JP6348321B2 - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6348321B2 JP6348321B2 JP2014080474A JP2014080474A JP6348321B2 JP 6348321 B2 JP6348321 B2 JP 6348321B2 JP 2014080474 A JP2014080474 A JP 2014080474A JP 2014080474 A JP2014080474 A JP 2014080474A JP 6348321 B2 JP6348321 B2 JP 6348321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- tray
- etching apparatus
- dielectric plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 160
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32366—Localised processing
- H01J37/32385—Treating the edge of the workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Ca<Cbである。
図1は第1の実施形態に係わる第1のエッチング装置の概略断面図である。図1に示すように、第1のエッチング装置は減圧可能なチャンバ1、電力が印加される第1の電極2を主要な構成要素として有している。また、エッチング装置は、エッチング処理に必要な電力を第1の電極2に印加するための電源3を備えている。チャンバ1内には、基板8を保持したトレイ4(例えば、アルミナ等の金属化合物で構成された部材)を保持するクランプ5(例えば、アルミナ等の金属化合物で構成された部材)を備えた第1の電極2が絶縁体12(例えば、テフロン(登録商標)等の樹脂)を介して取り付けられている。絶縁体12は、チャンバ1と第1の電極2とを電気的に絶縁する部材である。第1の電極2は、トレイ4の外周縁部を支持可能なトレイ支持部を有する。トレイ4は、複数の基板8を保持可能であり、また、チャンバ1に搬入搬出可能である。チャンバ1、第1の電極2、絶縁体12により、真空排気可能な密閉空間が構成される。電源3(電圧印加部)により、チャンバ1内の第1の電極2に電圧を印加する。
図3は、第2の実施形態に係わる第1の電極2の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。トレイ4には、図6に示すように、トレイ4の中心の周りに等角度間隔で4つの基板が保持される。第2の実施形態では、図4に示すとおり、トレイ4の周辺部に設けられた4枚の基板の非処理面の周縁部と対向するように、第1の電極2の表面の周縁部に沿って、誘電体板9を取り付けることにより、基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第2の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図7は第3の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。図7記載の第3の実施形態の基本構成は、上記した図1のエッチング装置と同様である。トレイ4には、図11に示すように、トレイ4の中心に第1の基板が保持され、トレイ4の中心の周りに等角度間隔で少なくとも4つの第2の基板が保持される。図11に記載されたトレイ4には、基板8の厚み方向に貫通する複数の基板収容孔41a、41b、41c、41d、41eと、基板8の全周縁部を保持可能な基板保持部42a、42b、42c、42d、42eが設けられている。基板保持部42a、42b、42c、42d、42eは、基板8の一部周縁部を保持可能に設けてもよい。第1の電極2(上部電極)によってトレイ4を保持する場合には、基板8を安定に保持するためには、図11記載のトレイ4を使用することが望ましい。第2の電極11によってトレイ4を保持する場合にも、図11記載のトレイ4を使用することが望ましい。第3の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図9は、第4の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。トレイ4には、図11に示すように、トレイ4の中心に第1の基板が保持され、トレイ4の中心の周りに等角度間隔で少なくとも4つの第2の基板が保持される。図11に示すトレイ4は、トレイ4の中心に第1の基板を保持し、トレイ4の中心の周りに等角度間隔で少なくとも2つの第2の基板を保持できればよい。図10に示すとおり、第4の実施形態では、トレイ4によって保持される4枚の基板8のそれぞれの周縁部付近に対向するように誘電体板9を取り付けられる。これにより、基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第6の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図12は、第5の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第5の実施形態では、図13に示すとおり、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面、即ち上面)のうちトレイ4の周辺部(図13において一点鎖線で示した2つの同心円対のうち外側の同心円対で示される部分)に対応する部分と対向するように、第1の電極2の表面に誘電体板9(例えば、材質アルミナ等のセラミックで構成された部材)が取り付けられている。また、トレイ4の中心側(図13において一点鎖線で示した2つの同心円対のうち内側の同心円対で示される部分)に保持された基板8の非処理面の端部(図13において一点鎖線で示した2つの同心円対のうち内側の同心円対の中のハッチングで示した部分)と対向するように、第1の電極2の表面に第2の誘電体板9を取り付けられている。第2の誘電体板9の厚さは、誘電体板9の厚さより薄い。これにより、トレイ4の径方向及び基板8の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第5の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図14は、第6の実施形態に係わる第1の電極2の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第6の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向するように、第1の電極2の表面に誘電体板9(例えば、アルミナ等のセラミックで構成された部材)が取り付けられている。そして、基板8の非処理面の中心部と対向する誘電体板9bの厚さを、基板8の非処理面の端部と対向する誘電体板9a、9cの厚さより厚くしている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第6の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図15は、第7の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第7の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向するように、第1の電極2の表面に、第1の電極2の第1の端部から第2の端部に向かって段階的に厚さが厚くなる誘電体板9a、9b、9c(例えば、アルミナ等のセラミックで構成される部材)が取り付けられている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向にけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第7の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図16は、第8の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第8の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向する第1の電極2の表面に、第1の電極2の第1の端部から第2の端部に向かって段階的に厚さが薄くなるように、誘電体板9a、9b、9c(例えば、アルミナ等のセラミックで構成される部材)が取り付けられている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向にけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第8の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図17は、第9の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第9の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向する第1の電極2の表面に誘電体板9(例えば、アルミナ等のセラミックで構成される部材)が取り付けられている。そして、トレイ4の中心部と対向する誘電体板9bの厚さを、トレイ4の端部と対向する誘電体板9aの厚さより薄くしている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第9の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図18は、第10の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第10の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向する第1の電極2表面に誘電体板9(例えば、アルミナ等のセラミックで構成される部材)が取り付けられている。トレイ4の中心部と対向する誘電体板9bの厚さを、トレイ4の端部と対向する誘電体板9aの長さをより厚くしている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第10の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図19は、第11の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第11の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向する第1の電極2表面に誘電体板9(例えば、アルミナ等のセラミックで構成される部材)が取り付けられている。そして、基板8の非処理面の第1の端部と対向する部分9aから基板8の非処理面の第2の端部と対向する部分9bに向かって電体板9の厚さを連続的に厚くしている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第11の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
図20は、第12の実施形態に係わる第1の電極の概略断面図である。基本的構成は、第1のエッチング装置と同様である。第12の実施形態では、基板8の非処理面(第2の電極11と対向しない面)と対向する第1の電極2表面に誘電体板9(例えば、材質アルミナ等のセラミック)が取り付けられている。そして、基板8の非処理面の第1の端部と対向する部分aから基板8の非処理面の第2の端部と対向する部分9bに向かって誘電体板9の厚さを連続的に薄くしている。これにより、トレイ4の径方向及び基板の径方向におけるエッチング分布の不均一を改善することが可能である。第7の実施形態においては、第1の電極2を上部電極(不図示の第2の電極11が下部電極)としているが、第1の電極2が下部電極(不図示の第2の電極11が上部電極)の場合、第1の電極2がチャンバ1の側壁に第2の電極11と対向して設けられている場合も本実施形態に含まれる。
Claims (8)
- 減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、複数の基板を保持可能かつ前記チャンバに搬入搬出可能なトレイを支持可能なトレイ支持部を有する第1の電極と、
前記第1の電極に電圧を印加する電圧印加部と、
を有するエッチング装置であって、
前記第1の電極の表面のうち前記基板の非処理面の外縁部と対向する部分に誘電体板が取り付けられている、エッチング装置。 - 減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、複数の基板を載置可能かつ前記チャンバに搬入搬出可能なトレイを支持可能なトレイ支持部を有する第1の電極と、
前記第1の電極に電圧を印加する電圧印加部と、
を有するエッチング装置であって、
前記基板の非処理面の周縁部と対向するように、前記第1の電極の表面の周縁部に沿って、誘電体板が配置されている、エッチング装置。 - 前記複数の基板は、前記トレイの中心の周りに等角度間隔で載置される、請求項1又は2に記載のエッチング装置。
- 前記複数の基板は、前記トレイの中心に保持される第1の基板と、前記トレイの中心の周りに等角度間隔で保持される少なくとも2つの第2の基板とを含む、請求項1又は2に記載のエッチング装置。
- 前記複数の基板は、前記トレイの中心に保持される第1の基板と、前記トレイの中心の周りに等角度間隔で保持される少なくとも2つの第2の基板とを含み、前記誘電体板は、前記第2の基板の非処理面の周縁部と対向するように、前記第1の電極の表面の周縁部に沿って、配置されている、請求項2に記載のエッチング装置。
- 前記第1の電極の表面のうち前記基板の非処理面の外縁部と対向する部分に第2の誘電体板が取り付けられていて、前記誘電体板は、前記トレイの周辺部側に配置され、前記第2の誘電体板は、前記トレイの中心部側に配置され、前記第2の誘電体板の厚さが、前記誘電体板の厚さより薄い、請求項1に記載のエッチング装置。
- 前記トレイには、前記基板の厚み方向に貫通する複数の基板収容孔が設けられている、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記第1の電極と対向して設けられた第2の電極を有する、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のエッチング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080474A JP6348321B2 (ja) | 2013-05-17 | 2014-04-09 | エッチング装置 |
US14/277,295 US11195700B2 (en) | 2013-05-17 | 2014-05-14 | Etching apparatus |
TW103117007A TWI570763B (zh) | 2013-05-17 | 2014-05-14 | 蝕刻裝置 |
CN201410207252.1A CN104167379B (zh) | 2013-05-17 | 2014-05-16 | 蚀刻装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104983 | 2013-05-17 | ||
JP2013104983 | 2013-05-17 | ||
JP2014080474A JP6348321B2 (ja) | 2013-05-17 | 2014-04-09 | エッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014241394A JP2014241394A (ja) | 2014-12-25 |
JP6348321B2 true JP6348321B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=51894829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014080474A Active JP6348321B2 (ja) | 2013-05-17 | 2014-04-09 | エッチング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11195700B2 (ja) |
JP (1) | JP6348321B2 (ja) |
CN (1) | CN104167379B (ja) |
TW (1) | TWI570763B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210094115A (ko) * | 2018-12-17 | 2021-07-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전자 빔 장치를 사용한 광 디바이스 제작 방법들 |
CN111415855B (zh) * | 2020-04-08 | 2022-08-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻设备 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4342901A (en) * | 1980-08-11 | 1982-08-03 | Eaton Corporation | Plasma etching electrode |
DE3272669D1 (en) * | 1982-03-18 | 1986-09-25 | Ibm Deutschland | Plasma-reactor and its use in etching and coating substrates |
JPS59175727A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
US4843683A (en) | 1988-09-30 | 1989-07-04 | Shrimp Wacker, Inc. | Shrimp peeling machine |
JP2770753B2 (ja) | 1994-09-16 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP3393970B2 (ja) | 1996-07-05 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
US6165907A (en) | 1996-05-20 | 2000-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
JP3013782B2 (ja) | 1996-07-30 | 2000-02-28 | 関西日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
TW418461B (en) | 1997-03-07 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching device |
US6188564B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing chamber |
JP2002246368A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Anelva Corp | ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム |
JP4472372B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
KR100585089B1 (ko) | 2003-05-27 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법 |
DE102004024893A1 (de) | 2003-05-27 | 2005-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Wafer-Rands |
JP2005136165A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
US7449220B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-11-11 | Oc Oerlikon Blazers Ag | Method for manufacturing a plate-shaped workpiece |
US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP4361045B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2009-11-11 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8157953B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-04-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2008159097A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Hitachi Ltd | 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP5029089B2 (ja) | 2007-03-26 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2009123934A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2010225775A (ja) | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
KR101050463B1 (ko) * | 2009-05-07 | 2011-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
JP5243465B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
TWI396484B (zh) | 2010-11-05 | 2013-05-11 | Zhen Ding Technology Co Ltd | 蝕刻裝置及使用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法 |
US20120267049A1 (en) * | 2011-04-25 | 2012-10-25 | Craig Lyle Stevens | Grounding assembly for vacuum processing apparatus |
JP5550602B2 (ja) | 2011-04-28 | 2014-07-16 | パナソニック株式会社 | 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置 |
JP6285620B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2018-02-28 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び半導体・液晶製造装置 |
KR20130042695A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각장치 |
KR101859344B1 (ko) * | 2012-01-26 | 2018-05-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 상부 기판 지지 어셈블리를 갖는 열 처리 챔버 |
-
2014
- 2014-04-09 JP JP2014080474A patent/JP6348321B2/ja active Active
- 2014-05-14 TW TW103117007A patent/TWI570763B/zh active
- 2014-05-14 US US14/277,295 patent/US11195700B2/en active Active
- 2014-05-16 CN CN201410207252.1A patent/CN104167379B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104167379B (zh) | 2018-04-27 |
TWI570763B (zh) | 2017-02-11 |
CN104167379A (zh) | 2014-11-26 |
JP2014241394A (ja) | 2014-12-25 |
US11195700B2 (en) | 2021-12-07 |
US20140338836A1 (en) | 2014-11-20 |
TW201511068A (zh) | 2015-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10276420B2 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
KR100959706B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 포커스링, 포커스링 부품 및 플라즈마처리 방법 | |
JP5702968B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 | |
CN206877967U (zh) | 处理套件和等离子体腔室 | |
CN101740298B (zh) | 等离子体处理装置及其构成部件 | |
KR20170024613A (ko) | 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드 | |
TWI222155B (en) | Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus | |
TW201805990A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP5602282B2 (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 | |
US11764034B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP6348321B2 (ja) | エッチング装置 | |
KR20170048169A (ko) | 포커스 링 및 센서 칩 | |
JP2007246983A (ja) | 成膜装置 | |
JP5313375B2 (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 | |
WO2017195672A1 (ja) | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 | |
JP2006339391A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP2008198601A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20080060763A (ko) | 기판 지지 장치 및 기판 식각 장치 | |
US20110039414A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR101173643B1 (ko) | 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기 | |
JP3969907B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS6324623A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI770331B (zh) | 反應性離子蝕刻裝置 | |
KR100683255B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치 | |
KR100849394B1 (ko) | 높이 조절이 가능한 절연 부재를 갖는 플라즈마 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6348321 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |