KR920007128A - 플라즈마 처리장치 및 이의 처리방법 - Google Patents

플라즈마 처리장치 및 이의 처리방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리장치 및 이의 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 플라즈마 처리장치의 단면도,
제2도는 본 발명의 제2실시예의 플라즈마 처리장치의 단면도,
제3도A는 본 발명의 제3실시예의 플라즈마 처리장치의 단면도,
제3B는 제3A도의 플라즈마 처리장치의 세정속도와 위치간의 특징을 나타낸 도면.

Claims (17)

  1. 전자 사이클로트론 공명 여기를 사용하여 진공용기내에서 반응가스 플라즈마를 발생시켜 시료처리를 행하고 진공용기내에서 세정가스 플라즈마를 발생시켜 진공용기 내벽의 세정처리를 행하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 진공용기내에 반응가스를 공급하는 반응가스공급노즐과, 사이클로트론 공명을 위해 사용되는 자계를 진공용기내의 플라즈마 발생영역에서 발생시키는 주자계코일과, 플라즈마파를 제어하기 위해 사용되는 다른 자계를 진공용기 내의 플라즈마 반응영역에서 발생시키는 제어자계 코일과, 시료를 플라즈마 반응영역에서 지지하는 시료홀더와, 원통플라즈마 및 최대 플라즈마 직경이 이 원통플라즈마 보다도 큰 발산플라즈마중 어느 하나를 선택적으로 발생시키는 여기 제어수단으로 이루어지고, 상기 여기제어수단은 시료처리시에는 원통형 반응가스 플라즈마를 발생시키고, 세정처리시에는 발산형 세정가스 플라즈마를 발생시키는 것으로 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 전자 사이클로트론 공명 여기를 사용하여 진공용기내에서 반응가스 플라즈마를 발생시켜 시료처리를 행하고 진공용기내에서 세정가스 플라즈마를 발생시켜 진공용기 내벽의 세정처리를 행하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 진공용기내에 반응가스를 공급하는 반응가스공급노즐과, 사이클로트론 공명을 위해 사용되는 자계를 진공용기내의 플라즈마 발생영역에서 발생시키는 주자계코일과, 플라즈마파를 제어하기 위해 사용되는 다른 자계를 진공용기 내의 플라즈마 반응영역에서 발생시키는 제어자계 코일과, 시료를 플라즈마 반응영역에서 지지하는 시료홀더와, 세정처리시에 제어자계 코일에 의한 자계방향을 새료처리시의 역방향으로 전환하여 주자계코일과 제어자계코일과의사이에 카스프자계를 발생시키는 카스프자계방생수단으로 이루어지고, 세정가스플라즈마는 카스프 자계에 의해 발생시키고, 주자계코일 및 제어자계코일 중 어느 하나는 연속적으로 제어하여 카스프 자계경계면을 주자계코일과 제어자계코일과의 사이에서 주사시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 전자 사이클로트론 공명 여기를 사용하여 진공용기내에서 반응가스 플라즈마를 발생시켜 시료처리를 행하고 진공용기내에서 세정가스 플라즈마를 발생시켜 진공용기 내벽의 세정처리를 행하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 진공용기내에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급노즐과, 사이클로트론 공명을 위해 사용되는 자계를 진공용기내의 플라즈마 발생영역에서 발생시키는 주자계코일과, 플라즈마파를 제어하기 위해 사용되는 다른 자계를 진공용기 내의 플라즈마 반응영역에서 발생시키는 제어자계 코일과, 시료를 플라즈마 반응영역에서 지지하는 시료홀더와, 주자계 코일 및 제어자계 코일의 자계방향을 시료처리시의 역방향으로 전환는 전환수단과, 주자계코일 및 제어자계코일에 의한 자계분포를 연속적으로 변환시키는 여기 제어수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 세정가스의 유량을 검출하여 이의 유량을 조정하는 유량 조절수단과, 진공용기내의 압력을 검출하는 압력검출수단과, 반응가스 유량 또는 배기가스 유량중 어느 하나를 제어하고 진공용기내의 압력을 미리 정한 값으로 유지시키는 압력 제어수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 세정가스의 유량을 검출하여 이의 유량을 조정하는 유량 조절수단과, 진공용기내의 압력을 검출하는 압력검출수단과, 반응가스 유량 또는 배기가스 유량중 어느 하나를 제어하고 진공용기내의 압력을 미리 정한 값으로 유지시키는 압력 제어수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제3항에 있어서, 세정가스의 유량을 검출하여 이의 유량을 조정하는 유량 조절수단과, 진공용기내의 압력을 검출하는 압력검출수단과, 반응가스 유량 또는 배기가스 유량중 어느 하나를 제어하고 진공용기내의 압력을 미리 정한 값으로 유지시키는 압력 제어수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 세정가스를 진공용기내로 공급하는 세정가스 공급노즐과, 진공용기내부와 반응가스 공급노즐 사이의 반응가스 통로를 차단하는 차단수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 세정가스를 진공용기내로 공급하는 세정가스 공급노즐과, 진공용기내부와 반응가스 공급노즐 사이의 반응가스 통로를 차단하는 차단수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제3항에 있어서, 세정가스를 진공용기내로 공급하는 세정가스 공급노즐과, 진공용기내부와 반응가스 공급노즐 사이의 반응가스 통로를 차단하는 차단수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 세정가스 공급노즐의 입구를 진공용기의 시료홀더 부근에 설치한, 플라즈마 처리장치.
  11. 제2항에 있어서, 세정가스 공급노즐의 입구를 진공용기의 시료홀더 부근에 설치한, 플라즈마 처리장치.
  12. 제3항에 있어서, 세정가스 공급노즐의 입구를 진공용기의 시료홀더 부근에 설치한, 플라즈마 처리장치.
  13. 제1항에 있어서, 시료홀더에 고주파 전계를 인가하는 수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제2항에 있어서, 시료홀더에 고주파 전계를 인가하는 수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  15. 제3항에 있어서, 시료홀더에 고주파 전계를 인가하는 수단을 추가로 포함하는 플라즈마 처리장치.
  16. 전자 사이클로트론 공명 여기를 사용하여 진공용기내에서 반응가스 플라즈마를 발생시켜 시료처리를 행하고 진공용기내에서 세정가스 플라즈마를 발생시켜 진공용기 내벽의 세정처리를 행하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 세정처리시의 시료면에 평행한 면내에서의 최대 플라즈마 직경은 시료처리시의 시료면에 평행한 면내에서의 최대 플라즈마 직경영보다도 크고, 세정처리시의 최대 플라즈마 직경부에서의 플라즈마 단부는 진공용기 내벽에 도달하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 세정가스 플라즈마를 진공용기 내에서 주사하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415214B1 (ko) * 1995-04-05 2004-05-17 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 성막방법
KR100455555B1 (ko) * 2000-08-11 2004-11-12 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정표시장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US6113701A (en) 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US7235819B2 (en) * 1991-03-18 2007-06-26 The Trustees Of Boston University Semiconductor device having group III nitride buffer layer and growth layers
JP3042127B2 (ja) * 1991-09-02 2000-05-15 富士電機株式会社 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
JP2987663B2 (ja) * 1992-03-10 1999-12-06 株式会社日立製作所 基板処理装置
JP3172757B2 (ja) * 1993-05-01 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH0711446A (ja) * 1993-05-27 1995-01-13 Applied Materials Inc 気相成長用サセプタ装置
US6007637A (en) * 1993-06-11 1999-12-28 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and apparatus for the dry treatment of metal surfaces
US5458725A (en) * 1993-08-17 1995-10-17 Motorola, Inc. Gas distribution system
US5759922A (en) * 1993-08-25 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Control of etch profiles during extended overetch
JPH07245193A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
US5503676A (en) * 1994-09-19 1996-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber
JP2962181B2 (ja) * 1995-02-01 1999-10-12 ヤマハ株式会社 ドライエッチング方法及び装置
US5674321A (en) * 1995-04-28 1997-10-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing plasma uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor
JPH09167755A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Nec Corp プラズマ酸化膜処理装置
US5988187A (en) 1996-07-09 1999-11-23 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports
DE19644150A1 (de) * 1996-10-24 1998-04-30 Roland Dr Gesche Magnetfeldunterstütztes Reinigen, Entfetten und Aktivieren mit Niederdruck-Gasentladungen
EP0933806A4 (en) * 1996-11-14 2003-01-22 Tokyo Electron Ltd CLEANING A PLASMA APPARATUS AND TREATMENT
US6079426A (en) * 1997-07-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process
US6068783A (en) * 1998-04-28 2000-05-30 Winbond Electronics Corp In-situ and non-intrusive method for monitoring plasma etch chamber condition utilizing spectroscopic technique
JP2000021871A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US20070048882A1 (en) * 2000-03-17 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method to reduce plasma-induced charging damage
JP4009087B2 (ja) * 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
US20030150475A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Lorne Abrams Method and apparatus for sanitizing reusable articles
US7056416B2 (en) * 2002-02-15 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7458335B1 (en) 2002-10-10 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
JP5011631B2 (ja) * 2004-06-01 2012-08-29 富士ゼロックス株式会社 半導体製造装置および半導体製造システム
JP2006169589A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Shinko Seiki Co Ltd 表面処理装置
JP4943047B2 (ja) * 2006-04-07 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US20080092806A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Removing residues from substrate processing components
US8092605B2 (en) * 2006-11-28 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement of a plasma
US20090014644A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Inficon, Inc. In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
JP2012023098A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4576698A (en) * 1983-06-30 1986-03-18 International Business Machines Corporation Plasma etch cleaning in low pressure chemical vapor deposition systems
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
JPS62261125A (ja) * 1986-05-08 1987-11-13 Fuji Electric Co Ltd 乾式薄膜加工装置
JPH0715899B2 (ja) * 1986-06-06 1995-02-22 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及び装置
JPS63111177A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ薄膜形成装置
JPS63119225A (ja) * 1986-11-06 1988-05-23 Fujitsu Ltd プラズマｃｖｄ装置
US4960488A (en) * 1986-12-19 1990-10-02 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
JPS63210275A (ja) * 1987-02-24 1988-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ反応装置内を清浄にする方法
JP2637509B2 (ja) * 1987-10-15 1997-08-06 キヤノン株式会社 新規なダイヤモンド状炭素膜及びその製造方法
JPH01298170A (ja) * 1988-05-25 1989-12-01 Tel Sagami Ltd Ｅｃｒプラズマ処理装置
JP2595002B2 (ja) * 1988-01-13 1997-03-26 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
JP2696891B2 (ja) * 1988-03-11 1998-01-14 住友金属工業株式会社 プラズマプロセス装置
JP2696892B2 (ja) * 1988-03-11 1998-01-14 住友金属工業株式会社 プラズマプロセス装置
US4975144A (en) * 1988-03-22 1990-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of plasma etching amorphous carbon films
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JPH02174229A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置およびその使用方法
JPH07101685B2 (ja) * 1989-01-26 1995-11-01 富士通株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0375373A (ja) * 1989-08-18 1991-03-29 Fujitsu Ltd プラズマ処理装置の清浄化方法
US5084125A (en) * 1989-09-12 1992-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for producing semiconductor substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415214B1 (ko) * 1995-04-05 2004-05-17 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 성막방법
KR100455555B1 (ko) * 2000-08-11 2004-11-12 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정표시장치 및 그 제조방법

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