JPH0855699A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0855699A JPH0855699A JP6209403A JP20940394A JPH0855699A JP H0855699 A JPH0855699 A JP H0855699A JP 6209403 A JP6209403 A JP 6209403A JP 20940394 A JP20940394 A JP 20940394A JP H0855699 A JPH0855699 A JP H0855699A
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- plasma
- processing apparatus
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- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一つの処理室に対して複数の誘導結合プラズ
マ源を設け、各放電管のコイルを互いに直列に接続し
て、処理の均一化を図る。 【構成】 処理室２６の上方に誘電体製の天板３０を設
け、この天板３０に４個の放電管２８を環状に配置して
固定する。放電管２８の外周に誘導コイル３２を巻き、
これらコイル３２を直列に接続して、１台の高周波電源
３８から高周波電力を印加して、各放電管２８の内部に
プラズマを発生させる。このプラズマを用いて、処理室
２６内部の基板のエッチングやアッシング、ＣＶＤ等の
処理を行う。
マ源を設け、各放電管のコイルを互いに直列に接続し
て、処理の均一化を図る。 【構成】 処理室２６の上方に誘電体製の天板３０を設
け、この天板３０に４個の放電管２８を環状に配置して
固定する。放電管２８の外周に誘導コイル３２を巻き、
これらコイル３２を直列に接続して、１台の高周波電源
３８から高周波電力を印加して、各放電管２８の内部に
プラズマを発生させる。このプラズマを用いて、処理室
２６内部の基板のエッチングやアッシング、ＣＶＤ等の
処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用してエ
ッチングやアッシング、ＣＶＤ等を行うプラズマ処理装
置に関し、特に誘導結合プラズマ源の配置に特徴がある
プラズマ処理装置に関する。
ッチングやアッシング、ＣＶＤ等を行うプラズマ処理装
置に関し、特に誘導結合プラズマ源の配置に特徴がある
プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置のプラズマ源としては
各種の方式が知られているが、本発明は、高周波放電プ
ラズマ源のうちの誘導結合プラズマ源を用いたプラズマ
処理装置に関係がある。図６は誘導結合プラズマ源を備
える従来のプラズマ処理装置の正面断面図である。金属
製の下部チャンバー１０の上には誘電体製の上部チャン
バー１２が置かれ、上部チャンバー１２の周囲には、誘
導電場を発生するためのコイル１３が巻かれている。コ
イル１３にはマッチングボックス１４を介して高周波電
源１５が接続される。下部チャンバー１０の内部には基
板ホルダー１６があり、その上にＳｉウェーハなどの被
処理基板１８が載せられる。基板ホルダー１６には、マ
ッチングボックス２０を介して高周波電源２２からバイ
アス電力が印加される。また、基板ホルダー１６に対向
するように、プラズマ電位を安定させるための対向電極
２４が配置されている。このプラズマ処理装置は、基本
的には、コイル１３に高周波を印加して誘導結合によっ
てプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理
基板１８のエッチングやアッシング、ＣＶＤ等を行うも
のである。そして、この例では、基板ホルダー１６（カ
ソードの役割を果たす）と対向電極２４との組み合わせ
によって、平行平板型電極による容量結合プラズマも利
用している。
各種の方式が知られているが、本発明は、高周波放電プ
ラズマ源のうちの誘導結合プラズマ源を用いたプラズマ
処理装置に関係がある。図６は誘導結合プラズマ源を備
える従来のプラズマ処理装置の正面断面図である。金属
製の下部チャンバー１０の上には誘電体製の上部チャン
バー１２が置かれ、上部チャンバー１２の周囲には、誘
導電場を発生するためのコイル１３が巻かれている。コ
イル１３にはマッチングボックス１４を介して高周波電
源１５が接続される。下部チャンバー１０の内部には基
板ホルダー１６があり、その上にＳｉウェーハなどの被
処理基板１８が載せられる。基板ホルダー１６には、マ
ッチングボックス２０を介して高周波電源２２からバイ
アス電力が印加される。また、基板ホルダー１６に対向
するように、プラズマ電位を安定させるための対向電極
２４が配置されている。このプラズマ処理装置は、基本
的には、コイル１３に高周波を印加して誘導結合によっ
てプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理
基板１８のエッチングやアッシング、ＣＶＤ等を行うも
のである。そして、この例では、基板ホルダー１６（カ
ソードの役割を果たす）と対向電極２４との組み合わせ
によって、平行平板型電極による容量結合プラズマも利
用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図６の従来装置におい
ては、コイル１３によって誘導結合プラズマを発生させ
た場合、チャンバーの中心部よりも外周部で強い誘導電
場が発生するため、プラズマは主としてチャンバーの壁
面に近い領域で生成される。したがって、被処理基板の
均一な処理が得られないという欠点がある。特に、今後
基板が大口径化するに従い、その問題は顕在化してくる
と考えられる。
ては、コイル１３によって誘導結合プラズマを発生させ
た場合、チャンバーの中心部よりも外周部で強い誘導電
場が発生するため、プラズマは主としてチャンバーの壁
面に近い領域で生成される。したがって、被処理基板の
均一な処理が得られないという欠点がある。特に、今後
基板が大口径化するに従い、その問題は顕在化してくる
と考えられる。
【０００４】本発明の目的は、均一なプラズマが得ら
れ、基板の大口径化にも容易に対応可能な、誘導結合プ
ラズマ源を用いたプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
れ、基板の大口径化にも容易に対応可能な、誘導結合プ
ラズマ源を用いたプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、一つの処理室
に対して同一寸法の複数の誘導結合プラズマ源を設けて
処理の均一化を図ったものである。複数の誘導結合プラ
ズマ源は、環状に等角度間隔に配置することができ、そ
の場合、中央にも誘導結合プラズマ源を配置できる。ま
た、上述の環状配置を多重にすることもできる。誘導結
合プラズマ源は、被処理基板に対向して配置した誘電体
製のプラズマ源支持板に固定できる。すべての誘導結合
プラズマ源のコイルは、互いに直列に接続することがで
き、その場合、コイル同志を接続するリード部分を全体
として環状になるように配置することができる。
に対して同一寸法の複数の誘導結合プラズマ源を設けて
処理の均一化を図ったものである。複数の誘導結合プラ
ズマ源は、環状に等角度間隔に配置することができ、そ
の場合、中央にも誘導結合プラズマ源を配置できる。ま
た、上述の環状配置を多重にすることもできる。誘導結
合プラズマ源は、被処理基板に対向して配置した誘電体
製のプラズマ源支持板に固定できる。すべての誘導結合
プラズマ源のコイルは、互いに直列に接続することがで
き、その場合、コイル同志を接続するリード部分を全体
として環状になるように配置することができる。
【０００６】
【作用】一つの処理室に対して同一寸法の複数の誘導結
合プラズマ源を用いることにより、処理室の中央付近
に、より均一なプラズマを得ることができる。この場
合、これらの誘導結合プラズマ源を等角度間隔で環状に
配置すれば、プラズマをより均一化できる。また、各誘
導結合プラズマ源のコイルを直列に接続することによ
り、それぞれのコイルに流れる電流が等しくなり、各プ
ラズマ源におけるプラズマ強度は等しくなる。さらに、
コイル同志を接続するリード部分を全体として環状にな
るように配置すると、このリード部分も全体として誘導
コイルを形成するので、リード部分も高密度プラズマの
生成に寄与できる。この環状のリード部分のピッチ円直
径を処理室の直径に対して任意に設定できるので、高密
度プラズマの位置を適正化することが可能であり、プラ
ズマの均一化が図り易い。また、プラズマ源支持板を誘
電体で作ることにより、プラズマ源支持板に渦電流を生
ずることなく、環状のリ−ド部分による誘導電場を効率
よくプラズマに結合することができる。
合プラズマ源を用いることにより、処理室の中央付近
に、より均一なプラズマを得ることができる。この場
合、これらの誘導結合プラズマ源を等角度間隔で環状に
配置すれば、プラズマをより均一化できる。また、各誘
導結合プラズマ源のコイルを直列に接続することによ
り、それぞれのコイルに流れる電流が等しくなり、各プ
ラズマ源におけるプラズマ強度は等しくなる。さらに、
コイル同志を接続するリード部分を全体として環状にな
るように配置すると、このリード部分も全体として誘導
コイルを形成するので、リード部分も高密度プラズマの
生成に寄与できる。この環状のリード部分のピッチ円直
径を処理室の直径に対して任意に設定できるので、高密
度プラズマの位置を適正化することが可能であり、プラ
ズマの均一化が図り易い。また、プラズマ源支持板を誘
電体で作ることにより、プラズマ源支持板に渦電流を生
ずることなく、環状のリ−ド部分による誘導電場を効率
よくプラズマに結合することができる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の斜視図である。
このプラズマ処理装置は、アルマイト処理を施したアル
ミニウムあるいはステンレス鋼からなる一つの処理室２
６に対して、石英またはセラミック等の誘電体からなる
４個の放電管２８を設けたものである。処理室２６の上
部は誘電体製の天板３０で覆われ、この天板３０に４個
の放電管２８が固定されている。天板３０はプラズマ源
支持板となる。４個の放電管２８は互いに同一寸法であ
り、その外周に誘導コイル３２が巻かれている。放電管
２８と誘導コイル３２によって誘導結合プラズマ源が構
成される。各放電管２８の誘導コイル３２は、コイルの
巻き数、ピッチ、線径、材質、ピッチ円直径がすべて同
じである。
このプラズマ処理装置は、アルマイト処理を施したアル
ミニウムあるいはステンレス鋼からなる一つの処理室２
６に対して、石英またはセラミック等の誘電体からなる
４個の放電管２８を設けたものである。処理室２６の上
部は誘電体製の天板３０で覆われ、この天板３０に４個
の放電管２８が固定されている。天板３０はプラズマ源
支持板となる。４個の放電管２８は互いに同一寸法であ
り、その外周に誘導コイル３２が巻かれている。放電管
２８と誘導コイル３２によって誘導結合プラズマ源が構
成される。各放電管２８の誘導コイル３２は、コイルの
巻き数、ピッチ、線径、材質、ピッチ円直径がすべて同
じである。
【０００８】各放電管２８の誘導コイル３２は互いに直
列に接続され、コイルとコイルの間はリード３４で接続
されている。このリード３４は、後述するように、全体
として環状になるように配置されている。直列に接続さ
れた誘導コイル３２は、マッチングボックス３６を介し
て１台の高周波電源３８に接続されている。マッチング
ボックス３６は、高周波電源３８とコイル３２の間のイ
ンピーダンスの整合をとるものである。誘導コイル３２
とリード３４は、実際は中空パイプで形成され、内部に
冷却水を流して冷却している。
列に接続され、コイルとコイルの間はリード３４で接続
されている。このリード３４は、後述するように、全体
として環状になるように配置されている。直列に接続さ
れた誘導コイル３２は、マッチングボックス３６を介し
て１台の高周波電源３８に接続されている。マッチング
ボックス３６は、高周波電源３８とコイル３２の間のイ
ンピーダンスの整合をとるものである。誘導コイル３２
とリード３４は、実際は中空パイプで形成され、内部に
冷却水を流して冷却している。
【０００９】図２は図１に示した装置の平面図である。
４個の放電管２８は、処理室内の基板ホルダーの中心線
上に中心をもつピッチ円上に等角度間隔（すなわち９０
度間隔）で配置されている。誘導コイル３２同志はリー
ド３４で接続されており、このリード部分は全体として
一つの環状コイルを形成している。
４個の放電管２８は、処理室内の基板ホルダーの中心線
上に中心をもつピッチ円上に等角度間隔（すなわち９０
度間隔）で配置されている。誘導コイル３２同志はリー
ド３４で接続されており、このリード部分は全体として
一つの環状コイルを形成している。
【００１０】図３は図１に示した装置の正面断面図であ
る。処理室２６の内部には基板ホルダー４０があり、そ
の上に被処理基板４１が載っている。この例では、基板
ホルダー４０には、マッチングボックス４２を介して高
周波電源４４からバイアス電力が印加される。処理室２
６の上方にある天板３０には４個の開口４６が形成され
ていて、この開口４６に放電管２８が固定されている。
４個の放電管２８の軸線３３（すなわちコイル３２の軸
線）は、被処理基板４１の表面に対して垂直である。放
電管２８の内部と処理室２６の内部は連通しており、両
者は、矢印４８の方向にある排気系によって真空排気さ
れる。
る。処理室２６の内部には基板ホルダー４０があり、そ
の上に被処理基板４１が載っている。この例では、基板
ホルダー４０には、マッチングボックス４２を介して高
周波電源４４からバイアス電力が印加される。処理室２
６の上方にある天板３０には４個の開口４６が形成され
ていて、この開口４６に放電管２８が固定されている。
４個の放電管２８の軸線３３（すなわちコイル３２の軸
線）は、被処理基板４１の表面に対して垂直である。放
電管２８の内部と処理室２６の内部は連通しており、両
者は、矢印４８の方向にある排気系によって真空排気さ
れる。
【００１１】次に、この装置の動作を説明する。図３に
おいて、排気系によって処理室２６と放電管２８の内部
を排気してから、マスフロ−コントロ−ラにより流量制
御されたプロセスガスを処理室２６内に供給する。そし
て、図示しない圧力コントロ−ラにより処理室２６内部
の圧力を所定の値に制御する。次に、高周波電源３８に
よって誘導コイル３２に高周波電力を供給し、放電管２
８の内部に誘導結合プラズマを発生させる。このプラズ
マを利用して、基板４１にエッチングやアッシング、Ｃ
ＶＤ等の処理を行う。その際、高周波電源４４からバイ
アス電力を印加して、基板４１に入射するイオンの入射
エネルギーを制御できる。
おいて、排気系によって処理室２６と放電管２８の内部
を排気してから、マスフロ−コントロ−ラにより流量制
御されたプロセスガスを処理室２６内に供給する。そし
て、図示しない圧力コントロ−ラにより処理室２６内部
の圧力を所定の値に制御する。次に、高周波電源３８に
よって誘導コイル３２に高周波電力を供給し、放電管２
８の内部に誘導結合プラズマを発生させる。このプラズ
マを利用して、基板４１にエッチングやアッシング、Ｃ
ＶＤ等の処理を行う。その際、高周波電源４４からバイ
アス電力を印加して、基板４１に入射するイオンの入射
エネルギーを制御できる。
【００１２】４個の放電管２８及び誘導コイル３２は、
互いにすべて同じ仕様となっており、かつ、各コイル３
２は互いに直列に接続されていて同一の電流が流れるの
で、それぞれの放電管２８の内部には同一のプラズマが
生成される。したがって、基板４１に対して均一な処理
が行われる。
互いにすべて同じ仕様となっており、かつ、各コイル３
２は互いに直列に接続されていて同一の電流が流れるの
で、それぞれの放電管２８の内部には同一のプラズマが
生成される。したがって、基板４１に対して均一な処理
が行われる。
【００１３】図２から明らかなように、各誘導コイル３
２を結ぶリ−ド３４は全体として環状に配置されている
（以下、これをリードコイルという。）ので、リード３
４自身も誘導電場を生じ、プラズマの生成に寄与してい
る。リードコイルの近傍では、より強い誘導電場が誘起
されるため、濃いプラズマが生成される。リードコイル
の直径は、処理室の直径に対してある程度任意に選択で
きるので、リードコイルの直径を調整することにより、
プラズマ密度分布の位置調整が可能になり、より均一な
プラズマを得ることができる。これに対して、図６に示
す従来例では、コイルはチャンバ−の外周に配置されて
いるため、高密度プラズマの位置はチャンバ−の壁面近
傍となり、プラズマ径が大きくなるに従って益々均一な
プラズマを得るのが難しくなる。
２を結ぶリ−ド３４は全体として環状に配置されている
（以下、これをリードコイルという。）ので、リード３
４自身も誘導電場を生じ、プラズマの生成に寄与してい
る。リードコイルの近傍では、より強い誘導電場が誘起
されるため、濃いプラズマが生成される。リードコイル
の直径は、処理室の直径に対してある程度任意に選択で
きるので、リードコイルの直径を調整することにより、
プラズマ密度分布の位置調整が可能になり、より均一な
プラズマを得ることができる。これに対して、図６に示
す従来例では、コイルはチャンバ−の外周に配置されて
いるため、高密度プラズマの位置はチャンバ−の壁面近
傍となり、プラズマ径が大きくなるに従って益々均一な
プラズマを得るのが難しくなる。
【００１４】図２において、リード部分３４に例えば矢
印７０で示す方向に電流が流れると、中心部において、
紙面に垂直な方向に手前から向こう側に向かって誘導磁
場７２が形成される。この方向の誘導磁場７２が時間的
に増加すると、矢印７４で示すような誘導電場が形成さ
れる。
印７０で示す方向に電流が流れると、中心部において、
紙面に垂直な方向に手前から向こう側に向かって誘導磁
場７２が形成される。この方向の誘導磁場７２が時間的
に増加すると、矢印７４で示すような誘導電場が形成さ
れる。
【００１５】ところで、天板３０が金属等の導電体でで
きていると、誘導磁場が時間的に変化することによって
生ずる渦電流が天板３０内に発生して、電力損失が生ず
る。したがって、この実施例では天板３０を誘電体（電
気絶縁物）で形成しており、これによって、渦電流によ
る電力損失を抑えることができ、プラズマを効率よく生
成できる。
きていると、誘導磁場が時間的に変化することによって
生ずる渦電流が天板３０内に発生して、電力損失が生ず
る。したがって、この実施例では天板３０を誘電体（電
気絶縁物）で形成しており、これによって、渦電流によ
る電力損失を抑えることができ、プラズマを効率よく生
成できる。
【００１６】図２では９０度間隔で４個の放電管を配置
しているが、１８０度間隔で２個、１２０度間隔で３
個、６０度間隔で６個など、２個以上の任意の個数にす
ることができる。
しているが、１８０度間隔で２個、１２０度間隔で３
個、６０度間隔で６個など、２個以上の任意の個数にす
ることができる。
【００１７】図４は本発明の第２実施例の平面図であ
る。この実施例では、環状に配置した４個の放電管５
０、５１、５２、５３に加えて、中央（基板ホルダーの
中心線上）にも放電管５４が設けられている。そして、
これらの５個の放電管５０〜５４の誘導コイル５５、５
６、５７、５８、５９は、互いに直列に接続されてい
る。中央の放電管５４の誘導コイル５９は、右側の放電
管５０の誘導コイル５５と接続されていて、その往復の
２本のリード６０と６１は互いに平行に隣接して配置さ
れている。この２本のリード６０、６１には互いに逆方
向の電流が流れるので、２本のリード６０、６１による
誘導磁場はお互いに打ち消されることになり、環状のリ
ード６２によって形成される誘導磁場の乱れが抑えられ
る。
る。この実施例では、環状に配置した４個の放電管５
０、５１、５２、５３に加えて、中央（基板ホルダーの
中心線上）にも放電管５４が設けられている。そして、
これらの５個の放電管５０〜５４の誘導コイル５５、５
６、５７、５８、５９は、互いに直列に接続されてい
る。中央の放電管５４の誘導コイル５９は、右側の放電
管５０の誘導コイル５５と接続されていて、その往復の
２本のリード６０と６１は互いに平行に隣接して配置さ
れている。この２本のリード６０、６１には互いに逆方
向の電流が流れるので、２本のリード６０、６１による
誘導磁場はお互いに打ち消されることになり、環状のリ
ード６２によって形成される誘導磁場の乱れが抑えられ
る。
【００１８】図５は本発明の第３実施例の平面図であ
る。この実施例では、放電管が２重の環状に配置されて
いる。すなわち、小さなピッチ円上に４個の放電管６４
が９０度間隔で配置され、大きなピッチ円上には８個の
放電管６６が４５度間隔で配置されている。そして、こ
れら合計１２個の放電管の誘導コイルが互いに直列に接
続されている。内側の放電管６４のコイル６５と外側の
放電管６６のコイル６７とを接続する一対のリードは、
図４に示すのと同様に、互いに平行に隣接して配置さ
れ、これらによる誘導磁場が互いに打ち消されている。
したがって、環状のリード６８によって有効な誘導磁場
が形成される。
る。この実施例では、放電管が２重の環状に配置されて
いる。すなわち、小さなピッチ円上に４個の放電管６４
が９０度間隔で配置され、大きなピッチ円上には８個の
放電管６６が４５度間隔で配置されている。そして、こ
れら合計１２個の放電管の誘導コイルが互いに直列に接
続されている。内側の放電管６４のコイル６５と外側の
放電管６６のコイル６７とを接続する一対のリードは、
図４に示すのと同様に、互いに平行に隣接して配置さ
れ、これらによる誘導磁場が互いに打ち消されている。
したがって、環状のリード６８によって有効な誘導磁場
が形成される。
【００１９】この発明は上述の実施例に限定されず次の
ような変更が可能である。 （１）放電管は、図２に示すように１重の環状や、ある
いは図５に示すように２重の環状に配置するほか、３重
以上の環状に配置することもできる。 （２）放電管を環状に配置した場合、図４に示すように
中央にも放電管を配置することができるが、図５のよう
な２重以上の環状配置の場合にも中央に放電管を配置す
ることができる。 （３）放電管の個数や、環状配置のピッチ円直径など
は、必要とされるプラズマ密度やプラズマ位置あるいは
プラズマの均一性等に応じて適宜選択できる。
ような変更が可能である。 （１）放電管は、図２に示すように１重の環状や、ある
いは図５に示すように２重の環状に配置するほか、３重
以上の環状に配置することもできる。 （２）放電管を環状に配置した場合、図４に示すように
中央にも放電管を配置することができるが、図５のよう
な２重以上の環状配置の場合にも中央に放電管を配置す
ることができる。 （３）放電管の個数や、環状配置のピッチ円直径など
は、必要とされるプラズマ密度やプラズマ位置あるいは
プラズマの均一性等に応じて適宜選択できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、一つの処理室に対して
同一寸法の複数の誘導結合プラズマ源を用いることによ
り、処理室の中央付近に、より均一な大口径プラズマ
を、容易にかつ効率よく得ることができる。その場合、
各誘導結合プラズマ源のコイルを直列に接続することに
より、各プラズマ源におけるプラズマ強度を等しくでき
る。さらに、コイル同志を接続するリード部分を全体と
して環状になるように配置することにより、このリード
部分も高密度プラズマの生成に寄与させることができ
る。
同一寸法の複数の誘導結合プラズマ源を用いることによ
り、処理室の中央付近に、より均一な大口径プラズマ
を、容易にかつ効率よく得ることができる。その場合、
各誘導結合プラズマ源のコイルを直列に接続することに
より、各プラズマ源におけるプラズマ強度を等しくでき
る。さらに、コイル同志を接続するリード部分を全体と
して環状になるように配置することにより、このリード
部分も高密度プラズマの生成に寄与させることができ
る。
【図１】本発明の第１実施例の斜視図である。
【図２】第１実施例の平面図である。
【図３】第１実施例の正面断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の平面図である。
【図５】本発明の第３実施例の平面図である。
【図６】従来例の正面断面図である。
２６…処理室 ２８…放電管 ３０…天板 ３２…誘導コイル ３４…リード ３６…マッチングボックス ３８…高周波電源 ４０…基板ホルダー ４１…被処理基板
Claims (10)
- 【請求項１】 誘電体製の放電管の外側にコイルを巻い
て構成した誘導結合プラズマ源を備えるプラズマ処理装
置において、 内部に基板ホルダーを有する一つの処理室に対して同一
寸法の複数の誘導結合プラズマ源が設置されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 複数の誘導結合プラズマ源のそれぞれの
軸線が、被処理基板の表面に対して垂直に配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板に対向してプラズマ源支持板
が配置され、このプラズマ源支持板に複数の開口が形成
され、この開口部分に誘導結合プラズマ源が固定されて
いることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 前記プラズマ源支持板の材質が誘電体で
あることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項５】 複数の誘導結合プラズマ源は、基板ホル
ダーの中心線上に中心をもつピッチ円上に等角度間隔で
配置されていることを特徴とする請求項２記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項６】 基板ホルダーの中心線上にも誘導結合プ
ラズマ源が配置されていることを特徴とする請求項５記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 複数の同心のピッチ円上にそれぞれ複数
の誘導結合プラズマ源が配置されていることを特徴とす
る請求項５または６に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 すべての誘導結合プラズマ源のコイルが
互いに直列に接続されていることを特徴とする請求項１
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 誘導結合プラズマ源のコイル同志を接続
するリード部分が全体として環状となるように配置され
ていることを特徴とする請求項８記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項１０】 すべての誘導結合プラズマ源のコイル
が互いに直列に接続され、同一のピッチ円上にない誘導
結合プラズマ源のコイル同志を接続するリード部分は、
互いに平行に隣接して配置されて逆方向に電流が流れる
２本のリードからなることを特徴とする請求項７記載の
プラズマ処理装置。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP20940394A JP3410558B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | プラズマ処理装置 |
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| JPH0855699A true JPH0855699A (ja) | 1996-02-27 |
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|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-08-11 JP JP20940394A patent/JP3410558B2/ja not_active Expired - Fee Related
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