JPS58110674A - 乾式表面処理装置 - Google Patents
乾式表面処理装置Info
- Publication number
- JPS58110674A JPS58110674A JP21174581A JP21174581A JPS58110674A JP S58110674 A JPS58110674 A JP S58110674A JP 21174581 A JP21174581 A JP 21174581A JP 21174581 A JP21174581 A JP 21174581A JP S58110674 A JPS58110674 A JP S58110674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive electrode
- electrode bodies
- switches
- treating device
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａｔ 発明の技術分野
本発明は乾式表面処理装置に係り、特に被処理試料の所
望部分を選択的に処理可能ならしめる乾式表面処理装置
の構造に関する。
望部分を選択的に処理可能ならしめる乾式表面処理装置
の構造に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
半導体装置の製造工程において、半導体基板。
絶縁性基板表面に所望の皮膜を形成するスバ・ンタリン
グ装置、或いはこの皮膜を除去するためのプラズマエツ
チング装置等の乾式表面処理装置は、被処理試料全面に
わたって皮膜を被着或いは除去するものである。そのた
め部分的な皮膜の被着あるいは除去を要する場合は、被
処理試料表面をホトレジスト膜等からなるマスク層によ
り被覆、保護することを要し、従って上記マスク層の形
成及び除去工程を必要とする。
グ装置、或いはこの皮膜を除去するためのプラズマエツ
チング装置等の乾式表面処理装置は、被処理試料全面に
わたって皮膜を被着或いは除去するものである。そのた
め部分的な皮膜の被着あるいは除去を要する場合は、被
処理試料表面をホトレジスト膜等からなるマスク層によ
り被覆、保護することを要し、従って上記マスク層の形
成及び除去工程を必要とする。
半導体装置がＬＳＩ、超ＬＳＩとますます大規模化。
高集積化し、微細パターン化する趨勢下にあっては、上
記マスク層の形成工程は多大の工数を要し、また必ずし
も容易ではない。
記マスク層の形成工程は多大の工数を要し、また必ずし
も容易ではない。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、被処理試料表面
の所望部分を選択的に処理し得る乾式表面処理装置を提
供することにある。
の所望部分を選択的に処理し得る乾式表面処理装置を提
供することにある。
１ｄｌ 発明の構成
本発明の特徴は、互いに対向して配設された一対の並行
平板型電極の少なくとも一方を、＃＠縁性基板の所定位
置に少なくとも一個の導電電極体を埋設せる構造となし
、該導電電極体のそれぞれを選択的に電源と接続し得る
開閉スイッチを具備せしめたことにある。
平板型電極の少なくとも一方を、＃＠縁性基板の所定位
置に少なくとも一個の導電電極体を埋設せる構造となし
、該導電電極体のそれぞれを選択的に電源と接続し得る
開閉スイッチを具備せしめたことにある。
（ｅ）発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第１図は本発明の一実施例としてのプラズマエツチング
装置の要部を示す断面図である。
装置の要部を示す断面図である。
同図において、１は被処理試料で例えばガラスよりなる
ホトマスク基板、２は上記ホトマスク基板１表面に被着
された遮光膜で例えばクロム（Ｃｒ）層、３及び４はそ
れぞれ下部及び上部電極板、５及び６は石英硝子或いは
碍子等よりなる絶縁性基板、７は高周波電源、８は反応
室、１１〜１３及び１４〜１６はアルミニウム（ＡＪ）
等の導電材料よりなる導電電極体で、前記絶縁性基板３
．４にそれぞれ互いに離隔して設けられた貫通孔に挿入
固定されている。更に２１〜２３及び２４〜２６はそれ
ぞれ上記導電電極体１１〜１３と高周波電源７．導電電
極体１４〜１６と接地端との間に挿入接続された回路開
閉用のスイッチである。
ホトマスク基板、２は上記ホトマスク基板１表面に被着
された遮光膜で例えばクロム（Ｃｒ）層、３及び４はそ
れぞれ下部及び上部電極板、５及び６は石英硝子或いは
碍子等よりなる絶縁性基板、７は高周波電源、８は反応
室、１１〜１３及び１４〜１６はアルミニウム（ＡＪ）
等の導電材料よりなる導電電極体で、前記絶縁性基板３
．４にそれぞれ互いに離隔して設けられた貫通孔に挿入
固定されている。更に２１〜２３及び２４〜２６はそれ
ぞれ上記導電電極体１１〜１３と高周波電源７．導電電
極体１４〜１６と接地端との間に挿入接続された回路開
閉用のスイッチである。
上述の如く構成した本発明のプラズマエツチング装置を
用いてＣｒ層２の所望の部分を除去するには、まず反応
室８内を所定の反応圧力の塩化炭素（ＣＣｊ！、）等の
反応ガス雰囲気としたのち、除去すべき部分に対応する
導電電極体に接続するスイッチを閉じろ。例えば同図に
おいてＡ部を除去する場合は、Ａ部に対応する導電電極
体１２及び１５に接続するスイッチ２２及び２５を閉じ
る。ここで他の導電電極体１１．１３及び１４．１６に
接続するスイッチ２１，２３．及び２４ 、２６は開い
たままにしておく。
用いてＣｒ層２の所望の部分を除去するには、まず反応
室８内を所定の反応圧力の塩化炭素（ＣＣｊ！、）等の
反応ガス雰囲気としたのち、除去すべき部分に対応する
導電電極体に接続するスイッチを閉じろ。例えば同図に
おいてＡ部を除去する場合は、Ａ部に対応する導電電極
体１２及び１５に接続するスイッチ２２及び２５を閉じ
る。ここで他の導電電極体１１．１３及び１４．１６に
接続するスイッチ２１，２３．及び２４ 、２６は開い
たままにしておく。
このようにすると同図に見られる如くプラズマ９は導電
電極体１２及び１５の間に生成され、Ｃｒ層２のＡ部の
みが選択的に除去される。
電極体１２及び１５の間に生成され、Ｃｒ層２のＡ部の
みが選択的に除去される。
上記一実施例において、被処理試料１に対向する上部電
極板４は全体が一枚の導電電極であってもよい。但しこ
のようにするとプラズマの収束性が低下するので、微細
部分をエツチングする場合には本実施例の如く、上下両
電極板とも絶縁性基板の所望部分に所要数の導電電極体
を埋設した構造とするのが望ましい。
極板４は全体が一枚の導電電極であってもよい。但しこ
のようにするとプラズマの収束性が低下するので、微細
部分をエツチングする場合には本実施例の如く、上下両
電極板とも絶縁性基板の所望部分に所要数の導電電極体
を埋設した構造とするのが望ましい。
なお本発明は上記一実施例のプラズマエツチング装置に
限定されるものではなく、他のドライエツチング装置に
おいても、またスパッタリング装置等においても実施し
得る。
限定されるものではなく、他のドライエツチング装置に
おいても、またスパッタリング装置等においても実施し
得る。
第２図は本発明の変形例を示す要部断面図であって、被
処理試料（例えばホトマスク基板）１が上部電極板４の
下面に取り付けられ、下部電極３上には例えばＣｒより
なるターゲット３０が載置されている点のみが前記一実
施例と冥なる。
処理試料（例えばホトマスク基板）１が上部電極板４の
下面に取り付けられ、下部電極３上には例えばＣｒより
なるターゲット３０が載置されている点のみが前記一実
施例と冥なる。
本変形例の場合にはスイッチ１３及び１６のみが閉しら
れているので、ガラス基板１のＢ部表面にのみ選択的に
Ｃｒ層２が被着する。
れているので、ガラス基板１のＢ部表面にのみ選択的に
Ｃｒ層２が被着する。
なお本発明において、導電電橋体の材料、数。
形状、配置或いは絶縁性基板の材質等、電極板の構造は
、なんら限定される必要のないことは特に言うまでもな
い。
、なんら限定される必要のないことは特に言うまでもな
い。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により被処理試料表面にマスク層
を形成することなしに被処理試料表面を選択的に処理し
得る乾式表面処理装置が提供される。
を形成することなしに被処理試料表面を選択的に処理し
得る乾式表面処理装置が提供される。
第１図及び第２図は本発明−実施例及び変形例を示す要
部断面図である。 図において、ｌは被処理試料、２は被処理膜、３．４は
それぞれ上部及び下部電極板、５．６は絶縁性基板、９
はプラズマ、１１〜１６は導電電極体、２１〜２６は開
閉スイッチを示す。 第１図 第２ｒ！ｌＪ
部断面図である。 図において、ｌは被処理試料、２は被処理膜、３．４は
それぞれ上部及び下部電極板、５．６は絶縁性基板、９
はプラズマ、１１〜１６は導電電極体、２１〜２６は開
閉スイッチを示す。 第１図 第２ｒ！ｌＪ
Claims (1)
- 互いに対向して配設された一対の並行平板型電極を有す
る乾式表面処理装置において、前記一対の並行平板型電
極の少なくとも一方を、絶縁性基板の所定位置に少なく
とも一個の導電電極体を埋設せる構造となし、該導電電
極体のそれぞれを選択的に電源と接続し得る開閉スイッ
チを具備せしめたことを特徴とする乾式表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21174581A JPS58110674A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 乾式表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21174581A JPS58110674A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 乾式表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110674A true JPS58110674A (ja) | 1983-07-01 |
| JPH0336906B2 JPH0336906B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=16610877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21174581A Granted JPS58110674A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 乾式表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110674A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613401A (en) * | 1984-08-24 | 1986-09-23 | Fujitsu Limited | Method for dry etching a chromium or chromium oxide film |
| JPH01298182A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
| KR100429378B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2004-04-29 | 주식회사 이디디 | 반도체 웨이퍼 식각 공정용 플라즈마 발생장치 |
| JP2012500464A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ヴィジョン・ダイナミックス・ホールディング・ベスローテン・ヴェンノーツハップ | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス |
| JP2013519991A (ja) * | 2010-02-17 | 2013-05-30 | ヴィジョン ダイナミックス ホールディング ベー．フェー． | 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP21174581A patent/JPS58110674A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613401A (en) * | 1984-08-24 | 1986-09-23 | Fujitsu Limited | Method for dry etching a chromium or chromium oxide film |
| JPH01298182A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
| KR100429378B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2004-04-29 | 주식회사 이디디 | 반도체 웨이퍼 식각 공정용 플라즈마 발생장치 |
| JP2012500464A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ヴィジョン・ダイナミックス・ホールディング・ベスローテン・ヴェンノーツハップ | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス |
| US8702902B2 (en) | 2008-08-20 | 2014-04-22 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
| JP2013519991A (ja) * | 2010-02-17 | 2013-05-30 | ヴィジョン ダイナミックス ホールディング ベー．フェー． | 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 |
| US9161427B2 (en) | 2010-02-17 | 2015-10-13 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device and method for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336906B2 (ja) | 1991-06-03 |
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