JP2012500464A - 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
2.i(i=1、2、3、…) 第1の電極
4 第2の電極
4.j(j=1、2、3、…) 第2の電極
6 端子
8 端子
10 高電圧源
12 グランド
14 基板
16 ハウジング
17.k(k=1、2、3、…) 電気絶縁部
18.i(i=1、2、3、…) 孔
20 表面
22 プラズマ
24.k(k=1、2、3、…) スイッチ
26 ドラム
28.k(k=1、2、3、…) 電気絶縁部
30.m(m=1、2、3、…) 遮蔽体
32 開放空間
34 放電空間
35 インクジェット印刷ヘッド
36 圧電素子
37.n(n=1、2、3、…) ノズル
38 圧電素子
40 インク室
Claims (24)
- 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスであって、
第1の放電部分を含む第1の電極および第2の放電部分を含む第2の電極と、
前記第1および前記第2の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、
前記第1の電極を前記基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、
前記位置決め手段は、前記第1の放電部分と前記第2の放電部分との間の距離が前記高電圧差の前記プラズマ放電を助長するのに十分に小さい第1の位置、および前記第1の放電部分と前記第2の放電部分との間の前記距離が前記高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第2の位置に、前記第1の電極を前記第2の電極に対して選択的に位置決めするように構成される、デバイス。 - 前記位置決め手段は、前記第1の電極を前記第2の電極に向かう方向およびそれから遠ざかる方向に運動させるように構成される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2の電極は、ドラムとして設計され、前記ドラムと前記第1の電極との間に平板状の基板を前記ドラムの外部表面上に配置することができ、前記位置決め手段は、前記第1の電極を前記外部表面に垂直な方向に運動させるように構成される、請求項1または2に記載のデバイス。
- 前記位置決め手段は、前記第1の電極を前記基板の前記表面に沿って位置決めするようにさらに構成される、請求項1から3のいずれか一項に記載のデバイス。
- ハウジングをさらに含み、前記第1の電極は、前記ハウジングによって少なくとも部分的に取り囲まれ、前記第1の電極は、前記ハウジングに対して運動することができる、請求項1から4のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記高電圧源は、前記第1および前記第2の電極間の前記高電圧差を調整するように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載のデバイス。
- 複数の第1の電極および/または複数の第2の電極を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記位置決め手段は、それぞれの第1の電極を前記1つまたは複数の第2の電極に対して個別に位置決めするように構成される、請求項7に記載のデバイス。
- 前記位置決め手段は、それぞれの第1の電極を残りの第1の電極に対して個別に位置決めするように構成される、請求項7または8に記載のデバイス。
- 前記第1の電極は、前記高電圧源に導電接続する、ドットプリンタの印刷ヘッドの運動可能なペンによって形成される、請求項1から9のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記第1の電極および/または前記第2の電極は、たとえば、前記放電部分におけるレーザ蒸着もしくは除去、前記放電部分における専用の結晶成長によって、または前記放電部分にカーボンナノチューブを提供することによって、ナノ構造化またはミクロ構造化される、請求項1から10のいずれか一項に記載のデバイス。
- 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスであって、
第1の放電部分を含む第1の電極および第2の放電部分を含む第2の電極と、
前記第1および前記第2の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、
前記第1の電極を前記基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、
前記位置決め手段は、前記第2の電極を前記第1の電極と同期して位置決めするようにさらに構成される、デバイス。 - 前記第1および第2の電極は、機械的に結合する、請求項12に記載のデバイス。
- 前記高電圧源は、第1のモードで前記プラズマ放電を助長するために前記高電圧差を選択的に発生させ、第2のモードでプラズマ放電を防止するために低電圧差またはゼロ電圧差を発生させるように構成される、請求項12または13に記載のデバイス。
- 複数の第1の電極および複数の第2の電極を含み、前記高電圧源は、少なくとも1つの第1の電極と少なくとも1つの第2の電極との間に高電圧を選択的に印加するように構成される、請求項12から14のいずれか一項に記載のデバイス。
- プラズマ放電を使用して基板の表面をパターニングする方法であって、
第1の放電部分を含む第1の電極および第2の放電部分を含む第2の電極を提供するステップと、
前記第1および前記第2の電極間に高電圧差を発生させるステップと、
前記第1の放電部分と前記第2の放電部分との間の距離が前記高電圧差の前記プラズマ放電を助長するのに十分に小さい第1の位置に、前記第1の電極を前記第2の電極に対して位置決めすることによって前記プラズマ放電を選択的に起こすステップと、
前記第1の放電部分と前記第2の放電部分との間の前記距離が前記高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第2の位置に、前記第1の電極を前記第2の電極に対して位置決めすることによって前記プラズマ放電を選択的に消去するステップとを含む、方法。 - 前記第1の電極を前記第1の位置に運動させるとき、前記第1の電極を前記第2の電極に向かう方向に運動させるステップと、前記第1の電極を前記第2の位置に運動させるとき、前記第1の電極を前記第2の電極から遠ざかる方向に運動させるステップとを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の電極を前記基板の前記表面に沿って走査するステップをさらに含む、請求項16または17に記載の方法。
- 複数の第1の電極を前記基板に対して同時に位置決めするステップと、それぞれの第1の電極を前記第2の電極に対して個別に位置決めするステップとを含む、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プラズマ放電によって前記表面を選択的にエッチングするステップ、前記プラズマ放電によって材料を前記表面上に選択的に堆積するステップ、および/または、前記プラズマ放電によって前記表面の特性を疎水性から親水性に変更するなど、前記表面の特性を選択的に変更するステップをさらに含む、請求項16から19のいずれか一項に記載の方法。
- プラズマ放電を使用して基板の表面をパターニングする方法であって、
第1の放電部分を含む第1の電極および第2の放電部分を含む第2の電極を提供するステップと、
前記第1の放電部分と前記第2の放電部分との間に高電圧差を発生させることによって前記プラズマ放電を起こすステップと、
前記第1の電極および第2の電極を同期させて、前記基板の前記表面に沿って運動させるステップとを含む、方法。 - (O)LEDデバイス、RFIDタグ、もしくは太陽電池デバイスなどのメソスケール電子デバイス、MEMSデバイス、マイクロレンズ、もしくは多焦点レンズなどのメソスケール3次元構造体、ラボオンチップ、バイオチップ、印刷可能プラスチック物体、または基板由来のオフセット印刷プレートを製造する方法であって、請求項1から15のいずれか一項に記載の、プラズマ放電を起こすデバイスによって前記基板を処理するステップを含む、製造方法。
- 請求項1から15のいずれか一項に記載の、プラズマ放電を起こすデバイスを製造する方法であって、
− 従来のドットプリンタを提供するステップと、
− 高電圧差を発生させるために高電圧源を提供するステップと、
− 前記ドットプリンタの印刷ヘッドの少なくとも1つの印刷ペンを前記高電圧源に導電接続するステップとを含む、製造方法。 - 請求項1から15のいずれか一項に記載の、プラズマ放電を起こすデバイスを製造する方法であって、
− 従来のインクジェットプリンタを提供するステップと、
− 高電圧差を発生させるために高電圧源を提供するステップと、
− 前記インクジェットプリンタの印刷ヘッドの少なくとも1つの導電構造体を前記高電圧源に導電接続するステップとを含む、製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/NL2008/050555 WO2010021539A1 (en) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012500464A true JP2012500464A (ja) | 2012-01-05 |
JP5801195B2 JP5801195B2 (ja) | 2015-10-28 |
Family
ID=40551526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011523756A Expired - Fee Related JP5801195B2 (ja) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8702902B2 (ja) |
EP (1) | EP2324687B1 (ja) |
JP (1) | JP5801195B2 (ja) |
CN (1) | CN102204414B (ja) |
WO (1) | WO2010021539A1 (ja) |
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- 2008-08-20 EP EP08793847.8A patent/EP2324687B1/en not_active Not-in-force
- 2008-08-20 US US13/059,909 patent/US8702902B2/en not_active Expired - Fee Related
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CN102204414A (zh) | 2011-09-28 |
JP5801195B2 (ja) | 2015-10-28 |
EP2324687A1 (en) | 2011-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130227 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140312 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140418 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150826 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5801195 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |