TW384495B - Method and apparatus for ion formation in an ion implanter - Google Patents

Description

A7 B7 五、發明説明（丨） 本發明之領域 本發明是關於一種用於產生離子以用在離子束植入 器之方法及裝置，特別是關於一種用於提供離子化能量至 其內有離子電续產生之一離子源室的方法和結槎。 本發明之背景 離子束植入器是用於以離子束處理矽晶圓。此處理在 製造積體電路期間可用於生產η或p型摻雜質材料或可 用於形成鈍化層。 當用於摻雜半導體時，離子束植入器注入一種被選擇 的離子種類以製造所要的雜質材料。由諸如銻，砷或磷的 來源材料所產生的植入離子導致了 ‘η型，雜質材料晶 圓。如果所需要的是‘上^上錐質材料晶圓，則要植入由諸 〜------ .....— —----- 如硼，鎵或銦所產生的離子。 離子束植入器包含一離子源用於產生來自離子化來 源材料的正價離.子。所產生的離子形成爲一束且沿一預定 的束路徑加速至一植入站。離子束植入器包含束形成和成 c* 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 彩結構延伸於一離子源和植入站之間。束形成和成形結構 維持離子束且圍成一長形內穴或區域，束通過該區域而至 植入站。在操作植入器時，此內部區域必須抽成眞空以減 少離子由於和空氣分子碰撞而偏離預定束路徑的機率。

Eaton Corporation，本發明的受讓者，目前以NV 10;NV-GSD/200,NV-GSD/160,和 NV-GSD/80 之產品名稱 出售高電流植入器。 產生使用於習知植入器之離子束的離子'源典型上包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 含加熱的絲極，其提供離子化的電子至來源室的範圍。這 些電子和注入來源室的離子產生材料碰撞以使材料離子 化。這些離子經由一出口孔離開來源室。在較短的使用期 間之後，絲極退化而必須更換，以使離子能再次以足夠的 效率產生。 y離子植入器來源的離子化_射縝麗,,.倉,5_ 屋δ蓋凰.室凰殷定和維持上天線是被性天 線之“表層”內產生交流電的射頻信號所激勵。天線內的交 -------- 〆《-—. 流^感1|>時%>其接著在來源室內由自然發生的自 _由電子所占據之一區域設定一電場。這些自由電子由於感 應霉場而加速且與離子來源室內的離子化材料碰撞。天線 的形狀決定了來源室內所感應之電場的形狀。一旦天線提 烘了靜態傳送的電力至來源室內，離子室內的電漿之電流 通常與天線內的電流平行且方向相反。迄今爲止，人們並 不相信天線可直接浸入藉由從天線傳输能量至來源室內 部所產生的電漿內。爲了提供電性隔離，天線被塗覆以介 電枋料。介電塗層傾向於因使用而侵蝕且污染在來源室內 的電漿。 二習知技術離子源的例子揭示於授予Leung等人之美 國專利第#南幽8焉66J"和輕絲|:,駿&號。此二專利掲示離子 源，其具有絲極可提供離子來源室內的離子化電子。這些 絲'極被直流電源所激勵。直流電通過絲極且使電子射入來 源室。這些電子被加速以和注入室內的原子碰撞而產生離 子以隨後使用。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先闊讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 五、發明説明（3 ) 本發明之揭示 本發明是關於一種離子源，可舆一離子植人器一起使 用。所揭示的離子源使用一天線以將能量耦合入含有一離 子化材料之室的內部區域。 依據本發明之一實施例而構成的裝置包含一離子 •源，具有界定一電漿室的導電室壁。導電室壁圍成一離子 化區域。電漿室亦界定一出口，其允許離子離開電漿室。 這些離子形成一束且被促使橫過一束路徑以處理一工 件。一底部將電漿室相對於結構而安置以由離開該電漿室 之離子形成一離子束。 .一與該電漿室相通的供應源傳送一離子化材料至電 漿室內=供應源可例如提供一離子化氣體至電漿室的內 部。一用於傳送能量至來源室內部的金屬天線具有一暴露 於室內的金屬表面。金屬天線耦合至一能量源而以一射頻 信號激勵金屬天.線以在該金屬天線內建立交流電。天線內 的交流電在電漿室內靠近金屬天線處感應一離子化電 s» 場。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 電性隔離藉由電漿外層覆蓋物（plasma sheath)而提供 於天線的暴露金屬和建立在室內的電漿之間，電漿外層覆 蓋物界定環繞天線之一減少的電荷密度區域。雖然此外層 覆蓋物不是絕對的絕緣介質，其導電性相當低於電漿的導 電性和高導電性金屬天線二者。相關於在電漿和金屬天線 二者內流動的極高電流，外層覆蓋物可視爲一絕緣障礙。 外層覆蓋物區域非常薄，因而在天線和電漿之間提供有效 _5__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（f) 的耦合。 選用爲天線的金屬較佳爲極具導電性。最佳者爲所選 的金屬是鋁。選用鋁的另外優點是由天線濺離而進入電漿 旳任何鋁在一離子植入器的半導體處理應用中爲一較無 可非議的污染物。一較佳的鋁天線是一暴有_^_:塗:厚，度: f管，以延長天線的使焉缔在離子源的操作期間，冷卻劑 通過該管。 本發明的上述和其他目的，優點及特性經由配合附圖 而敘述的本發明較佳實施例之下列細節說明將可更爲了 解。 附圖之簡略說明 圖1是用於一工件之離子束處理的一離子植入器之示 意圖，該工件諸如爲安裝在一旋轉晶圓支撐件上之一矽晶 圓；而 圖2是實施本發明用於在圖1之植入器內產生離子束 的一離子產生源之部分剖視圖。 實施本發明之最佳模式 參考附圖，圖1描述一離子束植入器，整體以10表示， 其包含一離子源12安裝在一1’形支撐件15。來源12射 出被加速且形成一離子束14之離子，離子束I4由來源I2 橫過一'.束路徑至一植入站16。控制電子儀器監視支撐於 —植入室1 7內的晶圓（未顯示）所承接的離子劑量植 入室1 7形成植入站1 6的一部分。離子束1 4中的離子遵循 一預定的，需要的束路徑通過由來源12和植入室17之間 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 Φ! --φ - f 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（女 的結構所圍成之一眞空區域。 T離子源I2包含一電漿室B (圖2 )，界定一內部區 4包含在室內被離子化的來源材料。來源材料可以離子化 氣體或蒸氣化來源材料之形式烘應。使用於離子植入方法 的某些來源材料是固體，其首先被蒸發，然後.進入電漿室 1 8以被離子化。 一 如上述，離子束的典型使用是用於摻雜矽晶圓以形成 一半導體材料。如果使用一 ‘n，型本質摻雜材料，則將使 用硼，鎵或銦。鎵和銦是固體的來源材料，而硼是以氣體 注入電漿室18 ,典型上是三氟化硼或乙硼烷，因爲硼的 蒸氣壓力太低而無法僅藉由將其加熱以產生有用的壓 力。 如果要產生一 P型雜質材料，則銻，砷或磷將被選用 爲固體來源材料。能量被施加至來源材料以在電漿室18 內產生正價離子.。正價離子經由覆蓋電漿室18之一敞開 側的蓋板內之一橢圓弧形隙縫而離開電漿室內部。 離子束14通過一眞空路徑從離子來源12至一植入室 17 ’其亦爲眞空。束路徑之眞空是由眞空泵21提供且傾 向於減少由於舆束路徑內其他粒子之離子束碰撞所導致 的束發散。依據本發明所構成的一離子源1 2之一種應用 是用於一‘低，能量植入器。此型式的植入器的離子束14 傾 '向於擴散在其束路徑上，因此植入器已被設計成具有自 來源至植入室之一相當‘短，的路徑。 在電漿室1 8內的離子被經由電漿室蓋板124內的隙 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2.97公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) VI. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ____ 五、發明説明（t ) 縫126而抽取且被鄰近於電漿室之一組電極24加速朝向 固定於支撐件15的質量分析磁鐵22 »該組電極24從電漿 室內部抽取離子且使離子加速進入由質量分析或解析磁 鐵22所圍成的區域內。通過磁鐵之一離子束路徑是由一 鋁束導件26所圍成。 組成離子束14的離子從離子源12移入由質量分析磁 鐵22所建立的磁場。由磁鐵22所產生的磁場強度和方向 係由耦合至一磁鐵接頭105的控制電子線路100所控制， 以調整通過磁場繞組的電流。 質量分析磁鐵22使得僅具有適當的質量對於電荷之 比率的離子到達離子植入站16。電漿室1S內的來源材料 之離子化產生一種具有所需原子量的正價離子。然而，除 了所需種類的離子以外，離子化方法亦產生一部分具有非 正確之原子量的離子。具有在正確原子質量以上或以下的 離子均不適合於植入。 由質量分析磁鐡22所產生的磁場促使離子束內的離 子移動於一曲線軌跡。由控制電子線路100所建立的磁場 使得只有原子量等於所需離子種類的原子量之離子橫過 曲線的束路徑到達植入站室17。 位於磁鐵下游的是一解析板4〇。解析板40是由玻璃 狀石墨所組成且界定離子束14內的離子所通過之一長形 孔’。在解析板4〇處，離子束包的寬度爲最小値。 解析板40與質量解析磁鐡22 —起作用以由離子束1 4 除去不需要的離子種類，其原子量接近於但不等於所需種 _ 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） ------.II —19 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（Γ| ) 類的離子之原子量。如上述，質量分析磁鐵的磁場強度和 方向被控制電子線路1 〇 〇所建立以使得僅有原子量等於所 需種類之原子量的離子橫過預定的，需要的束路徑到達植 入站16。原子量遠大於或遠小於所需離子之原子量的非 所需種類之離子急遽遍離且衝擊束導件26或由解析板40 所限定的隙縫邊界。 甶圖1可看出，一可調整的解析隙縫41和一法拉第旗 標（Farady Hag)42位於解析孔40和一離子束中和器44 之間。法拉第旗標可移動地耦合至圍成束線之一外罩50。 法拉第旗標42可直線移動至定位以和離子束14相交以測 量束之特徵，且當測量爲可滿足時，則從束線搖開以免千 涉在植入室17的晶圓植入。可調整的解析隙縫41包含二 可旋轉的罩，其定向受控制以調整孔40下游的束之大小。 在一定向，二可旋轉的罩與顯著部分的束相交，且在第二 定向，束並不狹.窄。藉由選擇在此二極限中間的定向，束 的大小可被控制。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 束形成結構13亦包含離子束中和器裝置44，通常稱 爲電子簇射器。公佈於I"2年11月17日而授予Benveniste 之美國專利第5,164,5 99號揭示在一離子束植入器中的電 子簇射裝置且全部附於此以供參考。由電漿室1 8所抽取 的離子爲正價。如果離子的正價在晶圓植入之前未被中 和，則摻雜的晶圓將顯示淨正價。如第‘ 599號專利所述， 晶圓上的此一淨正價具有不需要的特徵。 中和器44的一下游端鄰近於植入室1 7，在該處，晶 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明u ) 圓被植入以離子。可旋轉地支撐於植入室內者爲一碟形晶 圓支撐件。待處理的晶圓被安置在晶圓支撐件之一周 緣附近且此支撐件被一馬達6 2所旋轉。馬達6 2的一輸出 軸藉由一帶66鶴合至一支撐驅動軸64。當晶圓旋轉於— 圓形路徑時，離子束I4撞擊且處理晶圓.植入站16可相 對於外罩樞動且.藉由一撓性風箱70 (圖1 )連接至外 罩50。 電漿室18 離子源1 2顯示於圖2以包含依據本發明所構成的電 漿室18。電漿室18具有導電室壁11 2,114,116，其圍成在 室內部之一離子區域12〇。一側壁II4對弧形室18之一中 心軸線1 1 5成圓形對稱》 面對解析磁鐵22之一導電室壁116係連接至一電漿 室支撐件122。此壁11 6支撐一孔板1 24，其具有複數開 口允許離子離開.電漿室1 8然後結合以在複數相間隔且電 性隔離的抽取電極24下游位置形成離子束14。孔板124 〇» 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含很多以特殊型式設置的開口，其對準在相隔開的抽取 電極內之類似構形的複數孔。只有一孔1 26顯示於圖2的 孔板124內。具有複數孔型式以允許離子離開來源室之離 子源揭示於授予Hippie等人之美國專利第4,883,968號和 授予Benveniste等人之美國專利第5,〇23,458號且附於此 供參考。 離子化材料從在室外的來源行進到電漿室1 8內的離 子化區域1 20。該材料的型式和性質取決於被離子化之材 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公麓) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _B7 五、發明説明（，）. 料的型式。 一金屬天線13〇具有暴露於室內部的一金屬表面132 以發射能量至電漿室18內。在電漿室18外的一電源供應 器134以一射頻信號激勵金屬天線130以在金屬天線內建 立一交流電，其在電漿室內靠近金屬天線130處感應一離 子化電場。 電漿室18亦包含一磁性濾波器組件140，其延伸通過 電漿室內部在天線130和孔板1 24之間的區域。濾波器組 件依據授予Leung等人之美國專利第4,447,732號的指示 而操作，該專利讓渡予美國政府。授予Leung等人之第‘ 732 號專利特別附於此以供參考。 天線130藉由一可移動的支撐板150而安置在電漿室 18內。支撐板150由側壁114支撐在一位置，其具有一圓 .形切口 152，天線延伸通過之。用於天線130的支撐板150 的大小爲可以配置在室壁118的切口 152內，而將天線130 之暴露的U型金屬部分132安置在離子區域120內》 〇> 支撐板1 50界定二貫穿的通道，其可容納二眞空壓力 配件I56。在天線130之長形腳段157被推動通過配件後， 端蓋1S8被鎖在配件上以將配件156和脚段157之間的接 觸區域密封。天線1 30在其輻射發射區域內較佳爲U形且 較佳爲由鋁構成。管有一外徑，其尺寸爲可通過壓力配件 1 5 6。使用時，天線吸收其環境的熱。爲了將此熱散掉， 一冷卻劑通管的中心。 板150具有大致爲平面狀的表面160,其暴露至電漿 _______11 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __—__B7_ ' 五、發明説明（十） 室之一內部且包含面向離開室內部之一平行的外表面 162»板150的一凸緣部分164覆蓋在一環形磁鐵上’ 其環繞壁118內的切口且藉由接頭1 72附接至壁II8 ° 一 附接至支撐板150的鐵磁性嵌入物I74安裝在磁鐵I70上 以致於當板150安置在切口 152內時，鐵磁性嵌入物I74 和磁鐵170互相吸引以將板150固定在定位，而天線 延伸至室內部。 在離子來源之操作期間，熱會産生且此熱被壁 11 2,11 4, 11 6,11 8所吸收。所吸收的熱被一冷卻劑從室1 8 移走，該冷卻劑被引導通過一配件1 8 1以使水進入一通過 壁的通道，且熱被一第二出口配件（未示）由室移走。 在離子植入器的操作期間，靠近支撐板15〇的天線I30 之一區域特別容易塗覆噴濺的材料。在天線被嵌入支撐板 150之前，二罩180係插接於鋁天線之上。這些罩最佳爲 由鋁構成且藉由.在罩和天線13 0之暴露的鋁外表面之間的 摩擦配合維持於定位。 周於激勵天線130之較佳的電源供應器134在商業上 可由 Advanced Energy Inc. of Boston,Mass 取得。此電源 供應器提烘具有13.5百萬赫之頻率的信號且可供應3千 瓦之功率。 甶本發明之較佳實施例的上述說明，專精於此技術者 將_可思及其改良、變更及修飾之處》所有這些改良、變更 及修飾皆意圖涵蓋於附屬之申請專利範圍的精神或範疇 內。 t______12___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. A8 Βέ CB D8

   &、申請專利範圍 —種用於離子植入器中之離子源，該離子源包括： ..... 一 r~— a)—電漿室（18)，具有導電室壁（112,114,116)，其在導 電室壁所圍成的一室內部中係圍成一離子化區域（1 20)，該電 漿室包含一出口（126)以允許離子離開電漿室； b) —支撐件（1 5)，用於將該電漿室（1 8)相對於結構（1 3) 而安置，該結構（13)用以將離開該電漿室（18)的離子形成一離 子束（14); c) —供應源，係與該電漿室（1 8)相通以傳送一離子化 材料進入電漿室（18); d) —金屬天線（130)，包含一金屬表面（132)，其係暴 露於該室內部之內以發射能量進入電漿室（18)內；和 4 e)—能量源（Π4)，用於以一射頻信號激勵金；p天線 (130)以建立一交流電於該金屬天線（130)內，以在電漿室（18) 內靠近金屬天線（1 30)處感應一離子化電場。~ 〜 V2.如申請專利範圍第1項之離子源，其中天線（130)是由鋁製 成。 ^/3_如申請專利範圍第1項之離子源，其中天線（130)是厚壁金 屬管且又包括一冷卻劑源，其在一離子植入器（1 6)操作期間被 抽送通過該厚壁管。 \/4.如申請專利範圍第3項之離子源，其中厚壁金屬管包括一鋁 表面（1 32)，其被暴露至設立於電漿室（1 8)內之電漿。 v/5.如申請專利範圍第4項之離子源，其中金屬管之暴露部分 (132)形成一大致爲U形的鋁管。 如申請專利範圍第1項之離子源，又包括一可拆卸的支撐 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A8 Βέ CB D8

   &、申請專利範圍 —種用於離子植入器中之離子源，該離子源包括： ..... 一 r~— a)—電漿室（18)，具有導電室壁（112,114,116)，其在導 電室壁所圍成的一室內部中係圍成一離子化區域（1 20)，該電 漿室包含一出口（126)以允許離子離開電漿室； b) —支撐件（1 5)，用於將該電漿室（1 8)相對於結構（1 3) 而安置，該結構（13)用以將離開該電漿室（18)的離子形成一離 子束（14); c) —供應源，係與該電漿室（1 8)相通以傳送一離子化 材料進入電漿室（18); d) —金屬天線（130)，包含一金屬表面（132)，其係暴 露於該室內部之內以發射能量進入電漿室（18)內；和 4 e)—能量源（Π4)，用於以一射頻信號激勵金；p天線 (130)以建立一交流電於該金屬天線（130)內，以在電漿室（18) 內靠近金屬天線（1 30)處感應一離子化電場。~ 〜 V2.如申請專利範圍第1項之離子源，其中天線（130)是由鋁製 成。 ^/3_如申請專利範圍第1項之離子源，其中天線（130)是厚壁金 屬管且又包括一冷卻劑源，其在一離子植入器（1 6)操作期間被 抽送通過該厚壁管。 \/4.如申請專利範圍第3項之離子源，其中厚壁金屬管包括一鋁 表面（1 32)，其被暴露至設立於電漿室（1 8)內之電漿。 v/5.如申請專利範圍第4項之離子源，其中金屬管之暴露部分 (132)形成一大致爲U形的鋁管。 如申請專利範圍第1項之離子源，又包括一可拆卸的支撐 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 六、申請專利範圍 件以支撐在電漿室（1 8)內的天線（1 30)，該支撐件包括： (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) ―室壁（114)，包含一切口區域（152)，其允許天線（130) 從電漿室（18)外部的一區域延伸進入電漿室（18)之一內部；和 —金屬嵌入物（15 0)，用於支撐天線（130)且其尺寸可配合 於室壁（1 14)的切口區域（1 52)內，而將天線（130)之暴露金屬部 分（132)安置在一離子化區域（120)內靠近該天線（130)的暴露 金屬表面（1 3 2)。 \/7.—種用於離子植入器中之在一室內產生離子電漿的，方法’該 方法包括步驟有： a)提供具有導電室壁（11 2,11 4,1 16)之一電漿室（18)，其在 由導電室壁（1 12,1 14，1 16)所圍成的一室內部中係圍成一離子 化區域（120)，且更提供一出口（126)以允許在該室內部中所產 生的離子離開電漿室（18); b) 將該電漿室（18)相對於結構（13)而安置，該結構（13) 用以將離開該電漿室（1 8)的離子形成一離子束（1 4); c) 傳送一離子化材料進入電漿室（18); d) 安裝一金屬天線（1 3 0)，使得一暴露金屬表面（1 3 2)延伸 至該室內部之內以發射能量進入電漿室（18)內；且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 e) 以一射頻信號激勵金屬天線（1 30)，建立一交流電於該 金屬天線（130)內，其在電漿室（18)內靠近金屬天線（130)處感 應一離子化電場，用以產生係通過開口（126)而發射的離子電 漿以形成一離子束（14)。 \/ 8.如申請專利範圍第7項之方法，更包括在該室之一區域內遮 蔽該天線（130)的暴露金屬表面（132)之步驟，該區域易於因爲 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（ 210X297公董） A8 B8 C8 D8 S84495 六、申請專利範圍 材料噴濺在天線（130)上而受污染。 (許先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •n/ 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中安裝步驟包括之次步驟 爲在室（1 8)之一壁（1 1 4)內提供一切口區域（1 52)及將天線（1 3 0) 安裝至可裝配於壁（Π4)之切口區域（152)內的一嵌入物 (150)。 _ 〆]〇.如申請專利範圍第9項之方法，其中嵌入物（1 50)藉由一磁 鐵（170)而固定至室壁（1 14)，磁鐵（170)可吸引附接至壁（1 14) 或嵌入物（1 50)之一的一鐵磁性構件（1 74)。 νΧι.—種,包括： a) —離子植入室（17)，用於安置一或更多工件在一真空區 域內以用於工件之離子束處理； b) —離子源（12)，用於產生一離子電漿，其適於形成一離 子束（1 4)以在植入室（1 7)的真空區域內處理工件；該離子源（1 2) 包括導電室壁U 1 2,1 1 4,1 1 6)，其在一室內部圍成一離子化區域 (120)以形成一電漿室（18)，該電漿室（18)包含一壁（Π 6)且界 定一或更多出口（ 1 26)以允許離子離開電漿室（1 8); c)結構（21，22,26)，用於建立從離子源（12)至離子植入室（17) 之一真空束路徑，且用於在真空束路徑內形成離子束（14); 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 d) —支撐件（15)，用於相對於結構（21，22,26)而安置該電漿 室（1 8)，該結構（21,22,26)用以將離開該電漿室（18)之離子形成 一離子束（14); e) —供應源，係與該電漿室（1 8)相通以傳送一離子化材料進 入電漿室（18); f) —金屬天線（〗30)，包含一金屬表面（132)，其暴露於該室 私紙張尺度逋用十國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 Βδ S844S5 g88 ., 々、申請專利範圍 內部以發射能量進入電漿室（18)內：和 g)—能量源（134)，用於以一射頻信號激勵金屬天線（130) 以在該金屬天線（130)內建立一交流電’以於電漿室（18)內靠 近金屬天線（1 3 0)處感應一離子化電場。 \/l2.如申請專利範圍第11項之離子植入器，其中天線（130)包 含被支撐於電漿室（18)內之一 U形段。 \/l3.如申請專利範圍第Π項之離子植入器’其中天線（130)包 括被支撐於電漿室（18)內之一鋁U形段。^ II — —^! (請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度速用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） B84495 美國專利局受理專利申請案（簡譯文） 1 9 9 7年夕月曰 我，P.R. GRANT 在此證明以下附件之專利説明書及圖式確 實方$ 1 9 9 S年月日提出專利之申請，案號為 〇 8 / 说-44γ 。 美國專利局 P.R. GRANT