JP2007080834A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空チャンバ内でプラズマ処理空間を挟んで処理基板保持用の保持電極と向き合う対向電極60を、電気良導体の金属部材61,62と、熱膨張率の異なる金属部材63と、非金属部材64とを重ね合わせて構成する。金属部材63と非金属部材64との間に接着剤等を充填する。高周波電力の印可を金属部材63に行う。これにより、熱膨張率の相違の影響が緩和され、非金属部材の温度上昇も抑えられ、非金属部材に効率良くバイアス電圧が掛かる。
【選択図】図1
Description
2 真空チャンバ本体部(真空チャンバ)
3 真空チャンバ蓋部(真空チャンバ)
4 プラズマ処理空間
5 保持電極(カソード、対の電極の一方、被処理物乗載用の下部電極)
6 対向電極(アノード、対の電極の他方、被処理物に対向の上部電極)
6a プラズマ供給口
6b 処理ガス供給口
7 コイル(プラズマ励起用高周波の印加回路、第1印可手段)
8 RF電源(プラズマ励起用の高周波電源、第1印可手段)
9 RF電源(保持電極バイアス用高周波印可回路、第3印可手段)
10 隣接絶縁体(プラズマ発生チャンバ)
10a プラズマ発生空間
60 対向電極(アノード、平行平板の他方、被処理物に対向の上部電極)
60a プラズマ発生空間
61 アルミプレート(環状路の蓋部、第1種の金属部材)
62 アルミプレート(環状路の台部、第1種の金属部材)
63 モリブデンプレート(第2種の金属部材)
64 シリコンプレート(非金属部材)
65 絶縁リング
66 銅プラグ(対向電極バイアス用高周波印可回路、第2印可手段)
67 RF電源(対向電極バイアス用高周波印可回路、第2印可手段)
Claims (4)
- プラズマ処理空間を囲う真空チャンバと、
処理基板を前記プラズマ処理空間に臨ませて保持する保持電極と、
前記プラズマ処理空間を挟んで前記保持電極と向き合う対向電極と、
前記対向電極を通してプラズマ用ガス及び処理ガスを前記プラズマ処理空間へ供給する手段と、
前記対向電極に付設されたコイルに高周波電力を印可して前記プラズマ用ガスを励起する第1印可手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記対向電極を、電気良導体からなる金属部材と前記プラズマ処理空間に臨む非金属部材とを重ね合わせて構成し、
前記非金属部材のプラズマ処理空間に臨む面と反対側の面にコイルを格納するための溝が形成されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記前記非金属部材のプラズマ処理空間に臨む面にはプラズマ発生空間が、彫り込み形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイル格納用の溝とプラズマ発生空間とは交互に分散して同心円状あるいは螺旋状のいずれかの形状に形成されており、
前記プラズマ用ガスはプラズマ発生空間に流出し、前記処理ガスはプラズマ発生空間を避けてプラズマ発生空間の間からプラズマ処理空間へ流出するようになっていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記対向電極の金属部材に高周波電力を印可する第2印可手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006281480A JP2007080834A (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006281480A JP2007080834A (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | プラズマ処理装置 |
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JP2002005981A Division JP3916469B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | プラズマ処理装置 |
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JP2007080834A true JP2007080834A (ja) | 2007-03-29 |
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ID=37940870
Family Applications (1)
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JP2006281480A Pending JP2007080834A (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | プラズマ処理装置 |
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- 2006-10-16 JP JP2006281480A patent/JP2007080834A/ja active Pending
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