KR970077181A - 이온주입기에서 이온형성을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명을 구현하는 이온소TM(12)는 이온주입기에 사용하기 위한 것이다 .이온소스(2)는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18)를 포함하며, 상기 벽은 가스이온화영역(120)을 형성한다. 상기 플라즈마 챔버(18)는 이온들이 이 챔버를 빠져나가는 탈출구멍(126)을 포함한다. 지지체(15)가 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나온 이온으로 이온빔을 형성시키는 구조물(13)에 상대적으로 이 플라즈마 챔버(18)를 위치시킨다. 이온화물질의 공급부가 이 물질을 플라즈마 챔버(18)내로 보낸다. 상기 지지체에 의해 지지되는 안테나(130)는 가스이온화영역(120)으로 이온화에너지를 전달하도록 플라즈마 챔버(18)내에 직접 설치되는 금속의 고주파 전도 세그먼트(132)를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 주입기에 이온빔을 생성하기 위해 본 발명을 구현한 이온발생소소의 부분 단면도.
Claims (13)
- 이온주입기에 사용되는 이온소스에 있어서, a) 이 전도성 챔버벽들에 의해 형성된 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18), 이 플라즈마 챔버는 이온들이 플라즈마 챔버를 빠져나가도록 하는 출구구멍(126)을 포함함; b) 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나오는 이온들로 이온빔(14)을 형성시키는 구조물(13)에 상대적으로 이 플라즈마 챔버(18)을 위치시키는 지지체(15);c) 이온화 물질을 플라즈마 챔버(18)내로 전달하도록 플라즈마 챔버(18)와 연통하는 공급부;d) 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하도록 챔버내에 노출되는 금속표면(132)을 포함하는 금속안테나(130); 및 e) 플라즈마 챔버(18)내의 금속안테나 근방에 이온화 전기장을 유도하게 위해 고주판 신호가 금속안테나(130)에 교류를 유도하도록 금속안테나(130)를 통전시키는 전원장치(134)로 구성되는 이온소스.
- 청구항 1에 있어서, 안테나(130)가 알루미늄으로 구성되는 이온소스.
- 청구항 1에 있어서, 안테나(130)가 두꺼운 벽의 금속튜브이며 이온주입기(16)작동중 두꺼운 벽의 튜브를 순환하는 냉각제 소스를 또한 포함하는 이온소스.
- 청구항 3에 있어서, 두꺼운 벽의 금속튜브가 플라즈마 챔버(18)내에 생성된 플라즈마에 노출되는 알루미늄표면(132)을 포함하는 이온소스.
- 청구항 4에 있어서, 금속튜브의 노출된 표면(132)이 U형상 알루미늄 튜브를 형성하는 이온소스.
- 청구항 1에 있어서, 플라즈마 챔버(18)내에 안테나(130)를 지지하는 제거가능한 지지체를 또한 포함하되, 이 지지체는 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18) 외측 영역으로부터 이 챔버(18)내부로 연장하도록 하는 절개부(152)를 포함하는 챔버벽(114) 및 안테나(130)의 노출된 표면(132)을 이온화영역(120)내에 위치시키며 챔버벽(114)의 절개부(152)내에 맞는 칫수를 갖고 안테나(130)를 지지하는 금속삽입체(150)로 구성되는 이온소스.
- 이온주입기에 사용하는 챔버내에 이온플라즈마를 생성하는 방법에 있어서, a) 전도성 챔버벽들에 의해 형성된 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18) 및 챔버내부에 생성된 이온들이 플라즈마 챔버(18)을 빠져나가도록 하는 출구구멍(126)을 제공하는 단계; b) 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나오는 이온들로 이온빔(14)을 형성하는 구조물(13)에 상대적으로 플라즈마 챔버(18)를 위치시키는 단계; c) 이온하물질을 플라즈마 챔버(18)내로 전달하는 단계; d) 노출된 금속표면(132)이 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하기 위해 챔버내부로 연장되도록 금속안테나(130)를 설치하는 단계; 및 e) 이온빔(14)을 형성하는 개구(126)를 통해 방출된 이온의 플라즈마를 생성하기 위해 고주파 신호가 금속안테나(130)에 고류를 발생시켜서 플라즈마 챔버(18)내의 금속안테나(130)근방에 이온화 전기집을 유도하도록 금속안테나(130)를 통전시키는 단계로 구성되는 이온플라즈마 생성방법.
- 청구항 7에 있어서, 물질의 스퍼터링에 따른 안테나(130)오염에 민감한 챔버영역에 노출된 금속표면(132)을 차폐시키는 단계를 또한 포함하는 방법.
- 청구항 8에 있어서, 설치단계가 챔버(18)의 벽(114)에 절개부(152)를 제공하는 단계 및 벽(114)의 절개부(152)에 맞는 삽입체(150)에 안테나(130)를 설치하는 단계를 구성하는 방법.
- 청구항 9에 있어서, 삽입체(150)가 벽(114)이 하나 또는 삽입체(150)에 부착된 강자성부재(174)를 끌어당기는 마그네트(170)수단에 의해 챔버벽(114)에 고정되는 방법.
- a) 이온빔 처리를 위해 진공영역내에 하나 이상의 대상물을 위치시키는 이온비입챔버(17); b) 이온이 플라즈마 챔버(18)를 빠져나가는 하나 이상의 탈출구멍(126)이 있는 벽(116)을 갖는 플라즈마 챔버(18)를 형성하도록 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 포함하며, 주입챔버(17)의 진공영역내의 대상물처리를 위한 이온빔(14)을 형성하도록 이온플라즈마를 발생시키는 이온소스(12); c) 이온소스(12)로부터 이온주입 챔버(17)까지의 진공빔통로를 수립하여 진공빔통로내의 이온빔(14)을 형상화시키는 구조물(21,22,26); d) 플라즈마 챔버(18)를 빠져나온 이온으로 이온빔(14)을 형성시키는 구조물(21,22,26)에 상대적으로 플라즈마 챔버(18)를 위치시키는 지지체(15); e) 이온화물질을 플라즈마 챔버(18)로 전달하도록 플라즈마 챔버(18)와 연통하는 공급부; f) 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하도록 챔버내부로 노출되는 금속표면(132)을 포함하는 금속안테나(130); 및 g) 고주파 신호가 금속안테나(130)에 고류를 발생시켜 플라즈마 챔버(18)내 금속안테나(130)근방에 이온화 전기장을 유도하도록 금속안테나(130)을 통전시키는 에너지원(134)으로 구성되는 이온주입기.
- 청구항 11에 있어서, 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18)내에 지지되는 U형상 세그먼트를 포함하는 이온주입기.
- 청구항 11에 있어서, 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18)내에 지지되는 U형상의 알루미늄 세그먼트를 포함하는 이온주입기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US655,448 | 1984-09-28 | ||
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100388428B1 (ko) * | 1998-02-26 | 2003-06-25 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 넓은 출력전류 동작범위를 갖는 이온 소스 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5837568A (en) * | 1995-12-12 | 1998-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor devices |
US6107634A (en) | 1998-04-30 | 2000-08-22 | Eaton Corporation | Decaborane vaporizer |
US6288403B1 (en) | 1999-10-11 | 2001-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Decaborane ionizer |
EP1675154A3 (en) * | 1999-12-13 | 2009-07-15 | SemEquip, Inc. | Ion implantation ion source |
US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
US6452196B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-09-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Power supply hardening for ion beam systems |
US6885014B2 (en) * | 2002-05-01 | 2005-04-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Symmetric beamline and methods for generating a mass-analyzed ribbon ion beam |
US6703628B2 (en) | 2000-07-25 | 2004-03-09 | Axceliss Technologies, Inc | Method and system for ion beam containment in an ion beam guide |
US6670623B2 (en) * | 2001-03-07 | 2003-12-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Thermal regulation of an ion implantation system |
US20030030010A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-13 | Perel Alexander S. | Decaborane vaporizer having improved vapor flow |
JP4175604B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2008-11-05 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
US6664548B2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system |
US6664547B2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source providing ribbon beam with controllable density profile |
KR100964398B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유도결합형 안테나 및 이를 채용한 플라즈마 처리장치 |
US6891174B2 (en) * | 2003-07-31 | 2005-05-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for ion beam containment using photoelectrons in an ion beam guide |
US20050061997A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Benveniste Victor M. | Ion beam slit extraction with mass separation |
EP1695369A4 (en) * | 2003-12-12 | 2009-11-04 | Semequip Inc | METHOD AND DEVICE FOR EXTENDING DEVICE TERMINATION IN ION IMPLANTATION |
US20080073559A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-03-27 | Horsky Thomas N | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
US6992308B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Modulating ion beam current |
US7488958B2 (en) * | 2005-03-08 | 2009-02-10 | Axcelis Technologies, Inc. | High conductance ion source |
US7446326B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving ion implanter productivity |
US7589333B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-09-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for rapidly switching off an ion beam |
US8803110B2 (en) * | 2006-09-29 | 2014-08-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for beam current modulation by ion source parameter modulation |
US7947966B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Double plasma ion source |
WO2009039382A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Semequip. Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
WO2009054966A1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-30 | Axcelis Technologies, Inc. | Double plasma ion source |
US7812321B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-10-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US7897945B2 (en) * | 2008-09-25 | 2011-03-01 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Hydrogen ion implanter using a broad beam source |
US20110108058A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component |
US8344337B2 (en) | 2010-04-21 | 2013-01-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Silaborane implantation processes |
CN101880914B (zh) * | 2010-05-25 | 2012-09-12 | 中国科学院微电子研究所 | 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法 |
EP2721400B1 (en) * | 2011-06-16 | 2020-12-02 | Smiths Detection Montreal Inc. | Looped ionization source |
US9006690B2 (en) | 2013-05-03 | 2015-04-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system |
US9318302B1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-04-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Integrated extraction electrode manipulator for ion source |
CN105655217B (zh) * | 2015-12-14 | 2017-12-15 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源 |
DE102017106280B4 (de) * | 2017-03-23 | 2022-10-27 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Oberflächenvergütung von Oberflächen aus Gold |
US10573485B1 (en) | 2018-12-20 | 2020-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Tetrode extraction apparatus for ion source |
US11875974B2 (en) * | 2020-05-30 | 2024-01-16 | Preservation Tech, LLC | Multi-channel plasma reaction cell |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3939798A (en) * | 1974-12-19 | 1976-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Optical thin film coater |
US4447732A (en) * | 1982-05-04 | 1984-05-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion source |
US4486665A (en) * | 1982-08-06 | 1984-12-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Negative ion source |
JPS6127053A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-06 | Nissin Electric Co Ltd | 電子ビ−ム源 |
US4747577A (en) * | 1986-07-23 | 1988-05-31 | The Boc Group, Inc. | Gate valve with magnetic closure for use with vacuum equipment |
US4883968A (en) * | 1988-06-03 | 1989-11-28 | Eaton Corporation | Electron cyclotron resonance ion source |
US5023458A (en) * | 1989-01-04 | 1991-06-11 | Eaton Corporation | Ion beam control system |
US5026997A (en) * | 1989-11-13 | 1991-06-25 | Eaton Corporation | Elliptical ion beam distribution method and apparatus |
US5283538A (en) * | 1990-11-22 | 1994-02-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coupling microwave power out of a first space into a second space |
US5164599A (en) * | 1991-07-19 | 1992-11-17 | Eaton Corporation | Ion beam neutralization means generating diffuse secondary emission electron shower |
JPH05144397A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン源 |
JP3189389B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2001-07-16 | 日新電機株式会社 | マイクロ波イオン源 |
US5397962A (en) * | 1992-06-29 | 1995-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling |
JPH0831358A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Nissin Electric Co Ltd | Ecrイオンラジカル源 |
-
1996
- 1996-05-30 US US08/655,448 patent/US5661308A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-27 TW TW086107157A patent/TW384495B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-28 JP JP13820897A patent/JP3924734B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-29 EP EP97303651A patent/EP0810624B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-29 CA CA002207773A patent/CA2207773A1/en not_active Abandoned
- 1997-05-29 DE DE69733733T patent/DE69733733T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-30 KR KR1019970022122A patent/KR100318873B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-30 CN CNB971148066A patent/CN1166263C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100388428B1 (ko) * | 1998-02-26 | 2003-06-25 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 넓은 출력전류 동작범위를 갖는 이온 소스 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69733733D1 (de) | 2005-08-25 |
CA2207773A1 (en) | 1997-11-30 |
JP3924734B2 (ja) | 2007-06-06 |
CN1166263C (zh) | 2004-09-08 |
DE69733733T2 (de) | 2006-06-08 |
US5661308A (en) | 1997-08-26 |
EP0810624B1 (en) | 2005-07-20 |
CN1173107A (zh) | 1998-02-11 |
JPH1074461A (ja) | 1998-03-17 |
TW384495B (en) | 2000-03-11 |
EP0810624A1 (en) | 1997-12-03 |
KR100318873B1 (ko) | 2002-06-20 |
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---|---|---|
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US7147722B2 (en) | Method for in-situ cleaning of carbon contaminated surfaces | |
KR900000951A (ko) | Ecr 이온소스 | |
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