JP2916942B2 - 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 - Google Patents
管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置Info
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- JP2916942B2 JP2916942B2 JP24253990A JP24253990A JP2916942B2 JP 2916942 B2 JP2916942 B2 JP 2916942B2 JP 24253990 A JP24253990 A JP 24253990A JP 24253990 A JP24253990 A JP 24253990A JP 2916942 B2 JP2916942 B2 JP 2916942B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は管内面に対するプラズマCVD処理方法及びそ
の装置に関する。
の装置に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題） ステンレス管等の金属管内面に対する処理装置の一例
として実開平1-177263号公報に示された内面処理装置が
知られている。しかし，この装置では，金属管の端部と
中央部とでは膜厚に差を生じ易いという問題点がある。
として実開平1-177263号公報に示された内面処理装置が
知られている。しかし，この装置では，金属管の端部と
中央部とでは膜厚に差を生じ易いという問題点がある。
このような問題点に対し，金属管内に小型の溶射ガン
を回転させながら導入させて内面処理を行う方法が提案
されているが，実用化には至っていないのが現状であ
る。
を回転させながら導入させて内面処理を行う方法が提案
されているが，実用化には至っていないのが現状であ
る。
このような観点から，本発明の課題は管内面に均一な
膜厚で処理膜を形成できるプラズマCVD処理方法及び装
置を提供することにある。
膜厚で処理膜を形成できるプラズマCVD処理方法及び装
置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明によるプラズマCVD処理方法は，圧力勾配型放
電により形成したプラズマを利用して被処理管内面にプ
ラズマCVD処理を行う方法であり，前記被処理管の一端
から他端に向かうプラズマビームを形成すると共に，前
記被処理管の周囲に間隔をおいて配設された複数の磁束
源で前記プラズマビームを前記被処理管の中心軸に位置
せしめ，しかも前記被処理管に沿って移動可能な磁場制
御手段により前記プラズマビームに合成磁場を作用させ
ることによって前記被処理管の内面にプラズマを照射さ
せるようにしたことを特徴とする。
電により形成したプラズマを利用して被処理管内面にプ
ラズマCVD処理を行う方法であり，前記被処理管の一端
から他端に向かうプラズマビームを形成すると共に，前
記被処理管の周囲に間隔をおいて配設された複数の磁束
源で前記プラズマビームを前記被処理管の中心軸に位置
せしめ，しかも前記被処理管に沿って移動可能な磁場制
御手段により前記プラズマビームに合成磁場を作用させ
ることによって前記被処理管の内面にプラズマを照射さ
せるようにしたことを特徴とする。
本発明によればまた，被処理管の一端にプラズマビー
ム形成用の圧力勾配型プラズマ銃を設けると共に，前記
被処理管の外周には前記プラズマビームを前記被処理管
の中心軸に位置せしめるための複数の磁束源と前記被処
理管に沿って移動可能な磁場制御手段とを設けて合成磁
場によるプラズマを前記被処理管内面に照射させるよう
にした管内面のプラズマCVD処理装置が得られる。
ム形成用の圧力勾配型プラズマ銃を設けると共に，前記
被処理管の外周には前記プラズマビームを前記被処理管
の中心軸に位置せしめるための複数の磁束源と前記被処
理管に沿って移動可能な磁場制御手段とを設けて合成磁
場によるプラズマを前記被処理管内面に照射させるよう
にした管内面のプラズマCVD処理装置が得られる。
（作用） 本発明は，被処理管の内部を真空にしてプラズマCVD
により管内面を処理するものであり，圧力勾配型プラズ
マ銃により被処理管内にプラズマビームを照射すると共
に，被処理管の外部に配設された磁束源でプラズマビー
ムを被処理管の中心軸に位置せしめ，しかも磁場制御手
段によりプラズマビームに対して合成磁場（カスプ磁
場）を作用させることによりプラズマが管内面に照射さ
れるようにしている。そして，磁場制御手段を被処理管
に沿って移動させることにより，管内面に対するプラズ
マ照射位置を移動させ，均一な膜厚を得ることができる
ようにしている。
により管内面を処理するものであり，圧力勾配型プラズ
マ銃により被処理管内にプラズマビームを照射すると共
に，被処理管の外部に配設された磁束源でプラズマビー
ムを被処理管の中心軸に位置せしめ，しかも磁場制御手
段によりプラズマビームに対して合成磁場（カスプ磁
場）を作用させることによりプラズマが管内面に照射さ
れるようにしている。そして，磁場制御手段を被処理管
に沿って移動させることにより，管内面に対するプラズ
マ照射位置を移動させ，均一な膜厚を得ることができる
ようにしている。
（実施例） 以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示し，被処理管３の
内面にプラズマCVD処理を行う装置である。被処理管３
の一端には，原料ガス導入部７を介して圧力勾配型のプ
ラズマ銃１をフランジ結合している。プラズマ銃１はキ
ャリアガス導入部11を有している。２はゲート弁であ
る。被処理管３の他端には，排気系８を介して水冷ター
ゲット６をフランジ結合している。被処理管３の周囲に
は，プラズマ銃１から射出されたプラズマビームを被処
理管３の中心軸上に位置せしめるためのビームガイド用
コイル４を被処理管３の全長にわたって配置している。
被処理管３の外周であってビームガイド用コイル４の内
側には，被処理管３に沿って移動可能なように磁場制御
部５を配置している。磁場制御部５は永久磁石あるいは
電磁石で実現される。
内面にプラズマCVD処理を行う装置である。被処理管３
の一端には，原料ガス導入部７を介して圧力勾配型のプ
ラズマ銃１をフランジ結合している。プラズマ銃１はキ
ャリアガス導入部11を有している。２はゲート弁であ
る。被処理管３の他端には，排気系８を介して水冷ター
ゲット６をフランジ結合している。被処理管３の周囲に
は，プラズマ銃１から射出されたプラズマビームを被処
理管３の中心軸上に位置せしめるためのビームガイド用
コイル４を被処理管３の全長にわたって配置している。
被処理管３の外周であってビームガイド用コイル４の内
側には，被処理管３に沿って移動可能なように磁場制御
部５を配置している。磁場制御部５は永久磁石あるいは
電磁石で実現される。
プラズマ銃１には負電位が印加され，ビーム収束部12
や原料ガス導入部７はそれぞれ抵抗器を介して接地さ
れ，被処理管3,水冷ターゲット６はそれぞれ，直接接地
されている。
や原料ガス導入部７はそれぞれ抵抗器を介して接地さ
れ，被処理管3,水冷ターゲット６はそれぞれ，直接接地
されている。
処理動作を説明すると，はじめに排気系８により被処
理管内を真空状態にし，原料ガス導入部７からは原料ガ
スを，キャリアガス導入部11からはキャリアガスをそれ
ぞれ導入する。排気を持続した状態でプラズマ銃１によ
り水冷ターゲット６との間でアーク放電を発生させ，プ
ラズマビームをつくる。ビームガイド用コイル４から発
生される磁束は，プラズマビームを被処理管３の中心軸
上に位置せしめるように作用する。更に，磁場制御部５
によりプラズマビームに対してカスプ磁場を作用させる
ことでプラズマがカスウ状磁場の磁力線に沿って被処理
管３の内面に照射されるようにする。このことにより，
プラズマが照射された被処理管３の内面は温度上昇し，
プラズマCVDによる膜堆積が生ずる。そして，磁場制御
部５を定速で移動させることで被処理管３の内面への照
射位置を移動させ均一な膜厚を得るようにする。
理管内を真空状態にし，原料ガス導入部７からは原料ガ
スを，キャリアガス導入部11からはキャリアガスをそれ
ぞれ導入する。排気を持続した状態でプラズマ銃１によ
り水冷ターゲット６との間でアーク放電を発生させ，プ
ラズマビームをつくる。ビームガイド用コイル４から発
生される磁束は，プラズマビームを被処理管３の中心軸
上に位置せしめるように作用する。更に，磁場制御部５
によりプラズマビームに対してカスプ磁場を作用させる
ことでプラズマがカスウ状磁場の磁力線に沿って被処理
管３の内面に照射されるようにする。このことにより，
プラズマが照射された被処理管３の内面は温度上昇し，
プラズマCVDによる膜堆積が生ずる。そして，磁場制御
部５を定速で移動させることで被処理管３の内面への照
射位置を移動させ均一な膜厚を得るようにする。
第２図は本発明の第２の実施例を示す。この実施例
は，第１図の実施例と比べて，原料ガス導入部と排気系
の設置箇所を入れ換えた点で異なる。すなわち，被処理
管３の一端とプラズマ銃１との間に排気系８′を設け，
被処理管３の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合
している。
は，第１図の実施例と比べて，原料ガス導入部と排気系
の設置箇所を入れ換えた点で異なる。すなわち，被処理
管３の一端とプラズマ銃１との間に排気系８′を設け，
被処理管３の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合
している。
このような例によれば，原料ガスの流れがプラズマビ
ームと逆向になり，これは被処理管３内の原料ガス濃度
を高めて膜堆積の効率を向上させることができる。
ームと逆向になり，これは被処理管３内の原料ガス濃度
を高めて膜堆積の効率を向上させることができる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す。この例は，第
２図の実施例における被処理管３を真空容器20内に収容
するようにしたものである。真空容器20の一端に排気系
８′を介してプラズマ銃１をフランジ結合し，真空容器
20の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合してい
る。このため，ビームガイド用コイル4,磁場制御部５′
は真空容器20の外周に配置し，特に磁場制御部５′は複
数個の永久磁石あるいは電磁石で実現するようにしてい
る。21は，真空容器20内での被処理管３の移動を容易に
するための台車であり,22は被処理管３への電流導入用
端子である。この例によれば，被処理管３にフランジ結
合用のフランジを設ける必要が無い。
２図の実施例における被処理管３を真空容器20内に収容
するようにしたものである。真空容器20の一端に排気系
８′を介してプラズマ銃１をフランジ結合し，真空容器
20の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合してい
る。このため，ビームガイド用コイル4,磁場制御部５′
は真空容器20の外周に配置し，特に磁場制御部５′は複
数個の永久磁石あるいは電磁石で実現するようにしてい
る。21は，真空容器20内での被処理管３の移動を容易に
するための台車であり,22は被処理管３への電流導入用
端子である。この例によれば，被処理管３にフランジ結
合用のフランジを設ける必要が無い。
なお，実施例では被処理管として直管を示したが，環
状等の曲管であっても同様にして内面処理を行うことが
できる。
状等の曲管であっても同様にして内面処理を行うことが
できる。
（発明の効果） 以上説明してきたように，本発明によれば圧力勾配型
のプラズマ銃を用いて被処理管内にプラズマビームを形
成し，移動可能な磁場制御部により被処理管の任意の位
置で磁場をカスプ状に変形させることでプラズマを被処
理管の内面に照射させることができるので，被処理管内
面に均一な膜厚で処理膜を形成することができる。しか
も，圧力勾配型放電を利用しているので，プラズマCVD
の原料ガスがプラズマ銃内部に流入することがなく，長
時間にわたって安定した内面処理を行うことができる。
のプラズマ銃を用いて被処理管内にプラズマビームを形
成し，移動可能な磁場制御部により被処理管の任意の位
置で磁場をカスプ状に変形させることでプラズマを被処
理管の内面に照射させることができるので，被処理管内
面に均一な膜厚で処理膜を形成することができる。しか
も，圧力勾配型放電を利用しているので，プラズマCVD
の原料ガスがプラズマ銃内部に流入することがなく，長
時間にわたって安定した内面処理を行うことができる。
第１図〜第３図はそれぞれ本発明の第１〜第３の実施例
の縦断面図。 図中,1は圧力勾配型のプラズマ銃,2はゲート弁,3は被処
理管,4はビームガイド用コイル,5は磁場制御部,6は水冷
ターゲット,7は原料ガス導入部,8は排気系,11はキャリ
アガス導入部,20は真空容器。
の縦断面図。 図中,1は圧力勾配型のプラズマ銃,2はゲート弁,3は被処
理管,4はビームガイド用コイル,5は磁場制御部,6は水冷
ターゲット,7は原料ガス導入部,8は排気系,11はキャリ
アガス導入部,20は真空容器。
Claims (7)
- 【請求項１】圧力勾配型放電により形成したプラズマを
利用して被処理管内面にプラズマCVD処理を行う処理方
法において，前記被処理管の一端から他端に向かうプラ
ズマビームを形成すると共に，前記被処理管の周囲に間
隔をおいて配設された複数の磁束源で前記プラズマビー
ムを前記被処理管の中心軸に位置せしめ，しかも前記被
処理管に沿って移動可能な磁場制御手段により前記プラ
ズマビームに合成磁場を作用させることによって前記被
処理管の内面にプラズマを照射させるようにした管内面
のプラズマCVD処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の管内面のプラズマCVD処理
方法において，前記被処理管の一端側からキャリアガス
を，前記被処理管の他端側から原料ガスを導入すること
を特徴とする管内面のプラズマCVD処理方法。 - 【請求項３】請求項１あるいは２記載の管内面のプラズ
マCVD処理方法において，前記被処理管を真空容器に収
容するようにしたことを特徴とする管内面のプラズマCV
D処理方法。 - 【請求項４】圧力勾配型放電により形成したプラズマを
利用して被処理管内面にプラズマCVD処理を行う処理装
置において，前記被処理管の一端にプラズマビーム形成
用の圧力勾配型プラズマ銃を設けると共に，前記被処理
管の外周には前記プラズマビームを前記被処理管の中心
軸に位置せしめるための複数の磁束源と前記被処理管に
沿って移動可能な磁場制御手段とを設けて合成磁場によ
るプラズマを前記被処理管内面に照射させるようにした
管内面のプラズマCVD処理装置。 - 【請求項５】請求項４記載の管内面のプラズマCVD処理
装置において，前記被処理管の一端に，前記圧力勾配型
プラズマ銃に加えて原料ガス導入系及びキャリアガス導
入系とをフランジ結合し，前記被処理管の他端に排気系
をフランジ結合して成る管内面のプラズマCVD処理装
置。 - 【請求項６】請求項４記載の管内面のプラズマCVD処理
装置において，前記被処理管の一端に，前記圧力勾配型
プラズマ銃に加えてキャリアガス導入系及び排気系をフ
ランジ結合し，前記被処理管の他端には原料ガス導入系
をフランジ結合して前記プラズマビームとは逆向きに原
料ガスを導入するようにしたことを特徴とする管内面の
プラズマCVD処理装置。 - 【請求項７】請求項４〜６のいずれかに記載の管内面の
プラズマCVD処理装置において，前記被処理管を真空容
器に収容するようにしたことを特徴とする管内面のプラ
ズマCVD処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24253990A JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24253990A JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124273A JPH04124273A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2916942B2 true JP2916942B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=17090617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24253990A Expired - Lifetime JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2916942B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008033939A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Innovent E.V. | Verfahren zur Beschichtung |
| EP2251452B1 (en) | 2009-05-13 | 2018-07-18 | SiO2 Medical Products, Inc. | Pecvd apparatus for vessel coating |
| US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
| US9664626B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| WO2014078666A1 (en) | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| KR102211950B1 (ko) | 2012-11-30 | 2021-02-04 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어 |
| EP2961858B1 (en) | 2013-03-01 | 2022-09-07 | Si02 Medical Products, Inc. | Coated syringe. |
| CN105392916B (zh) | 2013-03-11 | 2019-03-08 | Sio2医药产品公司 | 涂布包装材料 |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| EP2971227B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-15 | Si02 Medical Products, Inc. | Coating method. |
| WO2015148471A1 (en) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| CA3204930A1 (en) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP24253990A patent/JP2916942B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04124273A (ja) | 1992-04-24 |
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