KR960042934A - 플라즈마 처리 시스템 - Google Patents

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KR960042934A
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다카히로 다무라
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니시하라 슌지
아넬바 가부시기가이샤
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마처리시스템은 배기채널이 배치된 진공용기, 상기 진공용기 내에 특정 가스를 도입하기 위한 가스도입기구, 플라즈마를 형성하기 위해 도입된 가스에 에너지를 부여하는 전력공급기구, 형성된 플라즈마에 의해 처리될 위치에 기판을 배치하는 기판홀더를 구비하고, 상기 가스도입기구는 상기 진공용기의 내측면과 상기 기판홀더의 기판배치부분을 제외한 부분의 노출면에 퇴적된 박막을 플라즈마에칭으로 제거하기 위해 플라즈마 클리닝용 가스를 도입하고, 상기 기판홀더는 플라즈마클리닝을 행할 경우 기판홀더의 상기 노출면에 에너지를 부여하기 위한 에너지인 가부재를 포함한다. 이에따라 기판홀더에 있어서 그 노출면의 퇴적막에 대해 에칭에 의한 제거가 촉진되어 플라즈마클리닝 전체의 소요시간을 대폭적으로 단축할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마처리시스템의 개략도.

Claims (13)

  1. 배기채널이 배치된 진공용기, 상기 진공용기 내에 특정 가스를 도입하기 위한 가스도입기구, 플라즈마를 형성하기 위해 도입된 가스에 에너지를 부여하는 전력공급기구, 형성된 플라즈마에 의해 처리될 위치에 기판을 배치하는 기판홀더를 구비하고, 상기 가스도입기구는 상기 진공용기의 내측면과 상기 기판홀더의 기판배치부분을 제외한 부분의 노출면에 퇴적된 박막을 플라즈마에칭으로 제거하기 위해 플라즈마클리닝용 가스를 도입하고, 상기 기판홀더는 플라즈마클리닝을 행할 경우 기판홀거의 상기 노출면에 에너지를 부여하기 위한 에너지인 가부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전력공급기구는 전자기파로서 특정고주파전력을 상기 진공용기에 공급하고, 상기 에너지인가부재는 상기 전력공급기구가 공급하는 고주파전력에 의해 유도전류가 흘러 발열작용을 하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 상기 기판홀더의 노출면 아래에 매설된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  4. 제2항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 자성체의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  5. 제2항에 있어서, 상기 기판홀더는 기판에 특정 바이어스전압을 인가하기 위해 전자기파로서의 특정고주파 전력을 공급하는 기판용 고주파전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판홀더는 금속으로된 홀더본체, 이 홀더본체의 상부에 배치된 유전체블록, 상기 홀더본체 및 상기 유전체블록의 둘레를 덮는 절연블록을 포함하며, 상기 에너지인가부재는 상기 절연블록에 매설되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 발열을 위해 에너지를 부여받는 물질로 제조되고, 상기 에너지인 가부재에 에너지를 부여하기 위한 에너지부여용 전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 니켈 및 크롬을 필수적인 성분으로 하는 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 카본을 필수적인 성분으로 하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 이 에너지부재에 전자기파로서의 특정의 고주파전력을 공급하기 위한 노출면용 고주파전원에 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 상기 기판홀더의 노출면 아래에 매설되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 기판홀더는 기판에 특정의 바이어스전압을 인가하기 위해 전자기파로서의 특정의 고주파전력을 공급하는 기판용 고주파전원에 접속되며, 이 기판용 고주파전원은 상기 노출면용 고주파전원으로서도 작용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
  13. 제10항에 있어서, 상기 에너지인가부재는 텅스텐을 필수적인 성분으로 하는 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960018646A 1995-05-30 1996-05-30 플라즈마 처리 시스템 KR100249548B1 (ko)

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