JP3099212B2

JP3099212B2 - 成膜処理装置

Info

Publication number: JP3099212B2
Application number: JP05132596A
Authority: JP
Inventors: 澄田中; 富廣米永
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-05-10
Filing date: 1993-05-10
Publication date: 2000-10-16
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: JPH06326035A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は成膜処理装置に関する
もので、例えば半導体ウエハ等の被処理体に処理ガスを
供給して薄膜を形成する成膜処理装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体の製造工程においては、
被処理体である半導体ウエハ（以下にウエハという）の
表面に集積回路を形成する目的で、ウエハ上に薄膜を形
成する工程がスパッタ装置やＣＶＤ装置を用いて行われ
ている。

【０００３】かかる成膜処理工程においては、薄膜をウ
エハ上に均一に成長させるために、ウエハの全面を均一
かつ所定の温度に加熱維持すると共に、ウエハに処理ガ
スを供給することが重要とされている。また、装置の保
守・点検等のメンテナンスの便宜を図るために、処理室
の内部に配設される器具類を外方から補修あるいは交換
できるようにする必要がある。

【０００４】そこで、従来のこの種の成膜処理装置は、
図４に示すように、ウエハＷを所定位置に収容する上部
が開口する処理室１０と、処理室１０の開口１１を開閉
する蓋体２０と、処理室１０の下部に配置される例えば
加熱ランプ等の加熱手段３０とで主要部が構成されてい
る。そして、蓋体２０の中心部には図示しない処理ガス
供給手段にフレキシブルチューブ６０を介して接続する
処理ガス供給口２１が設けられている。また、処理室１
０には排気口１２が設けられており、この排気口１２に
接続する図示しない排気手段により処理室１０内が所定
の真空雰囲気になるように構成されている。

【０００５】このように構成される成膜処理装置におい
て、ウエハ上に薄膜を形成するには、図示しない搬送ア
ームによって処理室１０内に搬入されたウエハＷを支持
ピン１３にて支持した状態で、加熱手段３０によって処
理室内を所定温度に加熱すると共に、処理ガス供給手段
から供給される処理ガスを処理ガス供給口２１からウエ
ハ上に供給して処理を行うことができる。そして、処理
が終了した後に処理ガスの供給及び加熱手段３０の加熱
を停止し、処理ガスを排気した後、ウエハＷを処理室１
０から取出す。更に、処理室１０からウエハＷを取出し
た後、処理ガスに代えてクリーニング用処理ガスを処理
室１０内に供給して成膜処理の際に処理室１０内に付着
した処理ガス成分を除去することにより、処理室１０内
を常時最適状態に維持している。また、装置の補修や点
検等を行う場合には、蓋体２０を上方へ回転させて処理
室１０の開口を開放して、処理室１０内あるいは処理室
１０内の器具類の補修や点検等を行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の成膜処理装置においては、装置の補修や点検等
のメンテナンス時に、蓋体２０を回転させて処理室１０
の開口を開放するため、蓋体２０の処理ガス供給口２１
と処理ガス供給手段とを接続するフレキシブルチューブ
６０が屈曲し、繰返し蓋体２０を開閉することにより、
フレキシブルチューブの内面からパーティクルが発生
し、そのパーティクルが飛散してウエハＷに付着したり
ウエハＷを汚染するという問題があった。また、繰返し
蓋体２０を開閉することによってフレキシブルチューブ
６０が変形したり亀裂等が生じ、処理ガスが漏れるとい
う虞れもあった。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理ガスの供給を円滑にすることができると共に、
処理ガス供給系におけるパーティクルの発生を減少させ
て、歩留まり及びスループットの向上を図れるようにし
た成膜処理装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の第１の成膜処理装置は、被処理体を所定位
置に収容する上部が開口する処理室と、上記開口を開閉
する蓋体と、上記蓋体側から上記被処理体に向って処理
ガスを供給する処理ガス供給手段とを具備する成膜処理
装置を前提とし、上記蓋体に処理ガス供給口と処理ガス
送通路とを設けると共に、これら処理ガス供給口と処理
ガス送通路とを接続管にて接続し、上記処理室に、上記
処理ガス供給手段と接続すると共に、上記処理ガス送通
路と導通する処理ガス導入路を形成し、上記処理室と蓋
体の対向面のいずれか一方における上記処理ガス送通路
又は処理ガス導入路の開口端の周囲に、この開口端を包
囲するシール部材を装着してなるものである。

【０００９】この発明において、上記処理室と蓋体の対
向面のいずれか一方のシール部材の外周位置に、シール
部材を包囲する外周シール部材を装着する方が好まし
い。

【００１０】また、この発明の第２の成膜処理装置は、
上記第１の成膜処理装置と同様、被処理体を所定位置に
収容する上部が開口する処理室と、上記開口を開閉する
蓋体と、上記蓋体側から上記被処理体に向って処理ガス
を供給する処理ガス供給手段とを具備する成膜処理装置
を前提とし、上記蓋体を、上記処理室に接触する蓋体基
部と、この蓋体基部及び処理ガス供給側との間に絶縁部
材を介して連結する処理ガス供給部とで構成し、上記処
理ガス案内部における上記被処理体と対向する部位に、
処理ガス整流分散手段を設け、上記処理ガス整流分散手
段と処理室との間に高周波電力を印加してなることを特
徴とするものである。

【００１１】

【作用】上記のように構成されるこの発明の成膜処理装
置によれば、蓋体に設けられる処理ガス供給口と処理ガ
ス送通路とを接続管にて接続することにより、蓋体を開
閉しても処理ガス案内部が屈曲や変形等することがな
く、処理ガス供給系にパーティクル等が発生するのを防
止することができる。また、処理室と蓋体の対向面のい
ずれか一方における処理ガス送通路又は処理ガス導入路
の開口端の周囲に、この開口端を包囲するシール部材を
装着することにより、使用時に処理ガス導入路と処理ガ
ス送通路とを気密に接続することができ、処理ガスの供
給を円滑にすることができる。

【００１２】また、処理室と蓋体の対向面のいずれか一
方のシール部材の外周位置に、シール部材を包囲する外
周シール部材を装着することにより、万一シール部材か
ら処理ガスが漏れた場合においても、外側シール部材に
て処理ガスの外部への流出を防止することができる。

【００１３】また、蓋体の処理ガス案内部を絶縁部材を
介して蓋体の蓋体基部及び処理ガス供給側と連結し、処
理ガス案内部における被処理体と対向する部位に設けた
処理ガス整流分散手段と処理室との間に高周波電力を印
加することにより、処理ガス整流分散手段と処理室内と
の間にプラズマを生成することができ、このプラズマに
よって処理ガスをイオン化及びラジカル化して被処理体
上の成膜の形成あるいはクリーニング用処理ガスをイオ
ン化及びラジカル化して処理ガス整流分散手段や処理室
内に付着する処理ガスの反応成分を除去することができ
る。

【００１４】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の成膜処理装置を半導
体ウエハのＣＶＤ装置に適用した場合について説明す
る。なお、従来の成膜処理装置と同一部分には同一符号
を付して説明する。

【００１５】◎第一実施例図１はこの発明の成膜処理装置の第一実施例の断面図、
図２は成膜処理装置の要部の斜視図が示されている。

【００１６】この発明の成膜処理装置は、被処理体であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を所定位置に
収容する上部が開口１１する処理室１０と、この処理室
１０の上部に図示しないヒンジを介して開閉可能に装着
されて開口１１を開閉する蓋体２０と、蓋体側から処理
室１０内のウエハＷに向って処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段である処理ガス供給源４０と、処理室１０の
下部に配置されて処理室１０内を所定の温度に加熱する
加熱手段３０を有する加熱室３１とで主要部が構成され
ている。

【００１７】上記処理室１０は例えばアルミニウム合金
製の箱状チャンバにて形成されており、この処理室１０
の側壁１４には下部から側壁１４の上面に向って傾斜状
に穿設される複数（図面では３個）の処理ガス導入路１
５が設けられ、各処理ガス導入路１５には処理ガス供給
源４０がバルブ４１ａ〜４１ｃを介して接続されてい
る。ウエハＷにタングステン膜を成膜する場合には、処
理ガスは、成膜用処理ガスとして六フッ化タングステン
（ＷＦ6 ）が使用され、還元用処理ガスとして水素（Ｈ
2 ），モノシラン（Ｓi Ｈ4 ）あるいはジクロールシラ
ン（Ｓi Ｈ2 Ｃl2）が使用され、これらのキャリア用ガ
スとしてＮ2 やＡｒが使用されクリーニング用処理ガス
として三フッ化塩素（Ｃl Ｆ3 ）が使用される。また、
処理室１０の側壁１４及び底部１６を介して処理室１０
内に連通するパージガス供給路１７が設けられており、
このパージガス供給路１７にはバルブ４１ｄを介して例
えば窒素（Ｎ2 ）やアルゴン（Ａr ）等の不活性ガス等
のパージガス供給源４５が接続されている。

【００１８】なお、処理室１０の側壁１４には冷却水の
循環通路１８が形成されており、この循環通路１８に図
示しない冷却水供給管路及び排出管路が接続されてい
る。また、処理室１０の底部の４箇所には排気口１２が
設けられており、これら排気口１２には図示しない真空
ポンプを介設する排気管路１９が接続されて、真空ポン
プの作動により処理室１０内が所定の真空度（例えば１
０Torr〜１０^-6Torr）に維持されるようになっている。

【００１９】また、処理室１０内にはウエハＷを載置支
持する支持ピン１３が周方向に適宜間隔をおいて複数本
（例えば３本）配置されると共に、支持ピン１３にて支
持されるウエハＷの周囲を塞ぐリング状のシールドプレ
ート１３ａ及びシールドプレート１３ａの外周に位置す
る多数の小孔を有するリング状の整流板１３ｂが配置さ
れている。また、処理室１０の底部１６に設けられた下
部開口１６ａに石英製の透過窓３２が取付けられ、この
透過窓３２を介して加熱室３１が配置されている。

【００２０】上記加熱室３１内には、加熱手段である複
数の加熱ランプ３０が上下２枚の回転板３３，３４の所
定位置に固定されている。この加熱ランプ３０は例えば
タングステンランプあるいはハロゲンランプ等のランプ
本体３０ａと反射鏡３０ｂとで構成され、それぞれ所定
の方向に光エネルギー線を照射するようになっている。
また、回転板３３，３４は、駆動モータ３５との間にベ
ルト伝達機構３６を介して連結されて、シャフト３７を
中心として水平方向に回転可能に形成されている。ま
た、加熱室３１の側部には冷却エア導入口３８が設けら
れており、この冷却エア導入口３８から冷却エアを導入
することにより室内及び透過窓３２の過熱が防止され
る。

【００２１】一方、上記蓋体２０は、処理室１０に接触
するアルミニウム合金製の蓋体基部２２と、この蓋体基
部２２との間にセラミックス製の絶縁部材２３及びパッ
キング２４を介してボルト２５にて連結されるアルミニ
ウム合金製の処理ガス案内部２６と、処理ガス案内部２
６の上部との間にセラミックス製の絶縁部材２７を介し
てボルト２５にて連結される断面ハット状の処理ガス供
給部２８とで構成されており、図示しないヒンジを介し
て処理室１０の開口１１を開閉し得るように装着されて
いる。そして、処理ガス案内部２６におけるウエハＷと
対向する部位には、多数の小孔を有する複数段の多孔板
にて形成される処理ガス整流分散手段２９が設けられて
おり、処理ガス案内部２６と処理ガス供給部２８との間
に処理ガス混合室１０ａが形成されている。この処理ガ
ス混合室１０ａは処理ガス案内部２６の上部に設けられ
た通路２６ａを介して処理室１０と連通されている。な
お、処理ガス案内部２６には冷却水循環通路２６ｂが形
成されており、この冷却水循環通路２６ｂには冷却水供
給管路２６ｃ及び排水管路（図示せず）が接続されてい
る。

【００２２】上記のように構成される蓋体２０の処理ガ
ス供給部２８には処理ガス供給口２１が設けられ、蓋体
基部２２には上記処理室１０の側壁１４に設けられた複
数の処理ガス導入路１５の各々に導通する複数の処理ガ
ス送通路５０が設けられており、これら処理ガス導入路
１５と処理ガス供給口２１とがステンレス鋼製の接続管
５１を介して接続されている。

【００２３】また、上記処理室１０の側壁１４の上面に
露出する処理ガス導入路１５の開口端の周囲にはこの開
口端を包囲するシール部材であるＯリング５２が装着さ
れている。また、これらＯリング５２より外周側の側壁
１４の上面にはＯリング５２を包囲する外周シール部材
である外周シールリング５３が装着されている。この場
合、Ｏリング５２と外周シールリング５３は、例えばパ
ーフロロゴム（デュポン社の商品名「カルレッツ」）製
部材あるいはフッ素ゴム製部材を使用することができ
る。このように形成することにより、処理室１０の開口
１１を蓋体２０によって閉塞した状態において、処理ガ
ス導入路１５と処理ガス送通路５０とが気密に接続さ
れ、処理ガス供給手段から供給される処理ガスが外部に
漏れることがない。万一、Ｏリング５２の外側に処理ガ
スが漏れたとしても、Ｏリング５２の外側に外周シール
リング５３が位置しているので、処理ガスの外部への漏
れを防ぐことができる。

【００２４】なお、実施例では、Ｏリング５２及び外周
シールリング５３が処理室１０の側壁１４の上面に装着
される場合について説明したが、必ずしも処理室１０の
側壁１４の上面にＯリング５２、外周シールリング５３
を装着する必要はなく、蓋体２０すなわち蓋体基部２２
の処理ガス送通路５０の開口端の周囲にＯリング５２を
装着し、これらＯリング５２の外側に外周シールリング
５３を装着してもよく、あるいはＯリング５２と外周シ
ールリング５３を処理室１０の側壁１４の上面と、蓋体
基部２２の下面に別々に装着してもよい。また、外周シ
ールリング５３をＯリングにて形成してもよいが、外周
シールリング５３を、この外周シールリング５３が装着
される溝の形状（図面ではコーナ部が円弧状の方形状の
溝を示す）に合せて予め型成形する方が好ましい。

【００２５】次に、上記のように構成される成膜処理装
置の動作態様について説明する。まず、蓋体２０を閉じ
て処理室１０の開口１１を閉塞した状態で、図示しない
ゲートバルブを開放し、図示しない搬送アームによりウ
エハＷを、排気手段により予め所定の真空雰囲気に減圧
されている処理室１０内に搬入して支持ピン１３上の所
定位置に載置する。

【００２６】次いで、加熱ランプ３０から光エネルギー
線が透過窓３２を透過してウエハＷに照射され、ウエハ
Ｗは短時間（例えば約３０秒）で常温から成膜処理温度
（例えば５００℃）まで加熱される。そして、所定の温
度に達した後、処理ガスの成膜用のＷＦ6 ガスと還元用
の例えばＳi Ｈ4 ガスが処理ガス導入路１５に導入され
ると、これらＷＦ6 ガスとＳi Ｈ4 ガスはそれぞれ蓋体
２０の処理ガス送通路５０及び接続管５１を介して処理
ガス供給口２１から処理ガス混合室１０ａ内に供給され
て混合される。

【００２７】処理ガス混合室１０ａで混合されたガスは
処理ガス案内部２６の整流分散手段２９にて整流・分散
されてウエハＷの上面に均一に供給されて、成膜処理に
供される。この際、例えばＮ2 ガス等のパージガスがパ
ージガス供給路１７から処理室１０内に供給されてウエ
ハＷの周縁部や裏面に処理ガス成分のＷ膜が生成される
のを防止する。

【００２８】上記のようにして、所定時間成膜処理を行
った後、処理ガスの供給が停止されると共に、加熱ラン
プ３０の電源が切られる。そして、処理室１０内の処理
ガスが排気手段により排気口１２から排気された後、再
びゲートバルブが開放され、搬送アームによって成膜処
理が終了したウエハＷが外部に搬出される。

【００２９】上記のように成膜処理が終了したウエハＷ
を処理室１０から取出した後に、処理室１０内及び処理
ガス整流分散手段２９をクリーニングする場合には、ク
リーニング用処理ガスすなわちＣl Ｆ3 ガスを処理ガス
導入路１５、処理ガス送通路５０、接続管５１を介して
処理ガス供給口２１から処理室１０内に供給すれば、こ
のＣl Ｆ3 ガスの成分が整流分散手段２９や処理室１０
内に付着した処理ガスの成分と反応して、付着した処理
ガス成分を除去し、排気手段により排気口１２から排出
することができる。

【００３０】上述の動作を繰返し行ってウエハＷを順次
成膜処理した後に装置の補修や点検等を行う場合には、
蓋体２０を開放側に回転して処理室１０の開口１１を開
放して、開口１１から処理室１０の内部あるいは支持ピ
ン１３や透過窓３２の器具類を補修・点検することがで
きる。この際、蓋体２０に設けられた処理ガス供給口２
１と処理ガス送通路５０が接続管５１にて接続されてい
るので、接続管５１は蓋体２０と一体となって移動す
る。したがって、従来のフレキシブルチューブのように
屈曲変形することがなく、接続管５１内に処理ガスが付
着してパーティクルを発生することがない。

【００３１】装置の補修・点検を行った後、蓋体２０を
閉塞方向に回転して開口１１を閉塞すると、蓋体２０に
設けられた処理ガス送通路５０と処理室１０に設けられ
た処理ガス導入路１５とが導通し、しかもＯリング５２
によってシールされるので、処理ガスは外部に漏れるこ
となく、処理ガスを供給することができる。また、万
一、Ｏリング５２から処理ガスが漏れたとしても、外周
シールリング５３によって処理ガスは外部に漏れる心配
はない。

【００３２】◎第二実施例図３はこの発明の成膜処理装置の第二実施例の断面図が
示されている。

【００３３】第二実施例における成膜処理装置はプラズ
マを利用して成膜処理装置のクリーニングを行うよにし
た場合である。

【００３４】この第二実施例において、蓋体２０は、上
記第一実施例で説明したように、アルミニウム合金製の
蓋体基部２２と、この蓋体基部２２との間にセラミック
ス製の絶縁部材２３及びパッキング２４を介してボルト
２５にて連結されるアルミニウム合金製の処理ガス案内
部２６と、処理ガス案内部２６の上部との間にセラミッ
クス製の絶縁部材２７を介してボルト２５にて連結され
る断面ハット状の処理ガス供給部２８とで構成されてい
る。このように構成される蓋体２０に配設された処理ガ
ス整流分散手段２９の最もウエハＷに近接する整流分散
板２９ａには、スイッチ５４を介して高周波電源５５が
接続され、処理室１０をアース５６側に接地して、整流
分散板２９ａと処理室１０との間にプラズマが生成され
るようになっている。

【００３５】一方、処理ガスのうちのクリーニング用処
理ガスとして三フッ化窒素（Ｎｆ3）ガスが使用され、
このＮＦ3 ガス供給源がバルブ４１ｃを介して処理室１
０に設けられた処理ガス導入路１５に接続されている。

【００３６】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。

【００３７】上記のように構成される成膜処理装置にお
いて、上記第一実施例と同様にウエハＷの成膜処理を終
了して、ウエハＷを処理室１０の外方へ取出した後に処
理室１０内をクリーニングする場合には、以下のように
して処理することができる。すなわち、スイッチ５４を
ＯＮ動作させて処理ガス整流分散手段２９の整流分散板
２９ａと処理室１０との間に高周波電力を印加してプラ
ズマを生成すると共に、クリーニング用処理ガスである
ＮＦ3 ガスを処理ガス導入路１５、処理ガス送通路５
０、接続管５１を介して処理ガス供給口２１から処理室
１０内に供給することにより、Ｎｆ3 ガスの成分がこの
プラズマによってイオン化及びラジカル化して処理ガス
整流分散手段２９や処理室１０内に付着する処理ガスの
反応成分を除去することができる。

【００３８】なお、処理ガスをプラズマによってイオン
化及びラジカル化してウエハＷの成膜処理に供するよう
にすることも可能である。その場合は、成膜用処理ガス
として例えばＳｉＨ4 、キャリア用ガスとして例えばＡ
r 等を使用することができる。

【００３９】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハである場合について説明したが、必ずしも被処理体
は半導体ウエハに限定されるものではなく、半導体ウエ
ハ以外の液晶基板の製造工程におけるガラス基板等につ
いても適用することができる。また、上記実施例では、
この発明の成膜処理装置をＣＶＤ装置に適用した場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく、例
えばスパッタ装置にも適用できることは勿論である。

【００４０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の成膜
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような効果が得られる。

【００４１】１）請求項１記載の成膜処理装置によれ
ば、蓋体に設けられる処理ガス供給口と処理ガス送通路
とを接続管にて接続するので、蓋体を開閉しても処理ガ
ス案内部が屈曲変形等することがなく、処理ガス供給系
にパーティクル等が発生するのを防止することができ
る。また、処理室と蓋体の対向面のいずれか一方におけ
る処理ガス送通路又は処理ガス導入路の開口端の周囲
に、この開口端を包囲するシール部材を装着するので、
使用時に処理ガス導入路と処理ガス送通路とを気密に接
続することができ、処理ガスの供給を円滑にし、製品歩
留まり及びスループットの向上を図ることができる。

【００４２】２）請求項２記載の成膜処理装置によれ
ば、処理室と蓋体の対向面のいずれか一方のシール部材
の外周位置に、シール部材を包囲する外周シール部材を
装着するので、万一シール部材から処理ガスが漏れた場
合においても、外周シール部材にて処理ガスの外部への
流出を防止することができ、安全性の向上を図ることが
できる。

【００４３】３）請求項３記載の成膜処理装置によれ
ば、蓋体の処理ガス案内部を絶縁部材を介して蓋体の蓋
体基部及び処理ガス供給側と連結し、処理ガス案内部に
おける被処理体と対向する部位に設けた処理ガス整流分
散手段と処理室との間に高周波電力を印加するので、プ
ラズマを有効に利用して処理室内のクリーニング処理を
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の成膜処理装置の第一実施例の断面図
である。

【図２】成膜処理装置の要部を示す斜視図である。

【図３】この発明の成膜処理装置の第二実施例の断面図
である。

【図４】従来の成膜処理装置の概略断面図である。

【符号の説明】１０処理室１１開口１５処理ガス導入路２０蓋体２１処理ガス供給口２２蓋体基部２３絶縁部材２６処理ガス案内部２７絶縁部材２８処理ガス供給部２９処理ガス整流分散手段５０処理ガス送通路５１接続管５２Ｏリング（シール部材）５３外周シールリング（外周シール部材）５４スイッチ５５高周波電源Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 C23C 16/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を所定位置に収容する上部が開
口する処理室と、上記開口を開閉する蓋体と、上記蓋体
側から上記被処理体に向って処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段とを具備する成膜処理装置において、上記蓋体に処理ガス供給口と処理ガス送通路とを設ける
と共に、これら処理ガス供給口と処理ガス送通路とを接
続管にて接続し、上記処理室に、上記処理ガス供給手段と接続すると共
に、上記処理ガス送通路と導通する処理ガス導入路を形
成し、上記処理室と蓋体の対向面のいずれか一方における上記
処理ガス送通路又は処理ガス導入路の開口端の周囲に、
この開口端を包囲するシール部材を装着してなることを
特徴とする成膜処理装置。
【請求項２】処理室と蓋体の対向面のいずれか一方の
シール部材の外周位置に、シール部材を包囲する外周シ
ール部材を装着してなることを特徴とする請求項１記載
の成膜処理装置。
【請求項３】被処理体を所定位置に収容する上部が開
口する処理室と、上記開口を開閉する蓋体と、上記蓋体
側から上記被処理体に向って処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段とを具備する成膜処理装置において、上記蓋体を、上記処理室に接触する蓋体基部と、この蓋
体基部及び処理ガス供給側との間に絶縁部材を介して連
結する処理ガス案内部とで構成し、上記処理ガス案内部における上記被処理体と対向する部
位に、処理ガス整流分散手段を設け、上記処理ガス整流分散手段と処理室との間に高周波電力
を印加してなることを特徴とする成膜処理装置。