JP3387251B2 - イオン処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置のように、真空中で基板にイオンビームを照射してそ
れにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関し、
より具体的には、その基板の帯電（チャージアップ）を
抑制する手段の改良に関する。 【０００２】 【背景となる技術】プラズマ中の低エネルギー電子を利
用して、イオンビーム照射に伴う基板の帯電を効果的に
抑制することができるようにしたイオン処理装置が同一
出願人によって先に提案されている（特願平５−２４９
８０５号）。 【０００３】それを図２を参照して説明すると、このイ
オン処理装置は、基本的には、真空容器（図示省略）内
に収納されたホルダ４に保持された基板（例えばウェー
ハ）６にイオンビーム２を照射してそれにイオン注入等
の処理を施すよう構成されている。 【０００４】ホルダ４は、バッチ処理用のウェーハディ
スクの場合と、枚葉処理用のプラテンの場合とがあり、
図示のものは前者の場合の例であり、真空容器内で矢印
Ａ方向に回転および紙面の表裏方向に並進させられる。 【０００５】イオンビーム２の経路上には、ファラデー
系を構成するものとして、イオンビーム２がホルダ４等
に当たった際に放出される二次電子を受けてそれのアー
スへの逃げを防止するファラデーカップ８および同二次
電子の上流側への逃げを防止するサプレッサ電極２２が
ホルダ４の上流側に、更にこの例ではホルダ４が外に並
進したときにそれの代わりにイオンビーム２を受けるキ
ャッチプレート１４がホルダ４の下流側に、それぞれ設
けられている。サプレッサ電極２２にはサプレッサ電源
２４から負電圧が印加される。また、ホルダ４とキャッ
チプレート１４は互いに電気的に並列接続されてビーム
電流計測器２０に接続されており、それによってイオン
ビーム２のビーム電流の計測を正確に行えるようにして
いる。 【０００６】イオンビーム２はファラデーカップ８内を
通してホルダ４上の基板６に照射され、それによって基
板６に対してイオン注入等の処理が施される。 【０００７】その際に、イオンビーム２の照射に伴って
基板６の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
次のような第１プラズマ生成容器２６、第２プラズマ生
成容器４８、引出し電極５６、コイル６８およびリフレ
クタ電極７８等を設けている。 【０００８】第１プラズマ生成容器２６は、ファラデー
カップ８の外側に設けられていて、ファラデーカップ８
側の部分に小孔２８を有しており、かつガス導入管３０
を経由して内部に例えばキセノンガス等の電離用のガス
３２が導入される。この第１プラズマ生成容器２６内に
は、フィラメント３４が設けられており、その両端に
は、その加熱用のフィラメント電源３８が接続されてい
る。３６は絶縁物である。 【０００９】第１プラズマ生成容器２６の小孔２８の出
口側近傍には、前後に小孔５０および５２を有する第２
プラズマ生成容器４８が設けられている。４６は絶縁物
である。 【００１０】この第２プラズマ生成容器４８のファラデ
ーカップ８側の小孔５２の出口側近傍には、当該小孔５
２に対向する位置に小孔５８を有する引出し電極５６が
設けられている。この引出し電極５６のファラデーカッ
プ側５９は、この例ではファラデーカップ８に嵌め込ま
れており、それによって両者５６、８は同電位にされて
いる。５５は絶縁物である。 【００１１】第１プラズマ生成容器２６から第２プラズ
マ生成容器４８にかけての部分の外側には、磁場電源７
０が接続されたコイル６８が巻かれており、これによっ
て、第１プラズマ生成容器２６の小孔２８付近から引出
し電極５６の小孔５８付近にかけての領域に、それらの
軸方向に沿う磁束Ｂを発生させる。 【００１２】ファラデーカップ８内には、筒状のリフレ
クタ電極７８が絶縁物８０を介して設けられている。こ
のリフレクタ電極７８とファラデーカップ８との間に
は、前者を負側にして、直流のリフレクタ電源８２が接
続されている。このリフレクタ電源８２の出力電圧（即
ちリフレクタ電圧Ｖ_R ）は、ファラデーカップ８内に導
入されるプラズマ５４中の電子を押し返すに足りる電
圧、例えば−３０Ｖ程度にしている。 【００１３】第２プラズマ生成容器４８とフィラメント
３４との間には、前者を正側にして直流のプラズマ生成
用電源７４が接続されている。このプラズマ生成用電源
７４の出力電圧（即ちプラズマ生成電圧Ｖ_A ）は、この
例では０〜３５Ｖの範囲で可変である。 【００１４】第２プラズマ生成容器４８と第１プラズマ
生成容器２６との間には、制限抵抗７２が接続されてい
る。この制限抵抗７２の値は、例えば１５０Ω程度であ
る。 【００１５】ファラデーカップ８とフィラメント３４と
の間には、前者を正側にして、直流の引出し電源７６が
接続されている。この引出し電源７６の出力電圧（即ち
引出し電圧Ｖ_E ）は、この例では５〜２０Ｖの範囲内で
調整後固定するようにしている。 【００１６】フィラメント３４を加熱することによって
それから放出された熱電子は、制限抵抗７２を介して印
加されているプラズマ生成電圧Ｖ_A によって第１プラズ
マ生成容器２６側に引き寄せられ、その途中で、第１プ
ラズマ生成容器２６内に導入されたガス３２と衝突して
それを電離させ、これによって第１プラズマ生成容器２
６内にプラズマ４０が生成される。このとき、コイル６
８による磁束Ｂがプラズマ４０の発生および維持に寄与
する。 【００１７】プラズマ４０が生成されると、制限抵抗７
２に電流が流れてそこに電圧降下が生じ、第２プラズマ
生成容器４８と第１プラズマ生成容器２６間に例えば十
数Ｖ程度の電位差ΔＶが生じる。これによって、第１プ
ラズマ生成容器２６に印加される電圧が下がるので、プ
ラズマ４０は比較的薄いものとなる。 【００１８】上記電位差ΔＶによる加速電界によって、
第１プラズマ生成容器２６内のプラズマ４０中の電子
は、第２プラズマ生成容器４８内に引き出される。この
電子のエネルギーは、例えば２０〜３０ｅＶ程度の低エ
ネルギーであるが、当該電子はコイル６８の磁束Ｂにガ
イドされて第２プラズマ生成容器４８内に効率良く引き
出される。 【００１９】第２プラズマ生成容器４８内には、第１プ
ラズマ生成容器２６側から小孔２８および５０を経由し
てガス３２が流れ込んで来ており、第２プラズマ生成容
器４８内に引き出された電子はこのガスと衝突してそれ
を電離させ、この第２プラズマ生成容器４８内で再びプ
ラズマ５４が作られる。ガス３２の電離エネルギーは１
０ｅＶ程度であるので、２０〜３０ｅＶ程度のエネルギ
ーの電子によってそれを十分電離させることができる。
しかも、この第２プラズマ生成容器４８内では、電子は
磁束Ｂの周りを旋回運動する過程でガス分子と多重衝突
するので、ガス３２の電離能率が高く、従って第２プラ
ズマ生成容器４８内では、第１プラズマ生成容器２６内
のプラズマ４０よりも高密度の（例えば３〜４倍程度
の）プラズマ５４が生成される。 【００２０】第２プラズマ生成容器４８内で生成された
プラズマ５４中のイオンは、第２プラズマ生成容器４８
と引出し電極５６との間の電位差（Ｖ_A −Ｖ_E 。これは
例えば１０Ｖ程度）による加速電界およびコイル６８に
よる磁束Ｂとの協働によって、ファラデーカップ８内に
引き出される。このとき、第２プラズマ生成容器４８内
のプラズマ５４中の電子は、上記のようにして引き出さ
れるイオンの電界によって引っ張られて、同イオンと共
にそれと同様にして引き出されてファラデーカップ８内
に導入される。即ち、ファラデーカップ８内には第２プ
ラズマ生成容器４８内で生成されたプラズマ５４が引き
出される。 【００２１】ファラデーカップ８内に導入されたプラズ
マ５４中のイオンは、負電位のリフレクタ電極７８に吸
引され捕らえられる。一方、同プラズマ５４中の電子
は、同リフレクタ電極７８によってファラデーカップ８
の中央部に押し返され、ファラデーカップ８内を通過し
ているイオンビーム２内にその電界によって引き込まれ
る。 【００２２】基板６が帯電している場合にそれによって
イオンビーム２の軸方向に電位勾配が生じるため、イオ
ンビーム２内に引き込まれた電子は、この電位勾配によ
って基板６に引き寄せられ、基板表面のイオンビーム照
射に伴う正電荷を中和する。正電荷が中和されれば、電
子の基板６への引き込みは自動的に止む。このようにし
て、電子が基板６に過不足なく供給されるので、イオン
ビーム照射に伴う基板６の正の帯電を効果的に抑制する
ことができる。 【００２３】しかも、電子による基板表面の電位は、そ
こに入射される電子のエネルギーより負側に高くならな
いので、プラズマ５４中の低エネルギーの電子を利用す
ることにより、基板６の負の帯電をも抑制することがで
きる。 【００２４】 【発明が解決しようとする課題】上記イオン処理装置に
おいては、第２プラズマ生成容器４８内で生成したプラ
ズマ５４は密度の高いものであるが、そこから引出し電
極５６を経由してファラデーカップ８内に引き出される
プラズマ５４中の電子には、第２プラズマ生成容器４８
と引出し電極５６間の電位差（Ｖ_A −Ｖ_E ）分の減速電
界が印加されていて、それに打ち勝つエネルギーを持つ
電子しかファラデーカップ８内に引き出すことができな
いため、ファラデーカップ８内に引き出すことのできる
電子の量は大幅に少なくなる。従って効率が悪い。 【００２５】イオンビーム２のビーム電流を大きくする
場合はそれに見合った量の電子を供給しなければならな
いが、ファラデーカップ８内に引き出す電子の量を増や
すためには、第２プラズマ生成容器４８内で生成するプ
ラズマ５４の密度を高める必要があり、そのためには第
１プラズマ生成容器２６において、フィラメント３４か
ら放出させる電子の量およびプラズマ生成用のガス３２
の量を増加させて元となるプラズマ４０の密度を高める
必要がある。しかしながら、そのようにすると、フィラ
メント３４の消耗が早まってその寿命が短くなる。ま
た、ファラデーカップ８内へ漏れ出るガス３２の量が多
くなってファラデーカップ８内の真空度が悪くなる。 【００２６】そこでこの発明は、このような点を更に改
善して、第２プラズマ生成容器内で生成されるプラズマ
中の電子を効率良くファラデーカップ内に導入して利用
することができるようにしたイオン処理装置を提供する
ことを主たる目的とする。 【００２７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン処理装置は、簡単に言えば、前述
したような引出し電極を設けずに、第２プラズマ生成容
器をファラデーカップと同電位にし、かつ当該第２プラ
ズマ生成容器のファラデーカップ側の孔の部分をファラ
デーカップ内に挿入したことを特徴としている。 【００２８】 【作用】上記構成によれば、第２プラズマ生成容器のフ
ァラデーカップ側の孔の部分をファラデーカップ内に挿
入しているので、当該孔から出たプラズマは損失するこ
となく全てファラデーカップ内に導入されることにな
る。また、引出し電極を設けておらず、第２プラズマ生
成容器はファラデーカップと同電位であり、第２プラズ
マ生成容器からファラデーカップ内に出て行く電子には
先行例の場合と違って減速電界が印加されないので、第
２プラズマ生成容器内からファラデーカップ内へ電子が
出やすい。しかも、第２プラズマ生成容器のファラデー
カップ側の孔の部分をファラデーカップ内に挿入してい
るので、ファラデーカップ内を通るイオンビームにその
すぐ近くからプラズマを供給することができ、イオンビ
ームの正電界によって第２プラズマ生成容器から電子を
積極的に引き出す作用も期待できる。更に、第２プラズ
マ生成容器内に磁束発生手段による軸方向の磁束が発生
されるので、当該磁束のガイド作用によっても第２プラ
ズマ生成容器からファラデーカップ内へプラズマが出や
すい。従って、第２プラズマ生成容器内で生成されるプ
ラズマ中の電子を非常に効率良くイオンビームの中和に
利用することができる。 【００２９】 【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン処
理装置を示す概略図である。図２の先行例と同一または
相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該
先行例との相違点を主に説明する。 【００３０】この実施例においては、前述した引出し電
極５６およびそれ用の引出し電源７６を設けずに、前述
した第２プラズマ生成容器４８に相当する第２プラズマ
生成容器４８ａを第１プラズマ生成容器２６とファラデ
ーカップ８との間に設けて、そのファラデーカップ側の
孔５３の部分をファラデーカップ８内に挿入している。
しかもこの第２プラズマ生成容器４８ａは、ファラデー
カップ８に取り付けて、ファラデーカップ８と同電位に
している。 【００３１】孔５３の大きさは、１〜５ｍｍφ程度が好
ましく、２〜３ｍｍφ程度がより好ましい。これは、孔
５３をあまり大きくすると、第１プラズマ生成容器２６
側から第２プラズマ生成容器４８ａ内に流入して来るガ
ス３２が第２プラズマ生成容器４８ａ内に充満しにくく
なって安定したプラズマ５４が生成しにくくなり、孔５
３をあまり小さくすると、生成したプラズマ５４が孔５
３を通してファラデーカップ８内へ出にくくなるからで
ある。ちなみにこの場合の第２プラズマ生成容器４８ａ
の直径（外径）は１０〜１５ｍｍφ程度である。 【００３２】第２プラズマ生成容器４８ａは、第１プラ
ズマ生成容器２６側に、その小孔２８に対向する小孔５
０を有している。両小孔２８および５０の直径は、例え
ば２ｍｍφ程度である。 【００３３】前述したリフレクタ電極７８は、少なくと
も、ファラデーカップ８内の第２プラズマ生成容器４８
ａが挿入された部分の周囲を、第２プラズマ生成容器４
８ａの部分を除いて覆っておれば良いが、ファラデーカ
ップ８の軸方向を長く覆うほど、当該リフレクタ電極７
８の前述した作用、即ちプラズマ中のイオンを捕捉し低
エネルギーの電子を押し戻す作用は高くなる。そのため
この実施例では、ファラデーカップ８の内壁を、第２プ
ラズマ生成容器４８ａの部分を除いてほぼ完全に覆って
いる。 【００３４】また、リフレクタ電源８２からリフレクタ
電極７８に印加する電圧Ｖ_R は、−５Ｖ〜−１５Ｖ程度
として、リフレクタ電極７８によって、フィラメント３
４からの高エネルギー成分の電子を吸収しながら、プラ
ズマ５４中の低エネルギーの電子をファラデーカップ８
の中央部へ押し戻すようにしている。 【００３５】第１プラズマ生成容器２６と第２プラズマ
生成容器４８ａとの間は、先行例の場合と同様に、リン
グ状の絶縁物４６で電気的に絶縁されている。また、第
１プラズマ生成容器２６、第２プラズマ生成容器４８
ａ、ファラデーカップ８およびリフレクタ電極７８は、
この例ではアルミニウム等の非磁性体から成る。 【００３６】第１プラズマ生成容器２６のファラデーカ
ップ８寄りの外側には、前述した磁場電源７０が接続さ
れたコイル６８が巻かれており、これによって、第１プ
ラズマ生成容器２６の小孔２８付近から第２プラズマ生
成容器４８ａ内にかけての領域に、それらの軸方向に沿
う磁束Ｂを発生させる。即ちこの例では、このコイル６
８および磁場電源７０によって、磁束発生手段を構成し
ている。なお、磁束Ｂの向きは、図示とは逆に第１プラ
ズマ生成容器２６側へ向いていても良い。 【００３７】また、第２プラズマ生成容器４８ａには、
前述した制限抵抗７２およびプラズマ生成用電源７４の
正側が接続されている。 【００３８】このイオン処理装置においても、先行例の
場合と同様、第１プラズマ生成容器２６内でプラズマ４
０が生成されると、制限抵抗７２の電圧降下によって第
１プラズマ生成容器２６と第２プラズマ生成容器４８ａ
との間に電位差ΔＶが生じ、これが、第２プラズマ生成
容器４８ａ内に第１プラズマ生成容器２６から小孔２８
および５０を経由して流れ込んでいるガス３２の電離電
圧以上になると、第２プラズマ生成容器４８ａ内でプラ
ズマ５４が生成される。そのとき、磁束Ｂがプラズマ５
４の密度向上に寄与するのは前述のとおりである。 【００３９】そして、第２プラズマ生成容器４８ａのフ
ァラデーカップ８側の孔５３の部分をファラデーカップ
８内に挿入しているので、当該孔５３から出たプラズマ
５４は損失することなく全てファラデーカップ８内に導
入されることになる。また、引出し電極を設けておら
ず、第２プラズマ生成容器４８ａはファラデーカップ８
と同電位であり、第２プラズマ生成容器４８ａからファ
ラデーカップ８内に出て行く電子には先行例の場合と違
って減速電界が印加されないので、第２プラズマ生成容
器４８ａ内からファラデーカップ８内へ電子が出やす
い。しかも、第２プラズマ生成容器４８ａのファラデー
カップ８側の孔５３の部分を、ファラデーカップ８内に
挿入しているので、ファラデーカップ８内を通るイオン
ビーム２にそのすぐ近くからプラズマ５４を供給するこ
とができ、イオンビーム２の正電界によって第２プラズ
マ生成容器４８ａから電子を積極的に引き出す作用も期
待できる。更に、第２プラズマ生成容器４８ａ内にコイ
ル６８による軸方向の磁束Ｂが発生されるので、当該磁
束Ｂのガイド作用によっても第２プラズマ生成容器４８
ａからファラデーカップ８内へプラズマ５４が出やす
い。従って、第２プラズマ生成容器４８ａ内で生成され
たプラズマ５４中の電子を非常に効率良くイオンビーム
２の中和に利用することができる。 【００４０】その場合、前述したように、ファラデーカ
ップ８内に導入されたプラズマ５４中のイオンは、負電
位のリフレクタ電極７８に捕捉される。一方、同プラズ
マ５４中の低エネルギーの電子は、リフレクタ電極７８
によってファラデーカップ８の中央部に押し返されてイ
オンビーム２内にその電界によって引き込まれ、基板６
の帯電防止作用をする。また、フィラメント３４からの
高エネルギー成分の電子は、リフレクタ電極７８に吸収
される。 【００４１】なお、上記のようにしてファラデーカップ
８内に導入されるプラズマ５４中の電子のエネルギー
は、プラズマ５４を生成させたときのエネルギーのまま
であり、その後何ら加速が行われていないので、例えば
数ｅＶ〜十ｅＶ程度の低エネルギーである。 【００４２】このようにこのイオン処理装置では、第２
プラズマ生成容器４８ａ内で生成されるプラズマ５４中
の電子を非常に効率良く利用することができるので、イ
オンビーム２のビーム電流を大きくする場合でも、第２
プラズマ生成容器４８ａ内で生成するプラズマ５４の密
度を、ひいてはその元となる第１プラズマ生成容器２６
中のプラズマ４０の密度を、先行例の場合ほど高くする
必要はない。従って、フィラメント３４の負担が軽くな
りその寿命を延ばすことができる。また、第１プラズマ
生成容器２６内に導入するガス３２の量を減らすことが
できるので、ファラデーカップ８内へ漏れ出るガス３２
の量を少なくしてファラデーカップ８内の真空度低下
（即ちガス圧上昇）を小さく抑えることができる。その
結果、イオンビーム２とガス分子とが衝突して中性粒子
が発生して注入量誤差等の不具合が生じるのを防止する
ことができる。 【００４３】なお、上記コイル６８および磁場電源７０
の代わりに、複数または単一の永久磁石を第１プラズマ
生成容器２６の外側に設けて上記のような磁束Ｂを発生
させるようにし、これによって磁束発生手段を構成して
も良い。 【００４４】 【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、先行例の効果に加えて、次のような効果を奏す
ることができる。 【００４５】即ち、第２プラズマ生成容器のファラデー
カップ側の孔の部分をファラデーカップ内に挿入してい
るので、当該孔から出たプラズマは損失することなく全
てファラデーカップ内に導入されることになる。また、
引出し電極を設けておらず、第２プラズマ生成容器はフ
ァラデーカップと同電位であり、第２プラズマ生成容器
からファラデーカップ内に出て行く電子には先行例の場
合と違って減速電界が印加されないので、第２プラズマ
生成容器内からファラデーカップ内へ電子が出やすい。
しかも、第２プラズマ生成容器のファラデーカップ側の
孔の部分をファラデーカップ内に挿入しているので、フ
ァラデーカップ内を通るイオンビームにそのすぐ近くか
らプラズマを供給することができ、イオンビームの正電
界によって第２プラズマ生成容器から電子を積極的に引
き出す作用も期待できる。更に、第２プラズマ生成容器
内に磁束発生手段による軸方向の磁束が発生されるの
で、当該磁束のガイド作用によっても第２プラズマ生成
容器からファラデーカップ内へプラズマが出やすい。従
って、第２プラズマ生成容器内で生成されるプラズマ中
の電子を非常に効率良くイオンビームの中和に利用する
ことができる。 【００４６】その結果、イオンビームのビーム電流を大
きくする場合でも、第２プラズマ生成容器内で生成する
プラズマの密度を、ひいてはその元となる第１プラズマ
生成容器内で生成するプラズマの密度をあまり高くする
必要がなくなるので、フィラメントの負担が軽くなりそ
の寿命を延ばすことができる。また、第１プラズマ生成
容器内に導入するガスの量を減らすことができるので、
ファラデーカップ内へ漏れ出るガスの量を少なくしてフ
ァラデーカップ内の真空度低下を小さく抑えることがで
き、その結果、イオンビームとガス分子とが衝突して中
性粒子が発生して注入量誤差等の不具合が生じるのを防
止することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】この発明の一実施例に係るイオン処理装置を示
す概略図である。 【図２】この発明の背景となるイオン処理装置の一例を
示す概略図である。 【符号の説明】 ２ イオンビーム ４ ホルダ ６ 基板 ８ ファラデーカップ ２６ 第１プラズマ生成容器 ２８ 小孔 ３２ ガス ３４ フィラメント ３８ フィラメント電源 ４０ プラズマ ４８ａ 第２プラズマ生成容器 ５０ 小孔 ５３ 孔 ５４ プラズマ ６８ コイル ７２ 制限抵抗 ７４ プラズマ生成用電源 ７８ リフレクタ電極 ８２ リフレクタ電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 37/317 H01L 21/265 C23C 14/48

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板を保持するホルダと、このホルダの
   上流側に設けられていて二次電子のアースへの逃げを防
   止するファラデーカップとを備え、このファラデーカッ
   プ内を通してイオンビームをホルダ上の基板に照射して
   当該基板を処理するイオン処理装置において、前記ファ
   ラデーカップの外側に設けられていて、内部にガスが導
   入され、かつファラデーカップ側に小孔を有する第１プ
   ラズマ生成容器と、この第１プラズマ生成容器内に設け
   られたフィラメントと、前記第１プラズマ生成容器とフ
   ァラデーカップとの間に設けられていて、第１プラズマ
   生成容器側にその小孔に対向する小孔を有し、かつファ
   ラデーカップ側に孔を有していてその孔の部分がファラ
   デーカップ内に挿入されており、かつファラデーカップ
   と同電位にされた第２プラズマ生成容器と、前記第１プ
   ラズマ生成容器の小孔付近から第２プラズマ生成容器内
   にかけての領域に、それらの軸方向に沿う磁束を発生さ
   せる磁束発生手段と、前記ファラデーカップ内にそれか
   ら絶縁して設けられていて、少なくとも、当該ファラデ
   ーカップ内の前記第２プラズマ生成容器が挿入された部
   分の周囲を当該第２プラズマ生成容器の部分を除いて覆
   うリフレクタ電極と、前記フィラメントを加熱するフィ
   ラメント電源と、前記第２プラズマ生成容器とフィラメ
   ントとの間に前者を正側にして接続された直流のプラズ
   マ生成用電源と、前記第２プラズマ生成容器と第１プラ
   ズマ生成容器との間に接続された制限抵抗と、前記リフ
   レクタ電極とファラデーカップとの間に前者を負側にし
   て接続された直流のリフレクタ電源とを備えることを特
   徴とするイオン処理装置。