する。このように放電が発生する
と、放電はチャンバ１０の内部に形成される磁場に図３
に示した矢印のように影響を与え、結局、チャンバ１０
の内部でウェーハをエッチングするプラズマガスの一方
向で偏り現象を発生させてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、図３
に示したように、プラズマガスの偏り現象が発生する
と、チャンバ１０内部でのプラズマガスの分布状態のバ
ランスが崩れ、プラズマが偏る部分でウェーハの過エッ
チングが発生し、エッチング終了点を確認するウィンド
ウ部分でエッチングの均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）
が低下してしまう不具合が生じた。また、従来の半導体
装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、ブラケッ
ト１６に連結ナット１８により固定されるケーブル１４
は構造的に接続部分が脆弱に設計されていた。従って、
ケーブル１４は、垂直方向に加えられるストレスと、接
続部分の頻繁な摩擦とにより断線してしまうことがあっ
た。このように、ケーブル１４の断線が発生した場合、
正常な設備の動作を実行するのは不可能であるため、こ
れを補修するために設備を停止することが頻繁に発生
し、それによる設備の稼働率が低下するという不具合が
あった。
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、図３
に示したように、プラズマガスの偏り現象が発生する
と、チャンバ１０内部でのプラズマガスの分布状態のバ
ランスが崩れ、プラズマが偏る部分でウェーハの過エッ
チングが発生し、エッチング終了点を確認するウィンド
ウ部分でエッチングの均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）
が低下してしまう不具合が生じた。また、従来の半導体
装置製造用プラズマエッチングチャンバでは、ブラケッ
ト１６に連結ナット１８により固定されるケーブル１４
は構造的に接続部分が脆弱に設計されていた。従って、
ケーブル１４は、垂直方向に加えられるストレスと、接
続部分の頻繁な摩擦とにより断線してしまうことがあっ
た。このように、ケーブル１４の断線が発生した場合、
正常な設備の動作を実行するのは不可能であるため、こ
れを補修するために設備を停止することが頻繁に発生
し、それによる設備の稼働率が低下するという不具合が
あった。
【０００７】本発明は前述した課題を解決するため、マ
グネットコイルに電流を供給するためにケーブルを固定
するブラケットを改善することにより、放電を防止して
プラズマの偏り現象を解決し、エッチング均一度を保持
する半導体製造用プラズマエッチングチャンバを提供す
ることを目的とする。本発明の他の目的は、マグネット
コイルに電流を供給するケーブルを固定するブラケット
のケーブル固定構造を改善することにより、ケーブルの
断線を防ぎ、それによる設備の停止を事前に防止する半
導体製造用プラズマエッチングチャンバを提供すること
を目的とする。
グネットコイルに電流を供給するためにケーブルを固定
するブラケットを改善することにより、放電を防止して
プラズマの偏り現象を解決し、エッチング均一度を保持
する半導体製造用プラズマエッチングチャンバを提供す
ることを目的とする。本発明の他の目的は、マグネット
コイルに電流を供給するケーブルを固定するブラケット
のケーブル固定構造を改善することにより、ケーブルの
断線を防ぎ、それによる設備の停止を事前に防止する半
導体製造用プラズマエッチングチャンバを提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、エッチングチャンバ内で高周波エネルギ
ーにより形成されたプラズマ状態のプラズマガスをウェ
ーハの方向に誘導するためにエッチングチャンバの外壁
に磁場を発生させるマグネットコイルを設けてマグネッ
トコイルに電流を供給するケーブルを接続した半導体装
置製造用プラズマエッチングチャンバにおいて、エッチ
ングチャンバの外壁に絶縁性材質からなるブラケットを
設けてマグネットコイルに電流を供給するケーブルをブ
ラケットを介して接続する。ここで、ブラケット２０
は、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリアセタル
（ｐｏｌｙａｃｅｔａｌ）、ポリカーボネート（ｐｏｌ
ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエステル（ｐｏｌｙｅｓ
ｔｅｒ）または変形ポリフェニレンオキシド（Ｍｏｄｉ
ｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ）の
うちいずれか一つの材質により形成することが好まし
い。そして、ブラケットのケーブル連結部分には、ケー
ブル垂れ防止用に所定の長さに延在する延長ナットをさ
らに装着することが好ましい。
決するために、エッチングチャンバ内で高周波エネルギ
ーにより形成されたプラズマ状態のプラズマガスをウェ
ーハの方向に誘導するためにエッチングチャンバの外壁
に磁場を発生させるマグネットコイルを設けてマグネッ
トコイルに電流を供給するケーブルを接続した半導体装
置製造用プラズマエッチングチャンバにおいて、エッチ
ングチャンバの外壁に絶縁性材質からなるブラケットを
設けてマグネットコイルに電流を供給するケーブルをブ
ラケットを介して接続する。ここで、ブラケット２０
は、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリアセタル
（ｐｏｌｙａｃｅｔａｌ）、ポリカーボネート（ｐｏｌ
ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエステル（ｐｏｌｙｅｓ
ｔｅｒ）または変形ポリフェニレンオキシド（Ｍｏｄｉ
ｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ）の
うちいずれか一つの材質により形成することが好まし
い。そして、ブラケットのケーブル連結部分には、ケー
ブル垂れ防止用に所定の長さに延在する延長ナットをさ
らに装着することが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
による半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバの
実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明による半
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバの断面を示
す断面図である。また、図２は、図１に示したブラケッ
ト２０とケーブル１４との接続部を示す断面図である。
本発明による半導体装置製造用プラズマエッチングチャ
ンバは、チャンバにケーブルを固定するブラケットの材
質を変更し、放電を防ぐことによりチャンバ内部のプラ
ズマの偏りを防止するものであり、ブラケットの材質は
絶縁性プラスチックを用いている。
による半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバの
実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明による半
導体装置製造用プラズマエッチングチャンバの断面を示
す断面図である。また、図２は、図１に示したブラケッ
ト２０とケーブル１４との接続部を示す断面図である。
本発明による半導体装置製造用プラズマエッチングチャ
ンバは、チャンバにケーブルを固定するブラケットの材
質を変更し、放電を防ぐことによりチャンバ内部のプラ
ズマの偏りを防止するものであり、ブラケットの材質は
絶縁性プラスチックを用いている。
【００１０】図１に示すように、本発明による半導体装
置製造用プラズマエッチングチャンバは、エッチング反
応を実行するチャンバ１０の外壁にマグネットコイル１
２が四方向（前後左右）に装着されており、このチャン
バ１０の外壁側にはケーブル１４を固定するブラケット
２０が装着されている。ブラケット２０の材質は、絶縁
性を有するプラスチックであって、具体的にはポリアミ
ド、ポリアセタル、ポリカーボネート、ポリエステル、
または変形ポリフェニレンオキシドなどのエンジニアリ
ングプラスチックのうち、いずれか一つが選択的に用い
られている。そして、ブラケット２０には、ケーブル１
４が接続されている。このケーブル１４には、端部に設
けた連結ナット２２によりブラケット２０に接続してい
る。また、ブラケット２０には、ケーブル１４の連結ナ
ット２２を装着するために、表面に突出するように結合
ネジ部２４を設けて連結ナット２２とネジ締結してい
る。
置製造用プラズマエッチングチャンバは、エッチング反
応を実行するチャンバ１０の外壁にマグネットコイル１
２が四方向（前後左右）に装着されており、このチャン
バ１０の外壁側にはケーブル１４を固定するブラケット
２０が装着されている。ブラケット２０の材質は、絶縁
性を有するプラスチックであって、具体的にはポリアミ
ド、ポリアセタル、ポリカーボネート、ポリエステル、
または変形ポリフェニレンオキシドなどのエンジニアリ
ングプラスチックのうち、いずれか一つが選択的に用い
られている。そして、ブラケット２０には、ケーブル１
４が接続されている。このケーブル１４には、端部に設
けた連結ナット２２によりブラケット２０に接続してい
る。また、ブラケット２０には、ケーブル１４の連結ナ
ット２２を装着するために、表面に突出するように結合
ネジ部２４を設けて連結ナット２２とネジ締結してい
る。
【００１１】このように構成された本発明による半導体
装置製造用プラズマエッチングチャンバにおいて、チャ
ンバ１０の内部には、ケーブル１４を介した電流供給で
マグネットコイル１２により発生する磁場が図１に示し
た矢印のように外部の影響によって変形することなく形
成される。ケーブル１４が接続されるブラケット２０に
は、電流が供給されるが、ブラケット２０の材質が絶縁
性を備えたもので形成しているため、これらを介した経
路に放電は発生しない。従って、ブラケット２０は、チ
ャンバ１０の内部に形成される磁場に影響を及ぼすこと
がない。そして、チャンバ１０の内部に磁場が図１に示
した矢印のように形成されると、ブラケット２０に設け
られたエッチングの終了点を確認するウィンドウ部分
（図示せず）においてプラズマガスの偏りがなく安定し
た状態を保持できる。よって、チャンバ１０の内部に形
成される電気的性質を備えるプラズマガスは、偏りが発
生せず、均一に分布される。従って、チャンバ１０内で
は、エッチングに対する均一度が保持される。
装置製造用プラズマエッチングチャンバにおいて、チャ
ンバ１０の内部には、ケーブル１４を介した電流供給で
マグネットコイル１２により発生する磁場が図１に示し
た矢印のように外部の影響によって変形することなく形
成される。ケーブル１４が接続されるブラケット２０に
は、電流が供給されるが、ブラケット２０の材質が絶縁
性を備えたもので形成しているため、これらを介した経
路に放電は発生しない。従って、ブラケット２０は、チ
ャンバ１０の内部に形成される磁場に影響を及ぼすこと
がない。そして、チャンバ１０の内部に磁場が図１に示
した矢印のように形成されると、ブラケット２０に設け
られたエッチングの終了点を確認するウィンドウ部分
（図示せず）においてプラズマガスの偏りがなく安定し
た状態を保持できる。よって、チャンバ１０の内部に形
成される電気的性質を備えるプラズマガスは、偏りが発
生せず、均一に分布される。従って、チャンバ１０内で
は、エッチングに対する均一度が保持される。
【００１２】また、本発明による半導体装置製造用プラ
ズマエッチングチャンバは、図２に示すように、ケーブ
ル１４をブラケット２０に接続するための連結ナット２
２に更に延長ナット２６を補強している。これは、延長
ナット２６を接続したケーブル１４を支持するために設
けたもので、連結ナット２２の長さを延ばす効果を備え
ていることにより、ケーブル１４を支持して構造的に断
線が発生する部分のストレスまたは摩擦から保護し、断
線を防止するように形成されている。また、前述した延
長ナット２６を使用せず、単に、連結ナット２２の長さ
を所定の長さ以上に延長することも可能である。これに
よると延長ナット２６は、ケーブル１４の垂れを防止で
きる。
ズマエッチングチャンバは、図２に示すように、ケーブ
ル１４をブラケット２０に接続するための連結ナット２
２に更に延長ナット２６を補強している。これは、延長
ナット２６を接続したケーブル１４を支持するために設
けたもので、連結ナット２２の長さを延ばす効果を備え
ていることにより、ケーブル１４を支持して構造的に断
線が発生する部分のストレスまたは摩擦から保護し、断
線を防止するように形成されている。また、前述した延
長ナット２６を使用せず、単に、連結ナット２２の長さ
を所定の長さ以上に延長することも可能である。これに
よると延長ナット２６は、ケーブル１４の垂れを防止で
きる。
【００１３】このように、本発明による半導体装置製造
用プラズマエッチングチャンバの実施に形態によると、
ケーブルの垂れと摩擦によるケーブル断線とを防止し、
このケーブルの断線が防止されることにより断線による
設備の停止時間が減少して設備の稼働率が改善される。
用プラズマエッチングチャンバの実施に形態によると、
ケーブルの垂れと摩擦によるケーブル断線とを防止し、
このケーブルの断線が防止されることにより断線による
設備の停止時間が減少して設備の稼働率が改善される。
【００１４】以上、本発明によってなされた半導体装置
製造用プラズマエッチングチャンバの実施の形態を詳細
に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能で
ある。例えば、ブラケットの材質を絶縁性プラスチック
を用いた実施の形態を説明したが、これに限定するもの
ではなく、セラミックなどの絶縁性の材質でも同じ効果
を得ることができる。
製造用プラズマエッチングチャンバの実施の形態を詳細
に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能で
ある。例えば、ブラケットの材質を絶縁性プラスチック
を用いた実施の形態を説明したが、これに限定するもの
ではなく、セラミックなどの絶縁性の材質でも同じ効果
を得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】このように、本発明による半導体装置製
造用プラズマエッチングチャンバによると、ブラケット
の材質を変更することで、チャンバの内部におけるプラ
ズマの偏り現象が解決され、エッチングの均一度が改善
される。また、本発明による半導体装置製造用プラズマ
エッチングチャンバによれば、延長ナット及び所定の長
さに延長した連結ナットを設けることにより、電流を供
給するケーブルのストレスと、摩擦によるケーブルの断
線とを防止でき、設備の停止時間を最小化することがで
きるため、設備の稼働率が改善される。
造用プラズマエッチングチャンバによると、ブラケット
の材質を変更することで、チャンバの内部におけるプラ
ズマの偏り現象が解決され、エッチングの均一度が改善
される。また、本発明による半導体装置製造用プラズマ
エッチングチャンバによれば、延長ナット及び所定の長
さに延長した連結ナットを設けることにより、電流を供
給するケーブルのストレスと、摩擦によるケーブルの断
線とを防止でき、設備の停止時間を最小化することがで
きるため、設備の稼働率が改善される。
【図１】本発明による半導体装置製造用プラズマエッチ
ングチャンバの断面を示す断面図。
ングチャンバの断面を示す断面図。
【図２】図１に示したブラケットとケーブルとの接続部
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】従来の半導体装置製造用プラズマエッチングチ
ャンバの断面を示す断面図。
ャンバの断面を示す断面図。
【図４】図３に示したブラケットとケーブルとの接続部
を示す断面図。
を示す断面図。
１０ チャンバ １２ マグネットコイル １４ ケーブル ２０ ブラケット ２２ 連結ナット ２４ 結合ネジ部 ２６ 延長ナット
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチングチャンバ内で高周波エネルギ
ーにより形成されたプラズマ状態のプラズマガスをウェ
ーハの方向に誘導するために前記エッチングチャンバの
外壁に磁場を発生させるマグネットコイルを設け、この
マグネットコイルに電流を供給するケーブルを接続した
半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバにおい
て、 前記エッチングチャンバの外壁に絶縁性材質からなるブ
ラケットを設け、前記マグネットコイルに電流を供給す
るケーブルが前記ブラケットを介して接続されているこ
とを特徴とする半導体装置製造用プラズマエッチングチ
ャンバ。 - 【請求項２】 前記ブラケットは、ポリアミド、ポリア
セタル、ポリカーボネート、ポリエステルまたは変形ポ
リフェニレンオキシドのうちいずれか一つの材質により
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置製造用プラズマエッチングチャンバ。 - 【請求項３】 前記ブラケットのケーブル連結部には、
前記ケーブルの垂れ防止用に所定の長さに延在する延長
ナットをさらに装着していることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置製造用プラズマエッチングチャン
バ。
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|---|---|---|---|
| KR1997P-71740 | 1997-12-22 | ||
| KR1019970071740A KR100256173B1 (ko) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191553A true JPH11191553A (ja) | 1999-07-13 |
| JP3727180B2 JP3727180B2 (ja) | 2005-12-14 |
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| JP26779598A Expired - Fee Related JP3727180B2 (ja) | 1997-12-22 | 1998-09-22 | 半導体装置製造用プラズマエッチングチャンバ |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067642A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100425453B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마용 자석과 그 제조방법 및 이를 이용한고밀도 플라즈마용 반도체 제조장치 |
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| DK2251454T3 (da) | 2009-05-13 | 2014-10-13 | Sio2 Medical Products Inc | Coating og inspektion af beholder |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| CN103930595A (zh) | 2011-11-11 | 2014-07-16 | Sio2医药产品公司 | 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备 |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| EP2920567B1 (en) | 2012-11-16 | 2020-08-19 | SiO2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| WO2014085348A2 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| KR102211788B1 (ko) | 2013-03-11 | 2021-02-04 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 코팅된 패키징 |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| EP3122917B1 (en) | 2014-03-28 | 2020-05-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| KR20180048694A (ko) | 2015-08-18 | 2018-05-10 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기 |
| CN108655519B (zh) * | 2018-05-21 | 2019-10-01 | 上海交通大学 | 电弧放电加工冲液区域调控系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3886387A (en) * | 1973-07-31 | 1975-05-27 | Gen Electric | Flux shield for dynamoelectric machines |
| US3994320A (en) * | 1975-06-11 | 1976-11-30 | Dorsey Ted C | Wire wrap tool |
| US4952273A (en) * | 1988-09-21 | 1990-08-28 | Microscience, Inc. | Plasma generation in electron cyclotron resonance |
| US5435900A (en) * | 1992-11-04 | 1995-07-25 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Apparatus for application of coatings in vacuum |
| JPH08148702A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 赤外線検知器 |
-
1997
- 1997-12-22 KR KR1019970071740A patent/KR100256173B1/ko active IP Right Grant
-
1998
- 1998-09-03 TW TW087114634A patent/TW388933B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-22 JP JP26779598A patent/JP3727180B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-03 US US09/185,092 patent/US6082295A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067642A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
| US7090742B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-08-15 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100256173B1 (ko) | 2000-05-15 |
| US6082295A (en) | 2000-07-04 |
| KR19990052283A (ko) | 1999-07-05 |
| TW388933B (en) | 2000-05-01 |
| JP3727180B2 (ja) | 2005-12-14 |
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