JPS63119225A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63119225A JPS63119225A JP26518386A JP26518386A JPS63119225A JP S63119225 A JPS63119225 A JP S63119225A JP 26518386 A JP26518386 A JP 26518386A JP 26518386 A JP26518386 A JP 26518386A JP S63119225 A JPS63119225 A JP S63119225A
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- JP
- Japan
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- reaction chamber
- wall cover
- wall
- plasma cvd
- cleaning
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 6
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラズマＣＶＤ装置の反応室の内壁のクリーニングが容
易に行えるように、反応室の壁面に近接した金属製の内
壁カバーを設け、接地スイッチにより接地可能となるよ
うに結線したプラズマＣＶＤ装置。
易に行えるように、反応室の壁面に近接した金属製の内
壁カバーを設け、接地スイッチにより接地可能となるよ
うに結線したプラズマＣＶＤ装置。
本発明は、プラズマＣＶＤ装置に係り、特にクリーニン
グが容易に行える反応室の改良に関するものである。
グが容易に行える反応室の改良に関するものである。
従来のプラズマＣＶＤ装置の反応室は、稼動時に膜が反
応室壁に付かないように、放電が反応室壁に拡がらない
電気的な絶縁物が用いられている。
応室壁に付かないように、放電が反応室壁に拡がらない
電気的な絶縁物が用いられている。
しかしながら、反応室壁に膜が全く付かないよ・うにす
ることはできないのでクリーニングが必要となるが、反
応室壁の材質が電気的絶縁物のためにクリーニングを充
分に行うことができない。
ることはできないのでクリーニングが必要となるが、反
応室壁の材質が電気的絶縁物のためにクリーニングを充
分に行うことができない。
一方、反応室壁を金属製にするとクリーニングは充分に
行うことができるが、稼動時には放電が反応室壁に拡が
って、膜が反応室壁に付き易くなる。
行うことができるが、稼動時には放電が反応室壁に拡が
って、膜が反応室壁に付き易くなる。
このような状況から、稼動時には反応室壁に膜が付きに
くく、クリーニング時にはクリーニングが完全に行える
プラズマＣＶＤ装置が要望されている。
くく、クリーニング時にはクリーニングが完全に行える
プラズマＣＶＤ装置が要望されている。
従来のプラズマＣＶＤ装置は、第２図に示すように電気
的な絶縁物からなる反応室１１を有しており、稼動時に
は高周波発振器６による上部電極４と下部電極５の間の
放電が反応室壁に拡がらないで、膜が反応室壁に付きに
くいようになっている。
的な絶縁物からなる反応室１１を有しており、稼動時に
は高周波発振器６による上部電極４と下部電極５の間の
放電が反応室壁に拡がらないで、膜が反応室壁に付きに
くいようになっている。
このような構造の反応室１１を持つプラズマＣＶＤ装置
を用いてプラズマ気相成長を行うと、反応室壁が電気的
な絶縁物で造られているので、プラズマ気相成長時には
反応室壁に膜が付きにくくなって、ウェーハ７の表面に
は良好な気相成長膜を形成することが可能である。
を用いてプラズマ気相成長を行うと、反応室壁が電気的
な絶縁物で造られているので、プラズマ気相成長時には
反応室壁に膜が付きにくくなって、ウェーハ７の表面に
は良好な気相成長膜を形成することが可能である。
しかし、反応室壁に膜が全く付かないことはないのでク
リーニングが必要となるが、反応室壁が電気的な絶縁物
で造られているので、クリーニングを完全に行うことが
できない。
リーニングが必要となるが、反応室壁が電気的な絶縁物
で造られているので、クリーニングを完全に行うことが
できない。
（発明が解決しようとする問題点３
以上説明の従来のプラズマＣＶＤ装置で問題となるのは
、クリーニング時に反応室壁に付着した膜を除去するの
が困難なことである。
、クリーニング時に反応室壁に付着した膜を除去するの
が困難なことである。
反応室壁のクリーニングは、プラズマ放電によるドライ
エツチングを応用して反応室壁に付着した膜を取り除く
のであるが、反応室壁が絶縁物で造られていると電極と
して用いることができないので、付着した膜を取り除く
のが困難になる。
エツチングを応用して反応室壁に付着した膜を取り除く
のであるが、反応室壁が絶縁物で造られていると電極と
して用いることができないので、付着した膜を取り除く
のが困難になる。
本発明は以上のような状況から簡単且つ安価に反応室壁
のクリーニングが行えるプラズマＣＶＤ装置の提供を目
的としたものである。
のクリーニングが行えるプラズマＣＶＤ装置の提供を目
的としたものである。
上記問題点は、反応室の壁面に近接する金属製の内壁カ
バーを設け、接地スイッチにより接地可能となるように
結線した本発明によるプラズマＣＶＤ装置によって解決
される。
バーを設け、接地スイッチにより接地可能となるように
結線した本発明によるプラズマＣＶＤ装置によって解決
される。
即ち本発明においては、反応室の壁面に近接する金属製
の内壁カバーを設けて、接地スイッチにより接地可能と
なるように結線しであるので、プラズマ気相成長時には
接地スイッチを開いておくと、内壁カバーが電気的に浮
遊したことになり、絶縁物の反応室と同等になり、ウェ
ーハの表面には良好な気相成長が可能である。
の内壁カバーを設けて、接地スイッチにより接地可能と
なるように結線しであるので、プラズマ気相成長時には
接地スイッチを開いておくと、内壁カバーが電気的に浮
遊したことになり、絶縁物の反応室と同等になり、ウェ
ーハの表面には良好な気相成長が可能である。
クリーニング時にはこの接地スイッチを閉じると、金属
製の内壁カバーが接地されて一方の電極を形成すること
になり、内壁カバーがドライエッヂされて付着した膜を
除去することが可能となる。
製の内壁カバーが接地されて一方の電極を形成すること
になり、内壁カバーがドライエッヂされて付着した膜を
除去することが可能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を説明する。
第１図において、反応室１の内側の直近には金属製、例
えばステンレススチール製の内壁カバー２が設けられて
いる。
えばステンレススチール製の内壁カバー２が設けられて
いる。
上部電極４．下部電極５．高周波発振器６は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置と同じである。
ズマＣＶＤ装置と同じである。
気相成長時には、内壁カバー２に接続した接地スイッチ
３を開いておくと、内壁カバー２は電気的には絶縁物と
同じ働きをするので、ウェーハ７の表面には良好な気相
成長が行われる。
３を開いておくと、内壁カバー２は電気的には絶縁物と
同じ働きをするので、ウェーハ７の表面には良好な気相
成長が行われる。
クリーニング時には、接地スイッチ３を閉じると内壁カ
バー２が接地され、電極の働きをするので、内壁カバー
２の表面に付着した膜はドライエツチングにより除去す
ることが可能となる。
バー２が接地され、電極の働きをするので、内壁カバー
２の表面に付着した膜はドライエツチングにより除去す
ることが可能となる。
このように、内壁カバー２に接続した接地スイッチ３の
開閉の切り換えによるだけで、気相成長時においても、
クリーニング時においても良好な状態で装置を稼動させ
ることが可能となる。
開閉の切り換えによるだけで、気相成長時においても、
クリーニング時においても良好な状態で装置を稼動させ
ることが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単な構造
の金属製の内壁カバ・−を、反゛応室の壁面に近接して
設けて接地スイッチと接続し、接地スイッチを稼動時に
は開き、クリーニング時には閉じることによって、いず
れの場合にも良好な状態で使用することが可能となるの
で、著しい経済的効果が期待でき工業的には極めて有用
なものである。
の金属製の内壁カバ・−を、反゛応室の壁面に近接して
設けて接地スイッチと接続し、接地スイッチを稼動時に
は開き、クリーニング時には閉じることによって、いず
れの場合にも良好な状態で使用することが可能となるの
で、著しい経済的効果が期待でき工業的には極めて有用
なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す側断面図、 図において、 Ｉは反応室、 ２は内壁カバー、 ３は接地スイッチ、 ４は上部電極、 ５ば下部電極、 ６は高周波発振器、 ７はウェーハ、 を示ず。
は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す側断面図、 図において、 Ｉは反応室、 ２は内壁カバー、 ３は接地スイッチ、 ４は上部電極、 ５ば下部電極、 ６は高周波発振器、 ７はウェーハ、 を示ず。
Claims (1)
- プラズマＣＶＤ装置であって、反応室（１）の壁面に近
接する金属よりなる内壁カバー（２）を設け、接地スイ
ッチ（３）により接地可能となるように結線したことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26518386A JPS63119225A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26518386A JPS63119225A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119225A true JPS63119225A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17413717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26518386A Pending JPS63119225A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082547A (en) * | 1991-02-01 | 1992-01-21 | Plasma Etch | Plasma etching reactor |
| US5211825A (en) * | 1990-09-21 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and the method of the same |
| FR2902029A1 (fr) * | 2006-06-13 | 2007-12-14 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de nettoyage d'un reacteur par plasma |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP26518386A patent/JPS63119225A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5211825A (en) * | 1990-09-21 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and the method of the same |
| US5082547A (en) * | 1991-02-01 | 1992-01-21 | Plasma Etch | Plasma etching reactor |
| FR2902029A1 (fr) * | 2006-06-13 | 2007-12-14 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de nettoyage d'un reacteur par plasma |
| WO2007144378A2 (fr) * | 2006-06-13 | 2007-12-21 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Dispositif et procede de nettoyage d'un reacteur par plasma |
| WO2007144378A3 (fr) * | 2006-06-13 | 2008-04-24 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de nettoyage d'un reacteur par plasma |
| US9812298B2 (en) | 2006-06-13 | 2017-11-07 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Cleaning device and cleaning process for a plasma reactor |
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