JPH1064477A - イオン照射装置 - Google Patents

イオン照射装置

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Publication number
JPH1064477A
JPH1064477A JP8238536A JP23853696A JPH1064477A JP H1064477 A JPH1064477 A JP H1064477A JP 8238536 A JP8238536 A JP 8238536A JP 23853696 A JP23853696 A JP 23853696A JP H1064477 A JPH1064477 A JP H1064477A
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JP
Japan
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faraday cup
plasma
filament
power supply
substrate
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Application number
JP8238536A
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English (en)
Inventor
Yasuaki Nishigami
靖明 西上
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ファラデーカップ内に高エネルギー成分の熱
電子が導入されたり、ファラデーカップ内で高エネルギ
ー成分の二次電子が発生したりすることを防止して、基
板の負帯電を小さく抑制する。 【解決手段】 ファラデーカップ8内に、それから電気
的に絶縁して、第2ファラデーカップ60を設けた。プ
ラズマ生成容器14a内で生成したプラズマ24を、連
通筒64内を通して、かつコイル36による磁束Bでガ
イドして、第2ファラデーカップ60内に導く。ファラ
デーカップ8をフィラメント電源22の正極に接続し、
かつホルダ4と第2ファラデーカップ60とを互いに並
列接続してそれらを電流計測器66を介してフィラメン
ト電源22の正極に接続している。これによって、フィ
ラメント20から放出される熱電子のファラデーカップ
8に対する最大エネルギーは、フィラメント電源22の
出力電圧V1 のみによって決定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばイオン注
入装置のように、真空中で基板にイオンビームを照射し
てそれにイオン注入等の処理を施すイオン照射装置に関
し、より具体的には、その基板の帯電(チャージアッ
プ)を抑制する手段の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のイオン照射装置の一例が、例え
ば特開平7−78587号公報に開示されており、それ
を図3に示す。
【0003】このイオン照射装置は、基本的には、真空
容器(図示省略)内に収納されたホルダ4に保持された
基板(例えばウェーハ)6にイオンビーム2を照射して
それにイオン注入等の処理を施すよう構成されている。
ホルダ4は、バッチ処理用のウェーハディスクの場合
と、枚葉処理用のプラテンの場合とがあり、図示のもの
は前者の場合の例であり、真空容器内で矢印A方向に回
転および紙面の表裏方向に並進させられる。
【0004】イオンビーム2の経路上には、イオンビー
ム2がホルダ4等に当たった際に放出される二次電子を
受けてそれのアースへの逃げを防止する筒状のファラデ
ーカップ8がホルダ4の上流側に、更にこの例ではホル
ダ4が外に並進したときにそれの代わりにイオンビーム
2を受けるキャッチプレート10がホルダ4の下流側
に、それぞれ設けられている。ホルダ4とキャッチプレ
ート10とは、互いに電気的に並列接続されてビーム電
流計測器12に接続されている。
【0005】イオンビーム2はファラデーカップ8内を
通してホルダ4上の基板6に照射され、それによって基
板6に対してイオン注入等の処理が施される。その際
に、イオンビーム2の照射に伴って基板6の表面が、特
に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の不具
合が発生するのを防止するために、次のような手段を講
じている。
【0006】即ち、ファラデーカップ8の外側に第1プ
ラズマ生成容器14を設けており、それは、ファラデー
カップ8側の部分に小孔16を有しており、内部に例え
ばキセノンガス等の電離用のガス18が導入される。こ
の第1プラズマ生成容器14内には、フィラメント20
が設けられており、その両端には、その加熱用の直流の
フィラメント電源22が接続されている。51〜57は
絶縁物である。
【0007】第1プラズマ生成容器14の小孔16の出
口側近傍には、前後に小孔27および28を有する第2
プラズマ生成容器26が設けられている。
【0008】この第2プラズマ生成容器26のファラデ
ーカップ8側の小孔28の出口側近傍には、当該小孔2
8に対向する位置に小孔34を有する引出し電極32が
設けられている。この引出し電極32のファラデーカッ
プ側の端部は、ファラデーカップ8の壁面の一部に設け
られた孔9を通してファラデーカップ8内に挿入されて
いる。両者32、8は同電位にされている。
【0009】第1プラズマ生成容器14から引出し電極
32にかけての部分の外周部には、直流電源38によっ
て励磁されるコイル38が巻かれており、これによっ
て、第1プラズマ生成容器14内から引出し電極32内
にかけての領域に、それらの軸方向に沿う磁束Bを発生
させる。
【0010】ファラデーカップ8内の壁面付近には、筒
状のリフレクタ電極46が設けられている。両者46、
8間には、前者46を負極側にして直流のリフレクタ電
源48が接続されている。
【0011】第2プラズマ生成容器26とフィラメント
電源22の正極との間には、前者を正極側にして直流の
アーク電源42が接続されている。第2プラズマ生成容
器26と第1プラズマ生成容器14との間には、例えば
150Ω程度の抵抗40が接続されている。フィラメン
ト電源22の正極と引出し電極32との間には、後者を
正極側にして直流の引出し電源44が接続されている。
各電源22、42、44および48の出力電圧V1 〜V
4 の典型例は、V1 が8V、V2 が13V、V3 が10
VおよびV4 が20Vである。
【0012】フィラメント20から発生した熱電子は、
抵抗40を介して印加される電圧V2 によって第1プラ
ズマ生成容器14の壁面側に引き寄せられ、その途中で
ガス18と衝突してそれを電離させ、プラズマ24が生
成される。このとき、前記磁束Bがプラズマ24の発生
および維持に寄与する。
【0013】プラズマ24が生成されると、抵抗40に
電流が流れてその両端に例えば10V前後の電位差ΔV
が生じる。この電位差ΔVによる加速電界によって、か
つ前記磁束Bにガイドされて、プラズマ24中の電子が
第2プラズマ生成容器26内に引き出される。
【0014】第2プラズマ生成容器26内には、第1プ
ラズマ生成容器14側からガス18が流れ込んで来てお
り、そこに引き出された電子はこのガスと衝突してそれ
を電離させ、そこで再びプラズマ30が作られる。この
プラズマ30中のイオンは、第2プラズマ生成容器26
と引出し電極32との間の電位差(V2 −V3 )による
引出し電界によって、かつ磁束Bにガイドされて、ファ
ラデーカップ8内に引き出される。一方、第2プラズマ
生成容器26内のプラズマ30中の電子は、上記引出し
電界に打ち勝つエネルギーを持ったものが、上記イオン
およびガイド磁束Bに助けられて、上記イオンと共にフ
ァラデーカップ8内に引き出される。即ち、ファラデー
カップ8内には第2プラズマ生成容器26内で生成され
たプラズマ30が導入される。このようにしてファラデ
ーカップ8内に導入されるプラズマ30中の電子のエネ
ルギーは、大部分は10eV程度以下の低エネルギーで
ある。
【0015】ファラデーカップ8内に導入されたプラズ
マ30中のイオンは負電位のリフレクタ電極46に回収
され、同プラズマ30中の電子はリフレクタ電極46に
よって中央部へ押し返され、そこを通過しているイオン
ビーム2内にその電界によって引き込まれる。
【0016】基板6が帯電しているとそれによってイオ
ンビームの軸方向に電位勾配が生じるため、イオンビー
ム2内に引き込まれた電子は、この電位勾配によって基
板6に引き寄せられ、基板表面のイオンビーム照射に伴
う正電荷を中和する。正電荷が中和されれば、電子の基
板6への引込みは自動的に止む。このようにして、電子
が基板6に過不足なく供給されるので、イオンビーム照
射に伴う基板6の正の帯電を効果的に抑制することがで
きる。しかも、電子による基板表面の電位は、そこに入
射する電子のエネルギーより負側に高くならないので、
プラズマ30中の上記のような低エネルギーの電子を利
用することにより、基板6の負の帯電をも抑制すること
ができる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにしてファ
ラデーカップ8内に導入される電子の、ファラデーカッ
プ8に対する最大エネルギー成分を考えると、フィラメ
ント20から放出された熱電子が考えられる。この熱電
子のエネルギーは、引出し電源44の出力電圧V3 相当
分から、それにフィラメント電源22の出力電圧V1
加算した電圧(V3 +V1 )相当分まで、即ちV3 eV
〜(V3 +V1 )eVまで分布している。これは、フィ
ラメント20の、フィラメント電源22の正極に近い部
分から放出された熱電子は前者V3 相当分のエネルギー
を有し、フィラメント電源22の負極に近い部分から放
出された熱電子は後者(V3 +V1 )相当分のエネルギ
ーを有しているからである。従って、例えば、上記出力
電圧V1 およびV3 を、それぞれ前述したように8Vお
よび10Vとすると、上記熱電子のファラデーカップ8
に対するエネルギーは、10eV〜18eVと、比較的
高エネルギーになる。
【0018】ファラデーカップ8内に導入されるこのよ
うな熱電子の量は、プラズマ30中の電子に比べれば少
ないけれども、ファラデーカップ8内に導入するプラズ
マ30の密度を増大させて、基板6に多量にプラズマシ
ャワーをかけようとすると、それに伴って、ファラデー
カップ8内に導入される熱電子の量も増加する。これ
は、プラズマ30の密度を増大させるためには、その元
になるプラズマ24の密度を増大させる必要があり、そ
のためにはフィラメント20に流す電流を増大させてそ
れから放出する熱電子を増大させて、フィラメント20
と第1プラズマ生成容器14間のアーク放電電流を増大
させる必要があるからである。また、フィラメント20
に流す電流を増大させるためにはフィラメント電源22
の出力電圧V1 を増大させなければならないので、その
分、熱電子のエネルギーも大きくなる。
【0019】ファラデーカップ8内に導入される上記の
ような比較的高エネルギーの熱電子の量が増加すると、
それが基板6に到達し、基板6は当該熱電子のエネルギ
ーに相当する電圧まで負に帯電することができるので、
基板6に比較的大きな負の帯電を発生させる要因にな
る。
【0020】また、ファラデーカップ8内に導入された
プラズマ30中のイオンがリフレクタ電極46に衝突す
ることによってそこから放出される二次電子は、最大
で、リフレクタ電源48の出力電圧V4 相当分のエネル
ギーを有している。例えば、前述したようにこの出力電
圧V4 を20Vとすると、この二次電子のファラデーカ
ップ8に対するエネルギーは最大で20eVになり、こ
の二次電子によっても、基板6に負の帯電を発生させる
可能性がある。
【0021】特に近年は、基板6の表面に形成されるデ
バイスの微細化が進んでいるので、この負帯電の問題は
深刻化している。
【0022】一方、上記のような従来の装置では、何ら
かの原因で、例えば小孔16、27、28、34の目詰
まり等で、ファラデーカップ8内に導入するプラズマ3
0の量が異常に減少してプラズマシャワーに異常が生じ
ても、それを検出することができないという課題もあ
る。プラズマシャワーの異常を放置して基板6の処理を
続けると、前述したように、基板6にイオンビーム照射
による正帯電の問題が生じる。
【0023】そこでこの発明は、ファラデーカップ内に
高エネルギー成分の熱電子が導入されたり、ファラデー
カップ内で高エネルギー成分の二次電子が発生したりす
ることを防止して、基板の負帯電を小さく抑制すること
を主たる目的とする。
【0024】また、プラズマシャワーに異常が生じた場
合に速やかにそれを検出することを更なる目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】上記主たる目的を達成す
るため、この発明のイオン照射装置は、前記ファラデー
カップの壁面の一部に設けられた孔と、前記ファラデー
カップ内にそれから電気的に絶縁して設けられていて前
記ファラデーカップの孔に対応する位置に孔を有する筒
状の第2ファラデーカップと、前記ファラデーカップの
孔の外側近傍に設けられていて内部にガスが導入されか
つ当該ファラデーカップ側に小孔を有するプラズマ生成
容器と、このプラズマ生成容器内に設けられたフィラメ
ントと、前記プラズマ生成容器の小孔を含む部分と前記
第2ファラデーカップの孔を含む部分とを前記ファラデ
ーカップの孔を通して連通させるものであって、第2フ
ァラデーカップには電気的に接続されており、ファラデ
ーカップおよびプラズマ生成容器とは電気的に絶縁され
た連通筒と、前記プラズマ生成容器内からこの連通筒内
にかけての領域に、それらの軸方向に沿う磁束を発生さ
せる磁束発生手段と、前記フィラメントの両端部に接続
された直流のフィラメント電源と、このフィラメント電
源の負極と前記プラズマ生成容器との間に前者を負極側
にして接続された直流のアーク電源とを備え、前記ファ
ラデーカップを前記フィラメント電源の正極に接続し、
かつ前記ホルダと第2ファラデーカップとを互いに並列
接続してそれらを直接または電流計測器を介して前記フ
ィラメント電源の正極に接続していることを特徴とす
る。
【0026】上記構成によれば、プラズマ生成容器内で
プラズマを生成し、このプラズマを、当該プラズマ生成
容器の小孔および連通筒内を通して、かつ磁束発生手段
による磁束によってガイドして、ファラデーカップ内に
設けられた第2ファラデーカップ内に導入することがで
きる。このようにして導入されたプラズマ中の電子によ
る基板表面の正電荷中和作用は、従来例の場合と同様で
ある。
【0027】しかも、フィラメントの正端はファラデー
カップと同電位にされており、フィラメントの負端とフ
ァラデーカップ間の電位差はフィラメント電源の出力電
圧によって規定されるので、フィラメントから放出され
る熱電子のファラデーカップに対する負側の最大エネル
ギーは、フィラメント電源の出力電圧のみによって決定
され、他の電源の出力電圧に依存しなくなる。従って、
フィラメントから放出される熱電子のファラデーカップ
に対するエネルギーは小さく抑えられる。
【0028】また、第2ファラデーカップとファラデー
カップ間の電位差は0Vまたは0V近くになるので、第
2ファラデーカップ内に導入されたプラズマ中のイオン
が第2ファラデーカップに衝突してそこから二次電子が
放出されたとしても、この二次電子に加速エネルギーは
殆ど加えられないので、この二次電子のファラデーカッ
プに対するエネルギーは非常に小さい。
【0029】従って、このようなフィラメントからの熱
電子あるいは第2ファラデーカップからの二次電子が基
板に到達しても、基板は当該電子のエネルギーに相当す
る電圧より大きくは負に帯電することができないので、
基板の負帯電を小さく抑制することができる。
【0030】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係るイオン照
射装置の一例を示す断面図である。図3の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【0031】この実施例においては、前述したファラデ
ーカップ8内に、従来例のようにリフレクタ電極46を
設ける代わりに、筒状の第2ファラデーカップ60を、
ファラデーカップ8とほぼ同軸状に、かつ絶縁物58に
よってファラデーカップ8から電気的に絶縁して設けて
いる。この第2ファラデーカップ60は、ファラデーカ
ップ8の孔9に対応する位置に孔62を有している。こ
の第2ファラデーカップ60は、配置上は前記リフレク
タ電極46と似ているが、電位が全く異なる。即ち、前
記リフレクタ電極46は、リフレクタ電源48によっ
て、ファラデーカップ8に対して負電位にされるのに対
して、この第2ファラデーカップ60はファラデーカッ
プ8と同電位またはほぼ同電位にされる。これが、この
ファラデーカップ60を第2ファラデーカップ60と呼
ぶゆえんである。
【0032】なおこの例では、第2ファラデーカップ6
0内の電子やイオンが上流側および下流側へ漏れ出るの
を抑制するために、図1中に示すように、第2ファラデ
ーカップ60の上流側端部、同下流側端部およびファラ
デーカップ8の上流側端部に、イオンビーム2の通過を
妨げない程度の孔を有する鍔部をそれぞれ設けている。
【0033】ファラデーカップ8の孔9の外側付近に、
従来例の第1プラズマ生成容器14に相当するプラズマ
生成容器14aを設けている。即ちこのプラズマ生成容
器14aは、ファラデーカップ8側の部分に小孔16を
有しており、内部にガス18が導入される。また、内部
にフィラメント20が設けられており、その両端にフィ
ラメント電源22が接続されている。その出力電圧V1
の大きさは、従来例と同様であり例えば8Vである。小
孔16の直径は例えば2mmφ程度である。
【0034】このフィラメント電源22の負極とプラズ
マ生成容器14aとの間に、前者を負極側にしてアーク
電源42が接続されている。その出力電圧V2 の大きさ
は、従来例と同様であり例えば13Vである。上記構成
によって、従来例の場合と同様にして、プラズマ生成容
器14a内にプラズマ24を発生させることができる。
【0035】プラズマ生成容器14aの小孔16を含む
部分と第2ファラデーカップ60の孔62を含む部分と
は、ファラデーカップ8の孔9を貫通する金属製(例え
ばステンレス製)の連通筒64によって互いに連通させ
られている。この連通筒64は、第2ファラデーカップ
60に取り付けられていてそれに電気的に接続されてい
てそれと同電位にされており、プラズマ生成容器14a
とは絶縁物59で電気的に絶縁されている。また、ファ
ラデーカップ8とは隙間(空間)をあけて電気的に絶縁
されている。この連通筒64は、次に述べるコイル36
のボビンを兼ねている。
【0036】この連通筒64の外周部には、直流電源3
8によって励磁されるコイル36が巻かれていて、これ
らが磁束発生手段を構成しており、プラズマ生成容器1
4a内から連通筒64内にかけての領域に、それらの軸
方向に沿う磁束Bを発生させる。即ちこのコイル36
は、プラズマ24生成用のマグネットおよび同プラズマ
24のガイド用のマグネットを兼ねている。なお、磁束
Bの向きは図示とは逆でも良い。
【0037】ファラデーカップ8およびビーム電流計測
器12は、フィラメント電源22の正極に接続されてい
る。また、プラズマシャワーの異常を検出しない場合
は、第2ファラデーカップ60、ホルダ4およびキャッ
チプレート10も、このフィラメント電源22の正極に
接続して当該正極と同電位にする。
【0038】しかしこの実施例では、プラズマシャワー
の異常を検出するために、第2ファラデーカップ60、
ホルダ4およびキャッチプレート10を互いに並列接続
してそれらを電流計測器66を介してフィラメント電源
22の正極に接続している。この電流計測器66は、そ
こを流れる電流Iを計測するものである。更にこの実施
例では、この電流計測器66で計測した電流Iを予め設
定した基準値Rと比較して、前者Iが後者Rよりも大の
ときに検出信号Sを出力する比較器70を設けている。
【0039】電流計測器66はこの例では抵抗器であ
り、その両端にはそこを流れる電流Iに応じた電圧が発
生する。それをこの例では増幅器68で増幅して比較器
70に供給する。但しこの増幅器68を設けるか否かは
任意である。
【0040】動作を説明すると、フィラメント電源22
によってフィラメント20を加熱すると、そこから熱電
子が放出される。この熱電子は、アーク電源42の出力
電圧V2 によってプラズマ生成容器14aに向けて加速
され、その途中で、プラズマ生成容器14a内に導入さ
れたガス18と衝突してそれを電離させ、プラズマ24
が生成される。このとき、コイル36による磁束Bがプ
ラズマ24の生成および維持に寄与する。
【0041】生成されたプラズマ24は、小孔16およ
び連通筒64内を通して、かつコイル36による磁束B
にガイドされて、第2ファラデーカップ60内へ拡散し
て行く。このように、プラズマ24を磁束Bによってガ
イドして第2ファラデーカップ60内に導入するので、
プラズマ24中の電子およびイオンに対するエネルギー
の加減がないのが、この装置の一つの特徴である。
【0042】このようにして第2ファラデーカップ60
内に導入されたプラズマ24中の電子による基板表面の
正電荷中和作用は、従来例の場合と同様である。即ち、
第2ファラデーカップ60内をイオンビーム2 が通過す
ると、プラズマ24中の電子は、このイオンビーム2内
にその電界によって引き込まれ、イオンビーム2と共に
基板6に向かい、基板表面のイオンビーム照射に伴う正
電荷を中和する。
【0043】但し、第2ファラデーカップ60内には、
上記のようにして導入されたプラズマ24中のイオンお
よび電子の他に、フィラメント20から放出された熱電
子が存在することになる。この熱電子のエネルギーを図
2の電位分布図を参照して説明する。この図2では、電
圧V1 およびV2 を、それぞれ従来例と同様に8Vおよ
び13Vで図示している。
【0044】フィラメント20の負端とファラデーカッ
プ8との間の電位差は、フィラメント電源22の出力電
圧V1 によって規定されるので、フィラメント20から
放出される熱電子のファラデーカップ8に対する最大エ
ネルギーは、フィラメント電源22の出力電圧V1 のみ
によって決定され、他の電源、より具体的にはアーク電
源42の出力電圧V2 に依存しなくなる。従って、フィ
ラメント20から放出される熱電子のファラデーカップ
8に対するエネルギーは小さく抑えられる。具体的には
この例では、8eV以下に抑えられる。
【0045】また、第2ファラデーカップ60とファラ
デーカップ8間の電位差は、上記電流計測器66を挿入
しない場合は0Vになる。また、電流計測器66を挿入
した場合でも、そこでの電圧降下は通常は非常に小さい
(例えば、電流計測器66の抵抗値は高々10Ω程度、
そこを流れる電流Iは高々30mA程度であるので、こ
の電圧降下は大きくても0.3V程度である。)ので、
上記電位差は0V近くになる。従って、第2ファラデー
カップ60内に導入されたプラズマ24中のイオンが第
2ファラデーカップ60に衝突してそこから二次電子が
放出されたとしても、この二次電子に加速エネルギーは
殆ど加えられないので、この二次電子のファラデーカッ
プ8に対するエネルギーは非常に小さい。
【0046】従って、このようなフィラメント20から
の熱電子あるいは第2ファラデーカップ60からの二次
電子が基板6に到達しても、基板6は当該電子のエネル
ギーに相当する電圧より大きくは負に帯電することがで
きないので、基板6の負帯電を小さく抑制することがで
きる。
【0047】なお、上記のようにして第2ファラデーカ
ップ60内に導入されるプラズマ24中の電子のファラ
デーカップ8に対するエネルギーは、図2を参照して、
1eV〜(V2 −V1 )eVの範囲に、即ちこの例で
は8eV〜5eVの範囲に分布しており、十分に低エネ
ルギーである。
【0048】次に、プラズマシャワー異常の検出手段に
ついて説明する。図1を参照して、上記電流計測器66
には、イオンビーム2が基板6、ホルダ4またはキャッ
チプレート10に入射することによって、ビーム電流I
B が、ビーム電流計測器12を経由してアースへ向かっ
て流れる。それと同時に、上記のようにして第2ファラ
デーカップ60内に導入された電子(即ちプラズマ24
中の電子およびフィラメント20からの熱電子)が基板
6、ホルダ4、キャッチプレート10または第2ファラ
デーカップ60に入ることによって、上記電流計測器6
6には、電流IE が上記ビーム電流IB とは逆向きに流
れる。従って、この電流計測器66で計測される電流I
は、次式で表される。
【0049】
【数1】I=IB −IE
【0050】プラズマ生成容器14aの小孔16が目詰
まりする等して、第2ファラデーカップ60内に導入さ
れるプラズマ24の量が減少してプラズマシャワーに異
常が生じると、上記電子による電流IE が小さくなるの
で、数1で表される電流Iは大きくなる。従って、プラ
ズマシャワーが正常時の電流Iの値と異常時の電流Iの
値との間の値に上記基準値Rを設定しておけば、比較器
70によってプラズマシャワーの異常を検出してそこか
ら検出信号Sを出力することができる。これによって、
基板6に対して処理不良が生じるのを速やかに防止する
ことができる。
【0051】その場合、比較器70から出力される検出
信号Sに応答して、図示しないシャッターをイオンビー
ム経路に入れてイオンビーム2を遮断して基板処理を中
断するようにしても良く、そのようにすれば、基板6に
対して処理不良が生じるのを自動的にかつ速やかに防止
することができる。
【0052】上記基準値Rの設定の仕方のより具体例を
示すと、基板6の正帯電を十分に打ち消すために、基板
6には通常はイオンビーム2よりも若干多めに電子を入
射させるので、それだけを考えても、電流計測器66に
流れるビーム電流IB よりも電子による電流IE の方が
若干大きくなり、従って数1で表される電流Iは若干負
になる。それに加えて、電流計測器66には、電子が第
2ファラデーカップ60に入射する分の電流IE が更に
流れるので、プラズマシャワーが正常時は、電流計測器
66に流れる上記電流Iはかなり負になる。
【0053】ところが、プラズマ生成容器14aの小孔
16が目詰まりする等して、第2ファラデーカップ60
内に導入されるプラズマ24の量が減少してプラズマシ
ャワーに異常が生じると、上記ビーム電流IB は不変で
あるけれども、上記電子による電流IE が小さくなるの
で、極端な場合は0近くになるので、電流計測器66に
流れる電流Iはかなり正になる。つまり、上記電流Iの
極性が負から正へと大きく反転する。
【0054】従って、上記基準値Rを例えば0近くに設
定しておくことによって、比較器70によってこの電流
Iの極性の反転を検出して、プラズマシャワーの異常を
検出して検出信号Sを出力することができる。
【0055】なお、上記コイル36および直流電源38
の代わりに、複数または単一の永久磁石を連通筒64の
外側に設けて上記のような磁束Bを発生させるように
し、これによって磁束発生手段を構成しても良い。
【0056】
【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
【0057】請求項1記載の発明によれば、フィラメン
トから放出される熱電子のファラデーカップに対する負
側の最大エネルギーを、フィラメント電源の出力電圧の
みによって決定することができるので、当該熱電子のフ
ァラデーカップに対するエネルギーを小さく抑えること
ができる。また、第2ファラデーカップとファラデーカ
ップ間の電位差は0Vまたは0V近くになるので、第2
ファラデーカップ内に導入されたプラズマ中のイオンが
第2ファラデーカップに衝突してそこから二次電子が放
出されたとしても、この二次電子に加速エネルギーは殆
ど加えられないので、この二次電子のファラデーカップ
に対するエネルギーは非常に小さい。従って、このよう
なフィラメントからの熱電子あるいは第2ファラデーカ
ップからの二次電子が基板に到達しても、基板は当該電
子のエネルギーに相当する電圧より大きくは負に帯電す
ることができないので、基板の負帯電を小さく抑制する
ことができる。その結果、基板表面に形成されるデバイ
スの微細化にも十分に対応することができる。
【0058】請求項2記載の発明によれば、プラズマシ
ャワーに異常が生じると電流計測器に流れる電流の大き
さが変化してそれを比較器で検出することができるの
で、簡単な構成で、プラズマシャワーに異常が生じた場
合に速やかにそれを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオン照射装置の一例を示す断
面図である。
【図2】図1の装置中のa〜c点における電位分布の一
例を示す図である。
【図3】従来のイオン照射装置の一例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
2 イオンビーム 4 ホルダ 6 基板 8 ファラデーカップ 14a プラズマ生成容器 20 フィラメント 22 フィラメント電源 24 プラズマ 36 コイル(磁束発生手段) 60 第2ファラデーカップ 64 連通筒 66 電流計測器 70 比較器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持するホルダと、このホルダの
    上流側付近に設けられていて二次電子のアースへの逃げ
    を防止する筒状のファラデーカップとを備え、このファ
    ラデーカップ内を通してイオンビームをホルダ上の基板
    に照射して当該基板に処理を施すイオン照射装置におい
    て、前記ファラデーカップの壁面の一部に設けられた孔
    と、前記ファラデーカップ内にそれから電気的に絶縁し
    て設けられていて前記ファラデーカップの孔に対応する
    位置に孔を有する筒状の第2ファラデーカップと、前記
    ファラデーカップの孔の外側付近に設けられていて内部
    にガスが導入されかつ当該ファラデーカップ側に小孔を
    有するプラズマ生成容器と、このプラズマ生成容器内に
    設けられたフィラメントと、前記プラズマ生成容器の小
    孔を含む部分と前記第2ファラデーカップの孔を含む部
    分とを前記ファラデーカップの孔を通して連通させるも
    のであって、第2ファラデーカップには電気的に接続さ
    れており、ファラデーカップおよびプラズマ生成容器と
    は電気的に絶縁された連通筒と、前記プラズマ生成容器
    内からこの連通筒内にかけての領域に、それらの軸方向
    に沿う磁束を発生させる磁束発生手段と、前記フィラメ
    ントの両端部に接続された直流のフィラメント電源と、
    このフィラメント電源の負極と前記プラズマ生成容器と
    の間に前者を負極側にして接続された直流のアーク電源
    とを備え、前記ファラデーカップを前記フィラメント電
    源の正極に接続し、かつ前記ホルダと第2ファラデーカ
    ップとを互いに並列接続してそれらを直接または電流計
    測器を介して前記フィラメント電源の正極に接続してい
    ることを特徴とするイオン照射装置。
  2. 【請求項2】 前記ホルダと第2ファラデーカップとを
    互いに並列接続してそれらを電流計測器を介して前記フ
    ィラメント電源の正極に接続し、更に、この電流計測器
    で計測した電流を予め設定した基準値と比較して前者が
    後者よりも大のときに検出信号を出力する比較器を設け
    たことを特徴とする請求項1記載のイオン照射装置。
JP8238536A 1996-08-20 1996-08-20 イオン照射装置 Pending JPH1064477A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265327B1 (en) * 1997-06-20 2001-07-24 Japan Science And Technology Corp. Method for forming an insulating film on semiconductor substrate surface and apparatus for carrying out the method
GB2373629A (en) * 2000-11-14 2002-09-25 Nissin Electric Co Ltd Method and device for irradiating an ion beam, and related method and device thereof

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