KR960042984A - 플라스마처리장치 - Google Patents

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마코토 안도
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쥰이치 다카다
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Abstract

본 발명은 마이크로파를 사용하여 처리용기내에 플라스마를 발생시키고, 이 플라스마를 피처리체의 처리에 이용하는 플라스마처리장치에 관한 것으로서, 처리용기와 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피치리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리용기에 인도하기 위한 도파관과, 상기 도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품과, 플라스마형성영역에 처리가스를 공급하는 수단을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판과, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전계를 플라스마형성영역에 형성함으로써, 안테나부품의 둘레틀부의 전자장을 강하게 할 수 있고, 따라서 이 둘레틀부에 대응하는 프로세스영역둘레틀부의 플라스마밀도의 저하를 보상할 수 있으며 플라스마밀도의 면내 균일화를 한층 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

플라스마처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관련되는 플라스마처리장치를 개략적으로 나타내는 도면.

Claims (24)

  1. 처리용기와, 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피처리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터 마이크로파를 상기 처리용기에 인도하기 위한 도파관과, 상기 도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품과, 플라스마형성영역에 처리가스를 공급하는 수단을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판과, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전계를 플라스마형성영역에 형성하여 처리가스의 플라스마를 플라스마형성영역에 발생시키도록 배치 및 개개의 디면션이 설정된 다수의 슬릿을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 판은 중심과 외주를 갖고 상기 슬릿은 도전성 판의 중심으로부터 외주를 향함에 따라서 점차 커지는 다수의 루프상에 루프에 긴쪽 방향을 따르도록 하여 서로 긴쪽 방향 및 폭방향으로 소정 간격을 갖고 배치되어 있으며, 이들 슬릿은 상기 마이크로파의 관내파장 이하의 길이를 갖고, 서로 이웃하는 슬릿의 폭방향의 간격은 상기 마이크로파의 관내파장보다 짧은 길이로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는플라스마처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 슬릿은 상기 마이크로파의 관내파장의 1/2을 중심으로 하여 관내파장의 ±30%의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 폭방향으로 서로 이웃하는 슬릿의 간격은 상기 마이크로파의 관내파장의 1/2을 중심으로 하여 관내파장의±30%의 간격인 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 도전성 판은 금속원판을 갖고, 상기 슬릿은 상기 금속원판에 동심원상 또는 소용돌이상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 안테나부품의 반직경방향으로 서로 이웃하는 상기 슬릿이 형성하는 정전계의 위상은 상호 역위상이 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 슬릿의 길이는 상기 안테나부품의 중심부측으로부터 반직경방향 외측에 위치하는데 따라서 차례로 크게, 이 결과 상기 안테나부품의 외주부에 있어서의 플라스마밀도를 중심부측보다는 크게 하는 것을 특징으로 하는 프라스마처리장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 도전성 판의 가장 외주에 위치하는 슬릿은 다른 슬릿보다도 긴 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 평면안테나부품의 피처리체와 면하는 면을 덮는 석영 또는 세라믹으로 형성된 보호판을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 평면안테나부품의 피처리체와 면하는 면과는 반대의 면을 덮고 평면안테나부품에도파관으로부터 공급되는 마이크로파의 파장을 짧게 하여 관내파장으로 하는 유전체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 보호판과, 평면안테나부품과, 유전체는 납땜에 의해 일체적으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 용기는 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면한 개구와, 상기 개구를 에워싸는 주위부를 갖는 외벽을 갖고, 또 이 개구부를 통하여 상기 평면안테나부품을 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면시키도록 안테나부품을 덮어서 지지하는 안테나덮은부품과, 상기 안테나덮은부품을 상기 외주부에 개구를 폐쇄하도록 장착시키는 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 안테나덮음부품은 대기에서 냉각되도록 대기에 드러내어진 열방출면을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 안테나부덮음부품과 상기 평면안테나부품의 사이에 설치되어 안테나부품에 공급되는 마이크로파의 파장을 짧게 하여 관내파장으로 하는 유전체와, 안테나덮음부품과, 안테나부품과, 유전체를 이들 사이에 간격이 형성되는 것을 방지하도록 이들을 일체적으로 고정부착하기 위한 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 안테나덮음부품과, 안테나부품과, 유전체는 서로 대면하고 있으며 상기 고정부착수단은 양열전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 안테나덮은부품은 중심축을 갖는 원형의 오목한 곳을 구비한 일면과, 대기에 드러내어진 타면과, 일면으로부터 타면에 상기 중심축과 동축으로 관통하여 상기 오목한 곳과 연이어 통한 투과구멍을 갖는 판상의 본체를 갖고, 상기 유전체는 상기 오목한 곳속에 동축적으로 배치되고 상기 중심축과 동축으로 관통한 투과구멍을 갖는 원판상의 본체를 갖고, 상기 평면안테나부품은 상기 안테나덮음부품의 일면과 유전체의 본체에 이들과 동축적으로 상기 오목한 곳을 덮도록 고정부착되어 있고, 상기 도파관은 상기 안테나덮음부품의 타면에 고정부착된 일단을 구비한 관상의 외부도체와, 상기 안테나덮은부품의 본체와 유전체의 본체의 투과구멍을 지나서 안테나부품의 중심에 전기적으로 접속된 일단을 구비한 중심도체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 도파관의 중심도체는 상기 안테나부품의 중심부와 면하여 개구한 일단과 개구한 타단을 갖는 통상을 이루고, 상기 처리가스를 공급하는 수단은 처리가스원과, 상기 처리가스원과 상기 도파관의 중심도체를 타단을 접속하는 공급라인을 갖고, 상기 안테나부품은 중심부에 형성된 적어도 1개의 가스통과 구멍을 갖고, 처리가스는 공급라인으로부터 중심도체 및 가스통과구멍을 통하여 플라스마형성공간에 분사되는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 처리가스를 공급하는 수단은 상기 안테나덮은부품의 외주부를 통하여 처리가스를 플라스마형성공간에 공급하는 보조공급수단을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 보조공급수단은 상기 안테나덮은부품의 외주부에 둘레방향으로 서로 소정 간격을 갖고 형성되며, 이 안테나덮음부품의 일면에 개구한 복수의 가스보조통과구멍과, 상기 가스공급원으로부터의 처리가스를 가스보조통과구멍에 공급하는 수단을 갖고, 처리가스는 가스보조통과구멍에 공급하는 수단으로부터 가스보조통과구멍을 통하여 플라스마형성공간에 분사되는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 안테나부품의 가스통과구멍과, 안테나덮음부품의 가스보조통과구멍의 적어도 한쪽의 가스분사측에 설치되어 분사된 처리가스를 복수의 분사로 나누도록 복수의 가스분사구를 갖는 토출판을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 안테나덮음부품의 가스보조통과구멍의 가스분사측에 설치되어 분사된 처리가스를 플라스마형성영역의 중앙을 향하도록 복수의 분사로 나누도록 중앙을 지향한 복수의 가스분사구를 갖는 토출판을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  22. 처리용기와, 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피처리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터 마이크로파를 상기 처리용기로 인도하기 위한 도파관 및 상기 도파관으로부터 분기된 복수의 분기도파관과, 상기 분기도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리 면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마 형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판고, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전제를 플라스마형성영역에 형성하고 처리가스의 플라스마를 플라스마형성영역에 형성하고 발생시키도록 배치 및 개개의 디멘션이 설정된 다수의 슬릿을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 분기도파관은 안테나부품으로부터 세워 설치되어 서로 평행하게 연장된 복수의 구획벽을 갖고, 각 분기도파관은 인접하는 구획벽간에서 규정되어 있으며, 상기 슬릿은 구획벽의 연장돌출방향에 대하여 소정 각도를 갖고 구획벽간에서 연장되어 있으며, 또한 폭방향으로 서로 이웃하도록 하여 구획벽을 따라서 나열해 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 슬릿은 상기 마이크로파의 관내파장 이하의 길이를 갖고 서로 이웃하는 슬릿의 폭방향의 간격은 상기 마이크로파의 관내파장보다 짧은 길이로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712125B1 (ko) * 2005-01-20 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유도결합형 플라즈마 처리장치

Families Citing this family (313)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04348031A (ja) * 1990-12-28 1992-12-03 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JP2921499B2 (ja) * 1996-07-30 1999-07-19 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JP3369418B2 (ja) * 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
TW392215B (en) * 1997-02-19 2000-06-01 Anelva Corp Surface processing apparatus
EP0880164B1 (en) * 1997-05-22 2002-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method
JPH10335314A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及び基板処理方法
WO1999012184A2 (en) * 1997-09-05 1999-03-11 Alcad Pro, Inc. Microwave power applicator for generating reactive chemical species from gaseous reagent species
TW385623B (en) * 1997-10-20 2000-03-21 Sumitomo Metal Ind Apparatus and method for microwave plasma process
US20020011215A1 (en) 1997-12-12 2002-01-31 Goushu Tei Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same
TW409487B (en) * 1998-04-10 2000-10-21 Sumitomo Metal Ind Microwave plasma treatment apparatus and microwave plasma treatment method
JP3813741B2 (ja) * 1998-06-04 2006-08-23 尚久 後藤 プラズマ処理装置
JP2000021861A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Sony Corp ドライエッチング装置
US6132575A (en) * 1998-09-28 2000-10-17 Alcatel Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films
US6804285B2 (en) * 1998-10-29 2004-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Gas supply path structure for a gas laser
JP3430053B2 (ja) 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000299198A (ja) * 1999-02-10 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2000312045A (ja) * 1999-02-26 2000-11-07 Tadahiro Omi レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP3430959B2 (ja) 1999-03-04 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100745495B1 (ko) * 1999-03-10 2007-08-03 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치
JP3496560B2 (ja) 1999-03-12 2004-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4053173B2 (ja) * 1999-03-29 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置及び方法
TW516113B (en) * 1999-04-14 2003-01-01 Hitachi Ltd Plasma processing device and plasma processing method
TW477009B (en) * 1999-05-26 2002-02-21 Tadahiro Ohmi Plasma process device
US6744213B2 (en) * 1999-11-15 2004-06-01 Lam Research Corporation Antenna for producing uniform process rates
JP4377510B2 (ja) * 2000-03-02 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4222707B2 (ja) * 2000-03-24 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体
KR100789796B1 (ko) * 2000-03-30 2007-12-31 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
JP4598247B2 (ja) * 2000-08-04 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置
JP3872650B2 (ja) * 2000-09-06 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法
JP3591642B2 (ja) * 2001-02-07 2004-11-24 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
WO2002063065A1 (fr) * 2001-02-09 2002-08-15 Tokyo Electron Limited Dispositif de formation de pellicule mince
JP4727057B2 (ja) * 2001-03-28 2011-07-20 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP4402860B2 (ja) * 2001-03-28 2010-01-20 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP2002299331A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
KR100485235B1 (ko) 2001-06-20 2005-04-27 동경 엘렉트론 주식회사 마이크로파 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및마이크로파 방사 부재
JP4183934B2 (ja) * 2001-10-19 2008-11-19 尚久 後藤 マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置
US6794623B2 (en) * 2001-11-14 2004-09-21 Intel Corporation Guided heating apparatus and method for using the same
JP3914071B2 (ja) * 2002-03-12 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6845734B2 (en) * 2002-04-11 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Deposition apparatuses configured for utilizing phased microwave radiation
JP4540926B2 (ja) * 2002-07-05 2010-09-08 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP2004153240A (ja) * 2002-10-09 2004-05-27 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
TW200415726A (en) * 2002-12-05 2004-08-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2004200113A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai マイクロ波プラズマ発生装置
US6998565B2 (en) 2003-01-30 2006-02-14 Rohm Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US20060137613A1 (en) * 2004-01-27 2006-06-29 Shigeru Kasai Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus
JP4369264B2 (ja) * 2003-03-25 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ成膜方法
US20050000446A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-06 Yukihiko Nakata Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2005033055A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Canon Inc 放射状スロットに円弧状スロットを併設したマルチスロットアンテナを用いた表面波プラズマ処理装置
JP4273932B2 (ja) * 2003-11-07 2009-06-03 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置
TW200532060A (en) * 2004-03-19 2005-10-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment
CN1998272A (zh) * 2004-06-25 2007-07-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP5213150B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-19 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法
JP4852997B2 (ja) * 2005-11-25 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
JP2007146252A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法、熱処理装置及び記憶媒体
CN101385129B (zh) * 2006-07-28 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 微波等离子体源和等离子体处理装置
JP2008059991A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Canon Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2008124424A (ja) * 2006-10-16 2008-05-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
KR101119627B1 (ko) 2007-03-29 2012-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
NL1033783C2 (nl) * 2007-05-01 2008-11-06 Draka Comteq Bv Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm.
WO2008153064A1 (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置および処理方法
US20080303744A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
JP5716181B2 (ja) * 2007-07-12 2015-05-13 イマジニアリング株式会社 プラズマ形成領域の制御装置及びプラズマ処理装置
JP4593652B2 (ja) * 2008-06-06 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP5297885B2 (ja) * 2008-06-18 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP5230462B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5457754B2 (ja) * 2009-08-07 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 透過型電極体を用いたプラズマ処理装置
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9543123B2 (en) * 2011-03-31 2017-01-10 Tokyo Electronics Limited Plasma processing apparatus and plasma generation antenna
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6144902B2 (ja) 2012-12-10 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP2014160557A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR101528457B1 (ko) * 2013-10-31 2015-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6356415B2 (ja) 2013-12-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP2015195175A (ja) 2014-03-25 2015-11-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 マイクロ波処理装置
TWI546858B (zh) * 2014-04-17 2016-08-21 紫焰科技股份有限公司 非接觸式物理蝕刻系統及方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10945313B2 (en) * 2015-05-27 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a microwave batch curing process
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10370763B2 (en) * 2016-04-18 2019-08-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10337998B2 (en) * 2017-02-17 2019-07-02 Radom Corporation Plasma generator assembly for mass spectroscopy
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US20190051495A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Qiwei Liang Microwave Reactor For Deposition or Treatment of Carbon Compounds
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) * 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
JP7450475B2 (ja) * 2020-06-30 2024-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5813626A (ja) * 1981-07-17 1983-01-26 Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd 水分散性アルキド樹脂の製造法
JPS59202635A (ja) * 1983-05-04 1984-11-16 Hitachi Ltd エッチング装置
US5364519A (en) * 1984-11-30 1994-11-15 Fujitsu Limited Microwave plasma processing process and apparatus
JP2920852B2 (ja) * 1991-06-10 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ装置
US5487875A (en) * 1991-11-05 1996-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Microwave introducing device provided with an endless circular waveguide and plasma treating apparatus provided with said device
JP3379981B2 (ja) * 1993-02-25 2003-02-24 積水ハウス株式会社 住宅外壁へのスレート屋根庇当り部防水構造
EP0688038B1 (en) * 1994-06-14 2001-12-19 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Microwave plasma processing system
JP3438109B2 (ja) * 1994-08-12 2003-08-18 富士通株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712125B1 (ko) * 2005-01-20 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유도결합형 플라즈마 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5698036A (en) 1997-12-16
KR100270425B1 (ko) 2000-12-01

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