KR100804780B1 - 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버 - Google Patents

이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버 Download PDF

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Abstract

여기에 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버가 게시된다. 본 발명의 플라즈마 처리 챔버는 변압기가 결합되는 하나 이상의 외부 방전 브리지 또는 하나 이상의 방전 유도 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버에 적합한 이중 가스 공급 구조를 제공한다. 서로 독립된 가스 공급 구조를 갖는 제1 및 제2 가스 공급 채널은 각기 서로 다른 제1 및 제2 공정 가스를 독립적으로 진공 챔버로 공급한다. 그럼으로 제1 공정 가스는 제2 공정 가스 보다 먼저 플라즈마를 형성하게 되고, 이온화된 상태에서 제2 공정 가스와 혼합된다. 그럼으로 고밀도의 플라즈마를 더욱 균일하게 발생할 수 있으며 보다 높은 플라즈마 처리 효율을 얻을 수 있게 된다.
플라즈마, 변압기, 유도 결합

Description

이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버{PLASMA PROCESSING CHAMBER WITH DUAL GAS SUPPLY STRUCTURE}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 3은 두 개의 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이다.
도 5는 도 4의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이다.
도 7은 도 6의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100, 200, 300: 플라즈마 처리 챔버 110, 210, 310: 진공 챔버
120, 220, 320: 상부 커버 130, 230, 330: 변압기
본 발명은 반도체 회로 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판, 액정 디스플레이 제조를 위한 유리 기판과 같은 피처리 기판에 대한 플라즈마 처리를 위한 플라즈마 처리 챔버에 관한 것으로, 구체적으로는 환형 플라즈마(toroidal plasma)를 발생하기 위한 변압기 결합된 플라즈마 처리 챔버를 위한 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 라디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.
한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식(변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma)라고도 함)으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 여기에 전자석이나 영구 자석을 추가하거나, 용량 결합 전극을 추가하여 플라즈마의 특성을 향상 시키고 재현성과 제어 능력을 높이기 위하여 기술 개발이 이루어지고 있다.
변압기를 이용한 유도 결합 플라즈마는 변기압기를 이용하여 플라즈마 반응기의 내부에 플라즈마를 유도하는데 이 유도 결합 플라즈마는 변압기의 이차 회로를 완성한다. 지금까지의 변압기 결합 플라즈마 기술들은 플라즈마 반응기에 외부 방전관을 두거나 환형 챔버(toroidal chamber)에 폐쇄형 코어(closed core)를 장착하는 타입 또는 플라즈마 반응기의 내부에 변압기 코어를 내장하는 방식으로 기술 개발이 이루어지고 있다.
이상과 같은 플라즈마 처리 기술은 플라즈마 반응기의 구조적 개선에 의해 플라즈마 처리 효율을 향상시켜가고 있다. 이와 더불어 플라즈마 처리 챔버로 공급되는 공정 가스를 분리 공급하기 위한 기술들이 제안되고 있는데 서로 다른 공정 가스를 분리 공급함으로서 플라즈마 처리 공정에서 기판 처리의 균일도를 향상시키도록 하고 있다.
본 발명은 변압기 결합된 플라즈마 처리 챔버에서 보다 향상된 기판 처리 효율을 얻을 수 있도록 변압기 결합된 플라즈마 처리 챔버의 구조적 특징에 적합한 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 방전 유도 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 플라즈마 처리 챔버는: 플라즈마가 수용되는 진공 챔버; 진공 챔버의 내측 천정에 설치되고, 진공 챔버의 외부에서 내부를 통과하는 관통로를 제공하는 하나 이상의 방전 유도 브리지; 방전 유도 브리지의 관통로에 장착되는 환형의 마그네틱 코어 및 일차 권선을 포함하는 변압기; 하나 이상의 방전 유도 브리지의 상부로 제1 공정 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 채널; 및 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버로 제2 공정 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함한다.
이 실시예에 있어서, 제1 가스 공급 채널은: 하나 이상의 방전 유도 브리지의 상부로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 진공 챔버의 상부에 설치되는 하나 이상 의 제1 가스 입구를 포함하고, 제2 가스 공급 채널은: 진공 챔버의 천정에 다수 형성되어 제2 공정 가스가 주입되는 가스 주입 홀; 진공 챔버의 천정과 소정 간격을 두고 진공 챔버의 상부를 덮는 상부 커버; 및 상부 커버의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구를 포함한다.
본 발명의 다른 일면은 외부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 플라즈마 처리 챔버는: 플라즈마가 수용되는 진공 챔버; 진공 챔버의 외측 상부에 설치되는 하나 이상의 외부 방전 브리지; 하나 이상의 외부 방전 브리지에 장착되는 환형의 마그네틱 코어 및 일차 권선을 포함하는 변압기; 외부 방전 브리지로 제1 공정 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 채널; 및 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버로 제2 공정 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 제1 가스 공급 채널은: 하나 이상의 외부 방전 브리지로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 하나 이상의 외부 방전 브리지에 설치되는 하나 이상의 제1 가스 입구를 포함하고, 제2 가스 공급 채널은: 진공 챔버의 천정에 다수 형성되어 제2 공정 가스가 주입되는 가스 주입 홀; 진공 챔버의 천정과 소정 간격을 두고 진공 챔버의 상부를 덮는 상부 커버; 및 상부 커버의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구를 포함한다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
제1 실시예
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1 내지 제3 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예예 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버(100)는 플라즈마가 수용되는 진공 챔버(110)와 진공 챔버(110)의 내측 천정에 설치되는 방전 유도 브리지(133)를 구비한다. 진공 챔버(110)의 내부에는 피처리 기판(114)이 놓이는 기판 지지대(115)가 구비된다. 방전 유도 브리지(133)는 진공 챔버(110)의 외부에서 내부를 통과하는 관통로를 제공한다. 방전 유도 브리지(133)의 관통로에는 환형의 마그네틱 코어(131) 및 일차 권선(132)을 포함하는 변압기(130)가 설치된다.
구체적으로 도시되지는 않았지만 일차 권선(132)은 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결되고, 기판 지지대(115)는 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결된다. 이와 같은 방전 유도 브리지(133)를 구비하는 플라즈마 처리 챔버(100)는 본 발명자에 의해 2005년 6월 15일자로 특허 출원된 출원번호 10-2005-0051472호에 상세히 설명되어 있음으로 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명의 제1 실시예에서는 방전 유도 브리지(133)를 갖는 플라즈마 처리 챔버(100)에서 플라즈마 처리 효율을 높이기 위하여 이중 가스 공급 구조를 제공한다. 플라즈마 처리 챔버(100)는 서로 독립적인 제1 및 제2 가스 공급 채널을 구비한다. 제1 가스 공급 채널은 방전 유도 브리지(133)의 상부로 제1 공정 가스를 공급한다. 제2 가스 공급 채널은 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버(110)로 제2 공정 가스를 공급한다.
구체적으로, 제1 가스 공급 채널은 방전 유도 브리지(133)의 상부로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 진공 챔버(110)의 상부에 설치되는 하나 이상의 제1 가스 입구(113)를 포함한다. 제1 가스 입구(113)는 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급원(미도시)에 연결된다. 제2 가스 공급 채널은 진공 챔버(110)의 천정(111)에 다수 형성된 가스 주입 홀(112)과 진공 챔버(110)의 천정(111)과 소정 간격을 두고 진공 챔버(110)의 상부를 덮는 상부 커버(120) 그리고 상부 커버(120)의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버(120)에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입 구(121)를 포함한다. 상부 커버(120)는 방전 유도 브리지(133)의 양단과 연결되는 개구부(122)가 포함된다.
제1 가스 입구(113)를 통하여 입력되는 제1 공정 가스는 방전 유도 브리지(133)의 상부로 분사된다. 제2 가스 입구(121)를 통하여 입력되는 제2 공정 가스는 상부 커버(120)의 내부로 확산되면서 다수의 가스 주입 홀(112)을 통하여 진공 챔버(110)의 내부로 분사된다. 이와 같이 제1 및 제2 공정 가스가 독립적으로 진공 챔버(110)의 내부로 공급됨으로서, 제1 공정 가스는 방전 유도 브리지(133)의 상부 영역으로 흐르면서 제2 공정 가스 보다 먼저 플라즈마를 형성하게 되고, 이온화된 상태에서 제2 공정 가스와 혼합된다. 제1 공정 가스는 예를 들어, 캐리어 가스로서 Ar, N2, O2등의 가스일 수 있다. 제2 공정 가스는 예를 들어, 원료 가스로서 SiH4, CH4, CH3, Cl2 등의 가스 일 수 있다.
도 3은 두 개의 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이다. 도 3을 참조하여, 제1 실시예의 변형예로서 플라즈마 반응 챔버(100a)는 두 개의 방전 유도 브리지를 구비한다. 두 개의 방전 유도 브리지에는 각각 페라이트 코어와 일차 권선을 갖는 변압기(130a, 130b)가 설치된다. 이러한 플라즈마 처리 챔버(100a)의 구체적인 구성과 동작의 설명은 본 발명자에 의해 2005년 6월 15일자로 특허 출원된 출원번호 10-2005-0051472호에 상세히 설명되어 있음으로 구체적인 설명은 생략한다.
두 개의 방전 유도 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버(100a)의 경우에도 상 술한 하나의 방전 유도 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버(100)와 동일하게 독립된 제1 및 제2 공급 채널이 구비된다. 다만, 제1 가스 공급 채널을 구성하는 두 개의 제1 가스 입구(113a, 113b)가 구비된다. 이와 같이, 방전 유도 브리지의 개수에 따라 제1 가스 입구의 수는 적절이 구성될 수 있다.
제2 실시예
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이고, 도 5는 도 4의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하여, 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버(200)는 다수의 외부 방전 브리지(233)가 진공 챔버(210)의 상부에 설치된다. 다수의 외부 방전 브리지(233)의 상부에는 중공의 방전관 헤드(234)가 구비된다. 각각의 외부 방전 브리지(233)에는 환형의 마그네틱 코어(231)와 일차 권선(232)을 갖는 변압기(230)가 설치된다. 진공 챔버(210)의 내부에는 피처리 기판(214)이 놓이는 기판 지지대(215)가 구비된다.
구체적으로 도시되지는 않았지만 일차 권선(232)은 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결되고, 기판 지지대(215)는 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결된다. 이와 같은 외부 방전 브리지(233)를 구비하는 플라즈마 처리 챔버(200)는 본 발명자에 의해 2003년 5월 7일자로 특허 출원된 출원번호 10-2003-0028846호에 상세히 설명되어 있음으로 구체적인 설명은 생략 한다.
본 발명의 제2 실시예에서는 외부 방전 브리지(233)를 갖는 플라즈마 처리 챔버(200)에서 플라즈마 처리 효율을 높이기 위하여 이중 가스 공급 구조를 제공한다. 플라즈마 처리 챔버(200)는 서로 독립적인 제1 및 제2 가스 공급 채널을 구비한다. 제1 가스 공급 채널은 방전 유도 브리지(233)로 제1 공정 가스를 공급한다. 제2 가스 공급 채널은 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버(210)로 제2 공정 가스를 공급한다.
구체적으로, 제1 가스 공급 채널은 외부 방전 브리지(233)로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 방전관 헤드(234)에 설치되는 제1 가스 입구(235)를 포함한다. 제1 가스 입구(235)는 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급원(미도시)에 연결된다. 제2 가스 공급 채널은 진공 챔버(210)의 천정(211)에 다수 형성된 가스 주입 홀(212)과 진공 챔버(210)의 천정(211)과 소정 간격을 두고 진공 챔버(210)의 상부를 덮는 상부 커버(220) 그리고 상부 커버(220)의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버(220)에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구(221)를 포함한다. 상부 커버(220)는 외부 방전 브리지(233)가 통과하는 개구부(222)가 포함된다.
제1 가스 입구(235)를 통하여 입력되는 제1 공정 가스는 방전관 헤드(234)와 외부 방전 브리지(233)를 통하여 진공 챔버(210)의 내부로 분사된다. 제2 가스 입구(221)를 통하여 입력되는 제2 공정 가스는 상부 커버(220)의 내부로 확산되면서 다수의 가스 주입 홀(212)을 통하여 진공 챔버(210)의 내부로 분사된다. 이와 같 이 제1 및 제2 공정 가스가 독립적으로 진공 챔버(210)의 내부로 공급됨으로서, 제1 공정 가스는 방전관 헤드(234)와 방전 유도 브리지(233)로 흐르면서 제2 공정 가스 보다 먼저 플라즈마를 형성하게 되고, 이온화된 상태에서 제2 공정 가스와 혼합된다. 제1 공정 가스는 예를 들어, 캐리어 가스로서 Ar, N2, O2등의 가스일 수 있다. 제2 공정 가스는 예를 들어, 원료 가스로서 SiH4, CH4, CH3, Cl2 등의 가스 일 수 있다.
제3 실시예
도 6은 본 발명의 제3 실시예예 따른 플라즈마 처리 챔버의 이중 가스 공급 구조를 보여주기 위한 부분 절개 사시도이고, 도 7은 도 6의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하여, 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버(300)는 교차형의 외부 방전 브리지(334)가 진공 챔버(210)의 상부에 설치된다. 교차형 외부 방전 브리지(334)의 네 개의 브리지 레그(bridge leg)(333)에는 환형의 마그네틱 코어(331)와 일차 권선(332)을 갖는 변압기(330)가 설치된다. 진공 챔버(310)의 내부에는 피처리 기판(314)이 놓이는 기판 지지대(315)가 구비된다.
구체적으로 도시되지는 않았지만 일차 권선(332)은 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결되고, 기판 지지대(315)는 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원에 전기적으로 연결된다. 이와 같은 교차형 외부 방전 브리지(333) 를 구비하는 플라즈마 처리 챔버(300)는 본 발명자에 의해 2003년 2월 20일자로 특허 출원된 출원번호 10-2003-0010555호에 상세히 설명되어 있음으로 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명의 제3 실시예에서는 외부 방전 브리지(334)를 갖는 플라즈마 처리 챔버(300)에서 플라즈마 처리 효율을 높이기 위하여 이중 가스 공급 구조를 제공한다. 플라즈마 처리 챔버(300)는 서로 독립적인 제1 및 제2 가스 공급 채널을 구비한다. 제1 가스 공급 채널은 방전 유도 브리지(334)로 제1 공정 가스를 공급한다. 제2 가스 공급 채널은 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버(310)로 제2 공정 가스를 공급한다.
구체적으로, 제1 가스 공급 채널은 외부 방전 브리지(334)로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 외부 방전 브리지(334)에 설치되는 제1 가스 입구(335)를 포함한다. 제1 가스 입구(335)는 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급원(미도시)에 연결된다. 제2 가스 공급 채널은 진공 챔버(310)의 천정(311)에 다수 형성된 가스 주입 홀(312)과 진공 챔버(310)의 천정(311)과 소정 간격을 두고 진공 챔버(310)의 상부를 덮는 상부 커버(320) 그리고 상부 커버(320)의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버(320)에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구(321)를 포함한다. 상부 커버(320)는 네 개의 브리지 레그(333)가 통과하는 개구부(322)가 포함된다.
제1 가스 입구(335)를 통하여 입력되는 제1 공정 가스는 외부 방전 브리지(334)와 브리지 레그(33)를 통하여 진공 챔버(310)의 내부로 분사된다. 제2 가 스 입구(321)를 통하여 입력되는 제2 공정 가스는 상부 커버(320)의 내부로 확산되면서 다수의 가스 주입 홀(312)을 통하여 진공 챔버(310)의 내부로 분사된다. 이와 같이 제1 및 제2 공정 가스가 독립적으로 진공 챔버(310)의 내부로 공급됨으로서, 제1 공정 가스는 외부 방전 브리지(334)와 브리지 레그(333)로 흐르면서 제2 공정 가스 보다 먼저 플라즈마를 형성하게 되고, 이온화된 상태에서 제2 공정 가스와 혼합된다. 제1 공정 가스는 예를 들어, 캐리어 가스로서 Ar, N2, O2등의 가스일 수 있다. 제2 공정 가스는 예를 들어, 원료 가스로서 SiH4, CH4, CH3, Cl2 등의 가스 일 수 있다.
제1 내지 제3 실시예에서 설명된 바와 같이, 하나 이상의 방전 유도 브리지나 하나 이상의 외부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버는 본 발명의 이중 가스 공급를 적용하여 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있다.
본 발명에 따른 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버에 의하면, 하나 이상의 방전 유도 브리지나 하나 이상의 외부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마 발생 구조에 적합하게 이중 가스 공급가 제공됨으로서 고밀도의 플라즈마를 더욱 균일하게 발생할 수 있으며 보다 높은 플라즈마 처리 효율을 얻을 수 있게 된다.

Claims (4)

  1. 플라즈마가 수용되는 진공 챔버;
    진공 챔버의 내측 천정에 설치되고, 진공 챔버의 외부에서 내부를 통과하는 관통로를 제공하는 하나 이상의 방전 유도 브리지;
    방전 유도 브리지의 관통로에 장착되는 환형의 마그네틱 코어 및 일차 권선을 포함하는 변압기;
    하나 이상의 방전 유도 브리지의 상부로 제1 공정 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 채널; 및
    제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버로 제2 공정 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 제1 가스 공급 채널은: 하나 이상의 방전 유도 브리지의 상부로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 진공 챔버의 상부에 설치되는 하나 이상의 제1 가스 입구를 포함하고,
    제2 가스 공급 채널은: 진공 챔버의 천정에 다수 형성되어 제2 공정 가스가 주입되는 가스 주입 홀; 진공 챔버의 천정과 소정 간격을 두고 진공 챔버의 상부를 덮는 상부 커버; 및 상부 커버의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구를 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  3. 플라즈마가 수용되는 진공 챔버;
    진공 챔버의 외측 상부에 설치되는 하나 이상의 외부 방전 브리지;
    하나 이상의 외부 방전 브리지에 장착되는 환형의 마그네틱 코어 및 일차 권선을 포함하는 변압기;
    외부 방전 브리지로 제1 공정 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 채널; 및
    제1 가스 공급 채널과 독립적으로 진공 챔버로 제2 공정 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 제1 가스 공급 채널은: 하나 이상의 외부 방전 브리지로 제1 공정 가스를 주입하기 위해 하나 이상의 외부 방전 브리지에 설치되는 하나 이상의 제1 가스 입구를 포함하고,
    제2 가스 공급 채널은: 진공 챔버의 천정에 다수 형성되어 제2 공정 가스가 주입되는 가스 주입 홀; 진공 챔버의 천정과 소정 간격을 두고 진공 챔버의 상부를 덮는 상부 커버; 및 상부 커버의 내부로 제2 공정 가스를 주입하기 위해 상부 커버에 설치되는 하나 이상의 제2 가스 입구를 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
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