JPS63303075A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- JPS63303075A JPS63303075A JP62138772A JP13877287A JPS63303075A JP S63303075 A JPS63303075 A JP S63303075A JP 62138772 A JP62138772 A JP 62138772A JP 13877287 A JP13877287 A JP 13877287A JP S63303075 A JPS63303075 A JP S63303075A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に感光ドラム等
の筒状構造物に膜形成等のプラズマ処理を行なうのに好
適な、コンパクトで、異物発生率が低く、かつ、高処理
効率で、膜質の均一性も高いマイクロ波プラズマ処理装
置に関する。
の筒状構造物に膜形成等のプラズマ処理を行なうのに好
適な、コンパクトで、異物発生率が低く、かつ、高処理
効率で、膜質の均一性も高いマイクロ波プラズマ処理装
置に関する。
従来の有磁界のマイクロ波プラズマ処理装置は、大別し
てつぎの２つの方式に分けられる。
てつぎの２つの方式に分けられる。
（１）特開昭５６−１５５５３５号公報に記載のように
、プラズマ生成室の外側に磁界発生部があり、ここで作
り出されたプラズマ流を、磁力線方向にほぼ垂直に位置
させた被処理面にあてる方式のもの。
、プラズマ生成室の外側に磁界発生部があり、ここで作
り出されたプラズマ流を、磁力線方向にほぼ垂直に位置
させた被処理面にあてる方式のもの。
（２）特開昭５８−１２５８２０号公報に記載のように
、真空容器外側に磁界発生部を有し、磁力線方向にほぼ
平行に位置させた被処理面にプラズマをあてる方式のも
の。
、真空容器外側に磁界発生部を有し、磁力線方向にほぼ
平行に位置させた被処理面にプラズマをあてる方式のも
の。
前述のどちらの方式においても、磁界発生部は真空容器
の外側に配置されていたので、磁界の利用効率を高めた
り、装置の小型化をはかつたりすることが難かしかった
。
の外側に配置されていたので、磁界の利用効率を高めた
り、装置の小型化をはかつたりすることが難かしかった
。
上記従来技術では、真空容器内にプラズマ発生に必要な
磁界を発生させるために、真空容器外側に磁界発生用コ
イルや永久磁石を設置しているので、発生磁界の有効利
用がはかれず、多くの１を流をコイルに供給したり、磁
石を大型化したりして発生磁界を強大にする必要があり
、このために。
磁界を発生させるために、真空容器外側に磁界発生用コ
イルや永久磁石を設置しているので、発生磁界の有効利
用がはかれず、多くの１を流をコイルに供給したり、磁
石を大型化したりして発生磁界を強大にする必要があり
、このために。
被プラズマ処理物の寸法や面積に比較して、処理装置の
体積や占有床面積が太き（なる問題があった。
体積や占有床面積が太き（なる問題があった。
また、上記従来技術では、反応ガスや堆積種の真空容器
内の分布の制御については配慮されておらず、容器内全
体に余分な反応ガスや堆積種が満たされるため、所望の
被処理物面のみならず、容器内壁面にも膜形成が行なわ
れ、このフレーク等による異物発生の問題、メンテナン
スの頻度が多くなる問題、および余分の反応ガスを排気
するために大きな排気系が必要となる問題などがあった
。
内の分布の制御については配慮されておらず、容器内全
体に余分な反応ガスや堆積種が満たされるため、所望の
被処理物面のみならず、容器内壁面にも膜形成が行なわ
れ、このフレーク等による異物発生の問題、メンテナン
スの頻度が多くなる問題、および余分の反応ガスを排気
するために大きな排気系が必要となる問題などがあった
。
これに加えて、感光ドラム等の円筒構造物の処理を行な
う際には、ざらにつぎのような問題があった。
う際には、ざらにつぎのような問題があった。
特開昭５６−１５５５３５号公報記載の方式では、円筒
構造物の周囲に十分なガス流通空間を確保して、形成膜
の堆積分布あるいはガス流れを均一化すると共に、真空
引きを容易にするために、円筒構造物の寸法よりも大幅
に大きい真空容器径が必要となり、装置を著しく大きく
しなければならないのみならず、一時には被処理面の一
部しか処理されないため、処理時間が長くなる。
構造物の周囲に十分なガス流通空間を確保して、形成膜
の堆積分布あるいはガス流れを均一化すると共に、真空
引きを容易にするために、円筒構造物の寸法よりも大幅
に大きい真空容器径が必要となり、装置を著しく大きく
しなければならないのみならず、一時には被処理面の一
部しか処理されないため、処理時間が長くなる。
また、特開昭５８−１２５８２０号公報記載の方式にお
いては、膜質が電子サイクロトロン共鳴（以後、ＦｉＣ
Ｒと略す）装置と被処理面との距離に大きく依存してい
ることを考慮していないため、上記距離が大きく異なる
処理面に、同時に、組成の異なる膜が堆積することにな
り、膜質の不均一性が大きくなる。
いては、膜質が電子サイクロトロン共鳴（以後、ＦｉＣ
Ｒと略す）装置と被処理面との距離に大きく依存してい
ることを考慮していないため、上記距離が大きく異なる
処理面に、同時に、組成の異なる膜が堆積することにな
り、膜質の不均一性が大きくなる。
本発明の目的は、上記の諸問題を改善し、小型コンパク
トで均質な膜形成を高速に行なうことができ、しかもメ
ンテナンスも簡略化できるプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
トで均質な膜形成を高速に行なうことができ、しかもメ
ンテナンスも簡略化できるプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
上記目的は、第１には磁界発生部を被プラズマ処理物の
内側に設置することにより、また第２には、反応ガスを
被処理面に至近距離から吹きつけることによって被処理
面付近での反応ガス濃度を高め、かつ、この位置に電子
サイクロトロン共鳴を引き起こさせるのに最適な磁界強
度分布を作り出すことにより連成される。
内側に設置することにより、また第２には、反応ガスを
被処理面に至近距離から吹きつけることによって被処理
面付近での反応ガス濃度を高め、かつ、この位置に電子
サイクロトロン共鳴を引き起こさせるのに最適な磁界強
度分布を作り出すことにより連成される。
磁界発生部を、被プラズマ処理物の内側に設置すること
により、従来のように、真空容器の外側に設置した場合
に比して、磁界発生部のコンパクト化を図ることが容易
となり、また、処理面と磁界発生部が近づくので、被プ
ラズマ処理面近傍にＢＣＲを引起すのに必要な磁界強度
を発生させるための、コイル電流の低減化や磁石の小型
化が図れることから、装置全体のコンパクト化が図れる
。
により、従来のように、真空容器の外側に設置した場合
に比して、磁界発生部のコンパクト化を図ることが容易
となり、また、処理面と磁界発生部が近づくので、被プ
ラズマ処理面近傍にＢＣＲを引起すのに必要な磁界強度
を発生させるための、コイル電流の低減化や磁石の小型
化が図れることから、装置全体のコンパクト化が図れる
。
有峰界のマイクロ波プラズマ処理においては、成膜速度
はＥＣＲ位置での反応ガス濃度に比例し、ｌｌｌＣＲ位
置と被処理面の距離にほぼ反比例し、また、上記距離が
短い程、膜の緻密性が増加し、良好な膜が得られる。本
発明では、反応ガス濃度を被処理面近傍で高めた状態と
し、かつ、この位置にＥＣＲを引き起こすようにしたこ
とにより、成膜速度を増大し、良好な膜質を実現するこ
とができる。
はＥＣＲ位置での反応ガス濃度に比例し、ｌｌｌＣＲ位
置と被処理面の距離にほぼ反比例し、また、上記距離が
短い程、膜の緻密性が増加し、良好な膜が得られる。本
発明では、反応ガス濃度を被処理面近傍で高めた状態と
し、かつ、この位置にＥＣＲを引き起こすようにしたこ
とにより、成膜速度を増大し、良好な膜質を実現するこ
とができる。
また反応が被処理面近傍で行なわれるため、堆積種の大
半は所望面に堆積し、反応ガスも容器内全体に満たす必
要がなくなるため、真空容器内壁に付着する堆積物は低
減される。ざらに、反応ガスの利用効率が増大し、その
分、未反応ガスの排気量が低減される。
半は所望面に堆積し、反応ガスも容器内全体に満たす必
要がなくなるため、真空容器内壁に付着する堆積物は低
減される。ざらに、反応ガスの利用効率が増大し、その
分、未反応ガスの排気量が低減される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明のプラズマ処理装置のｌ実施例の主要部
の模式図である。本実施例装置は真空容器１．マイクロ
波導入管２（マイクロ波３の発振器は図示省略）、Ｅｅ
ｌ 発生主コイル４（鉄心入り）、補助コイル５、排
気口６（排気系は図示省略）、反応ガス供給ｆ７、プラ
ズマガス供給管８゜ドラムホルダ９、ドラム収納室１０
２よび磁気シールド板１３よりなる。
の模式図である。本実施例装置は真空容器１．マイクロ
波導入管２（マイクロ波３の発振器は図示省略）、Ｅｅ
ｌ 発生主コイル４（鉄心入り）、補助コイル５、排
気口６（排気系は図示省略）、反応ガス供給ｆ７、プラ
ズマガス供給管８゜ドラムホルダ９、ドラム収納室１０
２よび磁気シールド板１３よりなる。
真空容器ｌは直径４５０関φ、長さ８５０５ｍで、その
一端は円錐形の石英製マイクロ波導入窓１１となり、他
端がドラム収納室ｌＯとなっている。
一端は円錐形の石英製マイクロ波導入窓１１となり、他
端がドラム収納室ｌＯとなっている。
ドラムホルダ９は容器中心軸方向の移動及び中心軸回り
の回転が可能である。
の回転が可能である。
磁界発生補助コイル５及び磁界シールド板１３は、マイ
クロ波の伝播方向に向いた磁界を低減してマイクロ波の
伝播障害が生じないようにするために設置されている。
クロ波の伝播方向に向いた磁界を低減してマイクロ波の
伝播障害が生じないようにするために設置されている。
また、ドラム１２の面にそって配置された反応ガス供給
管７は、その内側、すなわちプラズマ処理面側に１ｕφ
の開口部を等間隔で２５個設けられている。
管７は、その内側、すなわちプラズマ処理面側に１ｕφ
の開口部を等間隔で２５個設けられている。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は以下で述べる本実施例の磁
束密度分布を示したものである。すなわち、同図（鳳）
は反応ガス供給管７の位置での容器中心軸方向の、また
同図（ｂ）は真空容器中心軸からの動径（半径）方向の
磁束密度分布を示している。同図に２いて、横軸上の矢
印ＰＧはプラズマガス供給管８の位置をあられし、また
矢印ＲＧは反応ガス供給管７の位置をあられしている。
束密度分布を示したものである。すなわち、同図（鳳）
は反応ガス供給管７の位置での容器中心軸方向の、また
同図（ｂ）は真空容器中心軸からの動径（半径）方向の
磁束密度分布を示している。同図に２いて、横軸上の矢
印ＰＧはプラズマガス供給管８の位置をあられし、また
矢印ＲＧは反応ガス供給管７の位置をあられしている。
同図−）かられかるように、マイクロ波の進行方向にそ
って徐々に磁界強度が減少しており、反応ガス供給管７
の位置近傍で、ｇｃＲ条件が満足される磁界強度（８７
５Ｇａｕ■）が得られている。
って徐々に磁界強度が減少しており、反応ガス供給管７
の位置近傍で、ｇｃＲ条件が満足される磁界強度（８７
５Ｇａｕ■）が得られている。
なお、第２図の磁束密度分布を実現するための制御は、
磁界発生主コイル４を、図示のように５個のコイルに分
割し、各コイルの電流値をｆＡ整すると共に、補助コイ
ル５の電流値を詞整することにより行なりた。
磁界発生主コイル４を、図示のように５個のコイルに分
割し、各コイルの電流値をｆＡ整すると共に、補助コイ
ル５の電流値を詞整することにより行なりた。
第３図は、従来技術のように、第２図（ｍ）と同じ磁束
密度分布を、磁界発生主コイルを真空容器１の外側に設
置して形成する際の装置図を、比較のために示したもの
である。図中において、第１図と同一の符号は、同一ま
たは同等部分をあられしている。
密度分布を、磁界発生主コイルを真空容器１の外側に設
置して形成する際の装置図を、比較のために示したもの
である。図中において、第１図と同一の符号は、同一ま
たは同等部分をあられしている。
磁界発生主コイル４人は真空容器１の外周に配置される
。容易に理解されるように、被処理物の表面付近に所定
強度の磁界を作るためには、コイルの断面積比倍の電流
を供給してやるか、あるいはコイル巻線数を断面積比倍
する必要がある。
。容易に理解されるように、被処理物の表面付近に所定
強度の磁界を作るためには、コイルの断面積比倍の電流
を供給してやるか、あるいはコイル巻線数を断面積比倍
する必要がある。
第１図と第３図の比較から、主たる磁界発生部を被処理
物の内側に設置することによって、装置のコンパクト化
および所要電流値の低減が可能であることがわかる。
物の内側に設置することによって、装置のコンパクト化
および所要電流値の低減が可能であることがわかる。
第１図の装置により、被処理物として筒状感光ドラム１
２（直径２６２闘φ、長さ４３０ｗ：Ａｔ製）を用い、
その表面にａ−８１（アモルファスケイ素）膜を形成し
た。
２（直径２６２闘φ、長さ４３０ｗ：Ａｔ製）を用い、
その表面にａ−８１（アモルファスケイ素）膜を形成し
た。
すなわち、プラズマガス供給１！８からヘリウムを４０
ｍ／／ｍｉ ｎずつ導入し、一方反応ガス供給管７か
らはモノシラン（１３１Ｈ４） ４０ｄ／ｍｉｎずつを
近傍の処理面に吹き付け、かつ、磁界発生コイル４゜５
により磁束密度８７５ Ｇａｕｓｓの磁界を反応ガス供
給管７の中心と感光ドラム１２の処理面の間に発生させ
、その表面にアモルファスケイ素（ａ−８＋）を成膜し
た。なお、成膜中、容器内の１ ｘ １ｏ−’Ｔｏｒｒ
になるように排気した。
ｍ／／ｍｉ ｎずつ導入し、一方反応ガス供給管７か
らはモノシラン（１３１Ｈ４） ４０ｄ／ｍｉｎずつを
近傍の処理面に吹き付け、かつ、磁界発生コイル４゜５
により磁束密度８７５ Ｇａｕｓｓの磁界を反応ガス供
給管７の中心と感光ドラム１２の処理面の間に発生させ
、その表面にアモルファスケイ素（ａ−８＋）を成膜し
た。なお、成膜中、容器内の１ ｘ １ｏ−’Ｔｏｒｒ
になるように排気した。
この場合、反応ガス供給管７の開口部に面した感光ドラ
ム１２の面上での成膜分布は、最大成膜速度が２．５
／Ｊ１ｍｌｎでガウス幅が１．３５１のガウス分布とな
りていた。このため、ドラムホルダ９により感光ドラム
１２を毎分６０回転させ、かつ、容ｇｓ１の中心軸方向
に毎分６往復させて、ドラム全面に３０ ｐｍの浮さの
ａ −Ｓｔ 膜を形成した。
ム１２の面上での成膜分布は、最大成膜速度が２．５
／Ｊ１ｍｌｎでガウス幅が１．３５１のガウス分布とな
りていた。このため、ドラムホルダ９により感光ドラム
１２を毎分６０回転させ、かつ、容ｇｓ１の中心軸方向
に毎分６往復させて、ドラム全面に３０ ｐｍの浮さの
ａ −Ｓｔ 膜を形成した。
この時の膜厚最大誤差は±７％であり、成膜時間は１２
０分であった。得られた膜の光導電率σ。
０分であった。得られた膜の光導電率σ。
は３ Ｘ １０ ８／３ 、暗導電率σｄは２ Ｘ １
０− ’″８／ｅｓ 、 それぞれの最大誤差は±３
％以内であった。
０− ’″８／ｅｓ 、 それぞれの最大誤差は±３
％以内であった。
次にモノシランの供給を、反応ガス供給管７からではな
く、プラズマガス導入管８からヘリウムに混入して行な
うことにより、成膜を行なった。
く、プラズマガス導入管８からヘリウムに混入して行な
うことにより、成膜を行なった。
ガス流量等の成膜条件は上記と同じにした。
この結果は、３０μｍ厚のａ −８１膜を形成するのに
２１０分を要した。厚さのばらつき程度は同じであった
ものの、σ、は２Ｘ１０ ８７ｃｍに減少し、σｄは３
Ｘ１０ ８／ｅｓに増大した。また、それぞれの光導
電率の最大誤差は±９％および±１１％とばらつき程度
が増加した。
２１０分を要した。厚さのばらつき程度は同じであった
ものの、σ、は２Ｘ１０ ８７ｃｍに減少し、σｄは３
Ｘ１０ ８／ｅｓに増大した。また、それぞれの光導
電率の最大誤差は±９％および±１１％とばらつき程度
が増加した。
また、前述の第１および第２の方法によるａ−８ｉ
の成膜時に、反応ガス供給管７の後方の真空容器１内壁
に８ｉ基板をおいて、付着物の重さを計ったところ、第
１の反応ガス供給方法の時と比較して、第２の反応ガス
供給方法の場合には、付着物は約１００倍の重さとなっ
ていた。
の成膜時に、反応ガス供給管７の後方の真空容器１内壁
に８ｉ基板をおいて、付着物の重さを計ったところ、第
１の反応ガス供給方法の時と比較して、第２の反応ガス
供給方法の場合には、付着物は約１００倍の重さとなっ
ていた。
第４図は本発明の他の実施例の主要部を示す断面図、ま
た第５図は第２図と同様の磁束密度分布を示す図で、図
において第１図および第２図と同一の符号は、同一また
は同等部分をあられしている。
た第５図は第２図と同様の磁束密度分布を示す図で、図
において第１図および第２図と同一の符号は、同一また
は同等部分をあられしている。
この実施例が第１図の実施例と異なるのは、反応ガス供
給管を図中の符号７人で示したように多段配置としたこ
と、および真空装′ａｌの外周に付着物防止磁界発生コ
イル１４を配置したことである。
給管を図中の符号７人で示したように多段配置としたこ
と、および真空装′ａｌの外周に付着物防止磁界発生コ
イル１４を配置したことである。
これにより、真空容器１の軸方向での磁束密度分布を第
５図−）のように、反応ガス供給管７人が配役されてい
る領域のはゾ全部でＥＣＲ条件が満足されるようにし、
また、その動径（半径）方向では、同図（ｂ）のように
ミラー磁場が形成されるようにすることができる。
５図−）のように、反応ガス供給管７人が配役されてい
る領域のはゾ全部でＥＣＲ条件が満足されるようにし、
また、その動径（半径）方向では、同図（ｂ）のように
ミラー磁場が形成されるようにすることができる。
多段配置とした反応ガス供給管７人からモノシランを供
給し、同時に、磁界発生主コイル４の電流値を制御し、
第５図（ａ）のように、ＥＣＲ領域を長くして感光ドラ
ム１２の面上へのａ−８１の膜形成を行なった。
給し、同時に、磁界発生主コイル４の電流値を制御し、
第５図（ａ）のように、ＥＣＲ領域を長くして感光ドラ
ム１２の面上へのａ−８１の膜形成を行なった。
モノシランの全供給量は４０ ｄ／ｍｉｎで、６個の反
応ガス供給管７人のそれぞれに均等に分配して供給した
。他の条件は前述の実施例と同じにした。この結果、膜
質については同じ値が得られ、かつ、成１［＃ｃｉ！Ｌ
、た時間を７０分に短縮させることが出来た。
応ガス供給管７人のそれぞれに均等に分配して供給した
。他の条件は前述の実施例と同じにした。この結果、膜
質については同じ値が得られ、かつ、成１［＃ｃｉ！Ｌ
、た時間を７０分に短縮させることが出来た。
また、新たに真空装置外側に付着物防止コイル１４を付
加的に設置し、容器の動径方向の磁束密度分布を、第５
図（ｂ）のようにミラー磁界としたことにより、イオン
樵の真空容器内壁への進入が抑制され、付層物量を約１
／！に減少させることが出来た。
加的に設置し、容器の動径方向の磁束密度分布を、第５
図（ｂ）のようにミラー磁界としたことにより、イオン
樵の真空容器内壁への進入が抑制され、付層物量を約１
／！に減少させることが出来た。
前述のように本発明によれば、主たる磁界発生部を被処
理物の内側に設置することにより、装置のコンパクト化
が図れる効果がある。
理物の内側に設置することにより、装置のコンパクト化
が図れる効果がある。
また、反応ガスを被処理面に至近距離から吹き付けて反
応ガス濃度の高い領域を被処理面近傍に形成し、かつ、
ＥＣＲをこの憤域内で引き起こすことにより、成膜処理
効率の増大化ならびに、膜質の向上および均一化をはか
ることができる。特に、ａ−８１膜の形成においては、
光導重度の増加と暗電流の低下等が実現できる。また、
この実施例では、所望面以外の、例えば真空容器内壁へ
の付着物の低減化が図れる効果がある。
応ガス濃度の高い領域を被処理面近傍に形成し、かつ、
ＥＣＲをこの憤域内で引き起こすことにより、成膜処理
効率の増大化ならびに、膜質の向上および均一化をはか
ることができる。特に、ａ−８１膜の形成においては、
光導重度の増加と暗電流の低下等が実現できる。また、
この実施例では、所望面以外の、例えば真空容器内壁へ
の付着物の低減化が図れる効果がある。
さらに、反応ガス供給系を多段とし、かつ。
ＥＣＲ条件を多段供給系近傍に同時に位置されることに
より、成膜処理効率の増大化が図れ、真空容器外側にも
磁界発生コイルを設置し、真空容器の動径方向において
ミラー型磁界を発生させることにより、真空装器内壁へ
の付着物のさらなる減少化を図れる効果がある。
より、成膜処理効率の増大化が図れ、真空容器外側にも
磁界発生コイルを設置し、真空容器の動径方向において
ミラー型磁界を発生させることにより、真空装器内壁へ
の付着物のさらなる減少化を図れる効果がある。
なお、前記の各実施例においては、磁界発生にコイルを
用いているが、もちろん永久磁石を用いても良い、また
、被処理物として円筒形状のものを側番ことったが平面
構造のものであっても良いことは当然である。
用いているが、もちろん永久磁石を用いても良い、また
、被処理物として円筒形状のものを側番ことったが平面
構造のものであっても良いことは当然である。
さらに、図に示した感光ドラム１２を単なる被処理物支
持体として用い、このドラムの外周面に被処理（Ｓｔ）
基板などを貼りつけて成膜処理を行なってもよい。
持体として用い、このドラムの外周面に被処理（Ｓｔ）
基板などを貼りつけて成膜処理を行なってもよい。
本発明によれば、主たる磁界発生部を被処理物の内側に
設置するため、装置のコンパクト化、及び、磁界発生部
が被プラズマ地理面に近くなるため、コイル電流の低減
化や磁石の小屋化が図れる効果がある。
設置するため、装置のコンパクト化、及び、磁界発生部
が被プラズマ地理面に近くなるため、コイル電流の低減
化や磁石の小屋化が図れる効果がある。
また、反応ガス濃度の高い領域を被処理面近傍に形成し
、かつ、ＢＣＲ位置をこの領域に一致させているので、
プラズマ処理効率の増大化、膜質の向上および均一化が
図れ、かつ、反応ガスの利用効率を著しく高めることが
出来るのみならず、真空装器内壁への付層物の低減化が
図れる。この結果、装置のメンテナンスの簡略化が図れ
る。また、未反応ガスの排気量が少なくなるため、排気
系の小型化も図れる効果がある。
、かつ、ＢＣＲ位置をこの領域に一致させているので、
プラズマ処理効率の増大化、膜質の向上および均一化が
図れ、かつ、反応ガスの利用効率を著しく高めることが
出来るのみならず、真空装器内壁への付層物の低減化が
図れる。この結果、装置のメンテナンスの簡略化が図れ
る。また、未反応ガスの排気量が少なくなるため、排気
系の小型化も図れる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ処理装置の断面図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図における磁束密度
分布を示す図、第３図は従来プラズマ処理装置の断面図
、第４図は本発明の他の実施例のプラズマ処理装置の断
面図、第５図（ａ）、伽）は、＠４図装置における磁束
密度分布を示す図である。 １・・・真空容器、２・・・マイクロ波導入管、３・・
・マイクロ波、４，４人・・・磁界発生主コイル、５・
・・磁界発生補助コイル、７，７人・・・反応ガス供給
管、８・・・プラズマガス供給管、９・・・ドラムホル
ダ、１１・・・マイクロ波導入窓、１２・・・感光ドラ
ム、１３・・・磁界シールド板、１４・・・付着物防止
磁界発生コイル。 鵡人弁理士 平 木 道 人 第１図 第２図 肯１喀中心拳勿かすの距ｇ（ｍｍ） 第４図 第５図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図における磁束密度
分布を示す図、第３図は従来プラズマ処理装置の断面図
、第４図は本発明の他の実施例のプラズマ処理装置の断
面図、第５図（ａ）、伽）は、＠４図装置における磁束
密度分布を示す図である。 １・・・真空容器、２・・・マイクロ波導入管、３・・
・マイクロ波、４，４人・・・磁界発生主コイル、５・
・・磁界発生補助コイル、７，７人・・・反応ガス供給
管、８・・・プラズマガス供給管、９・・・ドラムホル
ダ、１１・・・マイクロ波導入窓、１２・・・感光ドラ
ム、１３・・・磁界シールド板、１４・・・付着物防止
磁界発生コイル。 鵡人弁理士 平 木 道 人 第１図 第２図 肯１喀中心拳勿かすの距ｇ（ｍｍ） 第４図 第５図
Claims (6)
- （１）被処理物を収納する真空容器と、前記真空容器の
内部にあって被処理物を支持するホルダと、前記真空容
器の内部にあつて、被処理物の表面またはその近傍の少
くとも一部に電子サイクロトロン共鳴を引起すに適した
主磁界を発生する磁界発生主コイルと、前記被処理物の
表面またはその近傍にマイクロ波を導入する手段と、前
記真空容器内にプラズマガスを供給する手段と、前記被
処理物の表面またはその近傍に反応ガスを供給する手段
とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - （２）磁界発生主コイルの、マイクロ波が導入される側
には磁界シードル板が配置されたことを特徴とする前記
特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 - （３）反応ガスを被処理物の表面に吹きつけることによ
り、前記表面における反応ガス濃度を高くしたことを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項または第２項記載の
プラズマ処理装置。 - （４）プラズマガス供給管が反応ガス供給管を兼用する
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - （５）反応ガス供給手段が被処理物の表面にそつて複数
個設けられ、磁界発生主コイルは前記複数個の反応ガス
供給手段と被処理物の表面またはその近傍間に電子サイ
クロトロン共鳴を引起すに適した主磁界を発生すること
を特徴とする前記特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれかに記載のプラズマ処理装置。 - （６）被処理物を収納する真空容器と、前記真空容器の
内部にあって被処理物を支持するホルダと、前記真空容
器の内部にあつて、被処理物の表面またはその近傍に電
子サイクロトン共鳴を引起すに適した主磁界を発生する
磁界発生主コイルと前記被処理物の表面またはその近傍
にマイクロ波を導入する手段と、前記真空容器内にプラ
ズマガスを供給する手段と、前記被処理物の表面または
その近傍に反応ガスを供給する手段と、真空容器の外周
に配置され、磁界発生主コイルによって発生された主磁
界と協同して、真空容器の動径方向でミラー磁界分布を
形成する第２の磁界発生コイルとを具備したことを特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138772A JPS63303075A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | プラズマ処理装置 |
| EP88107319A EP0290036B1 (en) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | Plasma treatment apparatus |
| DE3853551T DE3853551T2 (de) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | Plasmabehandlungsvorrichtung. |
| KR1019880005316A KR950012712B1 (ko) | 1987-05-08 | 1988-05-07 | 플라즈마 처리장치 |
| US08/131,519 US5433788A (en) | 1987-01-19 | 1993-10-04 | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138772A JPS63303075A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303075A true JPS63303075A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15229837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138772A Pending JPS63303075A (ja) | 1987-01-19 | 1987-06-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303075A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096763A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Itt Manufacturing Enterprises Inc | 電離真空計用分子シールド |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP62138772A patent/JPS63303075A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096763A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Itt Manufacturing Enterprises Inc | 電離真空計用分子シールド |
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