JP2011003913A - 静電チャック - Google Patents
静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011003913A JP2011003913A JP2010167472A JP2010167472A JP2011003913A JP 2011003913 A JP2011003913 A JP 2011003913A JP 2010167472 A JP2010167472 A JP 2010167472A JP 2010167472 A JP2010167472 A JP 2010167472A JP 2011003913 A JP2011003913 A JP 2011003913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chuck
- tray
- electrostatic chuck
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 154
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る静電チャック10は、そのチャック台13の上面に、複数のチャック領域16(16A〜16E)を備えている。各チャック領域16は、チャック台13の上面に複数突出形成された島状部17の各々の上面に形成されている。各島状部17の内部には、基板吸着用の双極型の電極層20a,20bと、基板冷却用ガスの流出孔18がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。
【選択図】図2
Description
11 真空槽
12 本体
13 チャック台
16(16A〜16E) チャック領域
17 島状部
18 流出孔
19 流路
20a,20b 電極層
40 トレー
41 トレー本体
42 開口
43 基板支持部
W 基板
Claims (5)
- 上面が複数の基板を静電的に吸着するチャック領域とされている静電チャックであって、
前記上面に、前記複数の基板各々を吸着するための前記チャック領域が複数形成されている
静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、
前記各チャック領域は、前記上面に突設された複数の島状部の各々の上面部に形成されている静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、
前記各チャック領域の面積は、前記基板の面積よりも小さく形成されている静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、
前記各チャック領域には、前記基板を冷却する冷却用ガスの流路が形成されている静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、
前記各チャック領域に配置される基板吸着用の電極が、一対の櫛形電極構造を有している静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010167472A JP4906012B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010167472A JP4906012B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | 静電チャック |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004243542A Division JP4878109B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 基板移載システムおよび基板移載方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010211830A Division JP4843731B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011003913A true JP2011003913A (ja) | 2011-01-06 |
JP4906012B2 JP4906012B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=43561562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167472A Active JP4906012B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | 静電チャック |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4906012B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015504598A (ja) * | 2011-11-08 | 2015-02-12 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
US9583661B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-02-28 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
US9741894B2 (en) | 2009-06-23 | 2017-08-22 | Intevac, Inc. | Ion implant system having grid assembly |
WO2017195672A1 (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社 アルバック | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 |
CN111148371A (zh) * | 2018-11-06 | 2020-05-12 | 先进装配系统有限责任两合公司 | 电子板的静电夹持 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0422153A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置 |
JP2000003879A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Sony Corp | 基板冷却機構 |
-
2010
- 2010-07-26 JP JP2010167472A patent/JP4906012B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0422153A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置 |
JP2000003879A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Sony Corp | 基板冷却機構 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9741894B2 (en) | 2009-06-23 | 2017-08-22 | Intevac, Inc. | Ion implant system having grid assembly |
JP2015504598A (ja) * | 2011-11-08 | 2015-02-12 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
US9875922B2 (en) | 2011-11-08 | 2018-01-23 | Intevac, Inc. | Substrate processing system and method |
US9583661B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-02-28 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
WO2017195672A1 (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社 アルバック | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 |
JPWO2017195672A1 (ja) * | 2016-05-09 | 2018-07-26 | 株式会社アルバック | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 |
CN111148371A (zh) * | 2018-11-06 | 2020-05-12 | 先进装配系统有限责任两合公司 | 电子板的静电夹持 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4906012B2 (ja) | 2012-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4878109B2 (ja) | 基板移載システムおよび基板移載方法 | |
US8441772B2 (en) | Substrate for electrostatic chuck and electrostatic chuck | |
JP6450763B2 (ja) | 半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置 | |
JP6320505B2 (ja) | 半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置 | |
CN105355585B (zh) | 基板处理装置的基板载置台 | |
US9202737B2 (en) | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer | |
TWI686861B (zh) | 用於斜邊聚合物減少的邊緣環 | |
CN106068548B (zh) | 用于对半导体晶圆进行等离子体切片的方法和设备 | |
JP4906012B2 (ja) | 静電チャック | |
KR20110077575A (ko) | 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
JP6388886B2 (ja) | 半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法 | |
JP5243465B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202205347A (zh) | 邊緣環、基板支持台、電漿處理系統及邊緣環之更換方法 | |
JP2018133540A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4843731B2 (ja) | 真空処理装置 | |
TW201906066A (zh) | 用於高溫處理腔室的靜電吸座 | |
US20070258075A1 (en) | Apparatus for processing a semiconductor wafer and method of forming the same | |
JP7224511B2 (ja) | 堆積の均一性を改善するための、様々なプロファイルを有する側部を有するシャドーフレーム | |
JP7361588B2 (ja) | エッジリング及び基板処理装置 | |
JP4832222B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202115824A (zh) | 基板處理設備及基板處理方法 | |
JP2006324312A (ja) | 基板保持装置 | |
KR20200129613A (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
JP2019121724A (ja) | プラズマ処理用基板トレイ | |
KR20230060331A (ko) | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120105 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4906012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |