WO2017195672A1 - 静電チャック、および、プラズマ処理装置 - Google Patents

静電チャック、および、プラズマ処理装置 Download PDF

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substrate
electrode
electrostatic chuck
frequency power
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現示 酒田
秀和 横尾
強 相原
勝 北河
渡辺　章
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株式会社 アルバック
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Definitions

  • the present invention relates to an electrostatic chuck that electrostatically attracts a substrate, and a plasma processing apparatus that includes an electrostatic chuck and performs a predetermined process on a processing target.
  • the electrostatic chuck includes a dielectric layer and a plurality of electrodes.
  • the dielectric layer includes a tray support portion having a plate shape and a plurality of substrate support portions protruding from one surface of the tray support portion, and each substrate support portion supports one substrate.
  • One electrode is located inside each substrate support.
  • a plurality of substrates supported by the electrostatic chuck are transported to the electrostatic chuck in a state of being placed on one tray.
  • the tray has the same number of through holes as the number of substrates that can be adsorbed by the electrostatic chuck, and each substrate is disposed on the tray so as to close one through hole.
  • each substrate support of the dielectric layer passes through one through hole.
  • the substrate is transferred from the tray to the substrate support portion, and the tray is supported by the tray support portion.
  • the tray since the tray is also exposed to the plasma together with the plurality of substrates, the tray is heated by the plasma. Thereby, a board
  • substrate is heated by the radiant heat from a tray.
  • the result of etching on the substrate may be affected by the heating of the substrate by radiant heat. Therefore, it is desired to suppress the heating of the tray.
  • An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck and a plasma processing apparatus capable of suppressing heating of a tray.
  • the electrostatic chuck has a plate-like tray support part having a surface, a dielectric layer comprising a substrate support part protruding from the surface, and is located inside the substrate support part.
  • the plasma processing apparatus is a plasma processing apparatus including an electrostatic chuck and a chamber that partitions a space in which the electrostatic chuck is accommodated, and the electrostatic chuck is the electrostatic chuck.
  • the electrostatic chuck attracts not only the substrate to be processed but also the tray on which the substrate is placed. Therefore, when the tray is exposed to plasma, an object in which the tray and the electrostatic chuck are joined, in other words, an object having a heat capacity obtained by combining the heat capacity of the tray and the heat capacity of the electrostatic chuck is exposed to the plasma. On the other hand, when the tray is exposed to plasma without being attracted to the electrostatic chuck, the tray has only the heat capacity of the tray alone. Therefore, according to the above-described configuration, an object having a heat capacity larger than the heat capacity of the tray alone is exposed to the plasma by the amount of heat capacity of the electrostatic chuck as compared with the structure in which the tray is not attracted. Heating of the tray included in the object can be suppressed.
  • the tray electrode may not overlap the substrate electrode in the thickness direction of the dielectric layer.
  • the electrostatic chuck can be used as an electrostatic chuck mounted on a plasma etching apparatus which is an example of a plasma processing apparatus.
  • the substrate electrode provided in the electrostatic chuck can be used as an electrode for applying a bias potential to the substrate.
  • the substrate electrode and the tray electrode are coupled, that is, from the substrate electrode to the tray electrode. Supply of high frequency power can be suppressed.
  • the tray support portion is a cooling gas passage through which a cooling gas for cooling the tray flows, and is located in a portion of the surface that is not covered by the substrate support portion.
  • the cooling gas flow path having a plurality of openings may be provided.
  • the electrostatic chuck covers the portion of the surface that is not covered by the substrate support portion to block the plurality of openings, and is cooled by the cooling gas so as to cool the tray. You may further provide the sealing layer comprised by these.
  • the tray can be cooled via the sealing layer while suppressing the leakage of the cooling gas from between the electrostatic chuck and the tray by the sealing layer.
  • the substrate support portion is one of a plurality of substrate support portions
  • the substrate electrode is one of a plurality of substrate electrodes
  • the plurality of substrate electrodes are Are connected in parallel to each other to form a parallel circuit.
  • a high-frequency power supply for supplying high-frequency power to each of the substrate electrodes, and further supplying the high-frequency power of 400 kHz to 4 MHz to each of the substrate electrodes.
  • the inventors of the present application have found the following matters while intensively studying high-frequency power supplied to a plurality of substrate electrodes. That is, the present inventors supply high frequency power having a frequency exceeding this range to each substrate electrode if the frequency of the high frequency power supplied to each of the plurality of substrate electrodes is 400 kHz or more and 4 MHz or less. It has been found that the temperature distribution is less likely to occur between the plurality of substrates exposed to the plasma compared to the case of performing the above.
  • the plasma processing apparatus since the plasma processing apparatus includes a high frequency power source that supplies high frequency power of 400 kHz or more and 4 MHz or less to each substrate electrode, the occurrence of temperature distribution among a plurality of substrates can be suppressed.
  • the tray electrode is connected in series with a suppression unit that applies a DC voltage to the tray electrode and suppresses high-frequency power from propagating to the tray electrode.
  • the series tray circuit may be connected in parallel to the plurality of substrate electrodes to form a parallel circuit.
  • the plasma processing apparatus further includes a DC power supply that applies a DC voltage to each of the series tray circuit and the plurality of substrate electrodes, and the high-frequency power supply is separately applied to the series tray circuit and the plurality of substrate electrodes. High frequency power may be supplied.
  • the block diagram which shows the structure of the plasma etching apparatus in one Embodiment which actualized the plasma processing apparatus of this invention as a plasma etching apparatus.
  • Sectional drawing which shows the cross-section in one Embodiment which actualized the electrostatic chuck of this invention.
  • the top view which shows the planar structure of the dielectric material layer with which an electrostatic chuck is provided.
  • the block diagram which shows typically the electric structure for supplying electric power to an electrostatic chuck.
  • Sectional drawing which shows the cross-section of a tray with the cross-section of the board
  • the top view for demonstrating the supply point of the electric power in a test example.
  • Sectional drawing which shows the cross-section in the modification of an electrostatic chuck.
  • the plasma etching apparatus 10 includes a chamber body 11 having a bottomed cylindrical shape, and an upper opening of the chamber body 11 is sealed with a quartz plate 12.
  • the chamber main body 11 and the quartz plate 12 constitute an example of a chamber.
  • the chamber space 11S that is a space defined by the chamber main body 11 and the quartz plate 12 includes a plurality of substrates S to be etched and a plurality of substrates.
  • the electrostatic chuck 13 for attracting the tray T on which the substrate S is placed and the stage 14 for supporting the electrostatic chuck 13 are accommodated.
  • the electrode built in the electrostatic chuck 13 is connected to a suction power source 15 (DC power source) and a bias power source 16 (high frequency power source).
  • the suction power source 15 applies a DC voltage to the electrodes
  • the bias power source 16 supplies high-frequency power of 400 kHz to 4 MHz to the electrodes.
  • the cooling chuck 13 is connected to a cooling gas supply unit 17 that supplies a cooling gas to a cooling gas flow path of the electrostatic chuck 13.
  • the cooling gas supply unit 17 is, for example, a mass flow controller that supplies helium gas that is a cooling gas.
  • the electrostatic chuck 13 is connected to a refrigerant supply unit 18 that supplies the refrigerant to the refrigerant flow path of the electrostatic chuck 13.
  • the refrigerant supply unit 18 is, for example, a pump that circulates cooling water that is a refrigerant in the refrigerant flow path.
  • An ICP antenna 21 is located on the opposite side of the quartz plate 12 from the chamber space 11S.
  • the ICP antenna 21 is composed of, for example, a two-stage coil having a spiral shape that is wound twice and a half in the circumferential direction of the substrate S.
  • the ICP antenna 21 has an input terminal 21I that is an end portion on the center side in a spiral shape and an output terminal 21O that is an outer end portion in the spiral shape.
  • an antenna power source 22 that outputs high-frequency power having a frequency of 13.56 MHz is connected to the input terminal 21I of the ICP antenna 21.
  • the exhaust port 11P1 formed in the chamber body 11 is connected to an exhaust unit 31 that exhausts the fluid in the chamber space 11S.
  • the exhaust unit 31 includes, for example, a pressure adjustment valve that adjusts the pressure in the chamber space 11S and various pumps.
  • the gas supply port 11P2 formed in the chamber body 11 is connected to an etching gas supply unit 32 that supplies an etching gas to the chamber space 11S.
  • the etching gas supply unit 32 is, for example, a mass flow controller that supplies various gases into the chamber space 11S.
  • the substrate S when the substrate S is etched, the substrate S is first placed on the electrostatic chuck 13, and the exhaust unit 31 reduces the pressure of the chamber space 11S to a predetermined pressure.
  • the cooling gas supply unit 17 supplies the cooling gas to the electrostatic chuck 13, and the refrigerant supply unit 18 supplies the refrigerant to the electrostatic chuck 13.
  • the etching gas supply unit 32 supplies the etching gas to the chamber space 11S, and then the antenna power supply 22 supplies high frequency power to the ICP antenna 21, whereby plasma P is generated from the etching gas.
  • the suction power source 15 applies a DC voltage to the electrostatic chuck 13, and the bias power source 16 supplies high-frequency power to the electrostatic chuck 13. As a result, the substrate S is etched while being attracted to the electrostatic chuck 13.
  • FIG. 2 hatching is omitted in a part of the electrostatic chuck for the convenience of illustrating the electrode and the cooling gas flow path of the electrostatic chuck. Moreover, in FIG. 2, the cooling gas flow path is schematically shown by a solid line.
  • the electrostatic chuck 13 includes a dielectric layer 41, a substrate electrode 42, and a tray electrode 43.
  • the dielectric layer 41 includes a tray support portion 41a and a plurality of substrate support portions 41b.
  • the tray support portion 41a has a plate shape having a surface 41S, and each substrate support portion 41b protrudes from the surface 41S. Yes.
  • the plurality of substrate electrodes 42 are positioned one by one inside each substrate support portion 41b, and are electrodes for adsorbing the substrate S to the substrate support portion 41b.
  • each substrate electrode 42 is located inside a substrate support portion 41b different from the substrate support portion 41b in which all other substrate electrodes 42 are located.
  • the tray electrode 43 is an electrode for adsorbing the tray T on which the plurality of substrates S are placed on the tray support portion 41a, located inside the tray support portion 41a.
  • the portion of the tray support portion 41a that is not covered by the substrate support portion 41b in the surface 41S is the tray placement surface 41aS on which the tray T is placed indirectly.
  • the tray placement surface 41aS has a size capable of placing the tray T in a plan view facing the surface 41S.
  • the end protruding from the tray support portion 41a is the tip, and the surface constituting the tip is the substrate placement surface 41bS.
  • the substrate placement surface 41bS has a size capable of placing a single substrate S in a plan view facing the surface 41S.
  • the distance between the tray mounting surface 41aS and the substrate mounting surface 41bS is larger than the thickness of the tray T.
  • the protruding amount of the substrate support portion 41b from the tray support portion 41a is larger than the thickness of the tray T.
  • the dielectric layer 41 is made of a dielectric material such as ceramic.
  • the dielectric layer 41 is, for example, a stacked body in which a plurality of dielectric sheets are stacked.
  • the substrate electrode 42 is a metal sheet formed of a metal such as tungsten.
  • the size of the substrate electrode 42 is preferably substantially equal to the size of the substrate placement surface 41bS. The larger the ratio of the size of the substrate electrode 42 to the size of the substrate placement surface 41bS, the greater the force that attracts the substrate S to the substrate support portion 41b.
  • the substrate electrode 42 is located closer to the tip of the substrate support portion 41b.
  • the distance between the substrate electrode 42 and the substrate mounting surface 41bS is shortened as compared with the configuration in which the substrate electrode 42 is positioned closer to the surface 41S. be able to. Therefore, charge is easily exchanged between the substrate electrode 42 and the substrate S, and as a result, the adsorption of the substrate S and the desorption of the substrate S by the substrate support portion 41b are facilitated.
  • the distance between the substrate electrode 42 and the substrate placement surface 41bS is preferably about 0.3 mm to 1.9 mm, for example.
  • the tray electrode 43 is a metal sheet formed of a metal such as tungsten.
  • the size of the tray electrode 43 is preferably substantially equal to the size of the surface 41S. The greater the ratio of the size of the tray electrode 43 to the size of the surface 41S, the greater the force that attracts the substrate S to the tray support 41a.
  • the tray electrode 43 In the thickness direction of the dielectric layer 41, the tray electrode 43 is located closer to the surface 41S of the tray support portion 41a. Thereby, in the thickness direction of the dielectric layer 41, the tray electrode 43 and the tray placement surface 41aS are compared with the configuration in which the tray electrode 43 is positioned closer to the surface opposite to the surface 41S. The distance between them can be shortened. Therefore, charge is easily exchanged between the tray electrode 43 and the tray T, and as a result, the tray support portion 41a can easily attract and release the tray T.
  • the distance between the tray electrode 43 and the tray mounting surface 41aS is preferably about 0.3 mm to 1.9 mm, for example.
  • the distance between the tray electrode 43 and each substrate electrode 42 is the distance between the tray electrode 43 and the tray placement surface 41aS and the substrate electrode 42. It is larger than the distance between the substrate placement surface 41bS.
  • the tray support 41a has a cooling gas passage 45 through which a cooling gas for cooling the tray T flows.
  • the cooling gas flow path 45 has a plurality of tray openings 45a located in a portion of the surface 41S that is not covered by the substrate support portion 41b.
  • the cooling gas channel 45 has a plurality of tray openings 45a located on the tray placement surface 41aS.
  • the cooling gas channel 45 has a plurality of substrate openings 45b on each substrate placement surface 41bS.
  • the cooling gas channel 45 has a connection opening 45c located at a portion other than the surface 41S in the outer peripheral surface of the dielectric layer 41, and the above-described cooling gas supply unit 17 is connected to the connection opening 45c. ing.
  • the cooling gas channel 45 is supplied with cooling gas from the cooling gas supply unit 17.
  • the electrostatic chuck 13 further includes a sealing layer 46.
  • the sealing layer 46 covers a portion of the surface 41S that is not covered by the substrate support portion 41b, thereby closing the plurality of tray openings 45a included in the cooling gas channel 45 and being cooled by the cooling gas.
  • the tray T is configured to be cooled.
  • the sealing layer 46 covers the entire tray mounting surface 41aS.
  • the sealing layer 46 has a through hole in a portion overlapping the substrate support portion 41b in a plan view facing the surface 41S.
  • the sealing layer 46 may be composed of a plurality of elements, and a portion of the surface 41S where the substrate support portion 41b is not located may be covered with the plurality of elements.
  • the tray T is cooled via the sealing layer 46 while the sealing layer 46 prevents the cooling gas from leaking between the electrostatic chuck 13 and the tray T. be able to.
  • the sealing layer 46 has higher elasticity than the dielectric layer 41, and the forming material of the sealing layer 46 is, for example, a resin such as silicone rubber.
  • the forming material of the sealing layer 46 is a material that is cooled by the cooling gas, and the sealing layer 46 extends to the surface of the sealing layer 46 opposite to the surface in contact with the tray support portion 41a. It has a thickness enough to be cooled by the cooling gas.
  • the cooling gas is discharged toward the sealing layer 46 from the plurality of tray openings 45a, thereby cooling the sealing layer 46. Therefore, the tray T can be indirectly cooled via the sealing layer 46. it can. Further, since the cooling gas is discharged toward the substrate S from the plurality of substrate openings 45b, the substrate S is cooled by the cooling gas.
  • the electrostatic chuck 13 includes a support layer 47 that supports the dielectric layer 41.
  • the support layer 47 has a plate shape larger than that of the dielectric layer 41 in a plan view facing the surface 41 ⁇ / b> S, and protrudes from the outer edge of the dielectric layer 41 over the entire circumferential direction of the dielectric layer 41.
  • the support layer 47 includes therein a refrigerant flow path 47a through which a refrigerant flows, and the above-described refrigerant supply unit 18 is connected to the refrigerant flow path 47a.
  • the material for forming the support layer 47 is, for example, a metal such as aluminum.
  • the tray support 41a has a disk shape in a plan view facing the surface 41S of the tray support 41a.
  • the dielectric layer 41 includes six substrate support portions 41b, and each substrate support portion 41b has a cylindrical shape.
  • the six substrate support portions 41b protrude from the surface 41S at positions where the distances from the center of the surface 41S are substantially equal to each other.
  • the electrostatic chuck 13 includes six substrate electrodes 42.
  • each substrate electrode 42 has a disk shape, and the six substrate electrodes 42 are arranged at positions where the distances from the center of the surface 41S are substantially equal to each other. ing.
  • Each substrate electrode 42 is located inside a substrate support portion 41b different from the substrate support portion 41b where all other substrate electrodes 42 are located.
  • Each substrate electrode 42 is connected to, for example, a wiring exposed to the outside of the electrostatic chuck 13 through the inside of the electrostatic chuck 13, and the tray electrode 43 is, for example, static like the substrate electrode 42.
  • the wiring is exposed to the outside of the electrostatic chuck 13 through the inside of the electric chuck 13.
  • the six substrate electrodes 42 and the tray electrode 43 are connected in parallel to each other, for example, by connecting wirings connected to the respective electrodes to each other outside the electrostatic chuck 13.
  • FIG. 4 schematically shows an electrical configuration for supplying electric power to the electrostatic chuck among the electrical configurations included in the plasma etching apparatus 10.
  • the six substrate electrodes 42 are connected in parallel to each other to form a parallel circuit.
  • the plasma etching apparatus 10 includes a bias power supply 16, and the bias power supply 16 supplies high frequency power of 400 kHz or more and 4 MHz or less to the six substrate electrodes 42.
  • the frequency of the high-frequency power supplied to each of the six substrate electrodes 42 is 400 kHz or more and 4 MHz or less, compared with the case where high-frequency power having a frequency exceeding this range is supplied to each substrate electrode. Temperature distribution is less likely to occur between the six substrates S exposed to P.
  • the tray electrode 43 is connected in series with an inductor 51, which is an example of a suppressing unit, to form a series tray circuit.
  • the tray electrode 43 and the inductor 51 may be connected to each other outside the electrostatic chuck 13 or may be connected to each other inside the electrostatic chuck 13.
  • the inductor 51 has a function of applying a DC voltage to the tray electrode 43 and suppressing high-frequency power from propagating to the tray electrode 43.
  • the series tray circuit is connected in parallel outside the six substrate electrodes 42 and the electrostatic chuck 13 to form a parallel circuit.
  • the suction power supply 15 applies a DC voltage to each of the series tray circuit and the six substrate electrodes 42, and the bias power supply 16 supplies high-frequency power to each of the series tray circuit and the plurality of substrate electrodes 42.
  • the suction power supply 15 is connected to a parallel circuit including six substrate electrodes 42 and a tray electrode 43 through a filter 52.
  • the filter 52 is a low-pass filter, and has a function of suppressing the high frequency power output from the bias power source 16 from being supplied to the suction power source 15.
  • the suction power supply 15 applies a positive DC voltage to the six substrate electrodes 42 and the tray electrode 43, but may apply a negative DC voltage.
  • the tray T has a disk shape including the front surface TS and the back surface TR.
  • the tray T has a plurality of, for example, six through holes Ta penetrating between the front surface TS and the back surface TR.
  • the opening on the front surface TS is larger than the opening on the back surface TR.
  • the opening on the front surface TS is larger than the substrate S
  • the opening on the back surface TR is smaller than the substrate S.
  • each of the opening on the front surface TS and the opening on the back surface TR is larger than the substrate support portion 41b.
  • Each through hole Ta is partitioned by a two-stage cylinder surface Tb, and the cylinder surface Tb has a stepped portion Tc between the first-stage cylinder surface and the second-stage cylinder surface.
  • the tray T supports one substrate S at the step portion Tc of each through hole Ta.
  • each substrate support portion 41b passes through a through hole Ta different from the through hole Ta through which all other substrate support portions 41b pass, whereby the substrate S placed on the stepped portion Tc of the tray T is It is mounted on the substrate mounting surface 41bS of the substrate support portion 41b.
  • the suction power source 15 applies a DC voltage to each of the substrate electrode 42 and the tray electrode 43.
  • the substrate S is attracted to each substrate support portion 41b, and the tray T is attracted to the tray support portion 41a.
  • the electrostatic chuck 13 attracts the tray T in addition to the substrate S, when the tray T is exposed to the plasma P, an object in which the tray T and the electrostatic chuck 13 are joined, in other words, the heat capacity of the tray T An object having a heat capacity combined with the heat capacity of the electrostatic chuck 13 is exposed to the plasma P.
  • the tray T when the tray T is exposed to the plasma P in a state where it is not attracted to the electrostatic chuck 13, the tray T has only a heat capacity due to the tray alone. Therefore, according to the above-described configuration, an object having a larger heat capacity than the heat capacity of the tray T alone is exposed to the plasma P by the heat capacity of the electrostatic chuck 13 as compared with the structure in which the tray T is not attracted. Therefore, heating of the tray T included in this object can be suppressed.
  • the suction power supply 15 stops the application of the DC voltage to each of the substrate electrode 42 and the tray electrode 43. Thereby, the adsorption
  • the substrate support portion 41b is removed from the through hole Ta of the tray T, whereby the substrate S placed on the substrate placement surface 41bS of the substrate support portion 41b is removed. And placed on the stepped portion Tc of the tray T.
  • the temperature of the fourth substrate S4 was 93 ° C to 98 ° C
  • the temperature of the fifth substrate S5 was 98 ° C to 104 ° C
  • the temperature of the sixth substrate was 98 ° C to 104 ° C. .
  • Test Example 2 In Test Example 2, etching was performed under the same conditions as in Test Example 1 except that the frequency of the bias high-frequency power was changed to 12.5 MHz, and the temperatures of the first substrate S1 to the sixth substrate S6 were measured.
  • the temperature of the first substrate S1 is 126 ° C. to 132 ° C.
  • the temperature of the second substrate S2 is 110 ° C. to 115 ° C.
  • the temperature of the third substrate S3 is 121 ° C. to 126 ° C.
  • the temperature of the fourth substrate S4 is 98 ° C. to 104 ° C.
  • the temperature of the fifth substrate S5 is 110 ° C. to 115 ° C.
  • the temperature of the sixth substrate S6 is 110 ° C. to 115 ° C. It was.
  • Test Example 1 it was confirmed that temperature distribution was less likely to occur between the six substrates exposed to plasma compared to Test Example 2.
  • the effects listed below can be obtained.
  • the tray T can be cooled through the sealing layer 46 while the sealing layer 46 prevents the cooling gas from leaking between the electrostatic chuck 13 and the tray T.
  • the bias power supply 16 supplies high-frequency power of 400 kHz or more and 4 MHz or less to each substrate electrode 42, the occurrence of temperature distribution among the plurality of substrates S can be suppressed.
  • the filter 52 connected to the suction power supply 15 and the parallel circuit may be omitted.
  • the series tray circuit included in the parallel circuit includes the inductor 51, the suction power supply 15 applies a DC voltage to each of the substrate electrode 42 and the series tray circuit in the parallel circuit, and is used for biasing.
  • the power supply 16 supplies high-frequency power to each of the substrate electrode 42 and the series tray circuit, an effect equivalent to the above-described (4) can be obtained.
  • the suppression unit that constitutes the series circuit is not limited to the inductor 51 described above, but may be a capacitor or a combination of an inductor and a capacitor. Even with such a configuration, it is possible to obtain the same effect as the above-described (4).
  • the plasma etching apparatus 10 may not include the inductor 51. In such a configuration, since the bias potential is also applied to the tray T, the tray T is easily etched. However, as long as the tray T is attracted to the electrostatic chuck 13, the same effect as the above (1) can be obtained.
  • a plurality of substrate electrodes 42 and series tray circuits may not constitute one parallel circuit.
  • each substrate electrode 42 and tray electrode 43 are connected to different suction power sources, and each substrate electrode 42 is connected to each different bias power source, each substrate electrode A DC voltage can be applied to each of the electrode 42 and the tray electrode 43, and a bias potential can be applied to each substrate electrode 42.
  • since high frequency power is not supplied to the tray electrode 43 it is possible to omit the inductor 51 connected in series to the tray electrode 43.
  • the plurality of substrate electrodes 42 constitute a parallel circuit, and the plasma etching apparatus 10 includes a suction power source for applying a DC voltage to each of the plurality of substrate electrodes 42 and a high frequency power for each of the plurality of substrate electrodes 42. It is also possible to have a configuration including a bias power source for supplying a DC voltage and a DC power source for applying a DC voltage to the tray electrode 43. Even in such a configuration, since the high-frequency power is not supplied to the tray electrode 43, the inductor 51 connected in series to the tray electrode 43 can be omitted.
  • the frequency of the high-frequency power output from the bias power supply 16 may be less than 400 kHz or greater than 4 MHz. Even in such a configuration, since a bias potential is applied to each substrate electrode 42, it is possible to draw positive ions in the plasma toward each substrate electrode 42.
  • the electrostatic chuck 13 does not have to include the sealing layer 46, and even in such a configuration, the substrate electrode 42 positioned inside the substrate support portion 41b and the tray support portion 41a are positioned. If the tray electrode 43 is provided, the same effect as the above-described (1) can be obtained.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional structure in a modified example of the electrostatic chuck 13.
  • the cooling gas flow path 45 included in the dielectric layer 41 is not shown for convenience of illustration.
  • the tray electrode 61 may not overlap the plurality of substrate electrodes 42 in the thickness direction of the dielectric layer 41, that is, in plan view. That is, the tray electrode 61 has a plurality of through holes 61a that penetrate the tray electrode 61 along the thickness direction of the dielectric layer 41, and each through hole 61a faces the surface 41S of the tray support portion 41a. In the plan view, it is only necessary to be formed at a position overlapping with one substrate electrode 42. And the through-hole 61a should just have the magnitude
  • the following effects can be obtained. (5) When high-frequency power for applying a bias potential to the substrate electrode 42 is supplied to the substrate electrode 42, the substrate electrode 42 and the tray electrode 43 are coupled, that is, the substrate electrode. The supply of high frequency power from 42 to the tray electrode 43 can be suppressed.
  • the tray electrode 43 includes a plurality of electrode elements, and each electrode element has a dielectric
  • the configuration may be such that the body layer 41 is positioned so as not to overlap the substrate electrode 42 in the thickness direction of the body layer 41. Even with this configuration, it is possible to obtain the same effect as the above-described (5).
  • the electrostatic chuck 13 may be provided with at least one substrate support portion 41b and at least one substrate electrode 42 and the same number of substrate electrodes 42 as the substrate support portion 41b. If the electrostatic chuck 13 includes at least one substrate support portion 41b, and the same number of substrate electrodes 42, tray support portions 41a, and tray electrodes 43 as the substrate support portions 41b, the above-described (1) is applied. You can get the effect.
  • the substrate electrode 42 may be composed of a pair of electrodes having different polarities.
  • one substrate electrode may be composed of a pair of a positive electrode and a negative electrode. Then, it is only necessary that one pair of the positive electrode and the negative electrode is located inside one substrate support portion 41b.
  • the plasma etching apparatus 10 only needs to include a DC power source that applies a positive voltage to the positive electrode and a DC power source that applies a negative voltage to the negative electrode.
  • the plasma etching apparatus 10 is not limited to the inductively coupled plasma etching apparatus that generates the plasma P using the ICP antenna 21, but is a capacitively coupled plasma that generates plasma using an electrode located inside the chamber body 11.
  • An etching apparatus may be used.
  • the plasma processing apparatus to which the electrostatic chuck 13 is applied is not limited to the plasma etching apparatus 10 described above, but may be a sputtering apparatus or a CVD apparatus.
  • SYMBOLS 10 Plasma etching apparatus, 11 ... Chamber main body, 11P1 ... Exhaust port, 11P2 ... Gas supply port, 11S ... Chamber space, 12 ... Quartz plate, 13 ... Electrostatic chuck, 14 ... Stage, 15 ... Power supply for adsorption, 16 ... Bias power source, 17 ... cooling gas supply unit, 18 ... refrigerant supply unit, 21 ... ICP antenna, 21I ... input terminal, 21O ... output terminal, 22 ... antenna power source, 31 ... exhaust unit, 32 ... etching gas supply unit, 41 ... Dielectric layer, 41a ... Tray support, 41aS ... Tray mounting surface, 41b ...
  • Substrate support 41bS ... Substrate mounting surface, 41S, TS ... Surface, 42 ... Substrate electrode, 43, 61 ...
  • Electrode 45 cooling gas flow path 45a ... tray opening 45b ... substrate opening 45c ... connection opening 46 ... sealing layer 47 ... support layer 47a ... coolant flow , 51 ... Inductor, 52 ... Filter, 61a, Ta ... through hole, S ... substrate, T ... tray, Tb ... cylindrical surface, Tc ... stepped portion, TR ... backside.

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Abstract

静電チャック（１３）は、表面（４１Ｓ）を有した板状を有するトレイ支持部（４１ａ）と、表面（４１Ｓ）から突出する基板支持部（４１ｂ）とを備える誘電体層（４１）と、基板支持部（４１ｂ）の内部に位置し、基板を基板支持部（４１ｂ）に吸着するための基板用電極（４２）と、トレイ支持部（４１ａ）の内部に位置し、基板が載置されるトレイをトレイ支持部（４１ａ）に吸着するためのトレイ用電極（４３）と、を備える。

Description

静電チャック、および、プラズマ処理装置
　本発明は、基板を静電的に吸着する静電チャック、および、静電チャックを備え、処理対象に所定の処理を行うプラズマ処理装置に関する。
　複数の基板を一度に吸着することが可能な静電チャックを備えるエッチング装置が知られている。静電チャックは、誘電体層と複数の電極とを備えている。誘電体層は、板状を有するトレイ支持部と、トレイ支持部の１つの面から突出した複数の基板支持部とを備え、各基板支持部は、１枚の基板を支持する。電極は、各基板支持部の内部に１つずつ位置している。
　静電チャックに支持される複数の基板は、１つのトレイに載せられた状態で静電チャックまで搬送される。トレイは、静電チャックが吸着することの可能な基板の数と同数の貫通孔を有し、各基板は、１つの貫通孔を塞ぐようにトレイに配置される。
　トレイが静電チャックの上に配置されるとき、誘電体層の各基板支持部が、１つの貫通孔を通る。これにより、トレイから基板支持部に基板が受け渡され、かつ、トレイはトレイ支持部に支持される。
　そして、静電チャックが収容される空間内にプラズマが生成され、電極に電圧が印加されることによって、静電チャックが基板を吸着し、かつ、基板がエッチングされる。基板のエッチングが終了すると、トレイがトレイ支持部から離れることによって、基板が静電チャックからトレイに受け渡される（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－３９１３号公報
　ところで、複数の基板とともにトレイもプラズマに曝されるため、トレイがプラズマによって加熱される。これにより、トレイからの輻射熱によって基板が加熱される。基板におけるエッチングの結果は、輻射熱による基板の加熱によって影響される場合がある。そのため、トレイの加熱を抑えることが望まれている。
　こうした事情は、エッチング装置に限らず、上述した静電チャックを備えるＣＶＤ装置、および、スパッタ装置などのプラズマ処理装置においても共通している。
　本発明は、トレイの加熱を抑えることを可能とした静電チャック、および、プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様は静電チャックである。静電チャックは、表面を有した板状を有するトレイ支持部と、前記表面から突出する基板支持部とを備える誘電体層と、前記基板支持部の内部に位置し、基板を前記基板支持部に吸着するための基板用電極と、前記トレイ支持部の内部に位置し、前記基板が載置されるトレイを前記トレイ支持部に吸着するためのトレイ用電極と、を備える。
　本発明の他の態様はプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置は、静電チャックと、前記静電チャックが収容される空間を区画するチャンバと、を備えるプラズマ処理装置であって、前記静電チャックが、上記静電チャックである。
　上記構成によれば、静電チャックは、処理の対象である基板に加えて、基板が載置されるトレイも吸着する。そのため、トレイがプラズマに曝されるときには、トレイと静電チャックとが接合した物体、言い換えれば、トレイによる熱容量と静電チャックの熱容量とを合わせた熱容量を有した物体がプラズマに曝される。一方で、トレイが静電チャックに吸着されていない状態でプラズマに曝されたときには、トレイは、トレイ単体による熱容量しか有しない。それゆえに、上述した構成によれば、トレイを吸着しない構成と比べて、静電チャックが有する熱容量の分だけ、トレイ単体における熱容量よりも大きい熱容量を有した物体がプラズマに曝されるため、この物体に含まれるトレイの加熱を抑えることができる。
　上記静電チャックにおいて、前記トレイ用電極は、前記誘電体層の厚さ方向において、前記基板用電極に重ならなくてもよい。
　静電チャックは、プラズマ処理装置の一例であるプラズマエッチング装置に搭載される静電チャックとして用いられることが可能である。静電チャックがエッチング装置に搭載されたときには、静電チャックの備える基板用電極を、基板にバイアス電位を印加するための電極として用いることが可能である。
　上記構成によれば、基板用電極にバイアス電位を印加するための高周波電力が供給されたときに、基板用電極とトレイ用電極とがカップリングすること、すなわち、基板用電極からトレイ用電極に高周波電力が供給されることを抑えられる。
　上記静電チャックにおいて、前記トレイ支持部は、前記トレイを冷却するための冷却ガスが流れる冷却ガス流路であって、前記表面の中で、前記基板支持部によって覆われていない部分に位置する複数の開口を有した前記冷却ガス流路を有してもよい。前記静電チャックは、前記表面の中で、前記基板支持部によって覆われていない部分を覆うことによって前記複数の開口を塞ぎ、かつ、前記冷却ガスによって冷却されることで前記トレイを冷却するように構成された封止層をさらに備えてもよい。
　上記構成によれば、冷却ガスが静電チャックとトレイとの間から漏れることを封止層によって抑えつつ、封止層を介してトレイを冷却することができる。
　上記処理装置において、前記基板支持部は、複数の基板支持部のうちの１つであり、前記基板用電極は、複数の基板用電極のうちの１つであり、複数の前記基板用電極は、互いに並列に接続されて並列回路を構成している。前記各基板用電極に各別に高周波電力を供給する高周波電源であって、４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を前記各基板用電極に供給する前記高周波電源をさらに備える。
　本願発明者らは、複数の基板用電極に供給する高周波電力について鋭意研究する中で、以下の事項を見出した。すなわち、本願発明者らは、複数の基板用電極の各々に供給する高周波電力の周波数が、４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下であれば、この範囲を超えた周波数を有した高周波電力を各基板用電極に供給するときと比べて、プラズマに曝された複数の基板間において温度の分布が生じにくくなることを見出した。
　この点で、上記構成によれば、プラズマ処理装置が４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を各基板用電極に供給する高周波電源を備えるため、複数の基板間において温度の分布が生じることが抑えられる。
　上記プラズマ処理装置において、前記トレイ用電極は、前記トレイ用電極に直流電圧を印加させ、かつ、前記トレイ用電極に高周波電力が伝搬することを抑える抑制部と直列に接続されて直列トレイ回路を構成し、前記直列トレイ回路は、複数の前記基板用電極と並列に接続されて並列回路を構成してもよい。前記プラズマ処理装置は、前記直列トレイ回路および複数の前記基板用電極に各別に直流電圧を印加する直流電源をさらに備え、前記高周波電源は、前記直列トレイ回路および複数の前記基板用電極に各別に高周波電力を供給してもよい。
　上記構成によれば、並列回路を構成する複数の基板用電極およびトレイ用電極の各々に直流電圧を印加しつつ、トレイ用電極に高周波電力が伝搬することを抑えることができる。
本発明のプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置として具体化した一実施形態におけるプラズマエッチング装置の構成を示すブロック図。 本発明の静電チャックを具体化した一実施形態における断面構造を示す断面図。 静電チャックが備える誘電体層の平面構造を示す平面図。 静電チャックに電力を供給するための電気的構成を模式的に示すブロック図。 トレイの断面構造をトレイに載置された基板の断面構造とともに示す断面図。 静電チャックの作用を説明するための作用図。 試験例における電力の供給点を説明するための平面図。 静電チャックの変形例における断面構造を示す断面図。
　図１から図７を参照して、静電チャック、および、プラズマ処理装置を具体化した一実施形態を説明する。以下では、プラズマ処理装置をプラズマエッチング装置として具体化した例を説明する。また以下では、プラズマエッチング装置の構成、静電チャックの構成、静電チャックの作用、および、試験例を順番に説明する。
　［プラズマエッチング装置の構成］
　図１を参照して、プラズマエッチング装置の構成を説明する。
　図１が示すように、プラズマエッチング装置１０は、有底筒体形状を有したチャンバ本体１１を備え、チャンバ本体１１の上側開口は、石英板１２によって封止されている。これらチャンバ本体１１と石英板１２とは、チャンバの一例を構成し、チャンバ本体１１と石英板１２によって区画される空間であるチャンバ空間１１Ｓには、エッチングの対象である複数の基板Ｓと、複数の基板Ｓが載置されるトレイＴとを吸着する静電チャック１３と、静電チャック１３を支持するステージ１４とが収容されている。
　静電チャック１３に内蔵された電極は、吸着用電源１５（直流電源）およびバイアス用電源１６（高周波電源）に接続されている。吸着用電源１５は、直流電圧を電極に印加し、バイアス用電源１６は、４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を電極に供給する。
　静電チャック１３には、静電チャック１３が有する冷却ガス流路に冷却ガスを供給する冷却ガス供給部１７が接続されている。冷却ガス供給部１７は、例えば、冷却ガスであるヘリウムガスを供給するマスフローコントローラである。静電チャック１３には、静電チャック１３が有する冷媒流路に冷媒を供給する冷媒供給部１８が接続されている。冷媒供給部１８は、例えば、冷媒流路において冷媒である冷却水などを循環させるポンプである。
　石英板１２に対してチャンバ空間１１Ｓとは反対側には、ＩＣＰアンテナ２１が位置している。ＩＣＰアンテナ２１は、例えば、基板Ｓの周方向に２回半巻き回された渦巻き形状を有する２段のコイルから構成されている。ＩＣＰアンテナ２１は、渦巻き形状における中心側の端部である入力端子２１Ｉと、渦巻き形状における外側の端部である出力端子２１Ｏとを有している。ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉには、例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力を出力するアンテナ用電源２２が接続されている。
　チャンバ本体１１に形成された排気ポート１１Ｐ１には、チャンバ空間１１Ｓの流体を排気する排気部３１が接続されている。排気部３１は、例えば、チャンバ空間１１Ｓの圧力を調整する圧力調整弁や各種のポンプから構成されている。
　チャンバ本体１１に形成されたガス供給ポート１１Ｐ２には、チャンバ空間１１Ｓにエッチングガスを供給するエッチングガス供給部３２が接続されている。エッチングガス供給部３２は、例えば、各種のガスをチャンバ空間１１Ｓ内に供給するマスフローコントローラである。
　こうしたプラズマエッチング装置１０において、基板Ｓをエッチングするときには、まず、基板Ｓが静電チャック１３に載置され、そして、排気部３１がチャンバ空間１１Ｓの圧力を所定の圧力まで減圧する。次いで、冷却ガス供給部１７が静電チャック１３に冷却ガスを供給し、冷媒供給部１８が静電チャック１３に冷媒を供給する。
　一方で、エッチングガス供給部３２がチャンバ空間１１Ｓにエッチングガスを供給し、その後、アンテナ用電源２２がＩＣＰアンテナ２１に高周波電力を供給することによって、エッチングガスからプラズマＰが生成される。次いで、吸着用電源１５が静電チャック１３に直流電圧を印加し、バイアス用電源１６が静電チャック１３に高周波電力を供給する。これにより、基板Ｓが静電チャック１３に吸着された状態でエッチングされる。
　［静電チャックの構成］
　図２から図４を参照して、静電チャックの構成を説明する。図２では、静電チャックが有する電極および冷却ガス流路を図示する便宜上から、静電チャックの一部においてハッチングが省略されている。また、図２では、冷却ガス流路を実線によって模式的に示している。
　図２が示すように、静電チャック１３は、誘電体層４１、基板用電極４２、および、トレイ用電極４３を備えている。誘電体層４１は、トレイ支持部４１ａと複数の基板支持部４１ｂとを備え、トレイ支持部４１ａは、表面４１Ｓを有した板状を有し、各基板支持部４１ｂは、表面４１Ｓから突出している。
　複数の基板用電極４２は、各基板支持部４１ｂの内部に１つずつ位置し、基板Ｓを基板支持部４１ｂに吸着するための電極である。言い換えれば、各基板用電極４２は、他の全ての基板用電極４２が位置する基板支持部４１ｂとは異なる基板支持部４１ｂの内部に位置している。
　トレイ用電極４３は、トレイ支持部４１ａの内部に位置し、複数の基板Ｓが載置されるトレイＴをトレイ支持部４１ａに吸着するための電極である。
　トレイ支持部４１ａのうち、表面４１Ｓの中で基板支持部４１ｂによって覆われていない部分が、トレイＴが間接的に載置されるトレイ載置面４１ａＳである。トレイ載置面４１ａＳは、表面４１Ｓと対向する平面視において、トレイＴを載置することが可能な大きさを有している。
　各基板支持部４１ｂのうち、トレイ支持部４１ａから突出した端部が先端であり、先端を構成する面が基板載置面４１ｂＳである。基板載置面４１ｂＳは、表面４１Ｓと対向する平面視において、１枚の基板Ｓを載置することが可能な大きさを有している。
　誘電体層４１の厚さ方向において、トレイ載置面４１ａＳと基板載置面４１ｂＳとの間の距離は、トレイＴの厚さよりも大きい。言い換えれば、誘電体層４１の厚さ方向において、トレイ支持部４１ａからの基板支持部４１ｂの突出量は、トレイＴの厚さよりも大きい。
　誘電体層４１は、例えば、セラミックなどの誘電体で形成されている。誘電体層４１は、例えば、複数の誘電体製のシートが積層された積層体である。
　基板用電極４２は、例えばタングステンなどの金属で形成された金属シートである。表面４１Ｓと対向する平面視において、基板用電極４２の大きさは、基板載置面４１ｂＳの大きさにほぼ等しいことが好ましい。基板載置面４１ｂＳの大きさに対する基板用電極４２の大きさの比が大きいほど、基板支持部４１ｂに基板Ｓを吸着する力を大きくすることができる。
　誘電体層４１の厚さ方向において、基板用電極４２は、基板支持部４１ｂにおける先端寄りに位置している。これにより、誘電体層４１の厚さ方向において、基板用電極４２が、表面４１Ｓ寄りに位置している構成と比べて、基板用電極４２と基板載置面４１ｂＳとの間の距離を短くすることができる。それゆえに、基板用電極４２と基板Ｓとの間において電荷の授受が行われやすくなり、結果として、基板支持部４１ｂによる基板Ｓの吸着と吸着の解除とが行われやすくなる。
　基板用電極４２と基板載置面４１ｂＳとの間の距離は、例えば０．３ｍｍから１．９ｍｍ程度であることが好ましい。
　トレイ用電極４３は、例えばタングステンなどの金属で形成された金属シートである。表面４１Ｓと対向する平面視において、トレイ用電極４３の大きさは、表面４１Ｓの大きさにほぼ等しいことが好ましい。表面４１Ｓの大きさに対するトレイ用電極４３の大きさの比が大きいほど、トレイ支持部４１ａに基板Ｓを吸着する力を大きくすることができる。
　誘電体層４１の厚さ方向において、トレイ用電極４３は、トレイ支持部４１ａにおける表面４１Ｓ寄りに位置している。これにより、誘電体層４１の厚さ方向において、トレイ用電極４３が、表面４１Ｓとは反対側の面寄りに位置している構成と比べて、トレイ用電極４３とトレイ載置面４１ａＳとの間の距離を短くすることができる。それゆえに、トレイ用電極４３とトレイＴとの間において電荷の授受が行われやすくなり、結果として、トレイ支持部４１ａによるトレイＴの吸着と吸着の解除とが行われやすくなる。
　トレイ用電極４３とトレイ載置面４１ａＳとの間の距離は、例えば０．３ｍｍから１．９ｍｍ程度であることが好ましい。
　誘電体層４１の厚さ方向において、トレイ用電極４３と各基板用電極４２との間の距離は、トレイ用電極４３とトレイ載置面４１ａＳとの間の距離、および、基板用電極４２と基板載置面４１ｂＳとの間の距離よりも大きい。これにより、トレイ用電極４３と基板用電極４２との間における電気的な相互作用よりも、トレイ用電極４３とトレイＴとの間、および、基板用電極４２と基板Ｓとの間において、電気的な相互作用が生じやすくなる。
　トレイ支持部４１ａは、トレイＴを冷却するための冷却ガスが流れる冷却ガス流路４５を有している。冷却ガス流路４５は、表面４１Ｓの中で、基板支持部４１ｂによって覆われていない部分に位置する複数のトレイ用開口４５ａを有している。言い換えれば、冷却ガス流路４５は、トレイ載置面４１ａＳに位置する複数のトレイ用開口４５ａを有している。
　冷却ガス流路４５は、各基板載置面４１ｂＳに複数の基板用開口４５ｂを有している。冷却ガス流路４５は、誘電体層４１の外周面のうち、表面４１Ｓ以外の部分に位置する接続用開口４５ｃを有し、接続用開口４５ｃには、上述した冷却ガス供給部１７が接続されている。冷却ガス流路４５には、冷却ガス供給部１７から冷却ガスが供給される。
　静電チャック１３は、封止層４６をさらに備えている。封止層４６は、表面４１Ｓの中で、基板支持部４１ｂによって覆われていない部分を覆うことによって、冷却ガス流路４５が有する複数のトレイ用開口４５ａを塞ぎ、かつ、冷却ガスによって冷却されることでトレイＴを冷却するように構成されている。
　言い換えれば、封止層４６は、トレイ載置面４１ａＳの全体を覆っている。封止層４６は、表面４１Ｓと対向する平面視において、基板支持部４１ｂと重なる部分に貫通孔を有している。あるいは、封止層４６は、複数の要素から構成され、表面４１Ｓのうち、基板支持部４１ｂが位置しない部分を、複数の要素によって覆っていてもよい。
　誘電体層４１が封止層４６を備えるため、冷却ガスが静電チャック１３とトレイＴとの間から漏れることを封止層４６によって抑えつつ、封止層４６を介してトレイＴを冷却することができる。
　封止層４６は誘電体層４１よりも弾性が高く、封止層４６の形成材料は、例えばシリコーンゴムなどの樹脂である。また、封止層４６の形成材料は、冷却ガスによって冷却される材料であり、かつ、封止層４６は、封止層４６のうち、トレイ支持部４１ａに接する面とは反対側の面まで冷却ガスによって冷却される程度の厚さを有している。
　冷却ガスは、複数のトレイ用開口４５ａから封止層４６に向けて放出されることによって、封止層４６を冷却するため、封止層４６を介して間接的にトレイＴを冷却することができる。また、冷却ガスは、複数の基板用開口４５ｂから基板Ｓに向けて放出されるため、基板Ｓが冷却ガスによって冷却される。
　静電チャック１３は、誘電体層４１を支持する支持層４７を備えている。支持層４７は、表面４１Ｓと対向する平面視において、誘電体層４１よりも大きい板形状を有し、誘電体層４１の周方向の全体にわたって、誘電体層４１の外縁からはみ出している。支持層４７は、冷媒の流れる冷媒流路４７ａを内部に有し、冷媒流路４７ａには、上述した冷媒供給部１８が接続されている。支持層４７の形成材料は、例えばアルミニウムなどの金属である。
　図３が示すように、トレイ支持部４１ａの表面４１Ｓと対向する平面視において、トレイ支持部４１ａは円板状を有している。誘電体層４１は、６つの基板支持部４１ｂを備え、各基板支持部４１ｂは円柱状を有している。６つの基板支持部４１ｂは、表面４１Ｓの中心からの距離が互いにほぼ等しい位置において、表面４１Ｓから突出している。
　静電チャック１３は６つの基板用電極４２を備えている。トレイ支持部４１ａの表面４１Ｓと対向する平面視において、各基板用電極４２は円板状を有し、６つの基板用電極４２は、表面４１Ｓの中心からの距離が互いにほぼ等しい位置に配置されている。各基板用電極４２は、他の全ての基板用電極４２が位置する基板支持部４１ｂとは異なる基板支持部４１ｂの内部に位置している。
　各基板用電極４２は、例えば、静電チャック１３の内部を通って静電チャック１３の外部に露出する配線に接続し、また、トレイ用電極４３は、基板用電極４２と同じく、例えば、静電チャック１３の内部を通って静電チャック１３の外部に露出する配線に接続している。そして、６つの基板用電極４２、および、トレイ用電極４３は、例えば、各電極に接続された配線が静電チャック１３の外部にて互いに接続されることによって、互いに並列に接続されている。
　図４は、プラズマエッチング装置１０が備える電気的構成のうち、静電チャックに電力を供給するための電気的構成を模式的に示している。
　図４が示すように、６つの基板用電極４２は、互いに並列に接続されて並列回路を構成している。プラズマエッチング装置１０は、バイアス用電源１６を備え、バイアス用電源１６は、４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を６つの基板用電極４２に各別に供給する。
　６つの基板用電極４２の各々に供給する高周波電力の周波数が、４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下であれば、この範囲を超えた周波数を有した高周波電力を各基板用電極に供給するときと比べて、プラズマＰに曝された６つの基板Ｓ間において温度の分布が生じにくくなる。
　トレイ用電極４３は、抑制部の一例であるインダクタ５１と直列に接続されて直列トレイ回路を構成している。トレイ用電極４３とインダクタ５１とは、静電チャック１３の外部において互いに接続されてもよいし、静電チャック１３の内部において互いに接続されてもよい。インダクタ５１は、トレイ用電極４３に直流電圧を印加させ、かつ、トレイ用電極４３に高周波電力が伝搬することを抑える機能を有する。直列トレイ回路は、６つの基板用電極４２と静電チャック１３の外部において並列に接続されて並列回路を構成している。
　吸着用電源１５は、直列トレイ回路および６つの基板用電極４２に各別に直流電圧を印加し、バイアス用電源１６は、直列トレイ回路および複数の基板用電極４２に各別に高周波電力を供給する。
　そのため、並列回路を構成する６つの基板用電極４２およびトレイ用電極４３の各々に直流電圧を印加しつつ、トレイ用電極４３に高周波電力が伝搬することを抑えることができる。
　それゆえに、トレイＴが複数の基板ＳとともにプラズマＰに曝されるとき、トレイＴにバイアス電位が印加されることが抑えられ、結果として、トレイＴがエッチングされることが抑えられる。
　吸着用電源１５は、フィルタ５２を介して６つの基板用電極４２とトレイ用電極４３とから構成される並列回路に接続されている。フィルタ５２はローパスフィルタであり、吸着用電源１５にバイアス用電源１６の出力した高周波電力が供給されることを抑える機能を有している。吸着用電源１５は、６つの基板用電極４２およびトレイ用電極４３に正の直流電圧を印加するが、負の直流電圧を印加してもよい。
　［静電チャックの作用］
　図５および図６を参照して静電チャック１３の作用を説明する。以下では、静電チャック１３の作用の説明に先立ち、静電チャック１３によって吸着されるトレイＴの構成を説明する。
　図５が示すように、トレイＴは、表面ＴＳと裏面ＴＲとを含む円板状を有している。トレイＴは、表面ＴＳと裏面ＴＲとの間を貫通する複数、例えば６つの貫通孔Ｔａを有し、各貫通孔Ｔａにおいて、表面ＴＳでの開口が裏面ＴＲでの開口よりも大きい。表面ＴＳと対向する平面視において、表面ＴＳでの開口は基板Ｓよりも大きく、裏面ＴＲでの開口は基板Ｓよりも小さい。また、表面ＴＳと対向する平面視において、表面ＴＳでの開口および裏面ＴＲでの開口の各々は、基板支持部４１ｂよりも大きい。
　各貫通孔Ｔａは、二段の筒面Ｔｂによって区画され、筒面Ｔｂは、一段目の筒面と二段目の筒面との間の段差部Ｔｃを有している。トレイＴは、各貫通孔Ｔａの段差部Ｔｃにおいて、１枚の基板Ｓを支持する。
　図６が示すように、プラズマエッチング装置１０において基板Ｓがエッチングされるときには、まず、６つの基板Ｓの載置されたトレイＴが、静電チャック１３まで搬送され、トレイＴが、トレイ支持部４１ａに載置される。このとき、各基板支持部４１ｂは、他の全ての基板支持部４１ｂが通る貫通孔Ｔａとは異なる貫通孔Ｔａを通り、それによって、トレイＴの段差部Ｔｃに載置された基板Ｓが、基板支持部４１ｂの基板載置面４１ｂＳに載置される。
　そして、チャンバ空間１１Ｓ内にプラズマＰが生成された後、吸着用電源１５が、各基板用電極４２およびトレイ用電極４３の各々に直流電圧を印加する。これにより、各基板支持部４１ｂに基板Ｓが吸着され、かつ、トレイ支持部４１ａにトレイＴが吸着される。
　静電チャック１３は、基板Ｓに加えてトレイＴも吸着するため、トレイＴがプラズマＰに曝されるときには、トレイＴと静電チャック１３とが接合した物体、言い換えれば、トレイＴによる熱容量と静電チャック１３の熱容量とを合わせた熱容量を有した物体がプラズマＰに曝される。
　一方で、トレイＴが静電チャック１３に吸着されていない状態でプラズマＰに曝されたときには、トレイＴは、トレイ単体による熱容量しか有しない。そのため、上述した構成によれば、トレイＴを吸着しない構成と比べて、静電チャック１３が有する熱容量の分だけ、トレイＴ単体における熱容量よりも大きい熱容量を有した物体がプラズマＰに曝されるため、この物体に含まれるトレイＴの加熱を抑えることができる。
　基板Ｓのエッチングが終了すると、吸着用電源１５が、各基板用電極４２およびトレイ用電極４３の各々への直流電圧の印加を停止する。これにより、各基板支持部４１ｂによる基板Ｓの吸着が解除され、かつ、トレイ支持部４１ａによるトレイＴの吸着が解除される。
　次いで、トレイＴが静電チャック１３から搬送されるとき、トレイＴの貫通孔Ｔａから基板支持部４１ｂが抜かれ、それによって、基板支持部４１ｂの基板載置面４１ｂＳに載置された基板Ｓが、トレイＴの段差部Ｔｃに載置される。
　［試験例］
　図７を参照して、試験例を説明する。
　［試験例１］
　図７が示すように、第１基板Ｓ１から第６基板Ｓ６が載置されたトレイＴを誘電体層４１のトレイ支持部４１ａ上に載置し、第１基板Ｓ１から第６基板Ｓ６の各々を互いに異なる基板支持部４１ｂ上に載置した。そして、以下の条件にて第１基板Ｓ１から第６基板Ｓ６のエッチングを行ったときの各基板の温度を測定した。このとき、第１基板Ｓ１を吸着するための基板用電極４２にバイアス用の高周波電力を供給する供給点Ｐｓを設定した。すなわち、第１基板Ｓ１を吸着するための基板用電極４２と高周波電源との間の伝送路が最も短い状態で、６つの基板用電極４２およびトレイ用電極４３に高周波電力を供給した。
　［エッチング条件］
　・基板　　　　　　　　　　　　：サファイア基板
　・アンテナ用高周波電力　　　　：２１００Ｗ
　・バイアス用高周波電力　　　　：１０００Ｗ
　・バイアス用高周波電力の周波数：２ＭＨｚ
　・吸着用の直流電圧　　　　　　：２ｋＶ
　・チャンバ空間の圧力　　　　　：０．０６Ｐａ
　・冷媒の温度　　　　　　　　　：３０℃
　・冷却ガスの圧力　　　　　　　：１ｋＰａ
　・エッチングガス　　　　　　　：ＢＣｌ３
　・エッチングガス流量　　　　　：１５０ｓｃｃｍ
　試験例１では、第１基板Ｓ１の温度が９３℃から９８℃であり、第２基板Ｓ２の温度が９８℃から１０４℃であり、第３基板Ｓ３の温度が１０４℃から１１０℃であることが認められた。また、第４基板Ｓ４の温度が９３℃から９８℃であり、第５基板Ｓ５の温度が９８℃から１０４℃であり、第６基板の温度が９８℃から１０４℃であることが認められた。
　［試験例２］
　試験例２では、バイアス用高周波電力の周波数を１２．５ＭＨｚに変更する以外は、試験例１と同じ条件でエッチングを行い、第１基板Ｓ１から第６基板Ｓ６の温度を測定した。
　試験例２では、第１基板Ｓ１の温度が１２６℃から１３２℃であり、第２基板Ｓ２の温度が１１０℃から１１５℃であり、第３基板Ｓ３の温度が１２１℃から１２６℃であることが認められた。また、第４基板Ｓ４の温度が９８℃から１０４℃であり、第５基板Ｓ５の温度が１１０℃から１１５℃であり、第６基板Ｓ６の温度が１１０℃から１１５℃であることが認められた。
　このように、試験例１によれば、試験例２に比べて、プラズマに曝された６つの基板間において温度の分布が生じにくいことが認められた。
　以上説明したように、静電チャック、および、プラズマ処理装置の一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
　（１）トレイＴを吸着しない構成と比べて、静電チャック１３が有する熱容量の分だけ、トレイＴ単体における熱容量よりも大きい熱容量を有した物体がプラズマＰに曝されるため、この物体に含まれるトレイＴの加熱を抑えることができる。
　（２）冷却ガスが静電チャック１３とトレイＴとの間から漏れることを封止層４６によって抑えつつ、封止層４６を介してトレイＴを冷却することができる。
　（３）バイアス用電源１６が４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を各基板用電極４２に供給するため、複数の基板Ｓ間において温度の分布が生じることが抑えられる。
　（４）並列回路を構成する複数の基板用電極４２およびトレイ用電極４３の各々に直流電圧を印加しつつ、トレイ用電極４３に高周波電力が伝搬することを抑えることができる。
　なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
　・吸着用電源１５と並列回路とに接続されるフィルタ５２は割愛されてもよい。こうした構成であっても、並列回路に含まれる直列トレイ回路がインダクタ５１を含み、吸着用電源１５が並列回路における基板用電極４２および直列トレイ回路の各々に直流電圧を印加し、かつ、バイアス用電源１６が基板用電極４２および直列トレイ回路の各々に高周波電力を供給する以上は、上述した（４）と同等の効果を得ることはできる。
　・直列回路を構成する抑制部は、上述したインダクタ５１に限らず、キャパシタであってもよいし、インダクタとキャパシタとの組み合わせであってもよい。こうした構成であっても、上述した（４）と同等の効果を得ることはできる。
　・プラズマエッチング装置１０は、インダクタ５１を備えていなくてもよい。こうした構成では、トレイＴにもバイアス電位が印加されるため、トレイＴがエッチングされやすくはなる。ただし、トレイＴが静電チャック１３に吸着される以上は、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・複数の基板用電極４２および直列トレイ回路が、１つの並列回路を構成していなくてもよい。こうした構成では、各基板用電極４２およびトレイ用電極４３が各別の吸着用電源に接続され、かつ、各基板用電極４２が各別のバイアス用電源に接続されていれば、各基板用電極４２およびトレイ用電極４３の各々に直流電圧を印加すること、および、各基板用電極４２にバイアス電位を印加することが可能である。こうした構成では、トレイ用電極４３に高周波電力が供給されないため、トレイ用電極４３に直列に接続されるインダクタ５１を割愛することが可能である。
　・複数の基板用電極４２が並列回路を構成し、プラズマエッチング装置１０は、複数の基板用電極４２に各別に直流電圧を印加する吸着用電源と、複数の基板用電極４２に各別に高周波電力を供給するバイアス用電源と、トレイ用電極４３に直流電圧を印加する直流電源とを備える構成でもよい。こうした構成においてもトレイ用電極４３には高周波電力が供給されないため、トレイ用電極４３に直列に接続されるインダクタ５１を割愛することが可能である。
　・バイアス用電源１６が出力する高周波電力の周波数は、４００ｋＨｚ未満であってもよいし、４ＭＨｚよりも大きくてもよい。こうした構成であっても、各基板用電極４２にはバイアス電位が印加されるため、各基板用電極４２に向けてプラズマ中の正イオンを引き込むことは可能である。
　・静電チャック１３は封止層４６を有していなくてもよく、こうした構成であっても、基板支持部４１ｂの内部に位置する基板用電極４２と、トレイ支持部４１ａの内部に位置するトレイ用電極４３とを備えていれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・図８は、静電チャック１３の変形例における断面構造を示し、図８では、図示の便宜上から、誘電体層４１が有する冷却ガス流路４５の図示が省略されている。図８が示すように、トレイ用電極６１は、誘電体層４１の厚さ方向において、つまり平面視において、複数の基板用電極４２に重ならなくてもよい。すなわち、トレイ用電極６１は、誘電体層４１の厚さ方向に沿ってトレイ用電極６１を貫通する複数の貫通孔６１ａを有し、各貫通孔６１ａは、トレイ支持部４１ａの表面４１Ｓと対向する平面視において、１つの基板用電極４２と重なる位置に形成されていればよい。そして、貫通孔６１ａは、表面４１Ｓと対向する平面視において、基板用電極４２以上の大きさを有していればよい。
　こうした構成によれば、以下の効果を得ることができる。
　（５）基板用電極４２にバイアス電位を印加するための高周波電力が基板用電極４２に供給されたときに、基板用電極４２とトレイ用電極４３とがカップリングすること、すなわち、基板用電極４２からトレイ用電極４３に高周波電力が供給されることを抑えられる。
　・トレイ用電極４３が、誘電体層４１の厚さ方向において複数の基板用電極４２と重ならない構成では、トレイ用電極４３が、複数の電極要素から構成され、かつ、各電極要素が、誘電体層４１の厚さ方向において、基板用電極４２と重ならないように位置する構成であってもよい。こうした構成であっても、上述した（５）と同等の効果を得ることはできる。
　・静電チャック１３は、少なくとも１つの基板支持部４１ｂと、少なくとも１つの基板用電極４２であって、基板支持部４１ｂと同数の基板用電極４２を備えていればよい。静電チャック１３が、少なくとも１つの基板支持部４１ｂ、基板支持部４１ｂと同数の基板用電極４２、トレイ支持部４１ａ、および、トレイ用電極４３を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
　・基板用電極４２は、極性の互いに異なる一対の電極から構成されていてもよく、この場合には、１つの基板用電極が、正電極と負電極との対から構成されればよい。そして、正電極と負電極との１つの対が、１つの基板支持部４１ｂの内部に位置していればよい。こうした構成では、プラズマエッチング装置１０は、正の電圧を正電極に印加する直流電源と、負の電圧を負電極に印加する直流電源とを備えていればよい。
　・プラズマエッチング装置１０は、ＩＣＰアンテナ２１を用いてプラズマＰを生成する誘導結合型のプラズマエッチング装置に限らず、チャンバ本体１１の内部に位置する電極を用いてプラズマを生成する容量結合型のプラズマエッチング装置であってもよい。
　・静電チャック１３が適用されるプラズマ処理装置は、上述したプラズマエッチング装置１０に限らず、スパッタ装置やＣＶＤ装置などであってもよい。
　１０…プラズマエッチング装置、１１…チャンバ本体、１１Ｐ１…排気ポート、１１Ｐ２…ガス供給ポート、１１Ｓ…チャンバ空間、１２…石英板、１３…静電チャック、１４…ステージ、１５…吸着用電源、１６…バイアス用電源、１７…冷却ガス供給部、１８…冷媒供給部、２１…ＩＣＰアンテナ、２１Ｉ…入力端子、２１Ｏ…出力端子、２２…アンテナ用電源、３１…排気部、３２…エッチングガス供給部、４１…誘電体層、４１ａ…トレイ支持部、４１ａＳ…トレイ載置面、４１ｂ…基板支持部、４１ｂＳ…基板載置面、４１Ｓ，ＴＳ…表面、４２…基板用電極、４３，６１…トレイ用電極、４５…冷却ガス流路、４５ａ…トレイ用開口、４５ｂ…基板用開口、４５ｃ…接続用開口、４６…封止層、４７…支持層、４７ａ…冷媒流路、５１…インダクタ、５２…フィルタ、６１ａ，Ｔａ…貫通孔、Ｓ…基板、Ｔ…トレイ、Ｔｂ…筒面、Ｔｃ…段差部、ＴＲ…裏面。

Claims (6)

  1. 　表面を有した板状を有するトレイ支持部と、前記表面から突出する基板支持部とを備える誘電体層と、
    　前記基板支持部の内部に位置し、基板を前記基板支持部に吸着するための基板用電極と、
    　前記トレイ支持部の内部に位置し、前記基板が載置されるトレイを前記トレイ支持部に吸着するためのトレイ用電極と、を備える
    　静電チャック。
  2. 　前記トレイ用電極は、前記誘電体層の厚さ方向において、前記基板用電極に重ならない
    　請求項１に記載の静電チャック。
  3. 　前記トレイ支持部は、前記トレイを冷却するための冷却ガスが流れる冷却ガス流路であって、前記表面の中で、前記基板支持部によって覆われていない部分に位置する複数の開口を有した前記冷却ガス流路を有し、
    　前記表面の中で、前記基板支持部によって覆われていない部分を覆うことによって前記複数の開口を塞ぎ、かつ、前記冷却ガスによって冷却されることで前記トレイを冷却するように構成された封止層をさらに備える
    　請求項１または２に記載の静電チャック。
  4. 　静電チャックと、
    　前記静電チャックが収容される空間を区画するチャンバと、を備えるプラズマ処理装置であって、
    　前記静電チャックが、請求項１から３のいずれか一項に記載の静電チャックである
    　プラズマ処理装置。
  5. 　前記基板支持部は、複数の基板支持部のうちの１つであり、
    　前記基板用電極は、複数の基板用電極のうちの１つであり、
    　複数の前記基板用電極は、互いに並列に接続されて並列回路を構成し、
    　前記各基板用電極に各別に高周波電力を供給する高周波電源であって、前記高周波電源は４００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波電力を前記各基板用電極に供給する前記高周波電源をさらに備える
    　請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 　前記トレイ用電極は、前記トレイ用電極に直流電圧を印加させ、かつ、前記トレイ用電極に前記高周波電力が伝搬することを抑える抑制部と直列に接続されて直列トレイ回路を構成し、
    　前記直列トレイ回路は、複数の前記基板用電極と並列に接続されて並列回路を構成し、
    　前記直列トレイ回路および複数の前記基板用電極に各別に直流電圧を印加する直流電源をさらに備え、
    　前記高周波電源は、前記直列トレイ回路および複数の前記基板用電極に各別に高周波電力を供給する
    　請求項５に記載のプラズマ処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022500846A (ja) * 2018-09-14 2022-01-04 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. 静電チャック

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102345663B1 (ko) * 2018-04-05 2021-12-29 램 리써치 코포레이션 냉각제 가스 존들 및 대응하는 그루브 및 단극성 정전 클램핑 전극 패턴들을 갖는 정전 척들
CN110228283B (zh) * 2019-07-18 2020-10-09 清华大学 基于静电吸附的快速、选择性转印装置及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010109848A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011003913A (ja) * 2010-07-26 2011-01-06 Ulvac Japan Ltd 静電チャック
JP2011114178A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Samco Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2013045989A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
JP2014150186A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282692A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送用トレーおよびこれを用いた基板処理装置
CN1983518B (zh) * 2004-06-21 2011-06-08 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和方法
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
KR20070072571A (ko) * 2004-11-04 2007-07-04 가부시키가이샤 알박 정전 척 장치
JP4850811B2 (ja) * 2007-11-06 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置および処理システム
JP2010232250A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Corp プラズマ処理装置
KR101299102B1 (ko) 2009-07-07 2013-08-28 주식회사 만도 쇽업소버
JP2011171329A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Panasonic Corp プラズマ処理における基板保持用のトレイおよびプラズマ処理方法
JP5348439B2 (ja) * 2011-09-30 2013-11-20 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
US8988848B2 (en) * 2011-12-15 2015-03-24 Applied Materials, Inc. Extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
CN103187348A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片固定装置、半导体设备和晶片固定方法
JP2015115421A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフォーカスリング
KR102222902B1 (ko) * 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010109848A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011114178A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Samco Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011003913A (ja) * 2010-07-26 2011-01-06 Ulvac Japan Ltd 静電チャック
JP2013045989A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
JP2014150186A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022500846A (ja) * 2018-09-14 2022-01-04 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. 静電チャック
JP7198915B2 (ja) 2018-09-14 2023-01-04 北京北方華創微電子装備有限公司 静電チャック

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