JP2008084694A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、ワーク１００を介して第１の電極２と反対側に設けられ、平面視におけるワーク１００の被処理面１０１の面積より、ワーク１００に対向する面の面積が小さい第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路８と、ワーク１００の被処理面１０１との間に、プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段１１とを有し、第１の電極２と被処理面１０１との間に、処理ガスを供給しつつ、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、このプラズマにより被処理面１０１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、ワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置に関するものである。

プラズマを発生させ、そのプラズマにより被処理物である基板（ワーク）の表面をプラズマ処理し、基板の表面をエッチング（分解・除去）するプラズマ処理装置が知られている。
このようなプラズマ処理装置は、対向配置される電極を有しており、対をなす電極同士の間に形成される間隙内に所定のガスを供給しつつ、これらの電極間に電圧を印加して放電を生じさせ、プラズマを発生させる。発生したプラズマ中では、電界により加速された電子がガス分子と衝突し、励起分子、ラジカル原子、正イオン、負イオンなどの活性種を生成する。これら活性種を基板の表面に供給すると、この活性種の一部により基板の表面や表面付近で各種反応が生じることとなり、基板の表面が分解・除去されるようになっている（例えば、特許文献１参照。）。

ところが、特許文献１に記載のプラズマ処理装置では、平面視においてワークの寸法より大きい寸法の電極が一対で設けられている。このため、ワークの全体に対して一括してプラズマによる処理を行うことができるが、その反面、目的とする領域を選択的に処理することが困難である。
そこで、装置の複雑化を伴うことなく、かかる問題点を解決することができるプラズマ装置の実用化に向けて、現在、種々の研究がなされている。

特開平６−１６８９２４号公報

本発明の目的は、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、ワークの被処理面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、
第１の電極と、
前記ワークを介して前記第１の電極と反対側に設けられ、平面視における前記ワークの被処理面の面積より、当該ワークに対向する面の面積が小さい第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源を備えた通電手段と、
前記ワークの被処理面と前記第１の電極との間に、前記プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記第１の電極と前記ワークの被処理面との間に、前記処理ガスを供給しつつ、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加することにより、前記処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマにより前記ワークの被処理面が処理されるよう構成されていることを特徴とする。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供する。

本発明のプラズマ処理装置では、前記第２の電極は、前記ワークと対向する面が湾曲凸面で構成されていることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面の処理の程度の均一化を図ることができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極は、平面視において、その面積が前記ワークの面積より大きいことが好ましい。
これにより、ワークの被処理面全体を確実に処理することができる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方は、前記ワークの被処理面と平行な方向に二次元的に移動する移動手段を有することが好ましい。
これにより、ワークの被処理面の目的とする領域に対して、確実に処理することが可能となる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極は、平面視において、その面積が前記ワークの面積より大きく、かつ固定されており、
前記移動手段は、前記第２の電極を前記ワークの被処理面を包含する領域に対して移動するよう構成されていることが好ましい。
第２の電極の平面視における寸法は、比較的小さくすることができるので、ワークの被処理面をより微細に処理することができる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記移動手段は、前記第１の電極と前記第２の電極との相対移動速度を調整する機能を備えるものであることが好ましい。
これにより、処理の程度（密度）を調整したり、全体処理時間を調整したりすることができ、ワークの各部に対する各種処理の最適化を図ることができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
前記移動手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記ワークの被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、前記移動手段を作動させて、前記第２の電極を移動させることにより、前記ワークの被処理面を処理するよう構成されていることが好ましい。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得る。

本発明のプラズマ処理装置では、前記移動手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に前記第２の電極を移動させることにより、前記ワークの前記被処理面を処理して、前記凸部を除去することが好ましい。
これにより、凸部を優先的に除去することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第２の電極を複数備え、各前記第２の電極が互いに絶縁されていることが好ましい。
これにより、被処理面の処理速度をより向上させることができる。

本発明のプラズマ処理装置では、各前記第２の電極と前記第１の電極との間の通電・非通電とを選択する選択手段と、
前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
前記選択手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記ワークの被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、前記選択手段を作動させて、各前記第２の電極と前記第１の電極との通電・非通電とを選択することにより、前記ワークの被処理面を処理するよう構成されていることが好ましい。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得る。

本発明のプラズマ処理装置では、前記選択手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に対応する前記第２の電極と前記第１の電極との間に通電することにより、前記ワークの前記被処理面を処理して、前記凸部を除去することが好ましい。
これにより、凸部を優先的に除去することができる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記ガス供給手段により、前記処理ガスを、前記第１の電極を貫通した流路を介して、前記ワークの被処理面に供給することが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極は、前記ワークの被処理面に対向し、かつ当該被処理面を包含するような電極面を備えることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記電極面は、前記ワークの被処理面の表面形状に対応した形状をなしていることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面の表面形状に沿って、均一な処理が可能となる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極と前記第２の電極との離間距離を規定する離間距離規定手段を有することが好ましい。
これにより、ワークの被処理面の処理の程度をより微細に調整することができる。

本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極および前記第２の電極のうちの少なくとも一方は、その前記ワークに対面する部分が誘電体材料で構成されていることが好ましい。
これにより、第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワークの被処理面により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。

以下、本発明のプラズマ処理装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を模式的に示す断面図（一部ブロック図を含む）、図２は、ワーク載置部を第１の電極側から見た図（一部切り欠いて示す）、図３は、図１に示すプラズマ処理装置の回路構成を示すブロック図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言う。

図１に示すプラズマ処理装置１は、ワーク１００に対して、プラズマＣＶＭ（Chemical Vaporization Machining）のようなエッチング処理、アッシング処理、親水処理、撥水処理および成膜処理等の各種プラズマ処理を施すものである。
以下では、このプラズマ処理装置１により、ワーク１００の被処理面１０１に対してプラズマ処理を施し、その被処理面１０１を分解・除去するエッチング処理を一例に説明する。

図１に示すプラズマ処理装置１は、発生させたプラズマにより、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、この第１の電極２に対向する第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００が位置するように、ワーク１００を載置するワーク載置部６と、第１の電極２と第２の電極４と間に電圧を印加する電源回路８と、第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間に、処理用の所定のガス（処理ガス）を供給するガス供給手段１１と、第２の電極４を第１の電極２に対して３次元方向に移動する駆動部５とを備えている。また、このプラズマ処理装置１は、ワーク載置部６を支持するテーブル（基部）３を備えている。

このプラズマ処理装置１によりエッチング処理されるワーク（被処理部材）１００としては、特に限定されないが、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラス、シリコン、ガリウム−ヒ素、ＩＴＯ等の各種半導体材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック（樹脂材料）のような誘電体材料で構成されたものが挙げられる。

また、ワーク１００としては、図示のような板状（基板）のものの他、例えば、層状、フィルム状、レンズ状等のものであってもよい。
なお、図示のような平板状のワーク１００としては、例えば、水晶振動子等に用いられるガラスチップおよび水晶基板、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等に用いられるディスプレイパネル、半導体ウェハー、シリコンウェハー、セラミックスチップ等が挙げられる。

また、ワーク１００の形状（平面視での形状）は、円形（楕円形）のものに限らず、例えば、四角形等のものであってもよい。本実施形態では、円盤状のワーク１００を処理する場合を一例に説明する。
ワーク１００の厚さは、特に限定されないが、通常は、０．０３〜１．２ｍｍ程度であるのが好ましく、０．０５〜０．７ｍｍ程度であるのがより好ましい。

ワーク１００の上方（ワーク１００の被処理面１０１側）には、第１の電極２が固定的に設けられている。
この第１の電極２は、その全体形状が平板状をなし、その下面（ワーク１００の被処理面１０１に対向する電極面）２０が平面であり、この面が第２の電極４の上面４１とほぼ平行に配置されている。これにより、第１の電極２と、第２の電極４とは、一対の平行平板型電極を構成している。

また、第１の電極２は、ワーク１００の被処理面１０１と、ほぼ平行になるように設置されている。
本実施形態では、平板状（表面形状が平面）のワーク１００を処理するため、第１の電極２の下面が平面とされているが、レンズ状のワーク１００を処理する場合、第１の電極２の下面（電極面）２０は、好ましくはレンズの表面形状に対応して湾曲面とされる。このような構成により、ワーク１００の被処理面１０１の表面形状に沿って、均一な（ムラの少ない）処理が可能となる。

また、第１の電極２の平面視での形状は、例えば、円形（楕円形）、四角形、その他異形のものであってもよい。
なお、本実施形態では、第１の電極２（後述する多孔質部材２２）は、平面視でワーク１００を包含する（すなわち、平面視において第１の電極２の面積がワーク１００の面積より大きい）ようなサイズであるのが好ましい。これにより、ワーク１００の被処理面１０１全体を確実に処理することができる。

本実施形態の第１の電極２は、図１に示すように、外枠（電極本体）２１と、平板状の多孔質部材２２とで構成されている。
外枠２１は、平板状の天板部２１１と、天板部２１１の外周に沿って設けられた側壁部２１２とを有し、これらが一体的に形成されている。このような構成により、外枠２１には、凹部２１０が形成され、この凹部２１０は、図１中の下側に開口２１０ａで開放している。

天板部２１１には、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では、２つ）の貫通孔２１１ａが形成されている。この貫通孔２１１ａに、後述するガス供給手段１１の供給管１２が連通するように、外枠２１に接続されている。これにより、ガス供給手段１１から、第１の電極２を介して、第１の電極２とワーク１００との間に、処理ガスが供給されるようになっている。

外枠２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金、金属間化合物、各種炭素材料等の導電性が良好な材料が挙げられる。
この外枠２１の凹部２１０内には、開口２１０ａを塞ぐようにして多孔質部材２２が設けられている。

多孔質部材２２は、複数の空孔が閉鎖（閉塞）していない空孔を有する部材、すなわち隣接する空孔同士が互いに連通した連続空孔を有する部材で構成されている。このような多孔質部材２２は、その上面および下面において連続空孔が開放し、それぞれ複数の開口（ガス流入口およびガス流出口）が形成されている。これにより、外枠２１（第１の電極２）内に供給されたガスは、多孔質部材２２の厚さ方向に拡散しつつ通過（透過）して、第２の電極４側に放出される。このため、第１の電極２からワーク１００の被処理面１０１に向って均一にガスを供給することができる。その結果、ワーク１００の被処理面１０１に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。

すなわち、多孔質部材２２は、ワーク１００に向けて供給するガスの量を、ワーク１００の各部において均一化するガス供給量均一化手段を構成する。
多孔質部材２２は、その空孔率が２０〜９０％程度であるのが好ましく、３５〜８０％程度であるのが好ましい。空孔率を前記範囲内とすることにより、多孔質部材２２の機械的強度を十分に維持しつつ、その厚さ方向にガスを確実に通過させることができる。

また、多孔質部材２２の厚さは、外枠２１の凹部２１０の深さより小さく設定されている。これにより、天板部２１１の下面と多孔質部材２２の上面との間には、隙間２１０ｂが形成されている。これにより、外枠２１内に供給されたガスは、この隙間２１０ｂ内を面方向（図１中の前後左右方向）に広がり、その後、多孔質部材２２を通過することとなる。このため、第１の電極２からワーク１００の被処理面１０１に向かってより均一にガスを供給することができる。

多孔質部材２２の平均厚さの具体的な値は、特に限定されないが、０．１〜１０ｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜７ｃｍ程度であるのがより好ましい。
このような多孔質部材２２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。かかる材料は、誘電体であるため、第１の電極２と後述する第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワーク１００の被処理面１０１により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。

本実施形態では、かかる構成により、第１の電極２のワーク１００に対面する部分が誘電体材料で構成され、天板部２１１が備える貫通孔２１１ａと多孔質部材２２とにより第１の電極２を貫通する流路が構成されることとなる。
なお、ガス供給量均一化手段としては、多孔質部材２２に代えて、例えば、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（細孔）を有する細孔板で構成することもできる。

第１の電極２に対向するように、ワーク１００を介して第２の電極４が設けられている。本発明では、この第２の電極４の構成に特徴を有している。この点（特徴）については、後に詳述する。
また、この第２の電極４のワーク１００に対面する部分（上面４１）に、誘電体材料で構成される誘電体層を設けるようにしてもよい。これにより、第１の電極２と後述する第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワーク１００の被処理面１０１により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。

誘電体層の構成材料（誘電体）としては、特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等が挙げられる。

誘電体層の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、液相成膜法、気相成膜法、溶射、シート材や膜の接合等、その構成材料に応じた種々の方法が可能である。なお、無機酸化物による誘電体層を形成する場合の好ましい形成方法としては、溶射、アルマイト処理等が挙げられる。
誘電体層の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜４ｍｍ程度であるのが好ましく、１〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。誘電体層の厚さが厚すぎると、プラズマ（所望の放電）を発生させるために高電圧を要することがあり、また、薄すぎると、電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。

ここで、誘電体層の構成材料として、２５℃における比誘電率が１０以上である誘電体を用いれば、低電圧で高密度のプラズマを発生させることができ、プラズマ処理の処理効率がより向上するという利点がある。
また、使用可能な誘電体の比誘電率の上限は特に限定されないが、比誘電率が１０〜１００程度のものが好ましい。比誘電率が１０以上である誘電体には、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ_３等の複合酸化物が該当する。

この第２の電極４と前記第１の電極２との間に、ワーク１００が位置するように、ワーク１００を載置（保持）するワーク載置部６が設けられている。
ワーク載置部６は、ワーク１００の平面視形状に対応した平面視形状を有する筒状の部材で構成される。本実施形態では、円盤状のワーク１００を処理するため、図１および図２に示すように、ほぼ円筒状の部材で構成されている。

このワーク載置部６は、第２の電極４の外周側を囲むように設けられ、その内側（内周側）において、第２の電極４が露出している。
また、ワーク載置部６の上部には、その内側縁部に、リング状の段差部６１が形成されている。この段差部６１にワーク１００の外周部が嵌合（嵌入）し、これにより、ワーク１００がワーク載置部６に保持される。このような構成とすることにより、簡単な構成で、ワーク１００を容易かつ確実に保持（支持）することができ、処理（プラズマ処理）中にワーク１００がワーク載置部６に対しずれを生じて、例えば処理ムラが生じるという不都合も防止される。また、ワーク載置部６に対するワーク１００の着脱も容易である。

段差部６１の深さ（段差の高さ）は、ワーク１００の厚さと等しいか、または図示のようにワーク１００の厚さより小さいものとされる。後者の場合、ワーク１００の厚さ方向の一部が段差部６１内に挿入され、残部は段差部６１（ワーク載置部６）から突出した状態となる。このように、ワーク１００は、その少なくとも一部が段差部６１内に挿入された状態でワーク載置部６に対し支持・固定され、この状態で被処理面１０１に対し処理がなされる。

このようなワーク載置部６は、テーブル３に支持・固定されている。テーブル３には、厚さ方向に貫通する貫通孔３１が形成されており、この貫通孔３１に沿ってワーク載置部６が固定されている。また、貫通孔３１内には、後に詳述する第２の電極４が移動可能に設けられている。
テーブル３および前記ワーク載置部６の構成材料としては、特に限定されないが、それぞれ、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、前記金属酸化物、複合酸化物等の各種無機酸化物（セラミックス）、各種金属材料等が挙げられる。

また、これら（特にワーク載置部６）を金属材料で構成する場合、上面（第１の電極２側の面）には、前述したような誘電体層を設けるのが好ましい。これにより、各部の上面とワーク１００との誘電率を近づけることができ、そのため、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、均一で良好なグロー放電を生じさせることができる。その結果、各ワーク１００に対し均一で良好なプラズマ処理を行うことができる。

なお、テーブル３は、第１の電極２およびワーク載置部６を収納する収納容器（チャンバ）の一部を構成するものであってもよい。すなわち、プラズマ処理装置１は、ワーク１００の処理を収納容器内で行う構成とすることもできる。この場合、収納容器内の排気を行える排気手段を設けることにより、処理後のガスを回収して、大気中に排出（散逸）することを防止することができ、環境に優しい。

このようなプラズマ処理装置１では、第１の電極２を介して第１の電極２とワーク１００との間（間隙）に後述するガス供給手段１１から処理ガスが供給され、第１の電極２と第２の電極４との間に、所定の電圧、例えば、高周波電圧（電圧）が印加されると、第１の電極２と第２の電極４との間に電界が発生して、放電、すなわち、グロー放電（バリア放電）が生じる。この放電により供給されたガスが活性化（電離、イオン化、励起等）され、プラズマが発生し、このプラズマにより、ワーク１００の被処理面１０１がエッチング処理（分解・除去）される。

図１に示すように、第１の電極２は、導線（ケーブル）８１を介して、高周波電源（電源部）９に接続され、また、第２の電極４は、導線８１および導通状態と非導通状態とに切り替えるスイッチ１０を介して、高周波電源９に接続されており、これにより、第１の電極２、第２の電極４との間に電圧（高周波電圧）を印加するための電源回路（通電手段）８が構成されている。この電源回路８は、その一部、すなわち、第２の電極４側の導線８１がアース（接地）されている。

第２の電極４は、スイッチ１０が閉じると導線８１が導通してアースされ、これにより、第２の電極４と第１の電極２との間への高周波電圧（電圧）の印加が可能となり、また、スイッチ１０が開くと、その導線８１が非導通状態（切電状態）となり、第２の電極４と第１の電極２との間には電圧は印加されず、プラズマは発生しない。
ワーク１００に処理（プラズマ処理）を施すときは、高周波電源９が作動し、かつスイッチ１０が閉じて、第２の電極４と第１の電極２との間に電圧が印加される。このとき、その第２の電極４と第１の電極２との間には、電界が発生し、後述するガス供給手段１１よりガスが供給されると、放電が生じて、プラズマが発生する。

高周波電源９の周波数は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚであるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚであるのがより好ましい。
なお、図示されていないが、電源回路８は、高周波電源９の周波数を変える周波数調整手段（回路）や、高周波電源９のパワー（電力）調整手段を有していてもよい。これにより、必要に応じ、ワーク１００に対する処理の処理条件を調整することができる。

ガス供給手段１１は、その下流端側（ガス流出口）が第１の電極２（外枠２１）の貫通孔２１１ａに連通する供給管１２と、供給管１２の上流端側に接続され、処理ガスを充填し供給するガスボンベ（ガス供給源）１３と、ガスボンベ１３から供給されるガスの流量を調整するレギュレータ（流量調整手段）１４とを有している。
レギュレータ１４は、ガスボンベ１３よりガス流出口側（下流側）に配置されている。また、供給管１２のレギュレータ１４よりガス流出口側には、供給管１２内の流路を開閉するバルブ（流路開閉手段）１５が設けられている。

バルブ１５が開いた状態で、ガスボンベ１３からは処理ガスが送出され、このガスは、供給管１２内を流れ、レギュレータ１４で流量を調節された後、供給管１２の下流端に形成されたガス流出口から、第１の電極２を介して、第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間に導入（供給）される。
このようなプラズマ処理に用いる処理ガスには、処理目的により種々のガスを用いることができる。本実施形態のようにエッチング処理やダイシング処理を目的とする場合には、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、ＣＣｌＦ_３、ＳＦ_６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＣＣｌ_４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガスが用いられる。
また、その他の処理目的の場合には、目的別に以下示すような処理ガスを用いることができる。

（ａ）ワーク１００の被処理面１０１を加熱することを目的とする場合、例えば、Ｎ_２、Ｏ_２等が用いられる。
（ｂ）ワーク１００の被処理面１０１を撥水（撥液）化することを目的とする場合、例えば、前記フッ素原子含有化合物ガスが用いられる。
（ｃ）ワーク１００の被処理面１０１を親水（親液）化することを目的とする場合、例えば、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、空気等の酸素原子含有化合物、Ｎ_２、ＮＨ_３等の窒素原子含有化合物、ＳＯ_２、ＳＯ_３等の硫黄原子含有化合物が用いられる。これにより、ワーク１００の被処理面１０１にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積（形成）することもできる。

（ｄ）ワーク１００の被処理面１０１に電気的、光学的機能を付加することを目的とする場合、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の金属酸化物薄膜をワーク１００の被処理面１０１に形成するために、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコキシド（有機金属化合物）等が用いられる。
（ｅ）レジスト処理や有機物汚染の除去を目的とする場合は、例えば酸素系ガスが用いられる。

このような処理ガスは、一般に、この処理ガスに、キャリアガスを添加して用いられる。なお、「キャリアガス」とは、放電開始と放電維持のために導入するガスのことを言う。
この場合、ガスボンベ１３内に、処理ガスおよびキャリアガスを充填して用いてもよいし、処理ガスとキャリアガスとがそれぞれ別のガスボンベに充填され、供給管１２の途中でこれらが所定の混合比で混合されるような構成であってもよい。

キャリアガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。これらは、単独でも２種以上を混合した形態でも用いることができる。
キャリアガスを添加したガス中における処理ガスの占める割合（混合比）は、処理の目的によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、処理ガスの占める割合が０．１〜１０％程度であるのが好ましく、０．３〜４％程度であるのがより好ましい。これにより、効率的に放電が開始され、処理ガスにより、所望のプラズマ処理を施すことができる。
処理ガスの流量は、ガスの種類、処理の目的、処理の程度等に応じて適宜決定される。通常は、３０ＳＣＣＭ〜２ＳＬＭ程度であるのが好ましい。これにより、ワーク１００の被処理面１０１を効率的にプラズマ処理することができる。

次に、第２の電極４およびその周辺の構成について説明する。
さて、本実施形態の第２の電極４は、平面視におけるワーク１００の被処理面１０１の面積より、このワーク１００に対向する面の面積が小さくなっており、第１の電極２（ワーク１００）に対して３次元的に移動可能となっている。
本実施形態では、第２の電極４は、図１および図２に示すように、角柱状（ブロック状）をなしている。

なお、第２の電極４の平面視形状は、図示した正方形の他、例えば、三角形、六角形等であってもよい。また、第２の電極４は、平板状をなすものであってもよい。
また、第２の電極４の平面視での面積は、ワーク１００の平面視での面積を１００としたとき、０．００５〜１０程度であるのが好ましく、０．１〜１程度であるのがより好ましい。

第２の電極４の構成材料としては、第１の電極２の外枠２１の構成材料で挙げた材料と同様のものを用いることができる。
また、第２の電極４は、その上面（ワーク１００に対向する面）４１が、平坦面、湾曲凸面および湾曲凹面のうちいずれかで構成されるものであってもよいが、本実施形態のように、湾曲凸面で構成されているのが好ましい。すなわち、第２の電極４は、その中央部の厚さが外周部の厚さより厚くなっているのが好ましい。このように、第２の電極４の上面４１を、上記の形状とすることにより、ワーク１００の被処理面１０１のエッチング処理の程度の均一化を図ることができる。

第２の電極４の第１の電極２との反対側には、第２の電極４を第１の電極２（ワーク１００）に対して３次元的に移動する駆動部５が設けられている。この駆動部５は、第２の電極４をワーク１００の被処理面１０１と平行な方向（被処理面１０１に沿った方向）に二次元的（Ｘ−Ｙ方向）に移動させる移動手段５１と、第２の電極４と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５２とで構成されている。

本実施形態では、第２の電極４は、移動手段５１により、ワーク１００の被処理面１０１を包含する領域に対して移動可能となっている。そのため、移動手段５１により第２の電極４を移動させることにより、ワーク１００の目的とする領域を処理することができる。すなわち、第１の電極４を図１および図２中のＸ方向およびＹ方向に走査することにより、ワーク１００の被処理面１０１を全体にわたって処理することができる。

なお、移動手段５１は、移動速度（第１の電極２と第２の電極４との相対移動速度）を調節可能とするものが好ましい。これにより、処理の程度（密度）を調整したり、全体処理時間を調整したりすることができ、ワーク１００の各部に対する各種処理の最適化を図ることができる。
また、離間距離規定手段５２により、第２の電極４と第１の電極２との離間距離を設定することにより、第２の電極４と第１の電極２との離間距離に応じて、第２の電極４とワーク１００の被処理面１０１との間で発生するプラズマの密度（濃度）を調整して、ワーク１００の被処理面１０１の各部における処理量（処理の程度）を調整することができる。このように、被処理面１０１と対向しない側の電極である第２の電極４を移動させることにより、第２の電極４と第１の電極２との離間距離を設定する構成とすることにより、第１の電極２とワーク１００との離間距離を一定に保つことができるため、これらの間に存在する処理ガスの濃度の均一化を図ることができる。そのため、第２の電極４と第１の電極２との離間距離を設定することによるプラズマの密度（濃度）の調整を比較的容易に行うことができる。

具体的には、離間距離規定手段５２は、図１に示すように、ワーク１００の被処理面１０１に、第１の領域Ａａと、この第１の領域Ａａより目的とする処理の程度が高い（処理量が大きい）第２の領域Ａｂとがある場合、すなわち第１の領域Ａａに第１の凸部が、第２の領域Ａｂに第２の凸部が存在し、第１の凸部の高さが第２の凸部の高さより高くなっている場合、第１の領域Ａａに対応する位置に第２の電極４を滞在させる際における第２野電極４と第１の電極２との離間距離Ｄａを、第２の領域Ａｂに対応する位置に第２の電極４を滞在させる際における第２野電極４と第１の電極２との離間距離Ｄｂより小さく設定する。この状態で、処理ガスとしてエッチング処理用のガスを用いてワーク１００の被処理面１０１をエッチングすると、第１の領域Ａａが第２の領域Ａｂより速いエッチン速度でエッチングが進行するので、第１の凸部および第２の凸部をほぼ等しい処理時間で除去することができ、ワーク１００の被処理面１０１の平滑化を図ることができる。

また、処理ガスとして成膜用のガスを用いた場合には、第１の領域Ａａに第２の領域Ａｂより速い成膜速度で成膜されるので、移動手段５１により第２の電極４を均一な速さで、ワーク１００の被処理面１０１の全体を走査することにより、この被処理面１０１に第１の領域Ａａの膜厚が厚くなった膜厚分布を有する膜を形成することができる。
また、ワーク１００の被処理面１０１に所定のパターンの処理（例えば、所定のパターンの溝加工）を行う場合、移動手段５１により所定のパターンに沿って第２の電極４を移動させることにより、ワーク１００の被処理面１０１に目的とするパターンの溝を形成することができる。また、このとき、移動手段５１により、第２の電極４の滞在時間を調整すること、さらには、離間距離規定手段５２により、第２の電極４と第１の電極２との距離を規定（接近）することにより、パターンの各部において溝の深さを調整することができる。

以上のような移動手段５１および離間距離規定手段５２は、公知のいずれの構成のものを用いてもよく、例えば、コンベア（ベルト駆動、チェーン駆動等）、スクリュー軸を備えた送り機構、ローラ送り機構等が挙げられる。
なお、第１の電極２とワーク１００との間隙距離（第１の電極２の下面とワーク１００の被処理面１０１との距離）は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜決定することができるが、通常は、０．２〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、第１の電極２とワーク１００との間に必要かつ十分なプラズマを発生させることができ、適正なプラズマ処理が可能となる。

次に、ワーク１００の被処理面１０１にエッチングを行って平坦化する際のプラズマ処理装置１の作用（動作）について図３に示すブロック図を用いて説明する。
図３に示すように、このプラズマ処理装置１は、第２の電極４を第１の電極２に対して３次元方向に移動する駆動部５と、ワーク１００の被処理面１０１の形状を測定する測定手段１４０と、入力等の各操作を行う操作部（入力手段）１５０と、ワーク１００の被処理面１０１の形状の情報等を記憶する記憶手段１６０と、駆動部５と測定手段１４０の作動を制御する制御部（制御手段）１７０とを備えている。

測定手段１４０は、例えば、ワーク１００の母材から切り出されたワーク１００の被処理面１０１の表面の状態（凹凸の状態）を測定するものである。
測定手段１４０としては、例えば、接触式の探査計、光学系による各種干渉計、ＡＦＭ、顕微干渉系等が挙げられる。また、測定手段１４０により測定される表面の状態としては、例えば、表面粗さ、うねり（平滑度）等が挙げられる。

この測定手段１４０によれば、被処理面１０１に凸部（うねり）がある場合には、その存在および程度（高さ、大きさ等）を検出することができる。
また、操作部１５０としては、例えば、キーボード、液晶表示パネル、ＥＬ表示パネル等を備えたタッチパネル等を用いることができ、この場合は、操作部４０は、各種の情報を表示（報知）する表示手段（報知手段）も兼ねる。

また、記憶手段１６０は、ワーク１００の被処理面１０１の凸部の存在、凸部の情報（位置情報、存在領域、高さ等）などの各種の情報、データ、演算式、テーブル、プログラム等が記憶（記録とも言う）される記憶媒体（記録媒体とも言う）を有しており、この記憶媒体は、例えば、ＲＡＭ等の揮発性メモリー、ＲＯＭ等の不揮発性メモリー、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の書き換え可能（消去、書き換え可能）な不揮発性メモリー等、各種半導体メモリー、ＩＣメモリー、磁気記録媒体、光記録媒体、光磁気記録媒体等で構成される。この記憶手段１６０における書き込み（記憶）、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御部１７０によりなされる。

また、制御部１７０は、例えば、演算部やメモリー等を内蔵するマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御部１７０には、測定手段１４０からの検出信号（検出値）、操作部１５０からの信号（入力）が、それぞれ、随時入力される。そして、制御部１７０は、測定部５０からの検出信号、操作部１５０からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、プラズマ処理装置１の各部の作動（駆動）、例えば、駆動部５等の作動をそれぞれ制御する。

なお、この制御部１７０により、モード自動選択手段および係数自動決定手段の主機能が達成される。
このように、プラズマ処理装置１は、制御部１７０が測定手段１４０により測定されたワーク１００の被処理面１０１の形状に応じて、被処理面１０１の処理を実行するように前記駆動部５の作動を制御するよう構成されている。

＜１＞ 被処理面１０１のエッチングに際しては、まず、ワーク１００を搬送アーム等の搬送手段を用いて、ワーク載置部６の段差部６１に嵌入（セット）する。
＜２＞ 次に、このワーク１００の被処理面１０１を測定手段１４０により測定する。その結果、例えば表１に示すように、凸部が３つ検出された場合には、ワーク１００の被処理面１０１における各凸部の位置、高さ、半径などを記憶手段１６０に記憶させておく。
すなわち、図２において紙面左右方向をＸ軸、紙面上下方向をＹ軸としたときに、検出された各凸部のワーク１００の被処理面１０１上における中心座標、高さ、半径（平均値または近似値）を記憶手段１６０に記憶させる。

＜３＞ 次に、記憶された被処理面１０１に存在する凸部の測定値に基づいて、移動手段５１を作動させて第２の電極４を所定の位置に移動させ、かつ離間距離規定手段５２を作動させて、前記所定の位置において第２の電極４と第１の電極２との離間距離を設定する。
ここで、第２の電極４は、その第１の電極２と対向する側の面の大きさが、平面視における凸部の大きさよりも小さいものであればよく、特に限定されるものではないが、凸部の形状にほぼ対応するものを用いるのが好ましい。これにより、一度のエッチング処理で凸部を確実に除去することができる。

以下では、各凸部Ａ〜Ｃに対応した第２の電極４をそれぞれ用いる場合を一例に説明する。
まず、搬送アーム等の搬送手段を用いて、記憶手段１６０に記憶された凸部Ａの半径ｒ_ａの測定値に基づいて、凸部Ａの形状に対応する第２の電極４をセットする。
次いで、凸部Ａの中心座標（ｘ_ａ，ｙ_ａ）の測定値に基づいて、駆動部５が備える移動手段５１を作動させることにより、被処理面１０１において、凸部Ａが存在する位置に第２の電極４を移動させる。

次いで、凸部Ａの高さＨ_ａの測定値に基づいて、離間距離規定手段５２を作動させることにより、凸部Ａをエッチング（除去）するのに適した大きさに、第１の電極２と第２の電極４との離間距離を設定する。なお、この離間距離は、予め実験的に測定しておいた、電極２、４間の離間距離とワーク１００のエッチング速度（エッチング量）との関係に基づいて決定される。
なお、凸部Ａの形状に対応する第２の電極４の取り付け（セット）は、この電極４に高周波電源９等の複雑な回路が直接接続されていない構成となっていることから、比較的容易に行うことができる。

＜４＞ 次に、高周波電源９を作動させるとともに、スイッチ１０を閉じる。
また、このとき、バルブ１５を開き、レギュレータ１４によりガスの流量を調整し、ガスボンベ１３からガス（エッチング用のガス）を送出する。
これにより、ガスボンベ１３から送出されたガスは、供給管１２内を流れ、第１の電極２の下面に形成された開口（ガス流出口）から所定の流量で流出し、第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間に導入（供給）される。
このとき、ガスは、多孔質部材２２を通過することにより、ワーク１００の被処理面１０１の各部に均一に供給される。

＜５＞ 一方、高周波電源９の作動により、第１の電極２と第２の電極４との間に高周波電圧が印加され、これらの間に電界が発生する。
第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間に流入したガスは、放電によって活性化され、プラズマが発生する。
このプラズマは、電界が発生している部位、すなわち、第１の電極２と第２の電極４とが対向している領域において特異的に発生する。そして、発生したプラズマ（活性化されたガス）が凸部Ａに接触することとなり、凸部Ａがエッチング（除去）される。このとき、第２の電極４と第１の電極２とが対向していない領域では、プラズマが発生していないことから、ワーク１００の被処理面１０１は、エッチングされない。その結果、凸部Ａを優先的に除去することができる。

＜６＞ 次に、凸部Ｂおよび凸部Ｃを順次除去する。これらの除去は、記憶手段１６０に記憶された各凸部Ｂ、Ｃの中心座標（ｘ_ｂ，ｙ_ｂ）、（ｘ_ｃ，ｙ_ｃ）、高さＨ_ｂ、Ｈ_ｃおよび半径ｒ_ｂ、ｒ_ｃの測定値に基づいて、前記工程＜３＞〜＜５＞を順次繰り返すことにより行うことができる。
以上のような工程を経ることにより、ワーク１００の被処理面１０１に形成された各凸部Ａ〜Ｃを除去することができ、その結果、ワーク１００の被処理面１０１の平坦化が行われる。

本実施形態のプラズマ処理装置１によれば、装置の複雑化を伴うことなく、ワーク１００の被処理面１０１を部分的（選択的）に処理していくことができる。このような構成とすることにより、被処理面１０１の処理速度（例えば、エッチング速度等）を高めることができ、歩留まりの向上を図ることができるとともに、処理に用いる処理ガスの使用量の低減を図ることができる。

また、第２の電極４の平面視における寸法を上述のように設定する（すなわち、凸部の形状に対応して設定する）ことにより、一回の処理で処理し得るワーク１００の被処理面１０１の大きさを設定することができる。特に、第２の電極４の平面視における寸法は、比較的小さくすることができるので、ワーク１００の被処理面１０１をより微細に処理することができる。

また、第１の電極２を、平面視において、その面積がワーク１００の面積より大きいものとすることにより、第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間に供給される処理ガスの濃度を、これらの間において均一なものとすることができる。これにより、第１の電極２と第２の電極４との離間距離を制御することにより、第１の電極２とワーク１００の被処理面１０１との間で発生するプラズマの濃度を比較的容易に調整することができる。すなわち、ワーク１００の被処理面１０１のエッチング速度を比較的容易に調整することができる。
また、このようなプラズマ処理装置１は、特に、大型のワーク１００の処理に好適に適用される。

＜７＞ 次に、ワーク１００をワーク載置部６から取り外して、移送する。
また、本実施形態では、第２の電極を１つ設けることとしたが、第２の電極４を複数設け、各第２の電極４を３次元的に移動可能に設けるようにしてもよい。これにより、ワーク１００の被処理面１０１の処理速度をより向上させることができる。

＜第２実施形態＞
図４は、本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を模式的に示す断面図（一部ブロック図を含む）である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

第２実施形態のプラズマ処理装置１は、第１の電極２および第２の電極４の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態では、複数の第２の電極（単位電極）４が絶縁膜（図示せず）を介して、互いに絶縁して設けられている。また、各第２の電極４にそれぞれ導線８１の一端部が接続され、各導線８１の他端部には、スイッチ１０が設けられている。これにより、各第２の電極４と第１の電極２との間に電圧（高周波電圧）を印加することができる。

さらに、各スイッチ１０には、第１の電極２と各第２の電極との間の通電・非通電（ＯＮ／ＯＦＦ）とを選択し得る選択手段１８０が接続されている。かかる構成とすることにより、測定手段１４０により測定（検出）された結果に基づいて、選択手段１８０を作動させることにより、凸部が形成されている領域に対応する第１の電極２と第２の電極４との間に対して選択的に通電することができることから、凸部に対して優先的にプラズマ処理を施すことができる。

一方、第１の電極２は、厚さ方向に貫通する貫通孔２１１ａが複数形成された細孔板で構成されている。すなわち、第１の電極２の下面２０には、処理ガスをワーク１００に向かって供給する開口が複数形成され、各開口は、それぞれ各第２の電極４に対応して設けられている。
このような構成により、ワーク１００の被処理面１０１の凸部が形成されている領域に対して、選択的に高い処理速度を実現する（第１実施形態の利点を有する）ことができるとともに、被処理面１０１を一回の処理操作で、一括して処理することができるという利点も得られる。

また、複数の第２の電極４は、テーブル３の貫通孔３１内に、固定部７により固定されている。
一方、第１の電極２は、支持板３０により支持されている。この支持板３０は、前記テーブル３と同様とすることができる。支持板（基部）３０には、厚さ方向に貫通する貫通孔３１０が形成されており、この貫通孔３１０内には、固定部７０により第１の電極２が固定されている。

固定部７０および前記固定部７の構成材料としては、それぞれ、好ましくは絶縁性材料が用いられ、特に限定されないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、チタニアのような無機酸化物材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコールのような熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のような熱硬化性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような第２実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
また、テーブル３および支持板３０は、ワーク載置部６を収納する収納容器（チャンバ）の一部を構成するものであってもよい。この場合、収納容器内の排気を行える排気手段を設けることにより、処理後のガスを回収して、大気中に排出（散逸）することを防止することができ、環境に優しい。

また、各第２の電極４は、それぞれ、離間距離規定手段により、第１の電極２との離間距離が調整されるように構成されていてもよい。
さらに、第１の電極２も複数に分割され、各分割された部分が前記第２の電極４に対して接近・離間可能とされていてもよい。このような構成により、各第２の電極４と第１の電極２（各分割部分：単位電極）との離間距離をより多段階に調整することができ、ワーク１００の被処理面１０１に対するより微細な処理が可能となる。

以上、本発明のプラズマ処理装置を、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。

また、各前記各実施形態では、プラズマ処理装置は、大気圧下において、ワークの表面（被処理面）に処理（プラズマ処理）を施すことを想定しているが、本発明では、減圧または真空状態においてワークの表面に処理を施してもよい。
また、第１の電極と第２のとの間に印加される電圧は、高周波によるものに限られず、例えば、パルス波やマイクロ波によるものであってもよい。
また、第１の電極自体に排気手段を接続するようにしてもよい。
また、第１の電極も、第２の電極と同様に、平面視において、その面積がワークの面積より小さくなっており、第１の電極および第２の電極の双方が移動可能となっていてもよい。

本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。 ワーク載置部を第１の電極側から見た図である。 図１に示すプラズマ処理装置の回路構成を示すブロック図 本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１……プラズマ処理装置 ２……第１の電極 ２０……下面 ２１……外枠 ２１０……凹部 ２１０ａ……開口 ２１０ｂ……隙間 ２１１……天板部 ２１１ａ……貫通孔 ２１２……側壁部 ２２……多孔質部材 ３……テーブル ３１……貫通孔 ３０……支持板 ３１０……貫通孔 ４……第２の電極 ４１……上面 ５……駆動部 ５１……移動手段 ５２……離間距離規定手段 ６……ワーク載置部 ６１……段差部 ７、７０……固定部 ８……電源回路 ８１……導線 ９……高周波電源 １０……スイッチ １１……ガス供給手段 １２……供給管 １３……ガスボンベ １４……レギュレータ １５……バルブ １００……ワーク １０１……被処理面 Ａａ……第１の領域 Ａｂ……第２の領域 １４０……測定手段 １５０……操作部 １６０……記憶手段 １７０……制御部 １８０……選択手段

Claims (16)

1. ワークの被処理面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、
   第１の電極と、
   前記ワークを介して前記第１の電極と反対側に設けられ、平面視における前記ワークの被処理面の面積より、当該ワークに対向する面の面積が小さい第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源を備えた通電手段と、
   前記ワークの被処理面と前記第１の電極との間に、前記プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段とを備え、
   前記第１の電極と前記ワークの被処理面との間に、前記処理ガスを供給しつつ、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加することにより、前記処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマにより前記ワークの被処理面が処理されるよう構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記第２の電極は、前記ワークと対向する面が湾曲凸面で構成されている請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第１の電極は、平面視において、その面積が前記ワークの面積より大きい請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方は、前記ワークの被処理面と平行な方向に二次元的に移動する移動手段を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第１の電極は、平面視において、その面積が前記ワークの面積より大きく、かつ固定されており、
   前記移動手段は、前記第２の電極を前記ワークの被処理面を包含する領域に対して移動するよう構成されている請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記移動手段は、前記第１の電極と前記第２の電極との相対移動速度を調整する機能を備えるものである請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
   前記移動手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
   前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記ワークの被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、前記移動手段を作動させて、前記第２の電極を移動させることにより、前記ワークの被処理面を処理するよう構成されている請求項５または６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記移動手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に前記第２の電極を移動させることにより、前記ワークの前記被処理面を処理して、前記凸部を除去する請求項７に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第２の電極を複数備え、各前記第２の電極が互いに絶縁されている請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
10. 各前記第２の電極と前記第１の電極との間の通電・非通電とを選択する選択手段と、
    前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
    前記選択手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
    前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記ワークの被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、前記選択手段を作動させて、各前記第２の電極と前記第１の電極との通電・非通電とを選択することにより、前記ワークの被処理面を処理するよう構成されている請求項９に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記選択手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に対応する前記第２の電極と前記第１の電極との間に通電することにより、前記ワークの前記被処理面を処理して、前記凸部を除去する請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記ガス供給手段により、前記処理ガスを、前記第１の電極を貫通した流路を介して、前記ワークの被処理面に供給する請求項１ないし１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
13. 前記第１の電極は、前記ワークの被処理面に対向し、かつ当該被処理面を包含するような電極面を備える請求項１ないし１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
14. 前記電極面は、前記ワークの被処理面の表面形状に対応した形状をなしている請求項１０または１３に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記第１の電極と前記第２の電極との離間距離を規定する離間距離規定手段を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
16. 前記第１の電極および前記第２の電極のうちの少なくとも一方は、その前記ワークに対面する部分が誘電体材料で構成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。

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