JP2015216261A - プラズマ処理装置の上部電極構造、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上部電極構造は、第1のプレート、第2のプレート、及び静電吸着部を備える。第1のプレートは、同心状に設けられた第1の領域、第2の領域及び第3の領域を有し、これら領域の各々には複数のガス吐出口が形成されている。静電吸着部は、第1のプレートと第2のプレートとの間に介在し、第1のプレートを吸着する。静電吸着部は、第1〜第3の領域用の第1〜第3のヒータを有する。静電吸着部と第2のプレートは、第1〜第3の領域にガスを供給する第1の供給経路、第2の供給経路、及び第3の供給経路を提供する。静電吸着部には、第1のガス拡散室、第2のガス拡散室、及び、第3のガス拡散室が形成されている。
【選択図】図2
Description
次に、処理部PUは、再配列後の空間周波数Xiにおける強度を、線形補間により計算する。この線形補間では、強度Yiが、以下の式(2)により算出される。
ただし、jはXi>xjとなる最大の整数である。
ここで、jは強度の配列に用いた指標である。処理部PUは、上記式3の演算をi=0〜N−1の範囲で実行する。即ち、ステップS20の処理で得られた20点の間隔全てに対して式(3)の演算を実行する。このように、処理部PUは、フーリエ変換後のデータ間隔を、必要な分割数で分割し、分割数に応じたデータを線形補間により生成する。
なお、Nは重心範囲抽出後のデータ点数である。この式4を用いることで、処理部PUは、光路長ndを算出することができる。
<プラズマ処理の条件>
・ガス:CF系ガス(50scc)、Arガス(400sccm)、O2ガス(30sccm
・高周波電源HFS:40MHz、1200W
・高周波電源LFS:13MHz、4500W
・処理時間:10分、20分、50分の三種
<条件>
・ガス:CF系ガス(50scc)、Arガス(400sccm)、O2ガス(30sccm
・高周波電源HFS:40MHz、1200W
・高周波電源LFS:13MHz、4500W
・直流電源NPの印加電圧(DC):0V、150V、300Vの三種
Claims (12)
- 容量結合型のプラズマ処理装置の上部電極構造であって、
第1の領域、該第1の領域を同心状に囲む第2の領域、及び該第2の領域を同心状に囲む第3の領域を有し、該第1の領域、該第2の領域、及び該第3の領域のそれぞれに複数のガス吐出口が形成された第1のプレートと、
冷媒用の流路が形成された第2のプレートと、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間に介在し、前記第1のプレートを吸着する静電吸着部と、
を備え、
前記静電吸着部は、前記第2のプレートと前記第1の領域との間に設けられた第1のヒータ、前記第2のプレートと前記第2の領域との間に設けられた第2のヒータ、及び、前記第2のプレートと前記第3の領域との間に設けられた第3のヒータを有し、
前記静電吸着部は、前記第2のプレートと共に、前記第1の領域にガスを供給する第1の供給経路、前記第2の領域にガスを供給する第2の供給経路、及び前記第3の領域にガスを供給する第3の供給経路を提供し、
前記静電吸着部には、前記第1の供給経路に含まれる第1のガス拡散室、前記第2の供給経路に含まれる第2のガス拡散室、及び、前記第3の供給経路に含まれる第3のガス拡散室が形成されている、
上部電極構造。 - 前記静電吸着部は、セラミック製の本体部、及び静電吸着用の電極を有しており、
前記セラミック製の本体部の表面が前記第1のプレートの吸着面を構成する、
請求項1に記載の上部電極構造。 - 前記第1の供給経路は、第1のガスライン、第4のガス拡散室、複数の第2のガスライン、第5のガス拡散室、複数の第3のガスライン、及び前記第1のガス拡散室が順に接続されることにより構成されており、
前記複数の第2のガスライン及び前記複数の第3のガスラインは、前記第1の領域の中心軸線に対して周方向に配列されており、前記第1のガス拡散室、前記第4のガス拡散室、及び前記第5のガス拡散室のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有し、
前記第2の供給経路は、第4のガスライン、第6のガス拡散室、複数の第5のガスライン、第7のガス拡散室、複数の第6のガスライン、及び前記第2のガス拡散室が順に接続されることにより構成されており、
前記複数の第5のガスライン及び前記複数の第6のガスラインは、前記中心軸線に対して周方向に配列されており、前記第2のガス拡散室、前記第6のガス拡散室、及び前記第7のガス拡散室のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有し、
前記第3の供給経路は、第7のガスライン、第8のガス拡散室、複数の第8のガスライン、第9のガス拡散室、複数の第9のガスライン、及び前記第3のガス拡散室が順に接続されることにより構成されており、
前記複数の第8のガスライン及び前記複数の第9のガスラインは、前記中心軸線に対して周方向に配列されており、前記第3のガス拡散室、前記第8のガス拡散室、及び前記第9のガス拡散室のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する、
請求項1又は2に記載の上部電極構造。 - 容量結合型のプラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられた載置台であり、下部電極を含む該載置台と、
請求項1〜3の何れか一項に記載の上部電極構造と、
を備えるプラズマ処理装置。 - 光源からの光を前記第1のプレートの前記第1の領域に照射し、該第1の領域の表面及び裏面からの反射光の波長スペクトルを取得する第1の取得部と、
光源からの光を前記第1のプレートの前記第2の領域に照射し、該第2の領域の表面及び裏面からの反射光の波長スペクトルを取得する第2の取得部と、
光源からの光を前記第1のプレートの前記第3の領域に照射し、該第3の領域の表面及び裏面からの反射光の波長スペクトルを取得する第3の取得部と、
前記第1の取得部によって取得された前記波長スペクトル、前記第2の取得部によって取得された前記波長スペクトル、及び、前記第3の取得部によって取得された前記波長スペクトルに基づいて、前記第1の領域の前記表面と前記裏面との間の光路長、前記第2の領域の前記表面と前記裏面との間の光路長、及び前記第3の領域の前記表面と前記裏面との間の光路長をそれぞれ求める処理部と、
を更に備える請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1のヒータに接続された第1のヒータ電源と、
前記第2のヒータに接続された第2のヒータ電源と、
前記第3のヒータに接続された第3のヒータ電源と、
前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する制御部と、
を更に備え、
前記処理部は、前記第1の領域の前記光路長、前記第2の領域の前記光路長、及び前記第3の領域の前記光路長に基づいて、前記第1の領域の温度計算値、前記第2の領域の温度計算値、及び前記第3の領域の温度計算値をそれぞれ求め、
前記制御部は、前記第1の領域の前記温度計算値、前記第2の領域の前記温度計算値、及び前記第3の領域の前記温度計算値に基づいて、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、
請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度が実質的に同一となるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、プラズマ処理時に、前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度が所定の温度となるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、前記第1の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第1のガス、前記第2の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第2のガス、及び前記第3の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第3のガスそれぞれに含まれるエッチング性ガスの量に対する堆積性ガスの量の多さに応じて、前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度のそれぞれが高くなるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 請求項6又は7に記載のプラズマ処理装置の運用方法であって、
プラズマ処理時に前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度が実質的に同一となるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、
運用方法。 - 請求項6又は8に記載のプラズマ処理装置の運用方法であって、
プラズマ処理時に前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度が実質的に同一となるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、
運用方法。 - 請求項6又は9に記載のプラズマ処理装置の運用方法であって、
前記第1の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第1のガス、前記第2の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第2のガス、及び前記第3の領域の前記複数のガス吐出口から吐出される第3のガスそれぞれに含まれるエッチング性ガスの量に対する堆積性ガスの量の多さに応じて、前記第1の領域の温度、前記第2の領域の温度、及び前記第3の領域の温度のそれぞれが高くなるよう、前記第1のヒータ電源、前記第2のヒータ電源、及び前記第3のヒータ電源を制御する、
運用方法。
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