JPH01298182A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH01298182A JPH01298182A JP12817688A JP12817688A JPH01298182A JP H01298182 A JPH01298182 A JP H01298182A JP 12817688 A JP12817688 A JP 12817688A JP 12817688 A JP12817688 A JP 12817688A JP H01298182 A JPH01298182 A JP H01298182A
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- Japan
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- etching
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置直に係り、特に被処理
物を均一にエツチングできるドライエツチング装置に関
する。
物を均一にエツチングできるドライエツチング装置に関
する。
従来のエツチング装置は、真空槽内に被処理物を搭載す
るキャリアと対向電極とを配置し、キャリアに外部電源
より給電することによってキャリアと対向電極との間に
プラズマを発生させ、被処理物をエツチングするもので
ある。このエツチング装置は、基板表面の清浄化、ある
いは基板に付着しているレジストなどの有機物の薄膜を
完全に除去することを主な目的として作られていた。な
お、この種の装置に関連するものとしては、例えば特開
昭５８−１７００１７、特開昭５９−６５４４等がある
。
るキャリアと対向電極とを配置し、キャリアに外部電源
より給電することによってキャリアと対向電極との間に
プラズマを発生させ、被処理物をエツチングするもので
ある。このエツチング装置は、基板表面の清浄化、ある
いは基板に付着しているレジストなどの有機物の薄膜を
完全に除去することを主な目的として作られていた。な
お、この種の装置に関連するものとしては、例えば特開
昭５８−１７００１７、特開昭５９−６５４４等がある
。
上記従来技術は、エツチング速度を均一にすることにつ
いては配慮されていなかった。エツチング速度の一様化
については現場の経験に依存していたが、多大の労力を
要し、安定性に欠けるばかりでなく、完全にエツチング
速度を均一にすることは困難であった。そのため被処理
物自体を加工したり、薄膜の一部のみを除去して均一な
厚みに膜厚を調整するような目的には適用できないとい
う問題があった。また基板に付着しているホトレジスト
膜等を完全に除去する場合でも、エツチング速度の大き
い部分は、ホトレジストが除去された後もスパッタ環境
に長時間さらされることになり、半導体等ではいわゆる
イオン損傷を受け、素子特性が劣化するという問題があ
った。
いては配慮されていなかった。エツチング速度の一様化
については現場の経験に依存していたが、多大の労力を
要し、安定性に欠けるばかりでなく、完全にエツチング
速度を均一にすることは困難であった。そのため被処理
物自体を加工したり、薄膜の一部のみを除去して均一な
厚みに膜厚を調整するような目的には適用できないとい
う問題があった。また基板に付着しているホトレジスト
膜等を完全に除去する場合でも、エツチング速度の大き
い部分は、ホトレジストが除去された後もスパッタ環境
に長時間さらされることになり、半導体等ではいわゆる
イオン損傷を受け、素子特性が劣化するという問題があ
った。
本発明の目的は、大面積を均一にエツチングし得るエツ
チング装置Ａ置を提供することにある。
チング装置Ａ置を提供することにある。
上記目的は、真空槽内に、被処理物を搭載するキャリア
と対向電極とを配置し、キャリアに外部電源より給電す
ることによってキャリアと対向電極との間にプラズマを
発生させ、被処理物をエツチングするエツチング装置に
おいて、上記キャリア上に複数個の給電点を設け、」二
記外部電源から分岐された電力を該複数個の給電点に印
加する構成としたことを特徴とするエツチング装置によ
って達成される。
と対向電極とを配置し、キャリアに外部電源より給電す
ることによってキャリアと対向電極との間にプラズマを
発生させ、被処理物をエツチングするエツチング装置に
おいて、上記キャリア上に複数個の給電点を設け、」二
記外部電源から分岐された電力を該複数個の給電点に印
加する構成としたことを特徴とするエツチング装置によ
って達成される。
本発明において、被処理物の片面のみをエツチングする
場合は、キャリアの片面にのみ給電点を複数個設ければ
よいが、例えば薄膜磁気ディスク等のように両面に同一
のエツチング処理を施す必要のある場合は、キャリアの
両面にそれぞれ複数個の給電点を設けることが好ましい
。
場合は、キャリアの片面にのみ給電点を複数個設ければ
よいが、例えば薄膜磁気ディスク等のように両面に同一
のエツチング処理を施す必要のある場合は、キャリアの
両面にそれぞれ複数個の給電点を設けることが好ましい
。
また給電点を設ける位置は、キャリアの周縁部で、給電
点とキャリアの中心を結ぶ線がほぼ等しい角度で並ぶよ
うに配置することが好ましい。例えば３個の給電点を設
けるなら、正三角形の頂点にそれぞれＪｉ１点がくるよ
うに配置することが好ましい。
点とキャリアの中心を結ぶ線がほぼ等しい角度で並ぶよ
うに配置することが好ましい。例えば３個の給電点を設
けるなら、正三角形の頂点にそれぞれＪｉ１点がくるよ
うに配置することが好ましい。
本発明の装置において、磁気ディスク等のように大面積
の被処理物１個を処理することも、半導体基板等を複数
個同時に処理することも可能である。
の被処理物１個を処理することも、半導体基板等を複数
個同時に処理することも可能である。
本発明の装置を用いることにより、キャリア上の基板の
すにての全面に亘ってほぼ同一のスパッタ条件が実現し
、エツチング速度が均一化される。
すにての全面に亘ってほぼ同一のスパッタ条件が実現し
、エツチング速度が均一化される。
本発明に先立って複数個の電源からそれぞれ独立に複数
個の給電点に給電する方式についても検討したが、各電
源それぞれについて出力を精度よ〈調整することが難し
く、−様なエツチングを達成することが困難であること
が判明した。従って、共通の電源から分岐して各給電点
に給電することが好ましい。
個の給電点に給電する方式についても検討したが、各電
源それぞれについて出力を精度よ〈調整することが難し
く、−様なエツチングを達成することが困難であること
が判明した。従って、共通の電源から分岐して各給電点
に給電することが好ましい。
エツチング電力を複数個に分岐させ、給電点を介して被
処理物搭載キャリアに供給することにより、従来技術に
比べ、大面積の被処理物搭載キャリアに均等なエツチン
グ電力が供給できる。それによって、キャリアに搭載さ
れている１個又は複数個の被処理物のエツチング量分布
が均一となり。
処理物搭載キャリアに供給することにより、従来技術に
比べ、大面積の被処理物搭載キャリアに均等なエツチン
グ電力が供給できる。それによって、キャリアに搭載さ
れている１個又は複数個の被処理物のエツチング量分布
が均一となり。
例えばデバイス損傷を最小限に抑えたホトレジストのエ
ッチアウト、膜厚寸法不良をおこすことのない薄膜磁気
ディスクの表面調整（清浄化等）等が可能となる。
ッチアウト、膜厚寸法不良をおこすことのない薄膜磁気
ディスクの表面調整（清浄化等）等が可能となる。
以下、本発明の具体的実施例を第１図及び第２図を用い
て説明する。第１図は、本発明のエツチング族は内の被
エツチ部材である基板を搭載し、たキャリアとプラズマ
を発生させるための対向電極の配置を示す模式図である
。キャリアに搭載された基板は薄膜磁気ディスクであり
表面はスパッタによって形成された無定形炭素膜である
。第１図において、１は基板を複数枚搭載できる基板搭
載キャリア、２は対向電極、３はエツチング電源から出
力される電力を分岐した印加部である。第２図は、印加
部が基板搭載キャリアに接する給電点５の位置を示した
ものである。実線部分は、手前から接触し、破線部分は
、裏側から接触していることを示す。４は搭載された基
板を示す。このように、基板搭載キャリアに、例えば、
各面の対角位置に給電点を設置する。電源はＲＦ電源で
あり、キャリア電極側から給電し、対向電極はアースし
である。−例として、エツチングガスは酸素、ガス圧は
０．２Ｔｏｒｒ、投入パワーは基板表面積当り０．１５
Ｗ、エツチング時間は３０秒の条件でスパッタエツチン
グを行なうことにより、キャリア面内に均等にプラズマ
が発生し、均一なエツチングが行なわれた。
て説明する。第１図は、本発明のエツチング族は内の被
エツチ部材である基板を搭載し、たキャリアとプラズマ
を発生させるための対向電極の配置を示す模式図である
。キャリアに搭載された基板は薄膜磁気ディスクであり
表面はスパッタによって形成された無定形炭素膜である
。第１図において、１は基板を複数枚搭載できる基板搭
載キャリア、２は対向電極、３はエツチング電源から出
力される電力を分岐した印加部である。第２図は、印加
部が基板搭載キャリアに接する給電点５の位置を示した
ものである。実線部分は、手前から接触し、破線部分は
、裏側から接触していることを示す。４は搭載された基
板を示す。このように、基板搭載キャリアに、例えば、
各面の対角位置に給電点を設置する。電源はＲＦ電源で
あり、キャリア電極側から給電し、対向電極はアースし
である。−例として、エツチングガスは酸素、ガス圧は
０．２Ｔｏｒｒ、投入パワーは基板表面積当り０．１５
Ｗ、エツチング時間は３０秒の条件でスパッタエツチン
グを行なうことにより、キャリア面内に均等にプラズマ
が発生し、均一なエツチングが行なわれた。
第３図は、本発明による基板搭載キャリア内のある位置
を基準としたエツチング量の相対量であり、第４図は例
えば第２図の右上１個所に給電点を設けた場合のエツチ
ングを行なった時のエツチング量の相対量を示す。この
ように本実施例によれば基板搭載キャリア内で均一にし
かも両面同時に過不足なく必要最小限のエツチング量で
全面にわたり表面調整が可能となる。
を基準としたエツチング量の相対量であり、第４図は例
えば第２図の右上１個所に給電点を設けた場合のエツチ
ングを行なった時のエツチング量の相対量を示す。この
ように本実施例によれば基板搭載キャリア内で均一にし
かも両面同時に過不足なく必要最小限のエツチング量で
全面にわたり表面調整が可能となる。
次にレジストのエッチアウトを模擬するため、同一の円
板両面にレジスト膜を約５岬形成しエツチングを試みた
。この時のエツチング条件は、次の通り、（１）ガス：
０□、（２）ガス圧；５０ｍ Ｔ ｏｒｒ、（３）パワ
ー； ０．１５Ｗ ／ ｃｍ２゜はとんどエッチアウト
寸前までエツチングしてレジスト膜厚を計測した結果を
第５図に示す。図から均一にエツチングされていること
は明らかである。
板両面にレジスト膜を約５岬形成しエツチングを試みた
。この時のエツチング条件は、次の通り、（１）ガス：
０□、（２）ガス圧；５０ｍ Ｔ ｏｒｒ、（３）パワ
ー； ０．１５Ｗ ／ ｃｍ２゜はとんどエッチアウト
寸前までエツチングしてレジスト膜厚を計測した結果を
第５図に示す。図から均一にエツチングされていること
は明らかである。
本発明によれば、エツチング電力を複数個に分岐し、被
処理物搭載キャリアに印加することにより、例えば基板
に付着している薄膜のエツチング量分布・を均一に、し
かも必要最小限の量を精度よく制御し、エツチングする
ことができる。
処理物搭載キャリアに印加することにより、例えば基板
に付着している薄膜のエツチング量分布・を均一に、し
かも必要最小限の量を精度よく制御し、エツチングする
ことができる。
これは、例えば薄膜磁気ディスク等寸法形状公差の厳し
いデバイスの表面をエツチングにより改質する場合に非
常に有効である。また、半導体素子ウェハ等では、全面
はぼ同時にエッチアウトできるので、ウェハ上に形成さ
れている素子のイオン損傷を最小限に占めることができ
る。
いデバイスの表面をエツチングにより改質する場合に非
常に有効である。また、半導体素子ウェハ等では、全面
はぼ同時にエッチアウトできるので、ウェハ上に形成さ
れている素子のイオン損傷を最小限に占めることができ
る。
第１図は１本発明の一実施例のエツチング装置内の被エ
ツチ部材である基板を搭載したキャリアとプラズマを発
生させるための対向電極の配置を示す模式図、第２図は
、第１図に示した分岐されたエツチング電力の基板搭載
キャリアへの給電点を示す図、第３図及び第４図は１本
実施例と従来技術のエツチング量分布を説明する説明図
、第５図は１本実施例のレジスト膜エツチング量を示す
図である。 １・・基板搭載キャリア ２・・・対向電極３・・・エ
ツチング電力印加部
ツチ部材である基板を搭載したキャリアとプラズマを発
生させるための対向電極の配置を示す模式図、第２図は
、第１図に示した分岐されたエツチング電力の基板搭載
キャリアへの給電点を示す図、第３図及び第４図は１本
実施例と従来技術のエツチング量分布を説明する説明図
、第５図は１本実施例のレジスト膜エツチング量を示す
図である。 １・・基板搭載キャリア ２・・・対向電極３・・・エ
ツチング電力印加部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空槽内に、被処理物を搭載するキャリアと対向電
極とを配置し、キャリアに外部電源より給電することに
よってキャリアと対向電極との間にプラズマを発生させ
、被処理物をエッチングするエッチング装置において、
上記キャリア上に複数個の給電点を設け、上記外部電源
から分岐された電力を該複数個の給電点に印加する構成
としたことを特徴とするエッチング装置。 ２、上記キャリアの表裏両面にそれぞれ複数個の給電点
を有する請求項１記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128176A JP2834142B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128176A JP2834142B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298182A true JPH01298182A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2834142B2 JP2834142B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=14978295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128176A Expired - Lifetime JP2834142B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834142B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538610A (en) * | 1994-08-09 | 1996-07-23 | Leybold Aktiengesellschaft | Vacuum coating system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572039A (en) * | 1978-11-25 | 1980-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58110674A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Fujitsu Ltd | 乾式表面処理装置 |
| JPS61190132U (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-27 | ||
| JPS6230328A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63128176A patent/JP2834142B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572039A (en) * | 1978-11-25 | 1980-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58110674A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Fujitsu Ltd | 乾式表面処理装置 |
| JPS61190132U (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-27 | ||
| JPS6230328A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538610A (en) * | 1994-08-09 | 1996-07-23 | Leybold Aktiengesellschaft | Vacuum coating system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834142B2 (ja) | 1998-12-09 |
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