JP2008539595A - 傾斜プラズマドーピング - Google Patents
傾斜プラズマドーピング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008539595A JP2008539595A JP2008509065A JP2008509065A JP2008539595A JP 2008539595 A JP2008539595 A JP 2008539595A JP 2008509065 A JP2008509065 A JP 2008509065A JP 2008509065 A JP2008509065 A JP 2008509065A JP 2008539595 A JP2008539595 A JP 2008539595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- target
- plasma
- ions
- biasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 82
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005465 channeling Effects 0.000 claims description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 18
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
プラズマドーピング装置（１００）は、チャンバ（１０４）とドーパントガスからチャンバ内にイオンを発生させるプラズマ源（１６２）を含む。グレーティング（１５４）はチャンバ内に位置付けられる。ターゲット（１５０）を支持するプラテン（１４８）は、チャンバ内に位置付けられる。グレーティングおよびターゲットのうち少なくとも１つは、グレーティングから引き出されるドーパントイオンは非法線入射角でターゲットに衝突するよう方向付けられる。
【選択図】 図１
【選択図】 図１
Description
本願に使用するセクションの見出しは構成目的に過ぎず、本願に記載する主題を制限すると解釈すべきではない。
従来のビームラインイオン注入装置は、電界によりイオンを加速する。加速されたイオンは、注入のための所望のイオンを選択するようイオンの質量対電荷比に応じてフィルタリングされる。プラズマドーピングまたはプラズマ浸漬イオン注入（ＰＩＩＩ）は、ドーパントイオンを含むプラズマ中にターゲットを浸漬し、一連の負電圧パルスを使用してターゲットにバイアスをかける。ターゲットにかかる負のバイアスは、ターゲットの表面から電子を跳ね返し、それにより、正イオンのシースが生成される。正イオンのシースは、シース境界とターゲット表面との間に電界を生成する。電界は、ターゲットに向けてイオンを加速し、それによりターゲットの表面にイオンが注入される。
本発明の複数の態様は、添付図面とともに以下の説明を参照することによってより良好に理解されよう。図面中、同様の番号は様々な図面における同様の構造要素および特徴を示す。図面は必ずしも縮尺が測られているわけではない。当業者は、以下に説明する図面は、説明目的だけであることを理解しよう。図面はどのようにも本教示内容の範囲を制限することを意図しない。
本教示内容は、様々な実施形態および例とともに説明するが、本教示内容は、そのような実施形態に制限することを意図しない。むしろ、本教示内容は、当業者に理解されるように様々な代替案、変更、および等価物を包含する。
たとえば、本発明の方法および装置は、イオンビームエッチングおよび他の材料加工アプリケーションといった任意のイオンビームアプリケーションに適用でき、プラズマドーピングに限定されない。また、当業者は、本発明の装置および方法は、浅角ドーパントインプラントに限定されず、実際には、任意の非法線の入射角でドーパントイオンを注入するよう使用することができる。さらに、一部の実施形態は、傾斜されたグレーティングまたは傾斜されたターゲットに関連して説明する。当業者は、本発明の装置および方法は、グレーティングから引き出されたドーパントイオンが所望の非法線の入射角でターゲットに衝突する限り、多数の方向に位置付けられるターゲットおよびグレーティングを使用して実施できることを理解されよう。
本発明の方法の個々の工程は、本発明が実施可能である限り任意の順番でおよび／または同時に行われうることを理解すべきである。さらに、本発明の装置は、本発明が実施可能である限り任意の数のまたはすべての説明する実施形態を含むことができることを理解すべきである。
図１は、本発明による傾斜グレーティングを有するプラズマドーピング装置１００の1つの実施形態を示す。プラズマドーピング装置１００は、処理チャンバ１０４に取り付けられるプラズマ源１０２を含む。必要なドーパントイオン密度を生成する任意のプラズマ源を使用することができる。図１に示すプラズマ源１０２は、本譲受人に譲渡されている２００４年１２月２０日に出願し、「RF Plasma Source with Conductive Top Section」なる名称の米国特許出願番号第１０／９０５，１７２号により詳細に説明されるＲＦ誘導結合プラズマ源である。米国特許出願番号第１０／９０５，１７２号の明細書全体は本願に参照として組み込む。プラズマ源１０２は、任意の多数の他のタイプのプラズマ源でありうる。たとえば、プラズマ源１０２は、誘電結合プラズマ源、容量結合プラズマ源、トロイダルプラズマ源、ヘリコンプラズマ源、ＤＣプラズマ源、リモートプラズマ源、およびダウンストリームプラズマ源でありうる。
プラズマ源１０２は、水平方向に延在する誘電材料から形成される第１の部分１０６を含む。第２の部分１０８は、第１の部分１０６から垂直方向にある高さで延在する誘電材料から形成される。図１に示す実施形態では、第２の部分１０８は、円筒状に形成される。当業者は、第１の部分１０６は正確に水平方向に延在する必要はなく、また、第２の部分１０８は正確に垂直方向に延在する必要はないと解釈するであろうと理解する。
プラズマ源１０２の第１の部分１０６および第２の部分１０８の寸法は、プラズマ源１０２内に生成されるプラズマの均一性を向上するよう選択できる。一実施形態では、垂直方向における第２の部分１０８の高さと、水平方向における第２の部分１０８の長さの比は、１．５乃至５．５である。
第１の部分１０６および第２の部分１０８における誘電材料は、ＲＦアンテナからのＲＦ電力を、プラズマ源１０２内のプラズマに転送する媒体を供給する。一実施形態では、第１の部分１０６および第２の部分１０８を形成するよう使用される誘電材料は、ドーパントガスに対し化学的耐性を有し、また、良好な熱特性を有する高純度セラミック材料である。たとえば、一部の実施形態では、誘電材料は、９９．６％のＡｌ２Ｏ３またはＡｌＮである。他の実施形態では、誘電材料は、イットリアおよびＹＡＧである。
プラズマ源１０２の上部１１０は、水平方向に第２の部分１０８の上部にわたって延在する導電材料から形成される。一部の実施形態では、導電材料はアルミニウムである。上部１１０を形成するよう使用される材料は一般的に、ドーパントガスに対して科学的耐性を有するよう選択される。上部１１０を形成するよう使用される材料の導電率は、熱負荷の実質的な部分を放散し、また、二次電子放出によりもたらされる帯電効果を最小限にするのに十分に高いよう選択できる。
一実施形態では、上部１１０は、Ｃｈｅｍｒｚおよび／またはＫａｌｒｅｘ材料から形成されるＯリングといったフルオロカーボンポリマーから形成される高温ハロゲン耐性Ｏリングにより第２の部分１０８に結合される。上部１１０は一般的に、第２の部分１０８への圧迫を最小限にするが、第２の部分１０８に対して上部１１０を密閉するのに十分な圧迫を与えるよう第２の部分１０８に取り付けられる。
一部のプラズマドーピング処理は、二次電子放出によってプラズマ源１０２の内面に相当量の不均一分散された熱を生成する。不均一分散された熱は、プラズマ源１０２の内面に温度勾配をもたらし、この温度勾配はプラズマ源１０２内に複数の熱応力ポイントを引き起こすのに十分に高く、これは故障の原因となりうる。一部の実施形態では、上部１１０は、加工時に発生する熱負荷を放散するために上部１１０の温度を調整する冷却システムを含む。冷却システムは、冷却液源からの冷却液を循環させる上部１１０内にある冷却路１１２を含む流体冷却システムでありうる。
ＲＦアンテナは、プラズマ源１０２の第１の部分１０６および第２の部分１０８の少なくとも１つに近接して位置付けられる。図１に示すプラズマドーピング装置１００は、プラズマ源１０２の第１の部分１０６に隣接して位置付けられる平面コイルアンテナ１１４と、プラズマ源１０２の第２の部分１０８を取り囲むヘリカルコイルアンテナ１１６を示す。しかし、プラズマ源１０２は、多くの異なるアンテナ構造を有することができる。
平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうち少なくとも１つがアクティブアンテナである。「アクティブアンテナ」という用語は、本願では、電源により直接駆動されるアンテナとして定義する。すなわち、電源により生成される電圧は、アクティブアンテナに直接印加される。一部の実施形態では、平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうち少なくとも１つは、液体冷却ができるように形成される。平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうち少なくとも１つを冷却することによって、ＲＦアンテナ１１４、１１６を伝播するＲＦ電力によりもたらされる温度勾配を減少する。
一部の実施形態では、平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうち１つは、無給電アンテナである。「無給電アンテナ」という用語は、本願では、アクティブアンテナと電磁気的に連絡するが、電源には直接接続されないアンテナを意味するよう定義する。すなわち、無給電アンテナは、電源により直接励起されず、むしろアクティブアンテナにより励起される。本発明の一部の実施形態では、無給電アンテナの一端は、アンテナ調整機能を与えるために接地電位に電気接続される。この実施形態では、無給電アンテナは、無給電アンテナコイルにおける実効巻回数を変更するよう使用されるコイル調節器１１５を含む。メタルショートといった多数の異なるタイプのコイル調節器を使用することができる。
ＲＦ電源１１８は、平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうち少なくとも１つに電気接続される。ＲＦ電源１１８は、ＲＦ電源１１８からＲＦアンテナ１１４、１１６に転送される電力を最大限にするインピーダンスマッチングネットワーク１２０によりＲＦアンテナ１１４、１１６のうち少なくとも１つに電気結合される。インピーダンスマッチングネットワーク１２０の出力から平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６への破線は、インピーダンスマッチングネットワーク１２０の出力から平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうちのいずれかまたは両方に電気接続できることを示すよう図示する。
ガス源１２２は、比例弁１２４を介してプラズマ源１０２に結合される。一部の実施形態では、ガスバッフル１２６を使用してプラズマ源１０２内にガスを分散する。圧力ゲージ１２８は、プラズマ源１０２内の圧力を測定する。処理チャンバ１０４の排気口１３０は、処理チャンバ１０４を排気する真空ポンプ１３２に結合される。排気弁１３４が、排気口１３０を通る排気コンダクタンス（exhaust conductance）を制御する。ガス圧力制御器１３６は、比例弁１２４、圧力ゲージ１２８、および排気弁１３４に電気接続される。ガス圧力制御器１３６は、圧力ゲージ１２８に応答するフィードバックループにおいて、排気弁１３４を使用して排気コンダクタンスを制御することにより、また、比例弁１２４を使用してドーパントガス流量を制御することにより、プラズマ源１０２および処理チャンバ１０４内に所望の圧力を維持する。
一部の実施形態では、微量ガス種の比率制御は、一次ドーパントガス種を供給するドーパントガスと一列に結合される質量流量メータ（図示せず）により供給される。さらに一部の実施形態では、別個のガス注入手段（図示せず）を、その場で種を調整するために使用される。たとえば、適切なドーパントでドーピングされたシリコンを使用して、処理チャンバ１０４内に均一なコーティングを供給する。これは、汚染物質を減少する。さらに、一部の実施形態では、複数口ガス注入手段（図示せず）を使用してウエーハ全体にわたる変動をもたらす中性の化学効果を引き起こすガスを供給する。
一部の実施形態では、プラズマドーピング装置１００は、プラズマ点火器１３８を含む。多数のタイプのプラズマ点火器を、本発明のプラズマドーピング装置とともに使用することができる。一実施形態では、プラズマ点火器１３８は、アルゴン（Ａｒ）といった高度にイオン化可能なガスであり、プラズマの点火を支援するストライクガスのレザバ１４０を含む。レザバ１４０は、高コンダクタンスのガス接続１４２を使用してプラズマチャンバ１０４に結合される。バースト弁１４４が、レザバ１４０を処理チャンバ１０４から分離させる。別の実施形態では、ストライクガス源は、低コンダクタンスのガス接続を使用してバースト弁１４４に直接配管される。一部の実施形態では、レザバ１４０の一部は、制限コンダクタンスオリフィス１４６、または、最初の大流量バースト後にストライクガスの安定した流量を供給する計量弁によって分離される。
プラテン１４８は、プラズマ源１０２の上部１１０より下の高さにおいて処理チャンバ１０４内に位置付けられる。プラテン１４８は、イオン注入のために基板といったターゲット１５０を保持する。多くの実施形態において、ターゲット１５０は、プラテン１４８に電気接続される。図１に示す実施形態では、プラテン１４８は、プラズマ源１０２に対して平行である。しかし、本発明の他の実施形態では、プラテン１４８は、プラズマ源１０２に対して傾斜される。
一実施形態では、プラテン１４８は、可動ステージ１５２に機械結合される。一実施形態では、可動ステージ１５２は、少なくとも１つの方向においてターゲット１５０を走査する並進ステージである。一実施形態では、可動ステージ１５２は、ターゲット１５０をディザリングさせるディザ生成器、または、ターゲット１５０を振動させるオシレータである。一実施形態では、可動ステージ１５２は、ターゲット１５０を回転させる回転ステージである。並進、ディザリング、振動、および／または回転動作は、シャドーイング効果を減少または排除し、ターゲット１５０の表面に衝突するイオンビーム束の均一性を向上する。回転動作はさらに、多段ドーパントイオンインプラントを制御するよう使用することができる。
グレーティング１５４は、プラテン１４８の近傍に処理チャンバ１０４内に位置付けられる。「グレーティング」という用語は、本願において、プラズマ源１０２により発生されたプラズマに対する障壁を形成し、グレーティングに適切にバイアスがかけられるときにプラズマ内のイオンがその中を通り抜ける通路を画成する構造体として定義する。グレーティング１５４とプラテン１４８との間の領域１５６は、この領域１５６におけるイオン衝突数を減少するような寸法にすることができる。ターゲット１５０およびグレーティング１５４は、グレーティング１５４から引き出されたドーパントイオンが、所望の非法線入射角でターゲット１５０に衝突するよう共に方向付けられる。図１に示す実施形態では、グレーティング１５４は、所望の非ゼロ入射角で方向付けられる。
一実施形態では、グレーティング１５４は、非金属材料か、非金属材料で完全に被覆される金属材料から形成される。たとえば、グレーティング１５４は、ドープシリコン（多結晶、または、単結晶）、シリコンカーバイド、およびシリコン被覆されたアルミニウムから形成できる。このような材料は水素化物およびフッ化物の化学性質と良好に機能する。
グレーティング１５４は、図１に示すように直線形状か、または、図３に関連して説明するのこ歯形状といった多数の他の形状で形成することができる。一実施形態では、グレーティング１５４は、開口を有するグリッドである。別の実施形態では、グレーティング１５４は、スロットを画成する構造体である。さらに別の実施形態では、グレーティング１５４は、穴のあいたメッシュ構造体である。グレーティング１５４の充填比は、ターゲット１５０の表面において特定のイオン電流を実現する、または、グレーティング１５４とプラテン１４８との間の領域１５６内へのプラズマ範囲を制限するよう選択することができる。充填比はさらに、グレーティング１５４とプラテン１４８との間の領域１５６内にプラズマの形成を阻止するよう選択されうる。本願では、「充填比」という用語は、ドーパントイオンを通過させるグレーティング１５４の穴の開いている領域と、イオンを遮るグレーティング１５４の穴の開いていない領域との比を意味するよう定義する。
グレーティング１５４の面積は、一般的に、注入されるターゲット１５０の面積より大きいかまたは等しい。グレーティング１５４とターゲット１５０との間の領域１５６は、背景ドーパントガス分子との衝突により引き起こされる領域１５６におけるイオンの散乱を阻止するために、プラズマ源１０２より低い圧力にすることができる。グレーティング１５４とターゲット１５０との間の領域１５６はさらに、グレーティング１５４とターゲット１５０との間の領域１５６におけるプラズマの形成を阻止するために、プラズマ源１０２より低い圧力にすることができる。
一実施形態では、グレーティング１５４は、可動ステージ１５８に機械結合される。可動ステージ１５８は、グレーティング１５４をディザリングさせるディザ発生器、または、グレーティング１５４を振動させるオシレータでありうる。この実施形態では、可動ステージ１５８は、グレーティング１５４を、グレーティング１５４にあるスロットに対して垂直な方向にディザリングまたは振動させる。可動ステージ１５８は、グレーティング１５４が開口またはメッシュパターンを形成する場合は、グレーティング１５４を２方向にディザリングまたは振動させる。可動ステージ１５８は、グレーティング１５４を回転させる回転ステージでありうる。並進、ディザリング、振動、および／または回転動作は、シャドーイング効果を減少または排除し、ターゲットの表面に衝突するイオンビーム束の均一性を向上する。
バイアス電圧電源１６０は、プラズマ中のドーパントイオンがグレーティング１５４から引き出され、非法線入射角でターゲット１５０に衝突するようグレーティング１５４およびターゲット１５０のうち少なくとも１つにバイアスをかけるよう使用される。バイアス電圧電源１６０は、ＤＣ電源、パルス電源、またはＲＦ電源でありうる。バイアス電圧電源１６０の出力は、グレーティング１５４およびターゲット１５０のうち少なくとも１つに電気接続される。バイアス電圧電源１６０の出力からグレーティング１５４およびターゲット１５０への破線は、バイアス電圧電源１６０の出力からグレーティング１５４およびターゲット１５０のいずれかまたは両方に電気接続できることを示すよう図示する。
図１に示す実施形態では、バイアス電圧電源１６０の出力は、グレーティング１５４およびターゲット１５０が実質的に同じ電位であるようグレーティング１５４およびターゲット１５０の両方に電気接続される。この実施形態では、グレーティング１５４とターゲット１５０との間の領域１５６は、実質的に定電位であり、したがって、フィールドフリー領域である。しかし、当業者は、図１のプラズマドーピング装置は、多くの異なる可能なバイアス印加構造を有することを理解するであろう。
一実施形態では、電極１６２は、グレーティング１５４に近接して位置付けられる。電極１６２は、図１に示すようにグレーティング１５４に隣接して位置付けることができる。この実施形態では、電極１６２は、グレーティング１５４と同じ充填比とグレーティングパターンを有し、また、グレーティング１５４と電極１６２の両方をイオンが通過するようグレーティング１５４と位置合わせされる。電極１６２は、ターゲット１５０により発生される電子の少なくとも一部が電極１６２により吸収されるようグレーティング１５４と実質的に同じ電位でバイアスがかけられる。
一実施形態では、グレーティング１５４とターゲット１５０との間の領域１５６内に磁界を発生させるようグレーティング１５４およびターゲット１５０に近接して磁石または任意の磁界源が位置付けられる。磁界は、ターゲット１５０に近接する電子の少なくとも一部を捕獲する。
図２は、本発明による傾斜プラテン２０２を有するプラズマドーピング装置２００を示す。プラズマドーピング装置２００は、プラズマドーピング装置１００と同様であるが、グレーティング１５４は、プラズマ源１０２と平行に位置付けられ、プラテン２０２は、ターゲット１５０の表面がグレーティング１５４に対して所望の非ゼロ角度で位置付けられるよう設計される。別の実施形態では、グレーティング１５４は、プラズマ源１０２に対して非ゼロ角度で位置付けられ、プラテン２０２は、ターゲット１５０の表面がグレーティング１５４およびプラズマ源１０２の両方に対して非ゼロ角度で位置付けられるよう設計される。
プラテン２０２は、図１に関連して説明したように可動ステージ１５２と共に機械的に並進、ディザリング、振動、および／または回転されることができる。グレーティング１５４も、図１に関連して説明したように可動ステージ１５２と共に機械的に並進、ディザリング、振動、および／または回転されることができる。ターゲット１５０およびグレーティング１５４のうち少なくとも１つの並進、ディザリング、振動、および／または回転は、イオンシャドーイング効果を減少または排除することができ、したがって、ターゲット１５０の表面に衝突するイオン束の均一性を向上することができる。
図３は、本発明によるのこ歯形状のグレーティング３０２を有するプラズマドーピング装置３００の一実施形態を示す。開口またはスロットのサイズ、のこ歯パターンの角度３０４、および、のこ歯パターンの長さ３０６は、ターゲット１５０の表面に相対的に均一なイオン束が衝突するよう選択される。一実施形態では、のこ歯形状グレーティング３０２は、グレーティング３０２のイオンシャドーイング効果を最小限にするまたは排除するよう設計される。
のこ歯形状グレーティング３０２は、少なくとも１つの方向においてグレーティング３０２を走査する可動ステージ３０８に機械結合されうる。一実施形態では、可動ステージ３０８は、グレーティング３０２をディザリングさせるディザ発生器またはグレーティング３０２を振動させるオシレータである。この実施形態では、グレーティング３０２は、グレーティング３０２にあるスロットに対して垂直な方向にディザリングまたは振動される。グレーティング３０２は、グレーティングが開口またはメッシュパターンを形成する場合は、２方向にディザリングまたは振動される。一実施形態では、可動ステージ３０８は、グレーティング３０２を回転させる回転ステージである。並進、ディザリング、振動、および／または回転動作は、シャドーイング効果を減少または排除し、また、ターゲット１５０の表面に衝突するイオンビーム束の均一性を向上する。
図１−３に関連して説明したプラズマドーピング装置１００、２００、３００の動作は同様である。動作時、プラズマ源１０２は高い真空に排気される。次に、ドーパントガスは、比例弁１２４によりプラズマ源１０２内に注入され、真空ポンプ１３２により処理チャンバ１０４から排出される。一実施形態では、ドーパントガスは、プラズマ源１０２内に対称的に注入され、処理チャンバ１０４から対称的に押し出しされる。ガス圧力制御器１３６は、所望のドーパントガス流量および排気コンダクタンスのために所望のガス圧力を維持するよう使用される。
ＲＦ電源１１８は、ＲＦアンテナ１１４、１１６に供給されるＲＦ信号を生成する。一部の実施形態では、平面コイルアンテナ１１４およびヘリカルコイルアンテナ１１６のうちの１つは無給電アンテナであり、この無給電アンテナは、プラズマの均一性を向上するまたは最大にするよう調整される。一部の実施形態では、ＲＦ源１１８は、相対的に低周波のＲＦ信号を生成する。相対的に低周波のＲＦ信号を使用することは、静電結合を最小限にし、したがって、チャンバ壁のスパッタリング、および結果としてもたらされる汚れを減少する。たとえば、これらの実施形態において、ＲＦ電源１１８は、４００ｋＨｚ、２ＭＨｚ、４ＭＨｚ、または１３．５６ＭＨｚといった２７ＭＨｚより下のＲＦ信号を生成する。
ＲＦアンテナ１１４、１１６に供給されるＲＦ信号は、ＲＦアンテナ１１４、１１６内にＲＦ電流を生成する。ＲＦアンテナ１１４、１１６におけるＲＦ電流によって発生される電磁界は、第１の部分１０６を形成する誘電材料および第２の部分１０８を形成する誘電材料のうち少なく１つを介してプラズマ源１０２内に結合する。プラズマ源１０２内に発生される電磁界は、ドーパントガス分子を励起およびイオン化する。プラズマ点火は、少数の自由電子が一部のドーパントガス分子をイオン化するよう少数の自由電子が移動すると発生する。イオン化されたドーパントガス分子はより多くの自由電子を放出し、これらは、より多くのガス分子をイオン化する。イオン化工程は、プラズマ内にイオン化ガスと自由電子の安定状態が存在するまで続行する。
プラズマ点火は、ヘリウム中のジボラン（８５％Ｈｅ中の１５％Ｂ２Ｈ６）といった一部のドーパントガスでは困難である。このようなガスには、プラズマを点火するためにストライクガスを使用することが好適である。一実施形態では、アルゴン（Ａｒ）といったストライクガスが、バースト弁１４４を開閉することにより所定時に処理チャンバ１０４内に制御可能に導入される。バースト弁１４４は、ストライクガスの短い大流量バーストをプラズマ源１０２内に入れてプラズマの点火を支援する。
ＲＦ源１０２は、ＲＦアンテナ１１４、１１６内のＲＦ電流を共振させる。ＲＦアンテナ１１４、１１６内のＲＦ電流は、プラズマ源１０２内にＲＦ電流を発生させる。プラズマ源１０２内のＲＦ電流は、プラズマ源１０２内にプラズマを発生するようドーパントガスを励起およびイオン化する。プラズマは、グレーティング１５４、３０２によりプラズマチャンバ１０２内に制限される。
グレーティング１５４、３０２、およびターゲット１５０のうち少なくとも１つには、グレーティング１５４、３０２からドーパントイオンが引き出され、所望の非法線の入射角でターゲット１５０に衝突するようバイアスがかけられる。プラズマ中のイオンは、グレーティング１５４、３０２における開口またはスロットを通り加速される。グレーティング１５４、３０２とターゲット１５０との間の任意のプラズマは、非常に急速に消失する（背景ガスに依存する。この時間は、マイクロ秒からミリ秒の範囲で異なりうる）。バイアス電圧が消失すると、プラズマは、開口またはスロットを通り拡散し、ターゲット１５０の表面の少なくとも一部の電荷を中和する。
引き出されたドーパントイオンの大部分は、バイアス電圧とプラズマ電位の合計に略等しいエネルギーでターゲット１５０に衝突する。グレーティング１５４、３０２とターゲット１５０との間に存在する残留プラズマにいくらかの相対的に低エネルギーの熱イオンが存在しうる。これらのイオンは、グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０との間に捕獲され、一般的に、ターゲット１５０に衝突しない。イオンがターゲット１５０に衝突することによって発生される二次電子の多くは、イオンの正電位により吸収される。グレーティング１５４、３０２より上方の電子は、グレーティング１５４、３０２にかかる負電圧によって素早く跳ね返される。バイアス電圧が消失すると、プラズマは、スロットを通り拡散し、ターゲット１５０の表面の電荷を中和する。
非法線入射角は、特定の用途に対して調節することができる。たとえば、相対的に低い入射角は、無拡散アニーリング処理を使用するデバイスの一部のソースドレイン拡張インプラントに必要である。低から高の傾斜角度は、特定のデバイス構造に応じて、トレンチおよび障壁構造を有する一部のデバイス、および、ＦｉｎＦＥＴデバイスにサイド−ウォールドーピング（side-wall doping）を行うのに必要である。
非法線入射角はさらに、特定のイオン注入パラメータを実現するよう選択されうる。たとえば、非法線入射角は、ターゲット１５０におけるドーパントイオンの所定の横方向散乱（lateral straggle）を実現するよう選択することができる。さらに、非法線入射角は、ターゲット１５０においてドーパントイオンの所定のチャネリングを実現する、または、ターゲット１５０においてドーパントイオンのチャネリングを低減するよう選択することができる。
図１−３に示す実施形態では、グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０は、グレーティング１５４、３０２とターゲット１５０との間にフィールドフリー領域１５６を形成するよう同じ電位でバイアスがかけられる。他のバイアス構造も多くある。たとえば、グレーティング１５４、３０２は、ターゲット１５０に対してバイアスがかけられうる。さらに、グレーティング１５４、３０２とターゲット１５０は、時間的に同期でまたは非同期でバイアスがかけられうる。また、グレーティング１５４、３０２とターゲット１５０のうちの１つにバイアスをかけ、もう１つは浮遊電位でありうる。
一実施形態では、グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０のうち少なくとも１つは、パルス周波数でグレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０のうち少なくとも１つをパルシングすることによりバイアスがかけられる。グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０のうち少なくとも１つに機械結合される並進ステージ、オシレータ、および／またはディザ発生器といった可動ステージ１５２、１５８、３０８を含む実施形態では、バイアス電圧のパルス周波数は、可動ステージ１５２、１５８、３０８の走査速度、ディザ周波数、または振動周波数に比例するよう選択することができる。
グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０のうち少なくとも１つは、ターゲット１５０上のまたはターゲット１５０に近接する電荷を少なくとも部分的に中和する電位にバイアスがかけられうる。さらに、グレーティング１５４、３０２と、ターゲット１５０のうち少なくとも１つは、二次電子を含むようグレーティング１５４、３０２に対して正である電位にバイアスがかけられうる。また、グレーティング１５４、３０２は、ターゲット１５０上またはターゲット１５０に近接する電荷を少なくとも部分的に中和するよう周期的に接地されうる。
本発明によるプラズマドーピング方法は、相対的に高いスループットを有しうる。所望のイオン注入を実現するようグレーティング１５４、３０２、およびターゲット１５０にバイアスがかけられなければならない時は、一般的にターゲット１５０の寸法とは無関係である。さらに、本発明によるプラズマドーピング方法は、従来の低エネルギービームラインドーピングよりも、浅い接合をより経済的に且つ高効率で生成することができる。
図４は、グレーティング１５４、３０２の開口サイズを変更することの効果を示す引き出されたイオンのコンピュータシミュレーションを示す。グレーティング開口は、開口を通りグレーティング１５４、３０２とターゲット１５０との間のフィールドフリー領域内に入る電界の結果もたらされる引き出されたイオンの分散を阻止するために相対的に小さくなければならない。さらに、グレーティング開口は、プラズマからの電子の喪失を阻止するために相対的に小さくなければならない。
さらに、グレーティング開口は、ターゲット１５０の表面上への所望の衝突角度を維持するために相対的に小さくなければならない。一般的に、ターゲット１５０の表面上に衝突するイオンは、小さい角度分布を有する。これは、引き出されたイオンの軌道はグレーティング１５４の縁に沿って曲げられるからである。引き出されたイオンの軌道の屈曲は、一部の引き出されたイオンを、傾斜角度または所望の衝突角度とは異なる角度でターゲット１５０の表面に衝突させる。グレーティング１５４、３０２における開口のサイズを小さくすることにより、引き出されたイオンの角度分布を減少する。しかし、グレーティング１５４、３０２における開口のサイズを小さくするとイオン電流も低減する。
図４Ａは、プラズマシース厚さとほぼ同じ寸法のスロットまたは開口幅を有するグレーティング１５４、３０２を通過する引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション４００を示す。コンピュータシミュレーション４００は、引き出されたイオンの角度分布は約±１０度であることを示す。コンピュータシミュレーション４００は、プラズマシース厚さ以上のスロットおよび開口幅は、注入プロファイルを著しく変えてしまうのに十分に高い引き出しイオン角度分布を生成することを示す。
図４Ｂは、プラズマシース厚さの約半分のスロットまたは開口幅を有するグレーティング１５４、３０２を通過する引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション４０２を示す。コンピュータシミュレーション４０２は、引き出されたイオンの角度分布は約±４．５度であることを示す。１スロットまたは開口あたりの引き出しイオン電流は、スロットまたは開口の幅がプラズマシース厚さとほぼ同じ寸法である図４に示す１スロットまたは開口あたりの引き出しイオン電流より約２倍低い。しかし、グレーティング１５４、３０２から引き出される総イオン電流は、グレーティングの充填比に依存する。
図４Ｃは、プラズマシース厚さの約４分の１であるスロットまたは開口幅を有するグレーティング１５４、３０２を通過する引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション４０４を示す。このコンピュータシミュレーションは、引き出されたイオンの角度分布は約±２度であることを示す。１スロットまたは開口あたりの引き出しイオン電流は、スロットまたは開口の幅がプラズマシース厚さとほぼ同じ寸法である図４Ａに示す１スロットまたは開口あたりの引き出しイオン電流より約４倍低い。しかし、グレーティング１５４、３０２から引き出しされる総イオン電流は、グレーティングの充填比に依存する。
シース厚さは、プラズマ密度とバイアス電圧の関数である。シース厚さは、プラズマ密度が減少すると増加する。シース厚さは、バイアス電圧を増加しても増加する。したがって、所望の開口幅は、注入エネルギーを増加すると増加する。コンピュータシミュレーションによって、引き出されたイオンの１度の角度分布は、開口幅をシース幅の８分の１に減少し、また、相対的に低密度のプラズマ（ｎｅ＝２Ｘ１０９ｃｍ−３）を発生することによって実現できることが示されている。
図５は、２つの引き出しイオンビーム間の相互作用を示す引き出されたイオンのコンピュータシミュレーションを示す。図５Ａは、グレーティングスロットまたは開口幅と、２つの隣接するグレーティングスロットまたは開口間の分離は共に、１シース厚さに等しい引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション５００を示す。コンピュータシミュレーション５００は、１シース厚さに等しい２つの隣接スロットまたは開口間の分離は、２つの引き出しイオンビーム間で感知できるほどの相互作用がないことを示す。
図５Ｂは、スロットまたは開口幅と、２つの隣接するスロットまたは開口間の分離は共に、２分の１のシース厚さに等しい引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション５０２を示す。コンピュータシミュレーション５０２は、２分の１のシース厚さに等しい２つの隣接スロットまたは開口間の分離は、２つの引き出しイオンビーム間で感知できるほどの相互作用がないことを示す。
図５Ｃは、スロットまたは開口幅と、２つの隣接するスロットまたは開口間の分離は共に、８分の１のシース厚さに等しい引き出されたイオンのコンピュータシミュレーション５０４を示す。コンピュータシミュレーション５０４は、８分の１のシース厚さに等しい２つの隣接スロットまたは開口間の分離は、２つの引き出しイオンビーム間で感知できるほどの相互作用がないことを示す。０．５の充填比を有する８分の１のシース厚さに等しいスロットまたは開口幅を使用することによって、約±１度（ｎｅ＝２Ｘ１０９ｃｍ−３の場合）である相対的に低い角度分布と、相対的に均一なイオン束がもたらされる。
等価物
本教示内容は、様々な実施形態および例に関連して説明したが、本教示内容はそのような実施形態に限定されることを意図しない。むしろ、本教示内容は、当業者に理解されるように様々な代替案、変更、および等価物を包含し、これらは、請求項により定義する本発明の精神および範囲から逸脱することなく行いうる。
本教示内容は、様々な実施形態および例に関連して説明したが、本教示内容はそのような実施形態に限定されることを意図しない。むしろ、本教示内容は、当業者に理解されるように様々な代替案、変更、および等価物を包含し、これらは、請求項により定義する本発明の精神および範囲から逸脱することなく行いうる。
Claims (38)
- 一のチャンバと、
一のフィードガスから前記チャンバ内に複数のイオンを発生させる一のプラズマ源と、
前記チャンバ内に位置付けられる一のグレーティングと、
前記チャンバ内に位置付けられる一の素材を支持する一のプラテンと、
を含み、
前記グレーティングは、前記グレーティングを通り引き出される複数のイオンが一の非法線入射角で前記素材に衝突するよう方向付けられる、プラズマ処理装置。 - 前記グレーティングおよび前記素材のうち少なくとも１つに電気接続される一の出力を有する一の電源をさらに含み、
前記電源は、プラズマにおける複数のイオンが前記グレーティングを通り引き出され、前記非法線入射角で前記素材に衝突するよう前記グレーティングおよび前記素材のうち少なくとも１つにバイアスをかける請求項１に記載の装置。 - 一のチャンバと、
一のドーパントガスから前記チャンバ内に複数のイオンを発生させる一のプラズマ源と、
前記チャンバ内に位置付けられる一のグレーティングと、
前記チャンバ内に位置付けられる一のターゲットを支持する一のプラテンと、
を含み、
前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つは、前記グレーティングから引き出される複数のドーパントイオンが一の非法線入射角で前記ターゲットに衝突するよう方向付けられる、プラズマドーピング装置。 - 前記プラズマ源は、一の誘電結合プラズマ源、一の容量結合プラズマ源、一のトロイダルプラズマ源、一のヘリコンプラズマ源、一のＤＣプラズマ源、一のリモートプラズマ源、および一のダウンストリームプラズマ源のうち少なくとも１つを含む請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングは、のこ歯形状に形成される請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングは、前記複数のイオンを通過させる複数の開口、複数のスロット、および一のメッシュのうち少なくとも１つを画成する請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングの面積は、前記ターゲットの面積より大きいかまたは前記ターゲット面積と等しい請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットは、同じ電位にある請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングは、一の非金属材料、および、一の非金属材料により被覆された一の金属材料のうち少なくとも１つから形成される請求項３に記載の装置。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つに電気接続される一の出力を有する一の電源をさらに含み、
前記電源は、プラズマにおける複数のドーパントイオンが前記グレーティングから引き出され、前記非法線入射角で前記ターゲットに衝突するよう前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つにバイアスをかける請求項３に記載の装置。 - 前記電源は、一のＤＣ電源、一のパルス電源、および一のＲＦ電源のうち少なくとも１つを含む請求項１０に記載の装置。
- 前記グレーティングに近接して位置付けられる一の電極をさらに含み、
前記電極は、前記ターゲットにより発生される複数の電子の少なくとも一部が前記電極により吸収されるよう前記グレーティングと実質的に同じ電位である請求項３に記載の装置。 - 前記ターゲットに結合される一の並進ステージをさらに含み、
前記並進ステージは、少なくとも１つの方向に前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つを走査する請求項３に記載の装置。 - 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つに機械結合される少なくとも１つのオシレータをさらに含み、
前記少なくとも１つのオシレータは、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つを、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうちのもう１つに対してディザリングする請求項３に記載の装置。 - 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つに結合される少なくとも１つの回転ステージをさらに含み、
前記少なくとも１つの回転ステージは、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つを、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうちのもう１つに対して回転する請求項３に記載の装置。 - 前記グレーティングに隣接して位置付けられる一の第２のグレーティングをさらに含む請求項３に記載の装置。
- 一のドーパントガスから一のチャンバ内に複数のドーパントイオンを含む一のプラズマを発生させる工程と、
一のターゲットおよび一のグレーティングのうち少なくとも１つを、前記グレーティングから引き出される前記複数のドーパントイオンが一の非法線入射角で前記ターゲットに衝突するよう方向付ける工程と、
を含む傾斜プラズマドーピング方法。 - 前記非法線入射角は、前記ターゲットにおいて複数のドーパントイオンの一の所定の横方向散乱を実現するよう選択される請求項１７に記載の方法。
- 前記非法線入射角は、前記ターゲットへの複数のドーパントイオンのチャネリングを低減するよう選択される請求項１７に記載の方法。
- 複数のドーパントイオンが前記グレーティングから引き出され、前記非法線入射角で前記ターゲットに衝突するよう前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つにバイアスをかける工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つにバイアスをかける工程は、前記ターゲットに対して前記グレーティングにバイアスをかける工程を含む請求項２０に記載の方法。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち前記少なくとも１つにバイアスをかける工程は、
前記グレーティングおよび前記ターゲットのうちの１つにバイアスをかける工程と、
前記グレーティングおよび前記ターゲットのうちのもう１つを浮遊させる工程と、
を含む請求項２０に記載の方法。 - 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち前記少なくとも１つにバイアスをかける工程は、前記グレーティングおよび前記ターゲットに時間的に同期でバイアスをかける工程を含む請求項２０に記載の方法。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち前記少なくとも１つにバイアスをかける工程は、前記グレーティングおよび前記ターゲットに時間的に非同期でバイアスをかける工程を含む請求項２０に記載の方法。
- 前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち前記少なくとも１つにバイアスをかける工程は、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つに一のパルス周波数でパルシングする工程を含む請求項２０に記載の方法。
- 前記パルス周波数は、前記グレーティングおよび前記ターゲットのうち少なくとも１つの一の走査速度に比例する請求項２５に記載の方法。
- 前記ターゲット上または前記ターゲットに近接する電荷を少なくとも部分的に中和する一の電位となるよう前記グレーティングに周期的にバイアスをかける工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲットにより発生される複数の二次電子を含むために前記グレーティングに対して正である一の電位で前記ターゲットにバイアスをかける工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲット上または前記ターゲットに近接する電荷を少なくとも部分的に中和するよう接地電位で前記グレーティングを周期的に接地する工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 接地電位における一の電位を有する一の表面を使用して前記ターゲットにより発生される複数の電子を吸収する工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲットに近接して置かれる複数の電子の少なくとも一部を捕獲するよう前記グレーティングと前記ターゲットとの間の一の領域内に一の磁界を印加する工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲットに衝突する前記ドーパントイオンの均一性を向上するために、少なくとも１つの方向において、前記ターゲットおよび前記グレーティングのうち少なくとも１つを前記ターゲットおよび前記グレーティングのうちのもう１つに対して並進させる工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲットに衝突する前記ドーパントイオンの均一性を向上するために、前記ターゲットおよび前記グレーティングのうち少なくとも１つを前記ターゲットおよび前記グレーティングのうちのもう１つに対して回転させる工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 一の多段ドーパントイオン注入を制御するよう前記ターゲットおよび前記グレーティングのうち少なくとも１つを前記ターゲットおよび前記グレーティングのうちのもう１つに対して回転させる工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記ターゲットおよび前記グレーティングのうち少なくとも１つをディザリングする工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記第１のグレーティングに隣接する一の第２のグレーティングを、前記第２のグレーティングから引き出される複数のドーパントイオンが前記非法線入射角で前記ターゲットに衝突するよう方向付ける工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
- 前記第２のグレーティングの一の電位は、前記グレーティングの一の電位と異なる請求項３６に記載の方法。
- 一のチャンバ内に位置付けられる一のプラテン上に一のデバイスを位置付ける工程と、
一のドーパントガスから前記チャンバ内に複数のドーパントイオンを含む一のプラズマを発生させる工程と、
前記デバイスと一のグレーティングのうち少なくとも１つを、前記グレーティングから引き出される前記複数のドーパントイオンが一の非法線入射角で前記デバイスに衝突するよう方向付ける工程と、
前記プラズマにおける複数のドーパントイオンが前記グレーティングから引き出され、前記非法線入射角で前記デバイスに衝突するよう前記グレーティングおよび前記デバイスのうち少なくとも１つにバイアスをかける工程と、
を含むトレンチサイドウォールドーピング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/908,009 US20060236931A1 (en) | 2005-04-25 | 2005-04-25 | Tilted Plasma Doping |
| PCT/US2006/015736 WO2006116459A1 (en) | 2005-04-25 | 2006-04-25 | Tilted plasma doping |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008539595A true JP2008539595A (ja) | 2008-11-13 |
Family
ID=36832932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008509065A Pending JP2008539595A (ja) | 2005-04-25 | 2006-04-25 | 傾斜プラズマドーピング |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060236931A1 (ja) |
| JP (1) | JP2008539595A (ja) |
| KR (1) | KR20080002957A (ja) |
| CN (1) | CN101167155A (ja) |
| TW (1) | TW200710960A (ja) |
| WO (1) | WO2006116459A1 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541249A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | プラズマ処理装置内の電荷中和 |
| KR20110135871A (ko) * | 2009-04-03 | 2011-12-19 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2012523123A (ja) * | 2009-04-03 | 2012-09-27 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマシース工学を利用した、向上したエッチングおよび堆積プロフィール制御 |
| JP2013511817A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-04 | コリア エレクトロテクノロジー リサーチ インスティテュート | プラズマ浸漬イオンを用いた加工装置及び方法 |
| JP2013516071A (ja) * | 2009-12-23 | 2013-05-09 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマシース変調によるワークピースのパターニング |
| JP2014529166A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-10-30 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 三次元イオン処理装置及び方法 |
| JP2016029642A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-03-03 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 中空陰極放電（ｈｃｄ）を抑制する容量結合プラズマ電極およびガス分配フェースプレート |
| JP2016524787A (ja) * | 2013-05-09 | 2016-08-18 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． | プラズマ処理システム内の真空シールを保護するためのシステムおよび方法 |
| JP2016540360A (ja) * | 2013-09-07 | 2016-12-22 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 動電極プラズマシステム |
| JP2018507514A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-15 | エムケイエス インストゥルメンツ， インコーポレイテッド | 自己共振装置を備えたプラズマ点火装置および方法 |
| JP2018517229A (ja) * | 2015-03-27 | 2018-06-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 傾斜イオンビームのためのマルチアパーチャ引き出しシステム |
| JP2020521322A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | トタル ソシエテ アノニムＴｏｔａｌ Ｓａ | パターン構造加工のための装置と方法 |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040149219A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-08-05 | Tomohiro Okumura | Plasma doping method and plasma doping apparatus |
| EP1630849B1 (en) * | 2004-08-27 | 2011-11-02 | Fei Company | Localized plasma processing |
| US7524743B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal doping apparatus and method |
| US20070084564A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal doping apparatus and method |
| US20070170867A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Immersion Ion Source With Low Effective Antenna Voltage |
| US20070224840A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method of Plasma Processing with In-Situ Monitoring and Process Parameter Tuning |
| US7667208B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-02-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for confining secondary electrons in plasma-based ion implantation |
| US20080132046A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping With Electronically Controllable Implant Angle |
| US20080169183A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Source with Liner for Reducing Metal Contamination |
| US7820533B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-step plasma doping with improved dose control |
| US20080204795A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data transmission apparatus and method of controlling the same and method of processing data to be printed onto a printable medium |
| WO2008123391A2 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-16 | Panasonic Corporation | Apparatus and method for plasma doping |
| US20090004836A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
| US9123509B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
| US20090008577A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal Doping Using High Neutral Density Plasma Implant |
| US20090017229A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Processing System Platen having a Variable Thermal Conductivity Profile |
| US20090104761A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping System With Charge Control |
| US20090104719A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping System with In-Situ Chamber Condition Monitoring |
| KR100919763B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2009-10-07 | 성균관대학교산학협력단 | 중성빔을 이용한 기판 표면의 조성 혼입 장치 및 방법 |
| US7586100B2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Closed loop control and process optimization in plasma doping processes using a time of flight ion detector |
| US7723219B2 (en) * | 2008-02-22 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition |
| US20090227096A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method Of Forming A Retrograde Material Profile Using Ion Implantation |
| KR100999588B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-12-08 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US7927986B2 (en) * | 2008-07-22 | 2011-04-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation with heavy halogenide compounds |
| JP2010050188A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | プラズマドーピング装置 |
| US20100048018A1 (en) * | 2008-08-25 | 2010-02-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Doped Layers for Reducing Electromigration |
| US8142607B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation |
| US8623171B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-01-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US9111729B2 (en) | 2009-12-03 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
| US9190289B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
| US8778603B2 (en) * | 2010-03-15 | 2014-07-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for modifying substrate relief features using ion implantation |
| US8877654B2 (en) * | 2010-04-15 | 2014-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Pulsed plasma to affect conformal processing |
| US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US8999104B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for separate plasma source control |
| US9155181B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US9449793B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
| US8435727B2 (en) * | 2010-10-01 | 2013-05-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for modifying photoresist using electromagnetic radiation and ion implantation |
| US8716682B2 (en) * | 2011-04-04 | 2014-05-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple slot ion implantation |
| US20120263887A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique and apparatus for ion-assisted atomic layer deposition |
| US10049881B2 (en) * | 2011-08-10 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selective nitridation process |
| US9177762B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing |
| US10283325B2 (en) | 2012-10-10 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US9297063B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-03-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma potential modulated ion implantation system |
| JP6271235B2 (ja) | 2013-01-24 | 2018-01-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | フィンｆｅｔの製造方法およびデバイスの製造方法 |
| CN105122419B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-08-01 | 星火工业有限公司 | 用于在等离子体离子源腔室中产生等离子体离子源的装置和方法 |
| US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| US9293301B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-03-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In situ control of ion angular distribution in a processing apparatus |
| US9589769B2 (en) * | 2014-07-09 | 2017-03-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for efficient materials use during substrate processing |
| US20170178866A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for time modulated extraction of an ion beam |
| CN106093094B (zh) * | 2016-07-19 | 2019-07-23 | 西安交通大学 | 一种介质材料的二次电子能谱测量装置及测量方法 |
| CA3111285A1 (en) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | The Heart Research Institute Ltd | Plasma polymerisation apparatus |
| JP7447118B2 (ja) | 2018-12-17 | 2024-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 光学装置製造のためのイオンビーム源 |
| US20210020405A1 (en) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | Tokyo Electron Limited | Equipment and methods for plasma processing |
| KR102537241B1 (ko) * | 2021-02-18 | 2023-05-26 | (주)엘오티씨이에스 | 배기가스 처리용 유도결합 플라즈마 장치 및 이의 임피던스 매칭 방법 |
| CN115376873A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 离子源装置及其使用方法和真空处理系统 |
| CN115376870A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子密度可调的离子源装置 |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3376921D1 (en) * | 1982-09-10 | 1988-07-07 | Nippon Telegraph & Telephone | Ion shower apparatus |
| JPS5969142A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Toshiba Corp | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| US4828369A (en) * | 1986-05-28 | 1989-05-09 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Electrochromic device |
| JP2537210B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1996-09-25 | 株式会社東芝 | 高密度プラズマの発生装置 |
| US4861729A (en) * | 1987-08-24 | 1989-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of doping impurities into sidewall of trench by use of plasma source |
| US5080772A (en) * | 1990-08-24 | 1992-01-14 | Materials Research Corporation | Method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate |
| US5279669A (en) * | 1991-12-13 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions |
| US5212580A (en) * | 1992-02-12 | 1993-05-18 | High Yield Technology | Low cost stage for raster scanning of semiconductor wafers |
| US5330800A (en) * | 1992-11-04 | 1994-07-19 | Hughes Aircraft Company | High impedance plasma ion implantation method and apparatus |
| GB9405442D0 (en) * | 1994-03-19 | 1994-05-04 | Applied Vision Ltd | Apparatus for coating substrates |
| US5551982A (en) * | 1994-03-31 | 1996-09-03 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating |
| US5449920A (en) * | 1994-04-20 | 1995-09-12 | Northeastern University | Large area ion implantation process and apparatus |
| JP3339200B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | プラズマ発生装置、プラズマ加工方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5711812A (en) * | 1995-06-06 | 1998-01-27 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for obtaining dose uniformity in plasma doping (PLAD) ion implantation processes |
| JP3186066B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2001-07-11 | フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | イオンの広範囲注入のためのイオン源 |
| US5702573A (en) * | 1996-01-29 | 1997-12-30 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for improved low pressure collimated magnetron sputter deposition of metal films |
| US7118996B1 (en) * | 1996-05-15 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for doping |
| US5897363A (en) * | 1996-05-29 | 1999-04-27 | Micron Technology, Inc. | Shallow junction formation using multiple implant sources |
| DE19621874C2 (de) * | 1996-05-31 | 2000-10-12 | Karlsruhe Forschzent | Quelle zur Erzeugung von großflächigen, gepulsten Ionen- und Elektronenstrahlen |
| US5911832A (en) * | 1996-10-10 | 1999-06-15 | Eaton Corporation | Plasma immersion implantation with pulsed anode |
| US6692617B1 (en) * | 1997-05-08 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc. | Sustained self-sputtering reactor having an increased density plasma |
| JP3599564B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン流形成方法及び装置 |
| JPH1116858A (ja) * | 1997-06-21 | 1999-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 |
| US6083363A (en) * | 1997-07-02 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing |
| JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6200441B1 (en) * | 1997-08-27 | 2001-03-13 | Western Digital Corporation | Multiple station vacuum deposition apparatus for texturing a substrate using a scanning beam |
| US6521081B2 (en) * | 1997-12-05 | 2003-02-18 | Tegal Corporation | Deposition shield for a plasma reactor |
| US6269765B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-08-07 | Silicon Genesis Corporation | Collection devices for plasma immersion ion implantation |
| US6051073A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-18 | Silicon Genesis Corporation | Perforated shield for plasma immersion ion implantation |
| US6113735A (en) * | 1998-03-02 | 2000-09-05 | Silicon Genesis Corporation | Distributed system and code for control and automation of plasma immersion ion implanter |
| US6182603B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
| US6117279A (en) * | 1998-11-12 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition |
| US6231933B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-05-15 | Primaxx, Inc. | Method and apparatus for metal oxide chemical vapor deposition on a substrate surface |
| US6182604B1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-02-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Hollow cathode for plasma doping system |
| US6433553B1 (en) * | 1999-10-27 | 2002-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for eliminating displacement current from current measurements in a plasma processing system |
| US20010046566A1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-11-29 | Chu Paul K. | Apparatus and method for direct current plasma immersion ion implantation |
| US6875700B2 (en) * | 2000-08-29 | 2005-04-05 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Ion-Ion plasma processing with bias modulation synchronized to time-modulated discharges |
| JP2002289584A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 表面処理方法 |
| JP4073174B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2008-04-09 | 株式会社荏原製作所 | 中性粒子ビーム処理装置 |
| SG126681A1 (en) * | 2001-07-25 | 2006-11-29 | Inst Data Storage | Oblique deposition apparatus |
| US20030079688A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Walther Steven R. | Methods and apparatus for plasma doping by anode pulsing |
| US6716727B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-04-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system |
| US20030101935A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-05 | Walther Steven R. | Dose uniformity control for plasma doping systems |
| JP3713683B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2005-11-09 | 住友イートンノバ株式会社 | イオンビームの質量分離フィルタとその質量分離方法及びこれを使用するイオン源 |
| US20040016402A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Walther Steven R. | Methods and apparatus for monitoring plasma parameters in plasma doping systems |
| US20050205211A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-22 | Vikram Singh | Plasma immersion ion implantion apparatus and method |
| US8058156B2 (en) * | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
| KR100851901B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 이온 빔 추출장치 |
| US7524743B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-04-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conformal doping apparatus and method |
| US7812321B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-10-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
| US7767986B2 (en) * | 2008-06-20 | 2010-08-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
| US8466431B2 (en) * | 2009-02-12 | 2013-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes |
-
2005
- 2005-04-25 US US10/908,009 patent/US20060236931A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-25 TW TW095114685A patent/TW200710960A/zh unknown
- 2006-04-25 KR KR1020077026358A patent/KR20080002957A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-04-25 CN CNA2006800137760A patent/CN101167155A/zh active Pending
- 2006-04-25 WO PCT/US2006/015736 patent/WO2006116459A1/en active Application Filing
- 2006-04-25 JP JP2008509065A patent/JP2008539595A/ja active Pending
-
2008
- 2008-08-28 US US12/200,178 patent/US20080317968A1/en not_active Abandoned
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541249A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | プラズマ処理装置内の電荷中和 |
| KR101707563B1 (ko) * | 2009-04-03 | 2017-02-16 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 플라즈마 처리 장치 |
| KR20110135871A (ko) * | 2009-04-03 | 2011-12-19 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2012523122A (ja) * | 2009-04-03 | 2012-09-27 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマ処理装置 |
| JP2012523123A (ja) * | 2009-04-03 | 2012-09-27 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマシース工学を利用した、向上したエッチングおよび堆積プロフィール制御 |
| KR101811790B1 (ko) * | 2009-04-03 | 2017-12-22 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2013511817A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-04 | コリア エレクトロテクノロジー リサーチ インスティテュート | プラズマ浸漬イオンを用いた加工装置及び方法 |
| JP2013516071A (ja) * | 2009-12-23 | 2013-05-09 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマシース変調によるワークピースのパターニング |
| JP2014529166A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-10-30 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 三次元イオン処理装置及び方法 |
| JP2016524787A (ja) * | 2013-05-09 | 2016-08-18 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． | プラズマ処理システム内の真空シールを保護するためのシステムおよび方法 |
| JP2016540360A (ja) * | 2013-09-07 | 2016-12-22 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 動電極プラズマシステム |
| JP2016029642A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-03-03 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 中空陰極放電（ｈｃｄ）を抑制する容量結合プラズマ電極およびガス分配フェースプレート |
| JP2018507514A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-15 | エムケイエス インストゥルメンツ， インコーポレイテッド | 自己共振装置を備えたプラズマ点火装置および方法 |
| JP2020115468A (ja) * | 2015-02-06 | 2020-07-30 | エムケイエス インストゥルメンツ， インコーポレイテッド | 自己共振装置を備えたプラズマ点火装置および方法 |
| JP2018517229A (ja) * | 2015-03-27 | 2018-06-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 傾斜イオンビームのためのマルチアパーチャ引き出しシステム |
| JP2020521322A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | トタル ソシエテ アノニムＴｏｔａｌ Ｓａ | パターン構造加工のための装置と方法 |
| JP7335815B2 (ja) | 2017-05-19 | 2023-08-30 | トタルエネルジ エスウ | パターン構造加工のための装置と方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080002957A (ko) | 2008-01-04 |
| TW200710960A (en) | 2007-03-16 |
| WO2006116459A1 (en) | 2006-11-02 |
| CN101167155A (zh) | 2008-04-23 |
| US20060236931A1 (en) | 2006-10-26 |
| US20080317968A1 (en) | 2008-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008539595A (ja) | 傾斜プラズマドーピング | |
| US20080132046A1 (en) | Plasma Doping With Electronically Controllable Implant Angle | |
| US7524743B2 (en) | Conformal doping apparatus and method | |
| JP5745843B2 (ja) | 強化された電荷中和及びプロセス制御を具えたプラズマ処理装置 | |
| CN103109342B (zh) | 用于等离子体处理衬底的技术 | |
| US6902683B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US6197151B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| TWI423735B (zh) | 具有導電性頂端區域之射頻電漿源 | |
| US20070084564A1 (en) | Conformal doping apparatus and method | |
| US7326937B2 (en) | Plasma ion implantation systems and methods using solid source of dopant material | |
| US7820533B2 (en) | Multi-step plasma doping with improved dose control | |
| JP2012523120A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2006063035A2 (en) | Plasma ion implantation system with axial electrostatic confinement | |
| KR102565876B1 (ko) | 반도체 프로세싱 시스템, 및 작업물 내로 이온들을 주입하는 방법, 작업물을 프로세싱하는 방법, 작업물을 에칭하는 방법, 및 작업물 상에 재료를 증착하는 방법 | |
| TWI428965B (zh) | 電漿摻雜設備與共形電漿摻雜方法 | |
| JP2010532919A5 (ja) | ||
| US8877654B2 (en) | Pulsed plasma to affect conformal processing |