JP2013519991A - 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 - Google Patents
基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013519991A JP2013519991A JP2012553829A JP2012553829A JP2013519991A JP 2013519991 A JP2013519991 A JP 2013519991A JP 2012553829 A JP2012553829 A JP 2012553829A JP 2012553829 A JP2012553829 A JP 2012553829A JP 2013519991 A JP2013519991 A JP 2013519991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- high voltage
- plasma
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/44—Plasma torches using an arc using more than one torch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (48)
- 基板の表面をパターニングするために前記基板の近くでプラズマ放電を発生させるための装置であって、
第1放電部を有する第1電極および第2放電部を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に高電圧差を発生させるための高電圧源と、
前記第1電極を前記基板に対して位置決めするための位置決め手段と、
を備え、
前記装置は、使用時に前記第1電極と前記基板との間に配置される中間構造をさらに備える、
装置。 - 前記中間構造は、前記プラズマを通すための少なくとも1つの開口、好ましくは複数の開口、を備えたシートとして形成される、請求項1に記載の装置。
- 前記中間構造は、非導電性材料を備え、好ましくは前記非導電性材料で基本的に構成される、請求項1または2に記載の装置。
- 前記中間構造は、導電性材料を備え、好ましくは前記導電性材料で基本的に構成される、請求項1または2に記載の装置。
- 前記第1電極は、前記少なくとも1つの開口を通って延在する軸に沿った細長い形状である、請求項2乃至4の何れか1項に記載の装置。
- 前記中間構造は、前記プラズマによって少なくとも部分的に移動可能なプロセス材料が設けられたシートとして形成される、請求項1乃至5の何れか1項に記載の装置。
- 前記中間構造は、前記プロセス材料が設けられたキャリアシートを備え、前記プロセス材料は前記プラズマによって前記キャリアシートから少なくとも部分的に除去可能である、請求項6に記載の装置。
- 使用時、前記プロセス材料は、前記キャリアシートと前記基板との間に配置される、請求項7に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、前記第1電極を前記第2電極に対して、前記第1放電部と前記第2放電部との間の距離が十分に小さいために前記高電圧差での前記プラズマ放電が助長される第1の位置と、前記第1放電部と前記第2放電部との間の前記距離が十分に大きいために前記高電圧差でのプラズマ放電が防止される第2の位置とに選択的に位置決めするように構成される、請求項1乃至8の何れか1項に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、前記第1電極を前記第2電極に向かう方向と、前記第2電極から離れる方向とに移動させるように構成される、請求項9に記載の装置。
- 前記第2電極は、シート状基板をその外面に配置できるドラムとして設計され、これにより前記基板は前記ドラムと前記第1電極との間に配置され、前記位置決め手段は前記第1電極を前記外面に対して直角な方向に移動するように構成される、請求項9または10に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、前記第1電極を前記基板の前記表面に沿って位置決めするようにさらに構成される、請求項1乃至11の何れか1項に記載の装置。
- 筐体をさらに備え、前記第1電極は前記筐体によって少なくとも部分的に取り囲まれ、前記第1電極は前記筐体に対して移動可能である、先行請求項の何れか1項に記載の装置。
- 前記高電圧源は、前記第1電極と前記第2電極との間の前記高電圧差を調整するように構成される、先行請求項の何れか1項に記載の装置。
- 複数の第1電極および/または複数の第2電極を備える、先行請求項の何れか1項に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、各第1電極を前記1つ以上の第2電極に対して個別に位置決めするように構成される、請求項15に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、各第1電極を残りの第1電極に対して個別に位置決めするように構成される、請求項15または16に記載の装置。
- 前記第1電極は、前記高電圧源に導電接続される、マトリックスプリンタの印刷ヘッドの可動ペンによって形成される、先行請求項の何れか1項に記載の装置。
- 前記第1電極および/または前記第2電極は、例えば前記放電部におけるレーザ蒸着またはアブレーションによる、あるいは前記放電部における専用の結晶成長による、あるいは前記放電部にカーボンナノチューブを設けることによる、ナノ構造またはマイクロ構造を有する、先行請求項の何れか1項に記載の装置。
- 前記位置決め手段は、前記第2電極の位置決めを前記第1電極と同期的に行うようにさらに構成される、請求項1乃至19の何れか1項に記載の装置。
- 前記第1および第2電極は機械的に結合される、請求項20に記載の装置。
- 前記高電圧源は、第1モードでは、前記プラズマ放電を助長するために前記高電圧差を選択的に発生させ、第2モードでは、プラズマ放電を防止するために低電圧差またはゼロ電圧差を発生させるように構成される、請求項20または21に記載の装置。
- 複数の第1電極と複数の第2電極とを備え、前記高電圧源は、前記高電圧を少なくとも1つの第1電極と少なくとも1つの第2電極との間に選択的に印加するように構成される、請求項1乃至22の何れか1項に記載の装置。
- 前記プラズマを前記装置内で形成するためのガスを前記第1電極に向けて供給する給気路を備えた、および/または前記第1電極または前記基板からガスを排出するための排気路を備えた、請求項1乃至23の何れか1項に記載の装置。
- 前記第1電極は、前記プラズマを形成するためのガスを通すように構成された前記給気路を備える、請求項24に記載の装置。
- 前記第1電極は中空ペンによって形成される、請求項25に記載の装置。
- 前記第1電極は、好ましくはハンマバンクプリンタによって構成されたハンマバンクの印字先端部によって形成される、請求項1乃至26の何れか1項に記載の装置。
- プラズマ放電を用いて基板の表面をパターニングする方法であって、
第1放電部を有する第1電極と第2放電部を有する第2電極とを設けることと、
前記第1放電部と前記第2放電部との間に高電圧差を発生させることによってプラズマ放電を生じさせ、これによりプラズマを前記基板の近くで発生させることと、
前記第1電極を前記基板に対して位置決めし、前記第1電極と前記基板との間に中間構造を配置することと、
を含む方法。 - 前記中間構造は、少なくとも1つの開口、好ましくは複数の開口、を備えたシートとして形成される、請求項28に記載の方法。
- 前記プラズマを前記少なくとも1つの開口を通して供給することによって、前記プラズマを前記基板の近くで発生させることを含む、請求項29に記載の方法。
- 前記中間構造は、非導電性材料を備え、好ましくは前記非導電性材料で基本的に構成される、請求項28乃至30の何れか1項に記載の方法。
- 前記中間構造は、前記第2電極を形成する導電性材料を備え、好ましくは前記導電性材料で基本的に構成される、請求項28乃至31の何れか1項に記載の方法。
- 前記中間構造は、プロセス材料を備えたシートとして形成され、前記方法は、前記プロセス材料の少なくとも一部を前記基板上またはその近くに供給するために、前記プロセス材料の前記少なくとも一部を前記プラズマによって移動させることを含む、請求項28乃至32の何れか1項に記載の方法。
- 前記中間構造は、前記プロセス材料が設けられたキャリアシートを備え、前記方法は、前記プラズマによって前記プロセス材料の前記少なくとも一部を前記キャリアシートから除去することを含む、請求項33に記載の方法。
- 前記プロセス材料を前記キャリアシートと前記基板との間に配置することを含む、請求項33または34に記載の方法。
- 前記第1電極を前記第2電極に対して、前記第1放電部と前記第2放電部との間の距離が十分に小さいために前記高電圧差での前記プラズマ放電が助長される第1の位置に位置決めすることによって前記プラズマ放電を選択的に発生させることと、
前記第1電極を前記第2電極に対して、前記第1放電部と前記第2放電部との間の前記距離が十分に大きいために前記高電圧差でのプラズマ放電が防止される第2の位置に位置決めすることによって前記プラズマ放電を選択的に消滅させることと、
を含む、請求項28乃至35の何れか1項に記載の方法。 - 前記第1電極を前記第1の位置に移動させるときに前記第1電極を前記第2電極に向かう方向に移動させることと、前記第1電極を前記第2の位置に移動させるときに前記第1電極を前記第2電極から離れる方向に移動させることとを含む、請求項28乃至36の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1電極を前記基板の前記表面に沿って走査させることをさらに含む、請求項28乃至37の何れか1項に記載の方法。
- 複数の第1電極を前記基板に対して同時に位置決めし、各第1電極を前記第2電極に対して個別に位置決めすることを含む、請求項28乃至38の何れか1項に記載の方法。
- 前記プラズマ放電によって前記表面を選択的にエッチングし、前記プラズマ放電によって材料を前記表面に選択的に堆積させ、および/または前記プラズマ放電によって前記表面の特性を、例えば前記特性を疎水性から親水性に、選択的に変化させることをさらに含む、請求項28乃至39の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1電極と第2電極とを同期的に前記基板の前記表面に沿って移動させることを含む、請求項28乃至40の何れか1項に記載の方法。
- (O)LED装置、RFIDタグ、または太陽電池装置などの中規模電子機器、MEMS装置、マイクロレンズ、または多焦点レンズなどの中規模三次元構造、ラボオンチップ、バイオチップ、印刷可能なプラスチック物体、またはオフセット印刷板を基板から製造する方法であって、請求項1乃至27の何れか1項に記載のプラズマ放電を発生させる装置によって前記基板を処理するステップを含む方法。
- 請求項1乃至27の何れか1項に記載のプラズマ放電を発生させる装置を製造する方法であって、
従来のマトリックスプリンタを用意することと、
高電圧差を発生させるための高電圧源を設けることと、
前記マトリックスプリンタの印刷ヘッドの少なくとも1つの印字ペンを前記高電圧源に導電接続することと、
を含む方法。 - 請求項1乃至27の何れか1項に記載のプラズマ放電を発生させる装置を製造する方法であって、
従来のインクジェットプリンタを用意することと、
高電圧差を発生させるための高電圧源を設けることと、
前記インクジェットプリンタの印刷ヘッドの少なくとも1つの導電性構造を前記高電圧源に導電接続することと、
を含む方法。 - 請求項1乃至27の何れか1項に記載のプラズマ放電を発生させる装置を製造する方法であって、
ハンマバンクプリンタを用意することと、
高電圧差を発生させるための高電圧源を設けることと、
前記ハンマバンクプリンタのハンマバンクの少なくとも1つの導電性構造を前記高電圧源に導電接続することと、
を含む方法。 - 好ましくは請求項43乃至45の何れか1項に記載の方法を実施するために構成された、請求項1乃至27の何れか1項に記載の装置に使用される高電圧源と印刷ヘッドとを備えた改造用キット。
- ガスを前記印刷ヘッドの第1電極側に導くための吸気口をさらに備える、請求項46に記載の改造用キット。
- 請求項1乃至27の何れか1項に記載の装置の中間構造をさらに備える、請求項46または47に記載の改造用キット。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/NL2010/050079 WO2011102711A1 (en) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | Device and method for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013519991A true JP2013519991A (ja) | 2013-05-30 |
Family
ID=43014535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012553829A Pending JP2013519991A (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9161427B2 (ja) |
EP (1) | EP2537398B1 (ja) |
JP (1) | JP2013519991A (ja) |
CN (1) | CN102823331A (ja) |
WO (1) | WO2011102711A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101774816B1 (ko) * | 2016-02-02 | 2017-09-06 | 주식회사 플라즈맵 | 선택적 표면처리가 가능한 선형 플라즈마 발생 장치 |
KR101804561B1 (ko) | 2016-03-24 | 2017-12-06 | 주식회사 플라즈맵 | 높은 공간 선택성을 가지는 선형 플라즈마 발생 장치 |
KR101843770B1 (ko) | 2017-05-12 | 2018-03-30 | 주식회사 플라즈맵 | 선택적 표면처리가 가능한 선형 플라즈마 발생 장치 |
JP2018533158A (ja) * | 2015-08-31 | 2018-11-08 | トタル ソシエテ アノニムTotal Sa | 空間分解プラズマ処理を用いてパターン形成されたデバイスを製造する、プラズマ発生装置および方法 |
JP2020113462A (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2020140794A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 立山マシン株式会社 | 大気圧プラズマ装置 |
WO2022044068A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社Fuji | プラズマ処理装置とプラズマ処理装置の軌道補正方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5702968B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 |
US20140303037A1 (en) * | 2011-09-01 | 2014-10-09 | University Of South Australia | Patterning method |
JP6076112B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-02-08 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法 |
US20150042017A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Applied Materials, Inc. | Three-dimensional (3d) processing and printing with plasma sources |
SG11201610612SA (en) * | 2014-06-20 | 2017-02-27 | Youtec Co Ltd | Plasma cvd device and method for producing magnetic recording medium |
US20170333897A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Plasmotica, LLC | Self-flowing microfluidic analytical chip |
US10241104B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-03-26 | Epic Semiconductors Inc. | System for interacting with a cell |
KR20200045600A (ko) * | 2018-10-22 | 2020-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
KR102404528B1 (ko) | 2019-09-02 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56158428A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching device |
JPS58110674A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Fujitsu Ltd | 乾式表面処理装置 |
JPS61204740U (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-24 | ||
JP2002217111A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sharp Corp | プラズマ成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
JP2003229299A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-15 | Konica Corp | 大気圧プラズマ処理装置、該大気圧プラズマ処理装置を用いて製造した膜、製膜方法及び該製膜方法を用いて製造した膜 |
JP2004111948A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2004220935A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Univ Saitama | マイクロプラズマ生成装置、プラズマアレイ顕微鏡、及びマイクロプラズマ生成方法 |
US6779935B1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-24 | Printronix, Inc. | Printer hammerbank with a magnetic shunt |
WO2004090931A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Bae Systems Plc | Method and apparatus for treating a surface using a plasma discharge |
JP2005111293A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2008084694A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008084693A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009043673A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Osaka Univ | プラズマ処理装置 |
JP2012500464A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ヴィジョン・ダイナミックス・ホールディング・ベスローテン・ヴェンノーツハップ | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4349409A (en) * | 1980-05-12 | 1982-09-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for plasma etching |
EP0237844A1 (de) * | 1986-03-18 | 1987-09-23 | BBC Brown Boveri AG | Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht für die Halbleitertechnik sowie Verwendung der Abdeckschicht |
US4911075A (en) * | 1988-08-19 | 1990-03-27 | Presstek, Inc. | Lithographic plates made by spark discharges |
US5084125A (en) * | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
US5361693A (en) * | 1992-12-08 | 1994-11-08 | Printronix, Inc. | Tungsten carbide welded printer tips |
US6629757B1 (en) * | 1999-06-07 | 2003-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head, substrate therefor, and recording apparatus |
US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
CA2452939A1 (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Seth Tropper | A novel electrode for use with atmospheric pressure plasma emitter apparatus and method for using the same |
US7465407B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-12-16 | Panasonic Corporation | Plasma processing method and apparatus |
DE10322696B3 (de) | 2003-05-20 | 2005-01-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Behandlung von vorgebbaren Oberflächenbereichen eines Substrates |
JP2005093273A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Pearl Kogyo Co Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
CN2867789Y (zh) * | 2005-12-30 | 2007-02-07 | 李仁� | 多极电晕机放电架 |
NL1032111C2 (nl) | 2006-07-04 | 2008-01-07 | Univ Eindhoven Tech | Pennenbedmal. |
TWI427682B (zh) * | 2006-07-04 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
US8029105B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | Ambient plasma treatment of printer components |
JP2009123934A (ja) | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2009096785A1 (en) | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
KR20090114787A (ko) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 |
CN102017056B (zh) * | 2008-05-02 | 2013-11-20 | 东电电子太阳能股份公司 | 用于衬底的等离子体处理的等离子体处理设备和方法 |
-
2010
- 2010-02-17 JP JP2012553829A patent/JP2013519991A/ja active Pending
- 2010-02-17 EP EP10704849.8A patent/EP2537398B1/en not_active Not-in-force
- 2010-02-17 CN CN2010800656010A patent/CN102823331A/zh active Pending
- 2010-02-17 US US13/579,051 patent/US9161427B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-17 WO PCT/NL2010/050079 patent/WO2011102711A1/en active Application Filing
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56158428A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching device |
JPS58110674A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Fujitsu Ltd | 乾式表面処理装置 |
JPS61204740U (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-24 | ||
JP2002217111A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sharp Corp | プラズマ成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
JP2003229299A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-15 | Konica Corp | 大気圧プラズマ処理装置、該大気圧プラズマ処理装置を用いて製造した膜、製膜方法及び該製膜方法を用いて製造した膜 |
JP2004111948A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2004220935A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Univ Saitama | マイクロプラズマ生成装置、プラズマアレイ顕微鏡、及びマイクロプラズマ生成方法 |
US6779935B1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-24 | Printronix, Inc. | Printer hammerbank with a magnetic shunt |
WO2004090931A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Bae Systems Plc | Method and apparatus for treating a surface using a plasma discharge |
JP2005111293A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2008084694A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008084693A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009043673A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Osaka Univ | プラズマ処理装置 |
JP2012500464A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ヴィジョン・ダイナミックス・ホールディング・ベスローテン・ヴェンノーツハップ | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018533158A (ja) * | 2015-08-31 | 2018-11-08 | トタル ソシエテ アノニムTotal Sa | 空間分解プラズマ処理を用いてパターン形成されたデバイスを製造する、プラズマ発生装置および方法 |
KR101774816B1 (ko) * | 2016-02-02 | 2017-09-06 | 주식회사 플라즈맵 | 선택적 표면처리가 가능한 선형 플라즈마 발생 장치 |
KR101804561B1 (ko) | 2016-03-24 | 2017-12-06 | 주식회사 플라즈맵 | 높은 공간 선택성을 가지는 선형 플라즈마 발생 장치 |
KR101843770B1 (ko) | 2017-05-12 | 2018-03-30 | 주식회사 플라즈맵 | 선택적 표면처리가 가능한 선형 플라즈마 발생 장치 |
JP2020113462A (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP7201448B2 (ja) | 2019-01-15 | 2023-01-10 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2020140794A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 立山マシン株式会社 | 大気圧プラズマ装置 |
WO2022044068A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社Fuji | プラズマ処理装置とプラズマ処理装置の軌道補正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2537398B1 (en) | 2018-01-31 |
EP2537398A1 (en) | 2012-12-26 |
US9161427B2 (en) | 2015-10-13 |
WO2011102711A1 (en) | 2011-08-25 |
CN102823331A (zh) | 2012-12-12 |
US20130206720A1 (en) | 2013-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013519991A (ja) | 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 | |
JP5801195B2 (ja) | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス | |
JP6068982B2 (ja) | 層堆積方法および機器 | |
JP5207334B2 (ja) | マイクロパターン形成装置、マイクロパターン構造体、および、その製造方法 | |
JP5597551B2 (ja) | 移動基材のプラズマ表面処理の装置、方法および当該方法の使用 | |
CA2741925C (en) | Improvements relating to additive manufacturing processes | |
JP2018505074A (ja) | マルチノズル印字ヘッド | |
US20100147794A1 (en) | Substrate plasma treatment using magnetic mask device | |
KR100309080B1 (ko) | 구멍또는공동패턴을갖는전기절연재료판의제조방법 | |
US20110089142A1 (en) | Method and apparatus for plasma surface treatment of moving substrate | |
TW200927504A (en) | Ambient plasma treatment of printer components | |
CN1939736B (zh) | 喷嘴板的制造方法及液滴喷射装置的制造方法 | |
JP2010058404A (ja) | インク塗布ユニット、インクジェット記録装置ならびにインクジェット記録方法 | |
KR20120015798A (ko) | 삼중 전극을 이용한 정전방식 다중 노즐 액적 토출 장치 및 그의 구동방법 | |
TW202302374A (zh) | 噴頭、噴頭的製造方法及液滴排出裝置 | |
김도형 | Drop-on-demand jetting and velocity control of droplet by using the hybrid jetting system | |
JP2004077331A (ja) | マイクロアレイチップ、その製造方法および製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140418 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140425 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140520 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140527 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140620 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150318 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150609 |