KR880014844A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a), (b)는 본 발명의 제1의 실시예인 마이크로파 플라즈마 처리장치의 시스템 구성도 및 자계강도분포도, 제3도는 (a), (b)는 본 발명의 제2의 실시예인 플라즈마 처리장치의 종단면도 및 자계강도 분포도.
Claims (14)
- 제1의 가스 도입부 및 제2의 가스 도입부를 가지는 진공용기와 상기 진공용기에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 수단과 상기 진공용기내에 자계를 형성하는 자계 발생 수단과 상기 진공용기에 놓인 기관파를 구비하고 상기 제1의 가스 도입부 및 상기 제2의 가스 도입부로부터 소정의 가스를 도입하는 것에 의하여 상기 기판상에 엷은 막을 형성하는 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서 상기 기판을 상기 마이크로파 및 상기 자계에 의하여 정하여지는 전자 사이크로트론 공명부에 대하여 상기 마이크로파의 도입측과는 반대측에 배치함과 아울러 상기 제1의 가스 도입부 및 상기 제2의 가스 도입부를 상기 전자 사이클로트론 공명부에 대하여 상기 마이크로파의 도입측에 배치한 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서 상기 전자 사이클로트론 공명부는 상기 제2의 가스 도입부보다도 기판측인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입창과 반응가스를 흘리는 반응가스 공급관 및 배기구와를 가지는 진공용기를 구비하여 이 진공용기의 외부에 자계발생 코일을 설치하고 또 진공용기의 내부에 피처리물을 설치하여 이루고 전자 사이클로트론 공명을 이용하여 상기 피처리물을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 방식에 있어서 상기 마이크로파의 전파 방향에 대하여 거의 직각으로 형성되는 전자 사이클로트론 공명부에 상기 반응가스를 도입하고 상기 전자 사이클로트론 공명부에서의 반응가스가 농도가 높은 상태를 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서 상기 반응가스 공급관 및 배기구는 상기 배기가스가 상기 전자 사이클로트론 공명부에 거의 일치한 평행한 흐름이 되는 위치에 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서 상기 자계발생 코일은 상기 마이크로파의 전파 방향에 단조감소가 되도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서 상기 반응가스 공급관과 상기 피처리물과의 사이에 상기 반응가스의 흐름과 거의 평행한 다공 칸막이판을 설치하여 상기 피처리물에의 상기 반응가스의 확산을 억제한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서 상기 진공용기는 그 직경보다도 상기 마이크로파의 전파 방향의 축의 길이를 작게 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 잇어서 상기 자계발생 코일은 상기 마이크로파의 전파 방향에 분산한 적어도 2개로부터 이루어져 이 분산한 2개의 자계발생 코일간에 상기 반응가스 공급관 및 배기구를형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 피처리물을 수납하는 진공용기와 상기 진공용기의 내부에 있어 피처리물을 지지하는 홀더와 상기 진공 용기의 내부에 있어 피처리물의 표면 또는 그 근방의 적어도 일부에 전자 사이클로트론 공명을 불러 일으키는데 적합한 주 자계를 발생하는 자계발생 주 코일과 상기 피처리물의 표면 또는 그 근방에 마이크로파를 도입하는 수단과 상기 진공 용기내에 플라즈마 가스를 공급하는 수단과 상기 피처리물의 표면 또는 그 근방에 반응가스를 공급하는 수단과를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제9항에 있어서 자계발생 주 코일의 마이크로파가 도입되는 측에는 자계 실드판이 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제9항 또는 제10항에 있어서 반응가스를 피처리물의 표면에 붙어 붙이는 것에 의하여 상기 표면에 있어서 반응가스 농도를 높게 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제9항 내지 제11항 중 어느 하나에 있어서 플라즈마 공급관이 반응가스 공급관을 겸용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제9항 내지 제12항 중 어느 하나에 있어서 반응가스 공급 수단이 피처리물의 표면을 따라 복수개 설치되어 자계발생 주코일은 상기 복수개의 반응가스 공급수단과 피처리물의 표면 또는 그 근방간에 전자 사이클로트론 공명을 불러 일으키는데에 적합한 주자계를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 피처리물을 수납하는 진공용기와 상기 진공용기의 내부에 있어 피처리물을 지지하는 홀더와 상기 진공용기의 내부에 있어 피처리물의 표면 또는 그 근방에 전자 사이클로트론 공명을 불러 일으키는데에 적합한 주자계를 발생하는 자계발생 주코일과 상기 피처리물의 표면 또는 그 근방에 마이크로파를 도입하는 수단과 상기 진공용기내에 플라즈마 가스를 공급하는 수단과 상기 피처리물의 표면 또는 그 근방에 반응 가스를 공급하는 수단과 진공용기의 외주에 배치되어 자계발생 주코일에 의하여 발생된 주자계와 협동하여 진공용기의 동경 방향에서 미러자계 분포를 형성하는 제2의 자계발생 코일과를 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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