JPS6230328A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6230328A JPS6230328A JP16884685A JP16884685A JPS6230328A JP S6230328 A JPS6230328 A JP S6230328A JP 16884685 A JP16884685 A JP 16884685A JP 16884685 A JP16884685 A JP 16884685A JP S6230328 A JPS6230328 A JP S6230328A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- gas
- high frequency
- frequency power
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体デバイス製造に使用される、反応性ガス
のプラズマを利用して金属、半導体、絶縁物等をエツチ
ングするドライエツチング装置に関するものである。
のプラズマを利用して金属、半導体、絶縁物等をエツチ
ングするドライエツチング装置に関するものである。
従来、半導体デバイス製造に使用されるドライエツチン
グ装置は円筒形プラズマエツチング装置、平行平板型ド
ライエツチング装置に大別できるが、円筒形プラズマエ
ツチング装置はそのエツチング機構が化学的であるので
、等方エッチとなる。最近では平行平板型エツチング装
置はそのエツチング特性が物理的、化学的であるため、
異方性があり、微細加工性に優れているため、主流とな
っている。第２図は従来の平行平板型ドライエツチング
装置の構成を示す概念図である。反応容器３１内に配置
された２枚の平行平板電極のうち下部電極３２を、ウェ
ハーあるいはクロムマスクである被エツチング物３３を
載置するエツチング台とし、上部電極３４を対向電極と
する。反応ガスはガス制御バルブ３５から、電極対の間
で、電極の外周を囲む形で配置されているリング状のガ
ス導入管３６から反応容器３１内に導入される。ガス導
入管３６にはガスを放出する穴が適当な位置大きさで配
置されているが、図では省略しである。反応したガスは
排気管３７から排出される。高周波電源３８は下部電極
３２にガス放電のための高周波電力を与えるものである
。
グ装置は円筒形プラズマエツチング装置、平行平板型ド
ライエツチング装置に大別できるが、円筒形プラズマエ
ツチング装置はそのエツチング機構が化学的であるので
、等方エッチとなる。最近では平行平板型エツチング装
置はそのエツチング特性が物理的、化学的であるため、
異方性があり、微細加工性に優れているため、主流とな
っている。第２図は従来の平行平板型ドライエツチング
装置の構成を示す概念図である。反応容器３１内に配置
された２枚の平行平板電極のうち下部電極３２を、ウェ
ハーあるいはクロムマスクである被エツチング物３３を
載置するエツチング台とし、上部電極３４を対向電極と
する。反応ガスはガス制御バルブ３５から、電極対の間
で、電極の外周を囲む形で配置されているリング状のガ
ス導入管３６から反応容器３１内に導入される。ガス導
入管３６にはガスを放出する穴が適当な位置大きさで配
置されているが、図では省略しである。反応したガスは
排気管３７から排出される。高周波電源３８は下部電極
３２にガス放電のための高周波電力を与えるものである
。
上述した従来の平行平板型ドライエツチング装置は試料
面内のエツチング速度を均一にすることが難しく、同一
ウニバーあるいはマスク内においても、又同−チップノ
ｅターン内においてもそのノでターンの周囲の条件によ
り、エツチング速度にムラの出る欠点がある。
面内のエツチング速度を均一にすることが難しく、同一
ウニバーあるいはマスク内においても、又同−チップノ
ｅターン内においてもそのノでターンの周囲の条件によ
り、エツチング速度にムラの出る欠点がある。
本発明はプラズマ密度に適当な勾配をつげ、最終的に全
体として均一なエツチング速度を得る装置を提供するも
のである。
体として均一なエツチング速度を得る装置を提供するも
のである。
本発明の平行平板型ドライエツチング装置はプラズマを
発生させるための高周波電源の電極を夫夫互に絶縁して
いる複数からなる微小電極の集合体にて構成し、かつ各
々の微小電極に印加する高周波電力のタイミング等を制
御する印加電極コントローラを有することを特徴とする
ドライエツチング装置である。
発生させるための高周波電源の電極を夫夫互に絶縁して
いる複数からなる微小電極の集合体にて構成し、かつ各
々の微小電極に印加する高周波電力のタイミング等を制
御する印加電極コントローラを有することを特徴とする
ドライエツチング装置である。
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す概念図である。反応
容器１１内に配置された２枚の平行平板電極のうち下部
電極１２をウニ・・−あるいはクロムマスクである被エ
ツチング物１３を載置するエツチング台とし、上部電極
１４を対向電極とする。
。第１図は本発明の一実施例を示す概念図である。反応
容器１１内に配置された２枚の平行平板電極のうち下部
電極１２をウニ・・−あるいはクロムマスクである被エ
ツチング物１３を載置するエツチング台とし、上部電極
１４を対向電極とする。
ここで下部電極１２はＮ個の微小電極群１２ａ〜１２Ｎ
の集合体から構成され、各微小電極１２ａ〜１２Ｎ間は
夫々絶縁されている。反応ガスはガス制御バルブ１５か
ら上、下の電極対の間で、電極の外周を囲む形で配置さ
れているリング状のガス導入管１６から反応容器１１内
に導入される。ガス導入管１６にはがスを放出する穴が
適当な位置大きさで配置されているが、図では省略して
いる。反応したガスは排気管１７から排出される。高周
波電源１８は印加電極コントローラ１９を介し、先に述
べた下部電極１２を構成する各々の微小電極にガス放電
のための高周波電力を与えるものである。印加電極コン
）ｏ−ラは微小電極群の任意の複数の電極を選択的に順
次平列的に高周波電力を印加するものである。
の集合体から構成され、各微小電極１２ａ〜１２Ｎ間は
夫々絶縁されている。反応ガスはガス制御バルブ１５か
ら上、下の電極対の間で、電極の外周を囲む形で配置さ
れているリング状のガス導入管１６から反応容器１１内
に導入される。ガス導入管１６にはがスを放出する穴が
適当な位置大きさで配置されているが、図では省略して
いる。反応したガスは排気管１７から排出される。高周
波電源１８は印加電極コントローラ１９を介し、先に述
べた下部電極１２を構成する各々の微小電極にガス放電
のための高周波電力を与えるものである。印加電極コン
）ｏ−ラは微小電極群の任意の複数の電極を選択的に順
次平列的に高周波電力を印加するものである。
従って被エツチング物１３上における上下の電極間に発
生するガスプラズマの密度分布をエツチング中に、被エ
ツチング物のパターン等の特性に従って任意に変動させ
ることが可能となる。
生するガスプラズマの密度分布をエツチング中に、被エ
ツチング物のパターン等の特性に従って任意に変動させ
ることが可能となる。
以上説明したように本発明は下部電極を微小電極の集合
体とし、且つ印加電極コントローラにより任意の微小電
極に選択的並列に高周波電力を印加させることにより、
発生するプラズマの被エツチング物上における密度分布
を変動させることが可能となり、エツチングに必要な活
性種、イオンの密度を被エツチング物の各部分に合せ変
化させルコとにより、全体として均一のエツチング速度
を得ることができ、したがってローディング効果等を除
去することが可能となり、均一の寸法精度で高精度、高
品質のものを得ることができる効果を有するものである
。
体とし、且つ印加電極コントローラにより任意の微小電
極に選択的並列に高周波電力を印加させることにより、
発生するプラズマの被エツチング物上における密度分布
を変動させることが可能となり、エツチングに必要な活
性種、イオンの密度を被エツチング物の各部分に合せ変
化させルコとにより、全体として均一のエツチング速度
を得ることができ、したがってローディング効果等を除
去することが可能となり、均一の寸法精度で高精度、高
品質のものを得ることができる効果を有するものである
。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
の平行平板型ドライエツチング装置を示す構成図である
。 １１・・・反応容器、１２・・・下部電極、１２ａ、・
・・、１２Ｎ・・・微小電極、１３・・・被エツチング
物、１４・・・上部電極、１５・・・ガス制御バルブ、
１６・・・ガス導入管、１７・・・排気管、１８・・・
高周波電源、１９・・・印加電極コントローラ。
の平行平板型ドライエツチング装置を示す構成図である
。 １１・・・反応容器、１２・・・下部電極、１２ａ、・
・・、１２Ｎ・・・微小電極、１３・・・被エツチング
物、１４・・・上部電極、１５・・・ガス制御バルブ、
１６・・・ガス導入管、１７・・・排気管、１８・・・
高周波電源、１９・・・印加電極コントローラ。
Claims (1)
- （１）平行平板型ドライエッチング装置において、高周
波電力を印加する電極を互いに絶縁している微小電極の
集合体にて構成し、且つ各微小電極に印加する高周波電
力のタイミング等を制御する印加電極コントローラを有
することを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16884685A JPS6230328A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16884685A JPS6230328A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230328A true JPS6230328A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15875619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16884685A Pending JPS6230328A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298182A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16884685A patent/JPS6230328A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298182A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
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