KR940022720A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

내부가 소정의 진공도로 유지되는 처리용기와, 이 처리용기의 상면에 설치되고 또 그 내부에 고주파를 발신하여 처리용기 내부의 프로세스 가스에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과 이 플라즈마 발생수단의 작용에 의하여 프로세스 가스로부터 발생한 소정의 처리가 실시되는 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지체를 구비하는 반도체 웨이퍼 플라즈마 처리장치에 있어서, 프로세스 가스의 처리용기 내에의 공급수단이, 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4개소에 설치된 제1가스공급관과, 처리용기의 상면 중앙에 설치된 제1가스공급관으로 구성되며, 또, 처리용기로부터의 가스 배기수단은 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4개소에 설치되어 있다. 이에 따라 처리용기의 중심부분에서의 플라즈마 밀도가 저하하지 않고, 균일하고 고밀도의 플라즈마를 얻으며, 큰 직경의 반도체 웨이퍼를 균일하고 고속으로 처리할 수 있게 된다. 다른 플라즈마 처리장치에서는, 유지장치 상의 반도체 웨이퍼와의 사이에 간격을 둔 평판 형상 영역에서 프로세스 가스로부터 헬리콘과 플라즈마를 발생시키도록 처리용기의 측면에 설치된 헬리콘과 플라즈마 발생수단이 설치되어 있다. 헬리콘과 플라즈마 발생수단은, 유지장치에 평행하는 전자파를 발신하는 루프 안테나와, 이 전자파와 같은 방향의 사각형 자장을 형성하여 전자파로부터 헬리콘과 플라즈마를 발생시키는 사각형 형상의 코일로 구성되어 있다. 이에 따라, 큰 직경의 반도체 웨이퍼의 전면을 균일하게 고속처리할 수 있다.

Description

플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예인 고주파 유도 결합형 플라즈마 처리장치의 평면도이다.

Claims (14)

  1. 소정의 진공도로 유지가능한 처리용기(3)와, 이 처리용기(3)내에 프로세스 가스(G)를 공급하는 가스공급수단과, 처리용기(3) 내의 처리 후의 가스를 배출하는 가스배출수단과, 처리용기(3) 내부에 고주파를 발신하여 상기 프로세스 가스(G)에 플라즈마를 발생시키도록 처리용기에 설치한 플라즈마 발생수단과, 상기 플라즈마로 소정의 처리가 실시되는 피처리체(W)를 유지하도록 처리용기(3) 내에 설치된 유지수단을 구비하며, 상기 가스공급수단은, 처리용기(3)의 둘레방향에 등간격으로 설치된 여러개의 제1가스공급수단과, 처리용기(3)의 상면 중앙에 설치된 제2가스공급수단으로 구성되며, 상기 가스배출수단은, 처리용기(3)의 둘레방향에 등간격으로 설치된 여러개의 가스배출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은, 피처리체(W)의 외경보다 큰 외경을 가지는 1회 감김루프 안테너(4A)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1가스공급수단은, 상기 가스배출수단보다 높은 위치에 있으며, 처리용기(3)의 둘레방향에 관하여, 인접하는 2개의 가스배출수단 사이에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유지수단은 바이어스 전위를 유지하는 콘덴서(6)를 구비하며, 이 콘덴서(6)는, 유지수단 근방에 형성되는 이온 사이즈의 정전용량의 적어도 10배이상의 정전용량을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 콘덴서(6)의 정전용량은, 이온 시이즈의 정전용량의 50배 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 콘덴서(6)의 정전용량은, 이온 시이즈의 정전용량의 100배 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 소정의 진공도로 유지가능한 처리용기(3)와, 이 처리용기(3) 내의 프로세스 가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리용기(3) 내의 처리 후의 가스를 배출하는 가스배출수단과, 처리용기(3)의 상부에 설치된 인가부(3A)와, 이 인가부(3A)를 포위하여 설치되고, 처리용기(3) 내에 헬리콘파 플라즈마를 발생시키는 헬리콘파 플라즈마 발생수단과, 상기 헬리콘파 플라즈마로 소정의 처리가 실시되는 피처리체(W)를 유지하도록 처리용기(3) 내에 설치된 유지수단과, 상기 인가부(3A)의 위쪽에 설치되며, 인가부(3A)의 내부를 향하여 고주파를 발신하여 상기 플라즈마를 고밀도화하는 제2플라즈마 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2플라즈마 발생수단은, 루프 안테너와, 고주파 전압원과, 루프 안테너와 고주파 전압원 사이에 설치되는 매칭수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 가스공급수단은, 처리용기(3)의 둘레방향으로 등간격으로 설치된 여러개의 제1가스공급수단과, 처리용기(3)의 상면 중앙에 설치된 제2가스공급수단으로 구성되며, 상기 가스배출수단은, 처리용기(3)의 둘레방향으로 등간격으로 설치된 여러 개의 가스 배출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 소정의 진공도로 유지가능한 처리용기(3)와, 이 처리용기(3) 내에 프로세스 가스(G)를 공급하는 가스공급수단과, 처리용기(3) 내의 처리 후의 가스를 배출하는 가스배출수단과, 처리용기(3) 내에서 피처리체(W)를 유지하는 유지수단과, 이 유지수단상에 유지된 피처리체(W)와의 사이에 틈새를 둔 평판형상의 영역에, 상기 프로세스 가스(G) 내에 헬리콘과 플라즈마를 발생시키도록, 상기 처리용기(3)의 측부에 설치된 헬리콘파 플라즈마 발생수단을 구비하고, 상기 헬리콘파 플라즈마 발생수단은, 상기 유지수단상의 피처리체에 평행하는 전자파를 발생하는 전자파 발신수단과, 이 전자파 발신수단으로부터의 전자파와 같은 방향의 사각형 자장을 형성하여 상기 전자파로부터 상기 헬리콘파 플라즈마를 발생시키는 사각형 형상의 자장 형성 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 헬리콘파 플라즈마 발생수단은, 상기 처리용기(3)의 대향하는 측에 대칭적으로 배치된 1쌍의 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 가스공급수단은, 다수개의 가스 구멍을 분산하여 가짐과 동시에, 상기 유지수단의 위쪽에 위치하여 유지수단을 향하여 프로세스 가스(G)를 공급하는 헤드를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제10항에 있어서, 피처리체(W) 근방의 자장을 줄이도록 상기 유지수단의 주위에 설치한 자로를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 가스공급수단은, 처리용기(3)의 둘레방향에 등간격으로 설치된 열 개의 제1가스공급수단과, 처리용기(3)의 상면 중앙에 설치된 제2가스공급수단으로 구성되며, 상기 가스공급수단은 처리용기(3)의 둘레방향으로 등간격으로 설치된 여러 개의 가스공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW249313B (ko) * 1993-03-06 1995-06-11 Tokyo Electron Co
JP3365067B2 (ja) * 1994-02-10 2003-01-08 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
JP3329128B2 (ja) * 1995-03-28 2002-09-30 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5653811A (en) * 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5670218A (en) * 1995-10-04 1997-09-23 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for forming ferroelectric thin film and apparatus therefor
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
KR100205098B1 (ko) * 1996-04-25 1999-06-15 김영환 플라즈마 식각 장치
JP3225855B2 (ja) * 1996-06-06 2001-11-05 株式会社島津製作所 薄膜形成装置
US5980638A (en) * 1997-01-30 1999-11-09 Fusion Systems Corporation Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor
JP3944946B2 (ja) * 1997-04-25 2007-07-18 株式会社島津製作所 薄膜形成装置
US6013563A (en) * 1997-05-12 2000-01-11 Silicon Genesis Corporation Controlled cleaning process
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US20070122997A1 (en) * 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
US6103599A (en) * 1997-07-25 2000-08-15 Silicon Genesis Corporation Planarizing technique for multilayered substrates
US6051073A (en) * 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6228176B1 (en) 1998-02-11 2001-05-08 Silicon Genesis Corporation Contoured platen design for plasma immerson ion implantation
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US6203862B1 (en) * 1998-05-13 2001-03-20 Intevac, Inc. Processing systems with dual ion sources
US6368678B1 (en) 1998-05-13 2002-04-09 Terry Bluck Plasma processing system and method
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
EP1212787B1 (en) * 1999-08-10 2014-10-08 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
DE10016971A1 (de) * 2000-04-06 2001-10-11 Angew Solarenergie Ase Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrats
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
DE10102745C2 (de) * 2001-01-22 2003-06-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reinigung eines CVD-Reaktors
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
KR100488348B1 (ko) * 2002-11-14 2005-05-10 최대규 플라즈마 프로세스 챔버 및 시스템
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
US7354815B2 (en) * 2003-11-18 2008-04-08 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material
KR20050093230A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스퍼터링 장비
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US20090056877A1 (en) 2007-08-31 2009-03-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4533926B2 (ja) 2007-12-26 2010-09-01 財団法人高知県産業振興センター 成膜装置及び成膜方法
US8330126B2 (en) * 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
JP5099101B2 (ja) * 2009-01-23 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7999479B2 (en) * 2009-04-16 2011-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US9287092B2 (en) * 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US8329557B2 (en) * 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8723423B2 (en) 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
US8884525B2 (en) 2011-03-22 2014-11-11 Advanced Energy Industries, Inc. Remote plasma source generating a disc-shaped plasma
US10225919B2 (en) 2011-06-30 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Projected plasma source
KR101909571B1 (ko) 2012-08-28 2018-10-19 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
US20160097118A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Seagate Technology Llc Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
US20170140900A1 (en) * 2015-11-13 2017-05-18 Applied Materials, Inc. Uniform low electron temperature plasma source with reduced wafer charging and independent control over radical composition
CN111788655B (zh) 2017-11-17 2024-04-05 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制
CN111868873B (zh) 2017-11-17 2023-06-16 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 等离子体处理源和衬底偏置的同步的脉冲化
KR20200100643A (ko) 2017-11-17 2020-08-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 시스템에서 변조 공급기들의 개선된 적용
TW202109611A (zh) 2019-07-12 2021-03-01 新加坡商Ａｅｓ全球公司 具有單一控制開關之偏壓供應器
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US5122251A (en) * 1989-06-13 1992-06-16 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
US5173641A (en) * 1990-09-14 1992-12-22 Tokyo Electron Limited Plasma generating apparatus
JP2532401Y2 (ja) * 1991-04-16 1997-04-16 ソニー株式会社 バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置

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