JP7153574B2 - 上部電極構造、プラズマ処理装置、及び上部電極構造を組み立てる方法 - Google Patents
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Description
図1は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図1に示すプラズマ処理装置10は、容量結合型のプラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置10は、チャンバ本体12を備えている。チャンバ本体12は、略円筒形状を有しており、内部空間12sを提供している。チャンバ本体12は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体12の内壁面には、耐プラズマ性を有する処理が施されている。例えば、チャンバ本体12の内壁面には、陽極酸化処理が施されている。チャンバ本体12は、電気的に接地されている。
図2は、一つの例示的実施形態に係る上部電極の断面図である。図2に示されるように、上部電極30は、電極プレート34、ガスプレート36及び冷却プレート37が下から順に重ねられた構造を有する。
上部電極30は、遮蔽構造を有する。遮蔽構造は、ガス吐出孔34aから電極プレート34とガスプレート36との間へ移動するラジカル又はガスを遮蔽する構造である。図6は、遮蔽構造の一例を示す部分拡大図である。図6は、図3の部分拡大図である。図6に示される遮蔽構造は、ガスプレート36の下面36cの突出部36g(接続部材の一例)である。つまり、図6の例では、ガスプレート36が遮蔽構造を有する。突出部36gは、ガス流路36aの下端360aの周囲を囲むように形成される。これにより、ガス流路36aの下端360aとガス吐出孔34aの上端340bとが、突出部36gの内部流路によって接続される。突出部36gは、電極プレート34の上面34bと密着するため、ガス吐出孔34aから電極プレート34とガスプレート36との間へ移動するラジカル又はガスを物理的に遮蔽することができる。
図12は、一つの例示的実施形態に係る方法を概略的に示す図である。図12に示される方法は、上部電極構造を組み立てる方法である。この方法は、接合工程(ステップS10)、位置決め工程(ステップS12)、及び、取付工程(ステップS14)を有する。
静電チャック35は、図4及び図5に示されるように、第1電極351と第2電極350とを有し得る。第1直流電源39a及び第2直流電源39bは、極性を制御した電圧を電極へと印加する。図13は、双極方式の吸着の一例を説明する図である。図13に示されるように、静電チャック35の第1直流電源39aは、正の電圧を第1電極351へ印加する。第1電極351は、正に帯電する。静電チャック35の第2直流電源39bは、負の電圧を第2電極350へ印加する。第2電極350は、負に帯電する。プラズマPが生成されない場合には、第1電極351に対向する電極プレート34の一部は、負に帯電し、第2電極350に対向する電極プレート34の一部は、正に帯電する。このため、静電引力により、電極プレート34は保持される。一方、プラズマPが生成された場合、負の自己バイアスが電極プレート34に発生し、電極プレート34は負に帯電する。このように、双極方式は、プラズマPが生成されていない場合であっても吸着力を発生させることができる。
Claims (14)
- プラズマ処理装置の上部電極構造であって、
第1貫通孔を有する電極プレートと、
前記電極プレート上に配置され、部品孔を有する静電吸着部と、
前記静電吸着部の前記部品孔内に配置され、前記第1貫通孔と連通する第2貫通孔を有する遮蔽部品と、
前記静電吸着部及び前記遮蔽部品の上に配置され、前記第2貫通孔と連通する第3貫通孔を有するガスプレートと
を備え、
前記遮蔽部品は、前記第1貫通孔、前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔内を移動する流動性の物質が前記静電吸着部に接触することを阻止するように、前記部品孔内で前記電極プレートから前記ガスプレートまで延在している、
上部電極構造。 - 前記遮蔽部品は、前記ガスプレートと一体である、請求項1に記載の上部電極構造。
- 前記遮蔽部品は、独立部材である、請求項1に記載の上部電極構造。
- 前記遮蔽部品は、前記電極プレートと一体である、請求項1に記載の上部電極構造。
- 前記ガスプレートと前記電極プレートとの間に配置される不働態層をさらに備える、請求項1に記載の上部電極構造。
- 前記ガスプレートの上面に配置され、冷媒流路を有する冷却部材をさらに備える、請求項1に記載の上部電極構造。
- 前記静電吸着部は、
弾性を有する誘電体からなる第1本体部と、前記第1本体部の内部に配置された第1電極とを有する第1吸着部と、
弾性を有する誘電体からなる第2本体部と、前記第2本体部の内部に配置された第2電極とを有する第2吸着部と、
を有し、
前記第1電極及び前記第2電極には、互いに異なる極性の電圧が印加される、請求項1に記載の上部電極構造。 - 前記静電吸着部は、
弾性を有する誘電体からなる第1本体部と、前記第1本体部の内部に配置された第1電極とを有する第1吸着部と、
弾性を有する誘電体からなる第2本体部と、前記第2本体部の内部に配置された第2電極とを有する第2吸着部と、
を有し、
前記第1電極及び前記第2電極には、同一の極性の電圧が印加される、請求項1に記載の上部電極構造。 - プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、下部電極を有する基板支持器と、
前記下部電極の上方に配置された上部電極構造と、
を備え、
前記上部電極構造は、
第1貫通孔を有する電極プレートと、
前記電極プレート上に配置され、部品孔を有する静電吸着部と、
前記静電吸着部の前記部品孔内に配置され、前記第1貫通孔と連通する第2貫通孔を有する遮蔽部品と、
前記静電吸着部及び前記遮蔽部品の上に配置され、前記第2貫通孔と連通する第3貫通孔を有するガスプレートと
を有し、
前記遮蔽部品は、前記第1貫通孔、前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔内を移動する流動性の物質が前記静電吸着部に接触することを阻止するように、前記部品孔内で前記電極プレートから前記ガスプレートまで延在している、
プラズマ処理装置。 - 前記遮蔽部品は、前記ガスプレートと一体である、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮蔽部品は、独立部材である、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮蔽部品は、前記電極プレートと一体である、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガスプレートと前記電極プレートとの間に配置される不働態層をさらに備える、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガスプレートの上面に配置され、冷媒流路を有する冷却部材をさらに備える、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
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