JP2022500846A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
Description
第一は、断熱層1およびベース3がシリコン接着剤を用いて互いに接合されているが、シリコン接着剤は、それの特性に起因して(200℃を超える)高温において弱り、したがって、負圧シール機能を行うことが不可能になり、最終的に静電チャックの能力を失うことであり;
第二は、現時点において、一般に、熱交換媒体として高温循環槽オイルが使用されており、それが220℃の高さの温度まで届く可能性があり、その種の高温が、ベース3にとって(150℃を超える)高すぎる温度を導くおそれがあり、その結果、ベース3のボトムに配置され、それと接している下側電極システムが耐えることができないその高すぎる温度に起因して損傷することであり;
第三は、GaNエッチング等の特定のプロセスの場合に、GaNエッチング結果のリペアを容易にし、かつデバイスのパフォーマンスを向上させるために300℃を超える高温のエッチング条件を満たす必要があることである。しかしながら、上記の静電チャックは、その種の高温に届くことが不可能であり、したがって、いくつかの特定のプロセスの要件を満たすことが可能でない。
2 直流電極層
3 ベース
4 チャンネル
5 熱伝導層
6 直流電極
7 加熱エレメント、加熱電極
8 断熱層グループ
10 シーリング・リング
11 ファスナ、中心孔
51 ウェファ凹部
81 第1の断熱層
82 第2の断熱層
Claims (14)
- 静電チャックであって、
ウェファを担持するべく構成され、かつ中に加熱エレメントが備えられた熱伝導層と、
前記熱伝導層の下側に配置される断熱層グループであって、前記断熱層グループのボトムの温度を設定範囲内にコントロールするべく構成された断熱層グループと、
を包含し、それにおいて、前記断熱層グループと前記熱伝導層は、一体に接続されることによってシールされる、静電チャック。 - 前記断熱層グループは、熱伝導率の降順で順次トップからボトムへ配される少なくとも2つの断熱層を包含し;前記少なくとも2つの断熱層のうちの最上位の断熱層と前記熱伝導層が一体に接続されることによってシールされる、
請求項1に記載の静電チャック。 - 前記熱伝導層の熱伝導率は、130w/(m・k)から170w/(m・k)までの範囲に入り;前記最上位の断熱層熱伝導率が、70w/(m・k)から90w/(m・k)までの範囲に入る、
請求項2に記載の静電チャック。 - 前記熱伝導層の材料は、窒化アルミニウムを包含する、請求項3に記載の静電チャック。
- 前記最上位の断熱層の材料は、窒化アルミニウムを包含し;前記熱伝導層および前記最上位の断熱層のうちの少なくとも1つは、前記最上位の断熱層の熱伝導率が70w/(m・k)となり、かつ前記熱伝導層の熱伝導率が140w/(m・k)となるように、あらかじめ決定済みの比率において少なくとも1つのトレース・エレメントを用いてドープされる、請求項4に記載の静電チャック。
- 前記一体に接続される方法は、焼結を包含する、請求項1から5のいずれか1項に記載の静電チャック。
- 前記断熱層グループは、2つの断熱層を包含し、前記2つの断熱層のうちの下側断熱層の熱伝導率は、1.5w/(m・k)である、請求項2から5のいずれか1項に記載の静電チャック。
- 前記下側断熱層の材料は、石英を包含する、請求項7に記載の静電チャック。
- 前記少なくとも2つの断熱層のうちの2つの隣接する断熱層は、ファスナによって固定的に接続され、それらの間の全フッ素置換されたシーリング・リングによって互いにシールされる、請求項2に記載の静電チャック。
- 前記熱伝導層は、さらに、ウェファのための静電引力を生成するべく構成された直流電極をそれの中に備え、前記直流電極の上側表面と前記熱伝導層の担持表面の間の距離は、1.5mmである、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記熱伝導層は、さらに、無線周波数電圧および直流電圧を同時に印加するために使用される無線周波数電極をそれの中に備え、前記無線周波数電極の上側表面と前記熱伝導層の担持表面の間の距離は、1.5mmである、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記無線周波数電極は、メッシュ構造に作られ;前記無線周波数電極の厚さが、0.2mmから0.4mmまでの範囲に入る、請求項11に記載の静電チャック。
- 前記加熱エレメントは、加熱電極であり、前記加熱電極の上側表面と前記熱伝導層の前記担持表面の間の距離は、3mmである、請求項10または11に記載の静電チャック。
- 前記加熱電極は、シート構造に作られ;前記加熱電極の厚さは、0.1mmから0.3mmまでの範囲に入る、請求項13に記載の静電チャック。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811073364.7A CN110911332B (zh) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 静电卡盘 |
CN201811073364.7 | 2018-09-14 | ||
PCT/CN2019/102828 WO2020052432A1 (zh) | 2018-09-14 | 2019-08-27 | 静电卡盘 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022500846A true JP2022500846A (ja) | 2022-01-04 |
JP7198915B2 JP7198915B2 (ja) | 2023-01-04 |
Family
ID=69023925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021512807A Active JP7198915B2 (ja) | 2018-09-14 | 2019-08-27 | 静電チャック |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3852135B1 (ja) |
JP (1) | JP7198915B2 (ja) |
CN (1) | CN110911332B (ja) |
TW (1) | TWI674648B (ja) |
WO (1) | WO2020052432A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102615216B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2023-12-15 | 세메스 주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203257A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
JP2003243492A (ja) * | 2003-02-19 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法 |
JP2007227441A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
JP2010258276A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 耐食部材 |
CN103633003A (zh) * | 2012-08-28 | 2014-03-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电卡盘 |
JP2016072478A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP2016100349A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ボンドテック株式会社 | 加熱方法、接合方法、加熱装置および接合装置 |
WO2017195672A1 (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社 アルバック | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 |
JP2017212375A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック又は電極内蔵サセプタ |
JP2017228597A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 成膜装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
JPH09260474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sony Corp | 静電チャックおよびウエハステージ |
EP1391140B1 (en) * | 2001-04-30 | 2012-10-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
JP4278046B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2009-06-10 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | ヒータ機構付き静電チャック |
US7501605B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-03-10 | Lam Research Corporation | Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly |
US7838800B2 (en) * | 2006-09-25 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system |
JP2009054932A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック |
KR101259484B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2013-05-06 | 쿄세라 코포레이션 | 웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척 |
KR101636764B1 (ko) * | 2010-05-31 | 2016-07-06 | 주식회사 미코 | 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
WO2013171013A1 (en) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | Asml Netherlands B.V. | Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN103904014B (zh) * | 2012-12-31 | 2016-12-28 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘和反应腔室 |
CN104752135B (zh) * | 2013-12-30 | 2018-01-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 |
KR20170128585A (ko) * | 2015-03-20 | 2017-11-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 폴리머 본드를 이용하여 금속 베이스에 본딩 결합된 세라믹 정전 척 |
US9805963B2 (en) * | 2015-10-05 | 2017-10-31 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with thermal choke |
JP2017092156A (ja) * | 2015-11-03 | 2017-05-25 | ナショナル チュン−シャン インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | 高密度のプラズマ及び高温の半導体製造プロセスに用いられる窒化アルミニウムの静電チャンク |
JP6697997B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-05-27 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
-
2018
- 2018-09-14 CN CN201811073364.7A patent/CN110911332B/zh active Active
- 2018-12-19 TW TW107145805A patent/TWI674648B/zh active
-
2019
- 2019-08-27 WO PCT/CN2019/102828 patent/WO2020052432A1/zh unknown
- 2019-08-27 JP JP2021512807A patent/JP7198915B2/ja active Active
- 2019-08-27 EP EP19859818.7A patent/EP3852135B1/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203257A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
JP2003243492A (ja) * | 2003-02-19 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法 |
JP2007227441A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
JP2010258276A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 耐食部材 |
CN103633003A (zh) * | 2012-08-28 | 2014-03-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电卡盘 |
JP2016072478A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP2016100349A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ボンドテック株式会社 | 加熱方法、接合方法、加熱装置および接合装置 |
WO2017195672A1 (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社 アルバック | 静電チャック、および、プラズマ処理装置 |
CN107710399A (zh) * | 2016-05-09 | 2018-02-16 | 株式会社爱发科 | 静电吸盘及等离子处理装置 |
JP2017212375A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック又は電極内蔵サセプタ |
JP2017228597A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3852135A1 (en) | 2021-07-21 |
EP3852135B1 (en) | 2023-06-21 |
WO2020052432A1 (zh) | 2020-03-19 |
CN110911332A (zh) | 2020-03-24 |
TWI674648B (zh) | 2019-10-11 |
EP3852135A4 (en) | 2022-05-11 |
JP7198915B2 (ja) | 2023-01-04 |
TW202011512A (zh) | 2020-03-16 |
CN110911332B (zh) | 2022-11-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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