JP2001085398A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 いわゆる平行平板型のプラズマ処理装置にお
いては，アノード電極をボルトにて容器に固定したもの
が一般的であったが，これではアノード電極に流入する
プラズマの熱の大部分がボルトを介して外部に放出され
るため，アノード電極に温度差が生じ，プラズマ処理性
能が不均一となったり，熱応力によってアノードが破損
してしまうといった問題点があった。 【解決手段】 チャンバ５の天板としてのチャック保持
ブロック３に，電源に接続され，絶縁層に覆われた静電
チャック電極６を取り付ける。そして，上記静電チャッ
ク電極６に電位を供給することにより，アノード電極１
を静電気力によって上記チャック保持ブロック３に吸着
保持させる。これにより，アノード電極に締め付け力や
伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノ
ード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱
応力によるアノードの破損などを防止できる。
いては，アノード電極をボルトにて容器に固定したもの
が一般的であったが，これではアノード電極に流入する
プラズマの熱の大部分がボルトを介して外部に放出され
るため，アノード電極に温度差が生じ，プラズマ処理性
能が不均一となったり，熱応力によってアノードが破損
してしまうといった問題点があった。 【解決手段】 チャンバ５の天板としてのチャック保持
ブロック３に，電源に接続され，絶縁層に覆われた静電
チャック電極６を取り付ける。そして，上記静電チャッ
ク電極６に電位を供給することにより，アノード電極１
を静電気力によって上記チャック保持ブロック３に吸着
保持させる。これにより，アノード電極に締め付け力や
伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノ
ード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱
応力によるアノードの破損などを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，所定の容器内に，
少なくとも被処理物が保持されるカソード電極と，該カ
ソード電極に対向するアノード電極とが設けられたプラ
ズマ処理装置に関するものである。
少なくとも被処理物が保持されるカソード電極と，該カ
ソード電極に対向するアノード電極とが設けられたプラ
ズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エッチング等のプラズマ処理に用いられ
るプラズマ処理装置としては，従来から，いわゆる平行
平板型のプラズマ処理装置が広く使用されている。この
平行平板型のプラズマ処理装置では，例えば特開平７−
３０７３３４号公報に記載されているように，処理容器
内に，カソード電極とアノード電極とが所定の空間（プ
ラズマ処理空間）を隔てて対向して設置される。上記カ
ソード電極は，処理容器下部に設置され，その上面には
被処理物が載置される。また，上記アノード電極は，上
記処理容器の天板部分の内面側に固定される。ここで，
上記アノード電極の上記処理容器への固定方法として
は，例えば上記公報にも記載されているように，上記ア
ノード電極の周辺部分を複数のボルトにて固定する方法
が一般的であった。
るプラズマ処理装置としては，従来から，いわゆる平行
平板型のプラズマ処理装置が広く使用されている。この
平行平板型のプラズマ処理装置では，例えば特開平７−
３０７３３４号公報に記載されているように，処理容器
内に，カソード電極とアノード電極とが所定の空間（プ
ラズマ処理空間）を隔てて対向して設置される。上記カ
ソード電極は，処理容器下部に設置され，その上面には
被処理物が載置される。また，上記アノード電極は，上
記処理容器の天板部分の内面側に固定される。ここで，
上記アノード電極の上記処理容器への固定方法として
は，例えば上記公報にも記載されているように，上記ア
ノード電極の周辺部分を複数のボルトにて固定する方法
が一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記の
ようにアノード電極をボルトにて処理容器に固定する
と，アノード電極に流入するプラズマの熱はその大部分
が上記アノード電極の周辺部分から外部に放出されるこ
とになるため，アノード電極の中央部と周辺部で温度差
が生じ，プラズマ処理性能が不均一となったり，或いは
熱応力によってアノードが破損してしまうといった問題
点があった。また，ボルト毎の締め付け力が均等でなけ
れば，アノード電極の温度分布に一層の不均一性をもた
らし，上記問題点は更に大きくなる。また，近年では，
例えば半導体デバイス製造産業において処理されるＳｉ
ウェハのように被処理物の大型化が進んでおり，それに
伴うアノード電極の大型化によって上記問題点はより深
刻化している。本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
であり，その目的とするところは，アノード電極の温度
分布を均一化することにより，プラズマ処理室内におけ
るプラズマ処理性能を均一化すると共に，アノード電極
内部における熱応力の発生を抑制することが可能なプラ
ズマ処理装置を提供することである。
ようにアノード電極をボルトにて処理容器に固定する
と，アノード電極に流入するプラズマの熱はその大部分
が上記アノード電極の周辺部分から外部に放出されるこ
とになるため，アノード電極の中央部と周辺部で温度差
が生じ，プラズマ処理性能が不均一となったり，或いは
熱応力によってアノードが破損してしまうといった問題
点があった。また，ボルト毎の締め付け力が均等でなけ
れば，アノード電極の温度分布に一層の不均一性をもた
らし，上記問題点は更に大きくなる。また，近年では，
例えば半導体デバイス製造産業において処理されるＳｉ
ウェハのように被処理物の大型化が進んでおり，それに
伴うアノード電極の大型化によって上記問題点はより深
刻化している。本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
であり，その目的とするところは，アノード電極の温度
分布を均一化することにより，プラズマ処理室内におけ
るプラズマ処理性能を均一化すると共に，アノード電極
内部における熱応力の発生を抑制することが可能なプラ
ズマ処理装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本発明は，所定の容器内に，被処理物が保持される
カソード電極と，該カソード電極に対向するアノード電
極とが設けられたプラズマ処理装置において，上記容器
に固定される保持部材に，電源に接続され，絶縁層に覆
われた静電チャック電極が取り付けられ，上記アノード
電極が，上記静電チャック電極に電位を供給することに
よって得られる静電気力によって上記保持部材に吸着保
持されてなることを特徴とするプラズマ処理装置として
構成されている。これにより，アノード電極に締め付け
力や伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，
アノード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一
や熱応力によるアノードの破損などを防止できる。ま
た，更に上記保持部材と上記アノード電極との対向面間
に略一様な間隙を形成し，該間隙に伝熱用ガスを供給す
るようにすれば，アノード電極全面の伝熱効率の均一性
が更に高まり，それによってアノード電極の温度の均一
性も更に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一性の更な
る向上が期待できる。尚，この時，上記間隙の周辺部を
シールするシール手段を設ければ，伝熱ガスがプラズマ
処理空間に漏れ出してプラズマ処理に悪影響を及ぼす不
具合を防止できる。また，上記保持部材に，上記アノー
ド電極の周辺部を補助的に保持するクランプを取り付け
れば，上記アノード電極の保持は更に確実なものとな
る。上記クランプを設置する場合には，上記間隙をシー
ルするシール部材は，例えば上記クランプと上記保持部
材との間，及び上記クランプと上記アノード電極との間
に設けることが考えられる。
に，本発明は，所定の容器内に，被処理物が保持される
カソード電極と，該カソード電極に対向するアノード電
極とが設けられたプラズマ処理装置において，上記容器
に固定される保持部材に，電源に接続され，絶縁層に覆
われた静電チャック電極が取り付けられ，上記アノード
電極が，上記静電チャック電極に電位を供給することに
よって得られる静電気力によって上記保持部材に吸着保
持されてなることを特徴とするプラズマ処理装置として
構成されている。これにより，アノード電極に締め付け
力や伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，
アノード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一
や熱応力によるアノードの破損などを防止できる。ま
た，更に上記保持部材と上記アノード電極との対向面間
に略一様な間隙を形成し，該間隙に伝熱用ガスを供給す
るようにすれば，アノード電極全面の伝熱効率の均一性
が更に高まり，それによってアノード電極の温度の均一
性も更に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一性の更な
る向上が期待できる。尚，この時，上記間隙の周辺部を
シールするシール手段を設ければ，伝熱ガスがプラズマ
処理空間に漏れ出してプラズマ処理に悪影響を及ぼす不
具合を防止できる。また，上記保持部材に，上記アノー
ド電極の周辺部を補助的に保持するクランプを取り付け
れば，上記アノード電極の保持は更に確実なものとな
る。上記クランプを設置する場合には，上記間隙をシー
ルするシール部材は，例えば上記クランプと上記保持部
材との間，及び上記クランプと上記アノード電極との間
に設けることが考えられる。
【０００５】また，上記保持部材に，上記アノード電極
を直接的若しくは間接的に加熱する加熱手段を設置すれ
ば，アノード電極の温度分布を能動的に制御することが
可能となり，より確実にアノード電極の温度分布の均一
化を図ることができる。このとき，上記保持部材に，上
記アノード電極の温度を直接的若しくは間接的に測定す
る温度測定手段を設置し，温度制御手段により，上記温
度測定手段による測定温度に基づいて上記加熱手段を制
御するようにすれば，アノード電極へのプラズマ流入熱
の時間的変動に追従させ，アノード電極の温度分布を常
に均一に保つことが可能である。
を直接的若しくは間接的に加熱する加熱手段を設置すれ
ば，アノード電極の温度分布を能動的に制御することが
可能となり，より確実にアノード電極の温度分布の均一
化を図ることができる。このとき，上記保持部材に，上
記アノード電極の温度を直接的若しくは間接的に測定す
る温度測定手段を設置し，温度制御手段により，上記温
度測定手段による測定温度に基づいて上記加熱手段を制
御するようにすれば，アノード電極へのプラズマ流入熱
の時間的変動に追従させ，アノード電極の温度分布を常
に均一に保つことが可能である。
【０００６】更に，上記保持部材の内部若しくは上方
に，誘導結合プラズマ励起用のアンテナを設置し，有ア
ノード型ＩＣＰ装置とすることも可能である。このと
き，上記保持部材若しくは上記アノード電極の所定位置
に，上記アンテナから供給されるＲＦ電界を部分的にシ
ールドするＲＦシールド手段を設置すれば，各アンテナ
のＲＦ電界の及ぶ範囲をそれぞれ制限することができ，
プラズマ密度の空間的分布の制御性を向上させることが
可能である。また，アノード電極にＲＦ電力を供給する
場合には，上記保持部材に，高周波ＲＦ電源に接続さ
れ，絶縁層に覆われたＲＦカップリング電極を取付け，
上記ＲＦカップリング電極から上記アノード電極に対し
て間接的にＲＦ電力を供給するように構成することもで
きる。これにより，アノード電極に接点を設ける必要が
ないため，接点部分における局部加熱を防止でき，プラ
ズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損と
いった不具合を防止できる。また，その場合，上記静電
チャック電極を上記ＲＦカップリング電極として兼用す
れば，装置構成及び製作工程を簡略化することができ，
コスト低減や信頼性向上が期待できる。
に，誘導結合プラズマ励起用のアンテナを設置し，有ア
ノード型ＩＣＰ装置とすることも可能である。このと
き，上記保持部材若しくは上記アノード電極の所定位置
に，上記アンテナから供給されるＲＦ電界を部分的にシ
ールドするＲＦシールド手段を設置すれば，各アンテナ
のＲＦ電界の及ぶ範囲をそれぞれ制限することができ，
プラズマ密度の空間的分布の制御性を向上させることが
可能である。また，アノード電極にＲＦ電力を供給する
場合には，上記保持部材に，高周波ＲＦ電源に接続さ
れ，絶縁層に覆われたＲＦカップリング電極を取付け，
上記ＲＦカップリング電極から上記アノード電極に対し
て間接的にＲＦ電力を供給するように構成することもで
きる。これにより，アノード電極に接点を設ける必要が
ないため，接点部分における局部加熱を防止でき，プラ
ズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損と
いった不具合を防止できる。また，その場合，上記静電
チャック電極を上記ＲＦカップリング電極として兼用す
れば，装置構成及び製作工程を簡略化することができ，
コスト低減や信頼性向上が期待できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して，本発明
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態に係るプラズマ処理装置Ｚ１の概略構成を示す縦断
面模式図，図２は図１におけるアノード電極１の周辺部
の拡大図，図３は静電チャック電極を単極構造とした場
合の模式図，図４は静電チャック電極を双極構造とした
場合の模式図，図５，図６は伝熱ガス充填用間隙８をシ
ールするシール材１７の取付け例，図７はヒータ１８及
び測温素子１９の配置例，図８は本発明を有アノード型
ＩＣＰに応用したプラズマ処理装置Ｚ２の概略構成を示
す縦断面模式図，図９はＲＦカップリング電極２２の配
置例，図１０は静電チャック電極６を上記ＲＦカップリ
ング電極２２として兼用した場合の構成例，図１１は上
記プラズマ処理装置Ｚ２における静電チャック電極６或
いはＲＦカップリング電極２２の構成例，図１２は上記
プラズマ処理装置Ｚ２におけるヒータ１８′の構成例，
図１３，図１４はＲＦシールドリング２４の配置例であ
る。
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態に係るプラズマ処理装置Ｚ１の概略構成を示す縦断
面模式図，図２は図１におけるアノード電極１の周辺部
の拡大図，図３は静電チャック電極を単極構造とした場
合の模式図，図４は静電チャック電極を双極構造とした
場合の模式図，図５，図６は伝熱ガス充填用間隙８をシ
ールするシール材１７の取付け例，図７はヒータ１８及
び測温素子１９の配置例，図８は本発明を有アノード型
ＩＣＰに応用したプラズマ処理装置Ｚ２の概略構成を示
す縦断面模式図，図９はＲＦカップリング電極２２の配
置例，図１０は静電チャック電極６を上記ＲＦカップリ
ング電極２２として兼用した場合の構成例，図１１は上
記プラズマ処理装置Ｚ２における静電チャック電極６或
いはＲＦカップリング電極２２の構成例，図１２は上記
プラズマ処理装置Ｚ２におけるヒータ１８′の構成例，
図１３，図１４はＲＦシールドリング２４の配置例であ
る。
【０００８】本実施の形態に係るプラズマ処理装置Ｚ１
は，図１（全体概略図）及び図２（アノード電極近傍の
拡大図）に示すような概略構成を有する。上記プラズマ
処理装置Ｚ１の導電性のチャンバ５（所定の容器に相
当）内には，カソード電極２とアノード電極１とが対向
するように配置されている。上記カソード電極２の上面
には，被処理物Ｗが載置される。また，上記チャンバ５
の上部には，天板としてのチャック保持ブロック３（保
持部材の一例）が固定されており，上記アノード電極１
は，上記チャック保持ブロック３に固定されたリング状
のクランプ４によりその周辺部において保持されてい
る。上記チャック保持ブロック３の内部には，冷媒が流
される冷媒溝９，プロセスガスが流されるプロセスガス
チャネル１０，伝熱用ガスが流される伝熱用ガスチャネ
ル１１が，例えば同心円状にそれぞれ１又は複数形成さ
れている。上記プロセスガスチャネル１０は，連通路１
３を介して上記アノード電極１に形成された複数のプロ
セスガス供給口１２と接続されており，上記プロセスガ
ス供給口１２から，区分毎にガス種，流量等が調節され
たプロセスガスがプラズマ処理空間１５に供給される。
は，図１（全体概略図）及び図２（アノード電極近傍の
拡大図）に示すような概略構成を有する。上記プラズマ
処理装置Ｚ１の導電性のチャンバ５（所定の容器に相
当）内には，カソード電極２とアノード電極１とが対向
するように配置されている。上記カソード電極２の上面
には，被処理物Ｗが載置される。また，上記チャンバ５
の上部には，天板としてのチャック保持ブロック３（保
持部材の一例）が固定されており，上記アノード電極１
は，上記チャック保持ブロック３に固定されたリング状
のクランプ４によりその周辺部において保持されてい
る。上記チャック保持ブロック３の内部には，冷媒が流
される冷媒溝９，プロセスガスが流されるプロセスガス
チャネル１０，伝熱用ガスが流される伝熱用ガスチャネ
ル１１が，例えば同心円状にそれぞれ１又は複数形成さ
れている。上記プロセスガスチャネル１０は，連通路１
３を介して上記アノード電極１に形成された複数のプロ
セスガス供給口１２と接続されており，上記プロセスガ
ス供給口１２から，区分毎にガス種，流量等が調節され
たプロセスガスがプラズマ処理空間１５に供給される。
【０００９】また，図２に示すように，上記チャック保
持ブロック３の下面側（上記アノード電極１との対向面
側）には，絶縁層７で覆われた静電チャック電極６が埋
設されており，高電圧供給線１６を介して高電圧電源に
接続されている。上記静電チャック電極６に高電圧を印
加することにより，上記アノード電極１と上記静電チャ
ック電極６とは静電気力によって互いに引き合い，これ
によって上記アノード電極１は上記チャック保持ブロッ
ク３の下面に吸着保持される。このように，本プラズマ
処理装置Ｚ１では，上記アノード電極１をその全面に略
均等に作用する静電気力によって上記チャック保持ブロ
ック３に固定するため，アノード電極に締め付け力や伝
熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノー
ド電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応
力によるアノードの破損などを防止できる。ここで，上
記静電チャック電極６の配置方法としては，図３に示す
ようにアノード電極１に対して１つの静電チャック電極
６を対応させる単極構造と，図４に示すようにアノード
電極１に対して２つの静電チャック電極６ａ，６ｂを対
応させ，双方に正負の高電圧を与えるようにした双極構
造とが考えられる。図３に示す単極構造の場合には，ア
ノード電極１の吸着にはプラズマ着火（カソード電極２
への高電圧供給）が必要となるが，図４に示す双極構造
の場合にはアノード電極１の吸着にプラズマ着火は不要
である。
持ブロック３の下面側（上記アノード電極１との対向面
側）には，絶縁層７で覆われた静電チャック電極６が埋
設されており，高電圧供給線１６を介して高電圧電源に
接続されている。上記静電チャック電極６に高電圧を印
加することにより，上記アノード電極１と上記静電チャ
ック電極６とは静電気力によって互いに引き合い，これ
によって上記アノード電極１は上記チャック保持ブロッ
ク３の下面に吸着保持される。このように，本プラズマ
処理装置Ｚ１では，上記アノード電極１をその全面に略
均等に作用する静電気力によって上記チャック保持ブロ
ック３に固定するため，アノード電極に締め付け力や伝
熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノー
ド電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応
力によるアノードの破損などを防止できる。ここで，上
記静電チャック電極６の配置方法としては，図３に示す
ようにアノード電極１に対して１つの静電チャック電極
６を対応させる単極構造と，図４に示すようにアノード
電極１に対して２つの静電チャック電極６ａ，６ｂを対
応させ，双方に正負の高電圧を与えるようにした双極構
造とが考えられる。図３に示す単極構造の場合には，ア
ノード電極１の吸着にはプラズマ着火（カソード電極２
への高電圧供給）が必要となるが，図４に示す双極構造
の場合にはアノード電極１の吸着にプラズマ着火は不要
である。
【００１０】また，図２に示すように，上記チャック保
持ブロック３の下面と上記アノード電極１との対向面間
には，略一様な伝熱ガス充填用間隙８が形成されてお
り，上記チャック保持ブロック３の伝熱用ガスチャネル
１１から連通路１４を介して伝熱用ガスが供給されるよ
うになっている。上記伝熱ガス充填用間隙８に伝熱ガス
を供給することにより，アノード電極１全面の伝熱効率
の均一性が更に高まり，それによってアノード電極の温
度の均一性が更に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一
性の更なる向上が期待できる。ここで，上記伝熱ガス充
填用間隙８内の伝熱ガスがプラズマ処理空間１５に漏れ
出すと，プラズマ処理に悪影響を及ぼす場合があるた
め，上記伝熱ガス充填用間隙８と上記プラズマ処理空間
１５との間にシール手段を施すことが望ましい。例え
ば，図５に示すように，クランプ４とチャック保持ブロ
ック３との間，及びクランプ４とアノード電極１との間
にシール１７を施せば，アノード電極１の周辺部からの
伝熱ガスの漏洩を防止できる。更に，図６に示すよう
に，プロセスガス供給用の連通路１３の周りにもシール
１７を施すことで，上記連通路１３からの伝熱ガスの漏
洩も防止できる。尚，伝熱ガスがプロセスガスの少なく
とも１種と同種の場合には，上記シールは必ずしも必要
ない。
持ブロック３の下面と上記アノード電極１との対向面間
には，略一様な伝熱ガス充填用間隙８が形成されてお
り，上記チャック保持ブロック３の伝熱用ガスチャネル
１１から連通路１４を介して伝熱用ガスが供給されるよ
うになっている。上記伝熱ガス充填用間隙８に伝熱ガス
を供給することにより，アノード電極１全面の伝熱効率
の均一性が更に高まり，それによってアノード電極の温
度の均一性が更に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一
性の更なる向上が期待できる。ここで，上記伝熱ガス充
填用間隙８内の伝熱ガスがプラズマ処理空間１５に漏れ
出すと，プラズマ処理に悪影響を及ぼす場合があるた
め，上記伝熱ガス充填用間隙８と上記プラズマ処理空間
１５との間にシール手段を施すことが望ましい。例え
ば，図５に示すように，クランプ４とチャック保持ブロ
ック３との間，及びクランプ４とアノード電極１との間
にシール１７を施せば，アノード電極１の周辺部からの
伝熱ガスの漏洩を防止できる。更に，図６に示すよう
に，プロセスガス供給用の連通路１３の周りにもシール
１７を施すことで，上記連通路１３からの伝熱ガスの漏
洩も防止できる。尚，伝熱ガスがプロセスガスの少なく
とも１種と同種の場合には，上記シールは必ずしも必要
ない。
【００１１】以上説明したように，本実施の形態に係る
プラズマ処理装置Ｚ１では，チャンバ５の天板としての
チャック保持ブロック３の下面側に絶縁層７で覆われた
静電チャック電極６が埋設されており，これに高電圧を
印加することにより，静電気力によりアノード電極１を
上記チャック保持ブロック３の下面に吸着保持するよう
に構成されているため，アノード電極に締め付け力や伝
熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノー
ド電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応
力によるアノードの破損などを防止できる。更に，上記
チャック保持ブロック３の下面と上記アノード電極１と
の対向面間に略一様な伝熱ガス充填用間隙８が形成さ
れ，ここに伝熱用ガスが供給されるように構成されてい
るため，アノード電極１全面の伝熱効率の均一性が更に
高まり，それによってアノード電極の温度の均一性も更
に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一性の更なる向上
が期待できる。また，上記アノード電極１は，クランプ
４によってその周辺部が補助的に保持されているため，
チャック保持ブロック３からの脱落を確実に防止でき
る。
プラズマ処理装置Ｚ１では，チャンバ５の天板としての
チャック保持ブロック３の下面側に絶縁層７で覆われた
静電チャック電極６が埋設されており，これに高電圧を
印加することにより，静電気力によりアノード電極１を
上記チャック保持ブロック３の下面に吸着保持するよう
に構成されているため，アノード電極に締め付け力や伝
熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノー
ド電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応
力によるアノードの破損などを防止できる。更に，上記
チャック保持ブロック３の下面と上記アノード電極１と
の対向面間に略一様な伝熱ガス充填用間隙８が形成さ
れ，ここに伝熱用ガスが供給されるように構成されてい
るため，アノード電極１全面の伝熱効率の均一性が更に
高まり，それによってアノード電極の温度の均一性も更
に高まり，ひいてはプラズマ処理の均一性の更なる向上
が期待できる。また，上記アノード電極１は，クランプ
４によってその周辺部が補助的に保持されているため，
チャック保持ブロック３からの脱落を確実に防止でき
る。
【００１２】
【実施例】上記実施の形態に係るプラズマ処理装置Ｚ１
において，例えば図７に示すように，チャック保持ブロ
ック３に１又は複数のヒータ１８（加熱手段の一例）を
埋設し，温度制御を行うように構成すれば，アノード電
極１の温度分布を能動的に制御することが可能となり，
より確実にアノード電極１の温度分布の均一化を図るこ
とができる。尚，アノード電極の制御応答速度をなるべ
く速くするため，上記ヒータ１８はアノード電極１に近
い位置（例えば静電チャック電極６の絶縁層７内）に設
置することが望ましい。更には，チャック保持ブロック
３に光透過ロッドを埋め込み，上記光透過ロッドを介し
て赤外線等をアノード電極１に照射するように構成し，
これを上記ヒータとして用いれば，アノード電極１を直
接加熱することができるため，アノード電極の温度制御
の応答性が更に向上する。また，上記チャック保持ブロ
ック３内（例えば静電チャック電極６の絶縁層７内）に
測温素子１９（温度測定手段の一例）を挿入し，該測温
素子１９による測定温度に基づいて，図示しない温度コ
ントローラにて上記ヒータ１８を制御することで，アノ
ード電極１へのプラズマ流入熱の時間的変動に追従さ
せ，アノード電極１の温度分布を常に均一に保つことが
可能である。尚，上記測温素子１９としては，アノード
電極１の温度を直接測定できるような素子を用いること
が望ましい。例えば，アノード電極１の裏面に光ファイ
バーの一端を配置し，他の一端を放射温度計に接続すれ
ばよい。これにより，より精度よくアノード電極の温度
を制御できる。更に，上記伝熱ガス充填用間隙８内のガ
ス圧を制御する図示しない伝熱ガス圧コントローラを設
置し，上記温度コントローラによるヒータ１９の制御と
連動させて伝熱ガスの圧力を変化させるようにすること
で，アノード電極１の温度制御を更に効率よく行うこと
が可能となる。例えば，プラズマ発生時間帯では伝熱ガ
ス充填用間隙８内のガス圧を伝熱に必要となる所定の値
に設定してプラズマからアノード電極１への流熱を極力
チャック保持ブロック３に逃がすようにし，プラズマ消
滅時間帯（ウェハＷを交換している時間帯）は上記ガス
圧を極力低くしてアノード電極１の熱量がなるべくチャ
ック保持ブロック３に伝熱しないように制御することが
考えられる。
において，例えば図７に示すように，チャック保持ブロ
ック３に１又は複数のヒータ１８（加熱手段の一例）を
埋設し，温度制御を行うように構成すれば，アノード電
極１の温度分布を能動的に制御することが可能となり，
より確実にアノード電極１の温度分布の均一化を図るこ
とができる。尚，アノード電極の制御応答速度をなるべ
く速くするため，上記ヒータ１８はアノード電極１に近
い位置（例えば静電チャック電極６の絶縁層７内）に設
置することが望ましい。更には，チャック保持ブロック
３に光透過ロッドを埋め込み，上記光透過ロッドを介し
て赤外線等をアノード電極１に照射するように構成し，
これを上記ヒータとして用いれば，アノード電極１を直
接加熱することができるため，アノード電極の温度制御
の応答性が更に向上する。また，上記チャック保持ブロ
ック３内（例えば静電チャック電極６の絶縁層７内）に
測温素子１９（温度測定手段の一例）を挿入し，該測温
素子１９による測定温度に基づいて，図示しない温度コ
ントローラにて上記ヒータ１８を制御することで，アノ
ード電極１へのプラズマ流入熱の時間的変動に追従さ
せ，アノード電極１の温度分布を常に均一に保つことが
可能である。尚，上記測温素子１９としては，アノード
電極１の温度を直接測定できるような素子を用いること
が望ましい。例えば，アノード電極１の裏面に光ファイ
バーの一端を配置し，他の一端を放射温度計に接続すれ
ばよい。これにより，より精度よくアノード電極の温度
を制御できる。更に，上記伝熱ガス充填用間隙８内のガ
ス圧を制御する図示しない伝熱ガス圧コントローラを設
置し，上記温度コントローラによるヒータ１９の制御と
連動させて伝熱ガスの圧力を変化させるようにすること
で，アノード電極１の温度制御を更に効率よく行うこと
が可能となる。例えば，プラズマ発生時間帯では伝熱ガ
ス充填用間隙８内のガス圧を伝熱に必要となる所定の値
に設定してプラズマからアノード電極１への流熱を極力
チャック保持ブロック３に逃がすようにし，プラズマ消
滅時間帯（ウェハＷを交換している時間帯）は上記ガス
圧を極力低くしてアノード電極１の熱量がなるべくチャ
ック保持ブロック３に伝熱しないように制御することが
考えられる。
【００１３】また，図８のプラズマ処理装置Ｚ２に示す
ように，チャック保持ブロック３内に複数の誘導結合プ
ラズマ励起用アンテナ２１を設置することで，有アノー
ド型ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)とすることも
可能である。またこのとき，アノード電極１にＲＦ電力
を供給する場合には，アノード電極１に直接ＲＦ電力を
接続すると，その接点部分での抵抗が大きくなって局部
加熱が生じ，プラズマ処理性能が不均一となったり，或
いは熱応力によってアノードが破損してしまうといった
問題が新たに発生してしまう。そこで，図９に示すよう
に，例えばチャック保持ブロック３の絶縁層７内にＲＦ
カップリング電極２２を埋設し，静電容量性カップリン
グによりアノード電極１とＲＦカップリング電極２２と
を高周波回路的に連通させるように構成すれば，上記の
ような問題は生じない。更に，図１０に示すように，静
電チャック電極６を上記ＲＦカップリング電極２２とし
て兼用すれば，装置構成及び製作工程を簡略化すること
ができ，コスト低減や信頼性向上が期待できる。
ように，チャック保持ブロック３内に複数の誘導結合プ
ラズマ励起用アンテナ２１を設置することで，有アノー
ド型ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)とすることも
可能である。またこのとき，アノード電極１にＲＦ電力
を供給する場合には，アノード電極１に直接ＲＦ電力を
接続すると，その接点部分での抵抗が大きくなって局部
加熱が生じ，プラズマ処理性能が不均一となったり，或
いは熱応力によってアノードが破損してしまうといった
問題が新たに発生してしまう。そこで，図９に示すよう
に，例えばチャック保持ブロック３の絶縁層７内にＲＦ
カップリング電極２２を埋設し，静電容量性カップリン
グによりアノード電極１とＲＦカップリング電極２２と
を高周波回路的に連通させるように構成すれば，上記の
ような問題は生じない。更に，図１０に示すように，静
電チャック電極６を上記ＲＦカップリング電極２２とし
て兼用すれば，装置構成及び製作工程を簡略化すること
ができ，コスト低減や信頼性向上が期待できる。
【００１４】また，周知の如く，ＩＣＰ装置において
は，アンテナとプラズマとの間に導電性部材を配置する
場合には，該導電性部材の形状は渦電流発生を阻止しう
るものとする必要がある。有アノード型ＩＣＰである上
記プラズマ処理装置Ｚ２では，静電チャック電極６やＲ
Ｆカップリング電極２２に例えば図１１に示すようなス
リット２３を設けることで，渦電流発生を阻止しうる構
成とすることが可能である。更に，上記プラズマ処理装
置Ｚ２にヒータを設置する場合には，当然ながらヒータ
線とアンテナとの相互インダクタンスを極力小さくする
ことが望ましい。具体的には，例えば図１２に示すよう
に，ヒータ１８′のＩＮ側線とＯＵＴ側線とをペアにし
て絶縁層７内に平面的に埋め込み，上記ＩＮ側線とＯＵ
Ｔ側線との間隔は所定の絶縁性を確保できる程度で極力
狭くすればよい。
は，アンテナとプラズマとの間に導電性部材を配置する
場合には，該導電性部材の形状は渦電流発生を阻止しう
るものとする必要がある。有アノード型ＩＣＰである上
記プラズマ処理装置Ｚ２では，静電チャック電極６やＲ
Ｆカップリング電極２２に例えば図１１に示すようなス
リット２３を設けることで，渦電流発生を阻止しうる構
成とすることが可能である。更に，上記プラズマ処理装
置Ｚ２にヒータを設置する場合には，当然ながらヒータ
線とアンテナとの相互インダクタンスを極力小さくする
ことが望ましい。具体的には，例えば図１２に示すよう
に，ヒータ１８′のＩＮ側線とＯＵＴ側線とをペアにし
て絶縁層７内に平面的に埋め込み，上記ＩＮ側線とＯＵ
Ｔ側線との間隔は所定の絶縁性を確保できる程度で極力
狭くすればよい。
【００１５】また，上記プラズマ処理装置Ｚ２のように
ＩＣＰ装置で複数のアンテナを用いる場合には，プラズ
マ処理室内において各アンテナから供給されるＲＦ電界
の及ぶ範囲をそれぞれ制限すれば，プラズマ密度の空間
的分布の制御性を向上させることが可能である。各アン
テナから供給されるＲＦ電界の及ぶ範囲を制限する具体
的な方法としては，例えば図１３，図１４に示すよう
に，ＲＦシールドリング２４（ＲＦシールド手段の一
例）を絶縁層７，或いはアノード電極１に配置すること
が考えられる。ＲＦシールドリング２４を図のように配
置することにより，各アンテナ２１によるプラズマ発生
領域は，各アンテナの直下近傍に制限される。これによ
り，被処理物であるウェハ直上のどこかにプラズマ密度
の高い領域が局所的に発生したとすれば，その近傍のア
ンテナのみ，ＲＦ電力を調整すればよい。一方，上記Ｒ
Ｆシールドリング２４を配置しなければ，プラズマ密度
の高い領域が局所的に発生したとしても，比較的遠いア
ンテナからの寄与分を考慮して全てのアンテナに流れる
電流を調整せざるを得ず，制御が複雑となってしまう。
ＩＣＰ装置で複数のアンテナを用いる場合には，プラズ
マ処理室内において各アンテナから供給されるＲＦ電界
の及ぶ範囲をそれぞれ制限すれば，プラズマ密度の空間
的分布の制御性を向上させることが可能である。各アン
テナから供給されるＲＦ電界の及ぶ範囲を制限する具体
的な方法としては，例えば図１３，図１４に示すよう
に，ＲＦシールドリング２４（ＲＦシールド手段の一
例）を絶縁層７，或いはアノード電極１に配置すること
が考えられる。ＲＦシールドリング２４を図のように配
置することにより，各アンテナ２１によるプラズマ発生
領域は，各アンテナの直下近傍に制限される。これによ
り，被処理物であるウェハ直上のどこかにプラズマ密度
の高い領域が局所的に発生したとすれば，その近傍のア
ンテナのみ，ＲＦ電力を調整すればよい。一方，上記Ｒ
Ｆシールドリング２４を配置しなければ，プラズマ密度
の高い領域が局所的に発生したとしても，比較的遠いア
ンテナからの寄与分を考慮して全てのアンテナに流れる
電流を調整せざるを得ず，制御が複雑となってしまう。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明は，所定の
容器内に，被処理物が保持されるカソード電極と，該カ
ソード電極に対向するアノード電極とが設けられたプラ
ズマ処理装置において，上記容器に固定される保持部材
に，電源に接続され，絶縁層に覆われた静電チャック電
極が取り付けられ，上記アノード電極が，上記静電チャ
ック電極に電位を供給することによって得られる静電気
力によって上記保持部材に吸着保持されてなることを特
徴とするプラズマ処理装置として構成されているため，
アノード電極に締め付け力や伝熱量の不均一による温度
差が生じることがなく，アノード電極の温度差によるプ
ラズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損
などを防止できる。また，更に上記保持部材と上記アノ
ード電極との対向面間に略一様な間隙を形成し，該間隙
に伝熱用ガスを供給するようにすれば，アノード電極全
面の伝熱効率の均一性が更に高まり，それによってアノ
ード電極の温度の均一性も更に高まり，ひいてはプラズ
マ処理の均一性の更なる向上が期待できる。尚，この
時，上記間隙の周辺部をシールするシール手段を設けれ
ば，伝熱ガスがプラズマ処理空間に漏れ出してプラズマ
処理に悪影響を及ぼす不具合を防止できる。また，上記
保持部材に，上記アノード電極の周辺部を補助的に保持
するクランプを取り付ければ，上記アノード電極の保持
は更に確実なものとなる。
容器内に，被処理物が保持されるカソード電極と，該カ
ソード電極に対向するアノード電極とが設けられたプラ
ズマ処理装置において，上記容器に固定される保持部材
に，電源に接続され，絶縁層に覆われた静電チャック電
極が取り付けられ，上記アノード電極が，上記静電チャ
ック電極に電位を供給することによって得られる静電気
力によって上記保持部材に吸着保持されてなることを特
徴とするプラズマ処理装置として構成されているため，
アノード電極に締め付け力や伝熱量の不均一による温度
差が生じることがなく，アノード電極の温度差によるプ
ラズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損
などを防止できる。また，更に上記保持部材と上記アノ
ード電極との対向面間に略一様な間隙を形成し，該間隙
に伝熱用ガスを供給するようにすれば，アノード電極全
面の伝熱効率の均一性が更に高まり，それによってアノ
ード電極の温度の均一性も更に高まり，ひいてはプラズ
マ処理の均一性の更なる向上が期待できる。尚，この
時，上記間隙の周辺部をシールするシール手段を設けれ
ば，伝熱ガスがプラズマ処理空間に漏れ出してプラズマ
処理に悪影響を及ぼす不具合を防止できる。また，上記
保持部材に，上記アノード電極の周辺部を補助的に保持
するクランプを取り付ければ，上記アノード電極の保持
は更に確実なものとなる。
【００１７】また，上記保持部材に，上記アノード電極
を直接的若しくは間接的に加熱する加熱手段を設置すれ
ば，アノード電極の温度分布を能動的に制御することが
可能となり，より確実にアノード電極の温度分布の均一
化を図ることができる。このとき，上記保持部材に，上
記アノード電極の温度を直接的若しくは間接的に測定す
る温度測定手段を設置し，温度制御手段により，上記温
度測定手段による測定温度に基づいて上記加熱手段を制
御するようにすれば，アノード電極へのプラズマ流入熱
の時間的変動に追従させ，アノード電極の温度分布を常
に均一に保つことが可能である。
を直接的若しくは間接的に加熱する加熱手段を設置すれ
ば，アノード電極の温度分布を能動的に制御することが
可能となり，より確実にアノード電極の温度分布の均一
化を図ることができる。このとき，上記保持部材に，上
記アノード電極の温度を直接的若しくは間接的に測定す
る温度測定手段を設置し，温度制御手段により，上記温
度測定手段による測定温度に基づいて上記加熱手段を制
御するようにすれば，アノード電極へのプラズマ流入熱
の時間的変動に追従させ，アノード電極の温度分布を常
に均一に保つことが可能である。
【００１８】更に，上記保持部材の内部若しくは上方
に，誘導結合プラズマ励起用のアンテナを設置し，有ア
ノード型ＩＣＰ装置とすることも可能である。このと
き，上記保持部材若しくは上記アノード電極の所定位置
に，上記アンテナから供給されるＲＦ電界を部分的にシ
ールドするＲＦシールド手段を設置すれば，各アンテナ
のＲＦ電界の及ぶ範囲をそれぞれ制限することができ，
プラズマ密度の空間的分布の制御性を向上させることが
可能である。また，アノード電極にＲＦ電力を供給する
場合には，上記保持部材に，高周波ＲＦ電源に接続さ
れ，絶縁層に覆われたＲＦカップリング電極を取付け，
上記ＲＦカップリング電極から上記アノード電極に対し
て間接的にＲＦ電力を供給するように構成することもで
きる。これにより，アノード電極に接点を設ける必要が
ないため，接点部分における局部加熱を防止でき，プラ
ズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損と
いった不具合を防止できる。また，その場合，上記静電
チャック電極を上記ＲＦカップリング電極として兼用す
れば，装置構成及び製作工程を簡略化することができ，
コスト低減や信頼性向上が期待できる。
に，誘導結合プラズマ励起用のアンテナを設置し，有ア
ノード型ＩＣＰ装置とすることも可能である。このと
き，上記保持部材若しくは上記アノード電極の所定位置
に，上記アンテナから供給されるＲＦ電界を部分的にシ
ールドするＲＦシールド手段を設置すれば，各アンテナ
のＲＦ電界の及ぶ範囲をそれぞれ制限することができ，
プラズマ密度の空間的分布の制御性を向上させることが
可能である。また，アノード電極にＲＦ電力を供給する
場合には，上記保持部材に，高周波ＲＦ電源に接続さ
れ，絶縁層に覆われたＲＦカップリング電極を取付け，
上記ＲＦカップリング電極から上記アノード電極に対し
て間接的にＲＦ電力を供給するように構成することもで
きる。これにより，アノード電極に接点を設ける必要が
ないため，接点部分における局部加熱を防止でき，プラ
ズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損と
いった不具合を防止できる。また，その場合，上記静電
チャック電極を上記ＲＦカップリング電極として兼用す
れば，装置構成及び製作工程を簡略化することができ，
コスト低減や信頼性向上が期待できる。
【図１】 本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置
Ｚ１の概略構成を示す縦断面模式図。
Ｚ１の概略構成を示す縦断面模式図。
【図２】 図１におけるアノード電極１の周辺部の拡大
図。
図。
【図３】 静電チャック電極を単極構造とした場合の模
式図。
式図。
【図４】 静電チャック電極を双極構造とした場合の模
式図。
式図。
【図５】 伝熱ガス充填用間隙８をシールするシール材
１７の取付け例。
１７の取付け例。
【図６】 上記シール材１７の他の取付け例。
【図７】 ヒータ１８及び測温素子１９の配置例。
【図８】 本発明を有アノード型ＩＣＰに応用したプラ
ズマ処理装置Ｚ２の概略構成を示す縦断面模式図。
ズマ処理装置Ｚ２の概略構成を示す縦断面模式図。
【図９】 ＲＦカップリング電極２２の配置例。
【図１０】 静電チャック電極６を上記ＲＦカップリン
グ電極２２として兼用した場合の構成例。
グ電極２２として兼用した場合の構成例。
【図１１】 上記プラズマ処理装置Ｚ２における静電チ
ャック電極６或いはＲＦカップリング電極２２の構成
例。
ャック電極６或いはＲＦカップリング電極２２の構成
例。
【図１２】 上記プラズマ処理装置Ｚ２におけるヒータ
１８′の構成例。
１８′の構成例。
【図１３】 ＲＦシールドリング２４の配置例。
【図１４】 ＲＦシールドリング２４のその他の配置
例。
例。
１…アノード電極 ２…カソード電極 ３…チャック保持ブロック（保持部材の一例） ４…クランプ ５…チャンバ（所定の容器に相当） ６…静電チャック電極 ７…絶縁層 ８…伝熱ガス充填用間隙 ９…冷媒溝 １０…プロセスガスチャネル １１…伝熱用ガスチャネル １２…プロセスガス供給口 １３，１４…連通路 １５…プラズマ処理空間 １６…高電圧供給線 １７…シール １８…ヒータ（加熱手段の一例） １９…測温素子（温度測定手段の一例） ２１…アンテナ ２２…ＲＦカップリング電極 ２３…スリット ２４…ＲＦシールドリング（ＲＦシールド手段の一例）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂山 和基 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 楠見 之博 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 細川 佳之 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 宗政 淳 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K057 DA16 DD01 DG20 DM05 DM06 5F004 AA01 BA04 CB20 5F031 CA02 HA18 HA19 HA37 JA46 MA22 MA32 PA11 PA30
Claims (11)
- 【請求項１】 所定の容器内に，被処理物が保持される
カソード電極と，該カソード電極に対向するアノード電
極とが設けられたプラズマ処理装置において，上記容器
に固定される保持部材に，電源に接続され，絶縁層に覆
われた静電チャック電極が取り付けられ，上記アノード
電極が，上記静電チャック電極に電位を供給することに
よって得られる静電気力によって上記保持部材に吸着保
持されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 上記保持部材と上記アノード電極との対
向面間に略一様な間隙が形成され，上記間隙に伝熱用ガ
スが供給されてなる請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 上記間隙の周辺部をシールするシール手
段を具備してなる請求項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 上記保持部材に，上記アノード電極の周
辺部を補助的に保持するクランプが取り付けられてなる
請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 上記保持部材に，上記アノード電極の周
辺部を補助的に保持するクランプが取り付けられ，上記
シール手段が，上記クランプと上記保持部材との間，及
び上記クランプと上記アノード電極との間に設けられて
なる請求項３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 上記保持部材に設置され，上記アノード
電極を直接的若しくは間接的に加熱する加熱手段を具備
してなる請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項７】 上記保持部材に設置され，上記アノード
電極の温度を直接的若しくは間接的に測定する温度測定
手段と，上記温度測定手段による測定温度に基づいて上
記加熱手段を制御する温度制御手段とを具備してなる請
求項６記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 上記保持部材の内部若しくは上方に，誘
導結合プラズマ励起用のアンテナが設置されてなる請求
項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 上記保持部材若しくは上記アノード電極
の所定位置に，上記アンテナから供給されるＲＦ電界を
部分的にシールドするＲＦシールド手段が設置されてな
る請求項８記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 上記保持部材に，高周波ＲＦ電源に接
続され，絶縁層に覆われたＲＦカップリング電極が取り
付けられ，上記ＲＦカップリング電極から上記アノード
電極に対して間接的にＲＦ電力が供給されるように構成
されてなる請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項１１】 上記静電チャック電極が，上記ＲＦカ
ップリング電極として兼用されてなる請求項１０記載の
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25820199A JP4323021B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25820199A JP4323021B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085398A true JP2001085398A (ja) | 2001-03-30 |
| JP4323021B2 JP4323021B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=17316921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25820199A Expired - Lifetime JP4323021B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4323021B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009212340A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法 |
| JP2011530143A (ja) * | 2008-07-30 | 2011-12-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フィールド強化型誘導結合プラズマ（ｆｅ−ｉｃｐ）リアクタ |
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