JP2000003879A - 基板冷却機構 - Google Patents
基板冷却機構Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高真空中での高速回転ディスク上にセットさ
れている基板を効率よく均一に冷却することができる基
板冷却機構を提供すること。 【解決手段】 基板冷却手段として、基板１０と基板保
持部２１ａとの間に環状の密封部材２４を介して区画さ
れ回転ディスク２１の高速回転時に基板１０に作用する
遠心力の分力（Ｆｓｉｎθ）を受けて密閉される冷却室
２６と、この冷却室２６へ冷却ガスＧを導入可能な導入
通路２５とを備えさせ、回転ディスク２１の高速回転時
にのみ冷却室２６へ冷却ガスＧを導入する。これにより
基板１０が効率よく、均一に冷却される。
れている基板を効率よく均一に冷却することができる基
板冷却機構を提供すること。 【解決手段】 基板冷却手段として、基板１０と基板保
持部２１ａとの間に環状の密封部材２４を介して区画さ
れ回転ディスク２１の高速回転時に基板１０に作用する
遠心力の分力（Ｆｓｉｎθ）を受けて密閉される冷却室
２６と、この冷却室２６へ冷却ガスＧを導入可能な導入
通路２５とを備えさせ、回転ディスク２１の高速回転時
にのみ冷却室２６へ冷却ガスＧを導入する。これにより
基板１０が効率よく、均一に冷却される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板冷却機構に関
し、更に詳しくは、回転ディスクを高速回転させながら
基板処理を施す半導体製造装置、例えばバッチ式イオン
注入装置に用いて好適な高速回転ディスク上の基板冷却
機構に関する。
し、更に詳しくは、回転ディスクを高速回転させながら
基板処理を施す半導体製造装置、例えばバッチ式イオン
注入装置に用いて好適な高速回転ディスク上の基板冷却
機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のバッチ式のイオン注入装
置を示している。これは、ベルト７を介して駆動部６の
回転駆動力を受けて高速回転可能な回転ディスク１の周
縁部の基板保持部に基板あるいはウェーハ（シリコン、
ガラス、石英、ガリウム砒素等を含む。）１０を配し、
ディスクチャンバ２の内部において高真空下で回転ディ
スク１を高速回転させながら、ディスクチャンバ２の開
口２ａを通るイオンビームＩを基板１０の表面に照射
し、基板１０の物性を制御する装置である。回転ディス
ク１は毎分１２００〜１６００回転という高速で回転さ
れることにより、所定のティルト角で傾斜された基板１
０にイオンビームＩが均一に照射される。一般にバッチ
式のイオン注入装置には高電流タイプが多いため、イオ
ンビームＩの照射位置は固定されている。したがって、
回転ディスク１に装着された各基板１０には、図８にお
いて符号Ｐで示す軌跡を描いてイオンが打ち込まれるこ
とになる。そこで、回転ディスク１をディスクチャンバ
２内で図７において上下方向に並進させ、基板１０の表
面全域をカバーするようにしている。つまり、図７を参
照して、回転ディスク１をスライディングプレート５に
対して相対的に静止させて設けるとともに、ディスクチ
ャンバ２と一体化されたシールプレート３に対して、ス
ライディングシール４を介してスライディングプレート
５を相対移動可能に設けている。なお、回転ディスク１
に形成されるスリット１ａ（図８参照）は、イオンビー
ムＩの電流量を検出するべく回転ディスク１の後方に配
置されるファラデー系９に、イオンビームＩを到達させ
るためのものである。
置を示している。これは、ベルト７を介して駆動部６の
回転駆動力を受けて高速回転可能な回転ディスク１の周
縁部の基板保持部に基板あるいはウェーハ（シリコン、
ガラス、石英、ガリウム砒素等を含む。）１０を配し、
ディスクチャンバ２の内部において高真空下で回転ディ
スク１を高速回転させながら、ディスクチャンバ２の開
口２ａを通るイオンビームＩを基板１０の表面に照射
し、基板１０の物性を制御する装置である。回転ディス
ク１は毎分１２００〜１６００回転という高速で回転さ
れることにより、所定のティルト角で傾斜された基板１
０にイオンビームＩが均一に照射される。一般にバッチ
式のイオン注入装置には高電流タイプが多いため、イオ
ンビームＩの照射位置は固定されている。したがって、
回転ディスク１に装着された各基板１０には、図８にお
いて符号Ｐで示す軌跡を描いてイオンが打ち込まれるこ
とになる。そこで、回転ディスク１をディスクチャンバ
２内で図７において上下方向に並進させ、基板１０の表
面全域をカバーするようにしている。つまり、図７を参
照して、回転ディスク１をスライディングプレート５に
対して相対的に静止させて設けるとともに、ディスクチ
ャンバ２と一体化されたシールプレート３に対して、ス
ライディングシール４を介してスライディングプレート
５を相対移動可能に設けている。なお、回転ディスク１
に形成されるスリット１ａ（図８参照）は、イオンビー
ムＩの電流量を検出するべく回転ディスク１の後方に配
置されるファラデー系９に、イオンビームＩを到達させ
るためのものである。
【０００３】イオン注入工程においては、イオン注入領
域を定めるために基板１０の表面にレジストをマスクと
して形成しているが、イオン注入時における基板１０の
発熱によるレジストの破壊を防止する必要がある。そこ
で従来では、図９に示すように回転ディスク周縁部にお
いて基板１０が装着される基板保持部１２の内部に冷却
水導入管１１及び冷却ジャケット１３を設け、冷却水供
給部８（図７参照）から導入される冷却水を循環させて
パッド１４を冷却することにより、ストッパ１５及びク
ランプ１６により挟持されパッド１４に載置された基板
１０を間接的に冷却するようにしていた。
域を定めるために基板１０の表面にレジストをマスクと
して形成しているが、イオン注入時における基板１０の
発熱によるレジストの破壊を防止する必要がある。そこ
で従来では、図９に示すように回転ディスク周縁部にお
いて基板１０が装着される基板保持部１２の内部に冷却
水導入管１１及び冷却ジャケット１３を設け、冷却水供
給部８（図７参照）から導入される冷却水を循環させて
パッド１４を冷却することにより、ストッパ１５及びク
ランプ１６により挟持されパッド１４に載置された基板
１０を間接的に冷却するようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の基板冷却機構では、次のような問題があ
る。すなわち、第１に、基板１０とパッド１４との完全
な面接触を得ることができず、高真空中における基板１
０の冷却はこれら基板１０とパッド１４との接触面の熱
伝導にのみ依存するため、基板１０の冷却効率が劣ると
いう問題がある。第２に、基板１０とパッド１４との完
全な面接触を得ることができないため、基板１０の冷却
均一性が劣るという問題がある。
たような従来の基板冷却機構では、次のような問題があ
る。すなわち、第１に、基板１０とパッド１４との完全
な面接触を得ることができず、高真空中における基板１
０の冷却はこれら基板１０とパッド１４との接触面の熱
伝導にのみ依存するため、基板１０の冷却効率が劣ると
いう問題がある。第２に、基板１０とパッド１４との完
全な面接触を得ることができないため、基板１０の冷却
均一性が劣るという問題がある。
【０００５】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、高真
空中での高速回転ディスク上にセットされている基板を
効率よく、均一に冷却することができる基板冷却機構を
提供することを課題とする。
空中での高速回転ディスク上にセットされている基板を
効率よく、均一に冷却することができる基板冷却機構を
提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
当たり、本発明は、基板冷却手段として、基板と基板保
持部との間に環状の密封部材を介して区画された冷却室
と、この冷却室へ冷却ガスを導入可能な導入通路とを備
えている。冷却室は、回転ディスクの高速回転時に基板
に作用する遠心力の分力を受けて密閉され、この回転デ
ィスクの高速回転時にのみ冷却ガスを冷却室へ導入して
基板を冷却するようにしている。これにより、効率よく
均一に基板を冷却することができる。また、このとき、
冷却室の密閉性により冷却ガスが冷却室の外部へ漏出す
ることはない。
当たり、本発明は、基板冷却手段として、基板と基板保
持部との間に環状の密封部材を介して区画された冷却室
と、この冷却室へ冷却ガスを導入可能な導入通路とを備
えている。冷却室は、回転ディスクの高速回転時に基板
に作用する遠心力の分力を受けて密閉され、この回転デ
ィスクの高速回転時にのみ冷却ガスを冷却室へ導入して
基板を冷却するようにしている。これにより、効率よく
均一に基板を冷却することができる。また、このとき、
冷却室の密閉性により冷却ガスが冷却室の外部へ漏出す
ることはない。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態におい
てはバッチ式のイオン注入装置に本発明を適用した場合
について説明するが、特に説明したところ以外は、詳述
せずとも上述の従来の構成と同様に構成されるものとす
る。また、図中、図７に対応する部分については同一の
符号を付している。
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態におい
てはバッチ式のイオン注入装置に本発明を適用した場合
について説明するが、特に説明したところ以外は、詳述
せずとも上述の従来の構成と同様に構成されるものとす
る。また、図中、図７に対応する部分については同一の
符号を付している。
【０００８】基板（ウェーハ）１０は、皿状の回転ディ
スク２１の周縁部の基板保持部２１ａに複数枚（数枚〜
十数枚）、鉛直方向に対してティルト角θだけ傾斜して
保持されている。ディスクチャンバ２２は、回転ディス
ク２１を内部に収容し、イオンビームＩを透過させる開
口２２ａと、真空排気系に連絡する孔２２ｂが形成され
ている。
スク２１の周縁部の基板保持部２１ａに複数枚（数枚〜
十数枚）、鉛直方向に対してティルト角θだけ傾斜して
保持されている。ディスクチャンバ２２は、回転ディス
ク２１を内部に収容し、イオンビームＩを透過させる開
口２２ａと、真空排気系に連絡する孔２２ｂが形成され
ている。
【０００９】図２を参照して、基板１０は、基板保持部
２１ａにおいてストッパ２７及びクランプ２８で支持さ
れている。ストッパ２７は、回転ディスク２１の高速回
転時に作用する遠心力を受けて基板１０が回転ディスク
２１の径外方側へ移動するのを規制するものであり、他
方のクランプ２８は一対あり（一方のみ図示）、基板１
０を回転ディスク２１の径外方側へ押圧するためのもの
である。これにより基板１０はストッパ２７及びクラン
プ２８に挟持されることになる。また、基板１０と基板
保持部２１ａとの間には例えばゴムで成る環状の密封部
材２４を介在させ、これら基板１０、基板保持部２１ａ
及び密封部材２４とにより冷却室２６を区画している。
冷却室２６には回転ディスク２１の内部に形成される導
入通路２５が常時連通しており、この導入通路２５を介
して冷却室２６に冷却ガス（例えばヘリウムガス）Ｇを
導入可能としている。
２１ａにおいてストッパ２７及びクランプ２８で支持さ
れている。ストッパ２７は、回転ディスク２１の高速回
転時に作用する遠心力を受けて基板１０が回転ディスク
２１の径外方側へ移動するのを規制するものであり、他
方のクランプ２８は一対あり（一方のみ図示）、基板１
０を回転ディスク２１の径外方側へ押圧するためのもの
である。これにより基板１０はストッパ２７及びクラン
プ２８に挟持されることになる。また、基板１０と基板
保持部２１ａとの間には例えばゴムで成る環状の密封部
材２４を介在させ、これら基板１０、基板保持部２１ａ
及び密封部材２４とにより冷却室２６を区画している。
冷却室２６には回転ディスク２１の内部に形成される導
入通路２５が常時連通しており、この導入通路２５を介
して冷却室２６に冷却ガス（例えばヘリウムガス）Ｇを
導入可能としている。
【００１０】図３は、冷却ガスＧの制御系統図を示して
いる。冷却ガスＧは、ガス供給口３１から空圧作動バル
ブＶ1 、マスフローコントローラ３２、空圧作動バルブ
Ｖ2を介して回転ディスク２１の内部の導入通路２５に
導入される。冷却ガスＧの圧力制御は、キャパシタンス
マノメータ３３と可変コンダクタンスバルブＶ5 とによ
り行われる。このキャパシンタンスマノメータ３３は、
差圧の発生により非常に薄い隔壁が変形するのを利用
し、それをキャパシタンスの変化に変換させて測定する
圧力計である。可変コンダクタンスバルブＶ5 は、ディ
スクチャンバ２２の内部空間を真空引きするターボ分子
ポンプ３４及びロータリーポンプ（あるいはドライポン
プ）３５で成る排気系に連絡しており、冷却ガスＧの圧
力が粘性流領域の例えば１０Ｔｏｒｒ前後に保たれる。
いる。冷却ガスＧは、ガス供給口３１から空圧作動バル
ブＶ1 、マスフローコントローラ３２、空圧作動バルブ
Ｖ2を介して回転ディスク２１の内部の導入通路２５に
導入される。冷却ガスＧの圧力制御は、キャパシタンス
マノメータ３３と可変コンダクタンスバルブＶ5 とによ
り行われる。このキャパシンタンスマノメータ３３は、
差圧の発生により非常に薄い隔壁が変形するのを利用
し、それをキャパシタンスの変化に変換させて測定する
圧力計である。可変コンダクタンスバルブＶ5 は、ディ
スクチャンバ２２の内部空間を真空引きするターボ分子
ポンプ３４及びロータリーポンプ（あるいはドライポン
プ）３５で成る排気系に連絡しており、冷却ガスＧの圧
力が粘性流領域の例えば１０Ｔｏｒｒ前後に保たれる。
【００１１】本実施の形態は以上のように構成され、次
にこの作用について説明する。
にこの作用について説明する。
【００１２】図３を参照して、空圧作動バルブＶ4 、Ｖ
6 及びＶ7 は開弁して、ターボ分子ポンプ３４及びロー
タリーポンプ３５を駆動し、ディスクチャンバ２２の内
部を孔２２ｂを介して１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空
引きする。他の空圧作動バルブＶ1 、Ｖ2 及びＶ3 は閉
弁している。回転ディスク２１の基板保持部２１ａへ所
定の枚数の基板１０を装着し、回転ディスク２１をその
回転軸２９に関して回転させ、高速回転（１２００〜１
６００ｒｐｍ）の定常状態になったことを確認した後、
バルブＶ1 及びＶ2 を開き、冷却ガス（ヘリウムガス）
Ｇを導入通路２５を介して各基板保持部２１ａの冷却室
２６へ導入する。そこで本実施の形態によれば、冷却室
２６に面する基板１０の裏面が直接、冷却ガスにより冷
却されるので、従来よりも冷却効率、及び、冷却均一性
を大幅に向上させることができる。
6 及びＶ7 は開弁して、ターボ分子ポンプ３４及びロー
タリーポンプ３５を駆動し、ディスクチャンバ２２の内
部を孔２２ｂを介して１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空
引きする。他の空圧作動バルブＶ1 、Ｖ2 及びＶ3 は閉
弁している。回転ディスク２１の基板保持部２１ａへ所
定の枚数の基板１０を装着し、回転ディスク２１をその
回転軸２９に関して回転させ、高速回転（１２００〜１
６００ｒｐｍ）の定常状態になったことを確認した後、
バルブＶ1 及びＶ2 を開き、冷却ガス（ヘリウムガス）
Ｇを導入通路２５を介して各基板保持部２１ａの冷却室
２６へ導入する。そこで本実施の形態によれば、冷却室
２６に面する基板１０の裏面が直接、冷却ガスにより冷
却されるので、従来よりも冷却効率、及び、冷却均一性
を大幅に向上させることができる。
【００１３】また、回転ディスク２１の高速回転時、各
基板保持部２１ａ上の基板１０は、回転ディスク２１の
径外方側へ向かう遠心力Ｆを受け、このうち基板保持部
２１ａに正対する方向に向かう遠心力の分力（Ｆｓｉｎ
θ）により基板１０が密封部材２４と密着し、冷却室２
６が密閉される。したがって、冷却室２６に導入された
冷却ガスＧがディスクチャンバ２２内へ漏出することは
なく、イオン注入処理に支障を来すことはない。また、
可変コンダクタンスバルブＶ5 を制御することによって
冷却ガスＧの導入圧力を常に一定の圧力に保つことがで
きるとともに、各冷却室２６へ導入した冷却ガスＧをバ
ルブＶ3 及びＶ5 を介して排気し冷却ガスの入替えを行
うことにより、基板１０の冷却効率を維持することがで
きる。
基板保持部２１ａ上の基板１０は、回転ディスク２１の
径外方側へ向かう遠心力Ｆを受け、このうち基板保持部
２１ａに正対する方向に向かう遠心力の分力（Ｆｓｉｎ
θ）により基板１０が密封部材２４と密着し、冷却室２
６が密閉される。したがって、冷却室２６に導入された
冷却ガスＧがディスクチャンバ２２内へ漏出することは
なく、イオン注入処理に支障を来すことはない。また、
可変コンダクタンスバルブＶ5 を制御することによって
冷却ガスＧの導入圧力を常に一定の圧力に保つことがで
きるとともに、各冷却室２６へ導入した冷却ガスＧをバ
ルブＶ3 及びＶ5 を介して排気し冷却ガスの入替えを行
うことにより、基板１０の冷却効率を維持することがで
きる。
【００１４】以上のように、本実施の形態によれば、高
速で回転する回転ディスク２１上の基板１０に作用する
遠心力の分力を利用して冷却室２６の高真空気密性を得
た状態で、基板１０の裏面を直接冷却ガスＧで冷却する
ようにしているので、高真空下における基板１０の冷却
作用を効率良く、かつ均一に行うことができ、これによ
り基板１０上に形成されたレジストを保護することがで
きる。
速で回転する回転ディスク２１上の基板１０に作用する
遠心力の分力を利用して冷却室２６の高真空気密性を得
た状態で、基板１０の裏面を直接冷却ガスＧで冷却する
ようにしているので、高真空下における基板１０の冷却
作用を効率良く、かつ均一に行うことができ、これによ
り基板１０上に形成されたレジストを保護することがで
きる。
【００１５】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００１６】例えば以上の実施の形態では、冷却室２６
の密閉作用を基板１０に作用する遠心力の分力のみで行
うようにしていたが、基板保持部２１ａを図５又は図６
に示すように構成して冷却室２６の密閉作用を高めるよ
うにしてもよい。
の密閉作用を基板１０に作用する遠心力の分力のみで行
うようにしていたが、基板保持部２１ａを図５又は図６
に示すように構成して冷却室２６の密閉作用を高めるよ
うにしてもよい。
【００１７】すなわち、図５に示す構成例は、回転ディ
スク２１の高速回転時においてストッパ２７が基板１０
から受ける押圧力をクランプ２８へ伝達して、基板１０
を基板保持部２１ａへ押し付ける力へと変換するリンク
手段４０を設けている。ストッパ２７には、回転ディス
ク２１の高速回転時に基板１０に作用する最大の遠心力
よりも大きな付勢力を有するばね部材４８が取り付けら
れており、このばね部材４８とリンク４１、リンク４１
と４２、そしてリンク４２とクランプ２８とはそれぞれ
ピン継手４３、４４及び４５で接続されるとともに、リ
ンク４１及びクランプ２８が支点４６及び４７に関して
それぞれ回動可能に回転ディスク２１に支持されてい
る。この構成により、ストッパ２７に作用する基板１０
からの押圧力がばね部材２７及びリンク４１、４２を介
してクランプ２８に伝達され、基板１０を基板保持部２
１ａへ押し付ける力に変化されることになり、冷却室２
６の密閉性が高められる。なお、基板保持部２１ａに対
する基板１０の着脱は、ばね部材４８を弾性変形させて
ストッパ２７とクランプ２８との間の距離を調整するこ
とにより容易に行える。
スク２１の高速回転時においてストッパ２７が基板１０
から受ける押圧力をクランプ２８へ伝達して、基板１０
を基板保持部２１ａへ押し付ける力へと変換するリンク
手段４０を設けている。ストッパ２７には、回転ディス
ク２１の高速回転時に基板１０に作用する最大の遠心力
よりも大きな付勢力を有するばね部材４８が取り付けら
れており、このばね部材４８とリンク４１、リンク４１
と４２、そしてリンク４２とクランプ２８とはそれぞれ
ピン継手４３、４４及び４５で接続されるとともに、リ
ンク４１及びクランプ２８が支点４６及び４７に関して
それぞれ回動可能に回転ディスク２１に支持されてい
る。この構成により、ストッパ２７に作用する基板１０
からの押圧力がばね部材２７及びリンク４１、４２を介
してクランプ２８に伝達され、基板１０を基板保持部２
１ａへ押し付ける力に変化されることになり、冷却室２
６の密閉性が高められる。なお、基板保持部２１ａに対
する基板１０の着脱は、ばね部材４８を弾性変形させて
ストッパ２７とクランプ２８との間の距離を調整するこ
とにより容易に行える。
【００１８】一方、図６に示す構成例は、基板保持部２
１ａに静電チャック５０を設け、これに環状の密封部材
２４を介して基板１０を装着させたもので、高速回転時
に基板１０に作用する遠心力の分力のみならず静電チャ
ック５０による基板１０の吸引力が付加されるので、冷
却室２６の密閉性を高めることができる。
１ａに静電チャック５０を設け、これに環状の密封部材
２４を介して基板１０を装着させたもので、高速回転時
に基板１０に作用する遠心力の分力のみならず静電チャ
ック５０による基板１０の吸引力が付加されるので、冷
却室２６の密閉性を高めることができる。
【００１９】また、以上の実施の形態では、冷却ガスの
圧力調整用の排気系を、ディスクチャンバ２２の排気系
と共用するようにしたが、これに代えて図４に示すよう
に、冷却ガスの圧力調整用の専用排気系として、ターボ
分子ポンプ３４’、空圧作動バルブＶ7 ’及びロータリ
ーポンプ（あるいはドライポンプ）３５’を別途設けて
もよい。この場合、冷却ガスＧの圧力調整を精度よく行
うことができる。
圧力調整用の排気系を、ディスクチャンバ２２の排気系
と共用するようにしたが、これに代えて図４に示すよう
に、冷却ガスの圧力調整用の専用排気系として、ターボ
分子ポンプ３４’、空圧作動バルブＶ7 ’及びロータリ
ーポンプ（あるいはドライポンプ）３５’を別途設けて
もよい。この場合、冷却ガスＧの圧力調整を精度よく行
うことができる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の基板冷却機
構によれば、高速で回転する回転ディスク上の基板に作
用する遠心力の分力を利用して冷却室の高真空気密性を
得た状態で、基板の裏面を直接冷却ガスで冷却するよう
にしているので、高真空下における基板の冷却作用を効
率良く、かつ均一に行うことができる。また、請求項２
又は請求項３の構成により、冷却室の密閉性を向上させ
ることができる。
構によれば、高速で回転する回転ディスク上の基板に作
用する遠心力の分力を利用して冷却室の高真空気密性を
得た状態で、基板の裏面を直接冷却ガスで冷却するよう
にしているので、高真空下における基板の冷却作用を効
率良く、かつ均一に行うことができる。また、請求項２
又は請求項３の構成により、冷却室の密閉性を向上させ
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す側断面図である。
【図２】同要部の拡大図である。
【図３】冷却ガスの制御系統図である。
【図４】図３の一変形を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態の変形例を示す要部の断面
図である。
図である。
【図６】同他の変形例を示す要部の断面図である。
【図７】従来のバッチ式イオン注入装置の側断面図であ
る。
る。
【図８】同作用を説明する模式図である。
【図９】従来の基板冷却機構を示す要部の断面図であ
る。
る。
１０……基板、２１……回転ディスク、２１ａ……基板
保持部、２２……ディスクチャンバ、２４……密封部
材、２５……導入通路、２６……冷却室、２７……スト
ッパ、２８……クランプ、４０……リンク手段、５０…
…静電チャック、Ｇ……冷却ガス。
保持部、２２……ディスクチャンバ、２４……密封部
材、２５……導入通路、２６……冷却室、２７……スト
ッパ、２８……クランプ、４０……リンク手段、５０…
…静電チャック、Ｇ……冷却ガス。
Claims (3)
- 【請求項１】 真空下、高速回転可能な回転ディスク
と、この回転ディスクの周縁部に形成され基板を傾斜さ
せて保持する基板保持部と、前記回転ディスク上で基板
を冷却する基板冷却手段とを備えた基板冷却機構におい
て、 前記基板冷却手段は、 前記基板と前記基板保持部との間に環状の密封部材を介
して区画され、前記回転ディスクの高速回転時に前記基
板に作用する遠心力の分力を受けて密閉される冷却室
と、 この冷却室へ冷却ガスを導入可能な導入通路とを有し、 前記回転ディスクの高速回転時にのみ前記冷却室へ前記
冷却ガスを導入し、前記基板を冷却するようにしたこと
を特徴とする基板冷却機構。 - 【請求項２】 前記基板保持部は、 前記回転ディスクの径外方側への前記基板の移動を規制
するストッパと、 前記基板を前記回転ディスクの径外方側へ押圧するクラ
ンプと、 前記回転ディスクの高速回転時において前記ストッパが
前記基板から受ける押圧力を前記クランプへ伝達して、
前記基板を前記基板保持部へ押し付ける力へと変換する
リンク手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載
の基板冷却機構。 - 【請求項３】 前記基板保持部には、前記基板を吸引可
能な静電チャックが設けられることを特徴とする請求項
１に記載の基板冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16553398A JP2000003879A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 基板冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16553398A JP2000003879A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 基板冷却機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003879A true JP2000003879A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15814206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16553398A Pending JP2000003879A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 基板冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003879A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-06-12 JP JP16553398A patent/JP2000003879A/ja active Pending
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