JP2023031716A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理時に生じ得るフォーカスリングの外側近傍に設けられた導電性部材とフォーカスリングとの間の電位差を低減する。【解決手段】導電性リングはカバーリングに載置されている。高周波電源は載置台に結合されている。第１の給電ラインはフォーカスリングに電気的に接続されている。第２の給電ラインは導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置は第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続され第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置はフォーカスリング及び導電性リングのそれぞれに同じ又は異なる直流電圧を印加するように構成されている。フォーカスリングの外周部にある第１の面と導電性リングの内周部にある第２の面とは、互いに対向して離隔している。カバーリングはフォーカスリングと導電性リングとを離隔させる離隔部を有する。【選択図】図２

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

基板処理を行うプラズマ処理装置は、例えば特許文献１に開示されているように、フォーカスリング（focus ring）及びカバーリング（cover ring）を備える構成を有し得る。半導体基板の周囲を囲むように導電性のフォーカスリングを配置することにより、基板端部におけるバイアス電位の不連続性が緩和され、プラズマ処理の均一性が向上する。このフォーカスリング（エッジリングとも呼ばれる）の周囲には、石英のカバーリングが設けられる。

特開２０１８－２０６９１３号公報

本開示は、プラズマ処理時に生じ得るフォーカスリングの外側近傍に設けられた導電性部材とフォーカスリングとの間の電位差を低減するための技術を提供する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、載置台、フォーカスリング、カバーリング、導電性リング、高周波電源、第１の給電ライン、第２の給電ライン、直流電源装置を備える。載置台は、基板を載置する基板載置部と基板載置部を取り囲む周縁部とを有する。フォーカスリングは、載置台の周縁部に載置され、導電性を有する。カバーリングは、載置台の外周を囲み、誘電体で構成されている。導電性リングは、カバーリングに載置されている。高周波電源は、載置台に結合されている。第１の給電ラインは、フォーカスリングに電気的に接続されている。第２の給電ラインは、導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置は、第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続され、第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置は、フォーカスリング及び導電性リングのそれぞれに同じ又は異なる直流電圧を印加するように構成されている。フォーカスリングの外周部にある第１の面と、導電性リングの内周部にある第２の面とは、互いに対向して離隔している。カバーリングは、フォーカスリングと導電性リングとを離隔させる離隔部を有する。

一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理時に生じ得るフォーカスリングの外側近傍に設けられた導電性部材とフォーカスリングとの間の電位差を低減するための技術が提供される。

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の一例を示す図である。 図１に示す直流電源装置ＤＣの構成の一例を示す図である。 図１に示す直流電源装置ＤＣの構成の他の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の他の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の他の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の他の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の他の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る導電性リングの構成の他の一例を示す図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

プラズマ処理装置を用いたエッチング技術には生産性改善に必要なハイパワー化が求められ得る。この場合、例えば、チャンバ内パーツの消耗が加速すること、スパッタの増加に伴うパーティクルが増加すること、等の問題に対応することが求められる。これらの問題に対応するため、耐久性の高い導体材料の導電性リング（導電性部材）を用いる場合がある。導電性リングは、カバーリング上に設けられ、フォーカスリングの外周部とキャパシタを形成し得る。プラズマ処理時において、導電性リングには、フォーカスリングと同様に、オフセット電位（Ｖｄｃ）が生じ得る。堆積物（デポ）が多いプロセスではスパッタを増やすためにより高いＶｄｃを生じさせるために、フォーカスリングと導電性リングとの間のキャパシタンスをより小さくすることが考えられる。しかしこのような場合には、フォーカスリングと導電性リングとの間の電位差（キャパシタ内の電界）がより強くなるために、フォーカスリングと導電性リングとの間に放電が発生し得る。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、載置台、フォーカスリング、カバーリング、導電性リング、高周波電源、第１の給電ライン、第２の給電ライン、直流電源装置を備える。載置台は、基板を載置する基板載置部と基板載置部を取り囲む周縁部とを有する。フォーカスリングは、載置台の周縁部に載置され、導電性を有する。カバーリングは、載置台の外周を囲み、誘電体で構成されている。導電性リングは、カバーリングに載置されている。高周波電源は、載置台に結合されている。第１の給電ラインは、フォーカスリングに電気的に接続されている。第２の給電ラインは、導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置は、第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続され、第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続されている。直流電源装置は、フォーカスリング及び導電性リングのそれぞれに同じ又は異なる直流電圧を印加するように構成されている。フォーカスリングの外周部にある第１の面と、導電性リングの内周部にある第２の面とは、互いに対向して離隔している。カバーリングは、フォーカスリングと導電性リングとを離隔させる離隔部を有する。

このように上記構成のプラズマ処理装置は、フォーカスリング及び導電性リングのそれぞれに第１の給電ライン及び第２の給電ラインを介して直流電源装置から同じ又は異なる直流電圧が印加され得る構成を有している。従って、フォーカスリングと導電性リングとの間の電位差は、第１の給電ライン及び第２の給電ラインのそれぞれを介して供給される直流電圧によって低減又は解消される。

一つの例示的実施形態において、フォーカスリングの内周部は、載置台の周縁部により支持されている。フォーカスリングの外周部は、カバーリングの内周部上面を覆う。

一つの例示的実施形態において、フォーカスリングと導電性リングは、第１の面と第２の面で容量結合している。

一つの例示的実施形態において、第１の面と第２の面との間の距離は、ゼロより大きく、且つ、フォーカスリングの厚みよりも小さい。

一つの例示的実施形態において、導電性リングの内周部下面は、フォーカスリングの外周部下面よりも下方に位置する。

一つの例示的実施形態において、離隔部は、導電性リングの内周部側面が当接するように構成されており、カバーリングの表面に形成された段差部である。

一つの例示的実施形態において、離隔部は、カバーリングの表面に形成された溝部である。導電性リングの内周部下面は、溝部内に収容される。

一つの例示的実施形態において、第１の面は、フォーカスリングの外周部側面である。第２の面は、導電性リングの内周部側面である。

一つの例示的実施形態において、第１の面は、フォーカスリングの外周部下面である。第２の面は、導電性リングの内周部上面である。

一つの例示的実施形態において、フォーカスリングの外周部側面と、導電性リングの内周部側面とが、互いに対向して離隔している。

一つの例示的実施形態において、フォーカスリングの外周部下面と対向する導電性リングの内周部上面の面積は、フォーカスリングの外周部側面と対向する導電性リングの内周部側面の面積よりも大きい。

一つの例示的実施形態において、フォーカスリングの外周部下面と導電性リングの内周部上面との間の隙間は、フォーカスリングの外周部側面と導電性リングの内周部側面との間の隙間よりも狭い。

一つの例示的実施形態において、第１の面は、フォーカスリングの外周部上面であり、第２の面は、導電性リングの内周部下面である。

一つの例示的実施形態において、直流電源装置は、第１のフィルタ、第２のフィルタ及び直流電源を備える。第１のフィルタは、第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続される。第２のフィルタは、第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続される。直流電源は、第１のフィルタ及び第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続される。直流電源は、第２のフィルタ及び第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続される。直流電源は、フォーカスリング及び導電性リングに共通の直流電圧を印加するように構成されている。第１のフィルタ及び第２のフィルタは、高周波電源から出力される高周波の直流電源への入力を遮断するように構成されている。

一つの例示的実施形態において、直流電源装置は、第１の直流電源及び第２の直流電源を備える。第１の直流電源は、第１の給電ラインを介してフォーカスリングに電気的に接続されている。第１の直流電源は、フォーカスリングに直流電圧を印加するように構成されている。第２の直流電源は、第２の給電ラインを介して導電性リングに電気的に接続されている。第２の直流電源は、導電性リングに直流電圧を印加するように構成されている。第１の直流電源及び第２の直流電源は、互いに独立に直流電圧を出力するように構成されている。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、制御部を更に備える。制御部は、第１の直流電源及び第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御するように構成されている。制御部は、フォーカスリング及び導電性リングの電位差を低減するように、第１の直流電源及び第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御する。

一つの例示的実施形態において、制御部は、フォーカスリングの電位及び導電性リングの電位を揃えるように、第１の直流電源及び第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、複数の第１の給電ライン及び複数の第２の給電ラインを備える。フォーカスリングは、載置台の周縁部に沿って延びている形状を有する。導電性リングは、フォーカスリングを囲むように延びている形状を有する。複数の第１の給電ラインは、フォーカスリングの周方向に互いに離隔して配置されている。複数の第２の給電ラインは、導電性リングの周方向に互いに離隔して配置されている。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部空間１２ｃを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有する。チャンバ本体１２の材料は、例えばアルミニウムであり得る。チャンバ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜の材料は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであり得る。

チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１２ｐを通して内部空間１２ｃとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられるゲートバルブ１２ｇによって開閉される。

チャンバ本体１２の底部上には、筒状部２８が設けられている。筒状部２８の材料は、絶縁材料であり得る。筒状部２８は、略円筒形状を有する。筒状部２８は、内部空間１２ｃの中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。

内部空間１２ｃ内では、支持部１５が、略円筒形状の筒状部２８の内側の側面に沿ってチャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１５は、略円筒形状を有している。支持部１５の材料は、セラミック等の絶縁材料であり得る。支持部１５上には載置台１６が搭載されている。載置台１６は、支持部１５によって支持されている。載置台１６は、内部空間１２ｃの中において、基板Ｗを支持するように構成されている。

載置台１６は、支持部１５上に設けられる。載置台１６は、載置部３１、基台１８、電極プレート２１を備える。

載置部３１は、基板Ｗを載置する領域である基板載置部３１ａと、基板載置部３１ａを取り囲む領域である周縁部３１ｂを備える。周縁部３１ｂには導電性を有するフォーカスリングＦＲが載置される。導電性リングＤＲは、フォーカスリングＦＲの外周ＯＰｃに沿って同心円状にカバーリングＣＲの上に載置される。載置部３１は、静電チャック２０で構成してもよい。

カバーリングＣＲは、筒状部２８上に設けられる。カバーリングＣＲは、絶縁体であり、載置台１６の外周に沿って延在している。カバーリングＣＲは、載置部３１の上方から見て（上部電極３０の側から見て）、載置部３１の外周を囲むように設けられる。カバーリングＣＲの材料は、絶縁性を有する材料であり、例えば石英又はアルミナなどのセラミックであり得る。カバーリングＣＲは、複数の誘電体部品で構成し得る。

導電性リングＤＲは、カバーリングＣＲの上方に配置される。導電性リングＤＲは、載置部３１の上方から見て、フォーカスリングＦＲを囲むように設けられる。導電性リングＤＲは、略環状板形状を有しており、導電性を有する材料から形成されている。導電性リングＤＲの材料は、例えば、シリコン（Si）やシリコンカーバイド（SiC）であり得る。

電極プレート２１は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有する。基台１８は、電極プレート２１上に設けられている。基台１８は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有する。基台１８は、電極プレート２１に電気的に接続されており、下部電極として機能する。

静電チャック２０は、載置部３１として基台１８上に設けられている。静電チャック２０の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有する。静電チャック２０の本体の材料は、誘電体である。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。その静電引力によって、基板Ｗが静電チャック２０に保持される。

フォーカスリングＦＲは、基板載置部３１ａに載置された基板Ｗの外周を囲むように、周縁部３１ｂに配置される。フォーカスリングＦＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。フォーカスリングＦＲは、略環状板形状を有しており、導電性を有する材料から形成されている。フォーカスリングＦＲの材料は、例えばシリコン（Si）またはシリコンカーバイド（SiC）であり得る。

基台１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット（図示しない）から配管２３ａを介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２３ｂを介してチラーユニットに戻される。プラズマ処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と基台１８との熱交換によって、調整され得る。

プラズマ処理装置１には、ガス供給ライン２５が設けられている。ガス供給ライン２５は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばHeガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。

プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、載置台１６の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。部材３２の材料は、絶縁性を有する材料であり得る。上部電極３０と部材３２とは、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。

上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１２ｃの側の下面であり、内部空間１２ｃを画成する。天板３４は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４は、天板３４をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａを有する。

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６の材料は、アルミニウム等の導電性材料であり得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４４、流量制御器群４２、及びガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４４、及び流量制御器群４２、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含む。バルブ群４４は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４４の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群４２の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。

筒状部２８とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することによって構成される。バッフルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８よりも下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口が設けられている。排気口には、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。

プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を備えている。第１の高周波電源６２は、第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば27～100［MHz］の範囲内の周波数である。第１の高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート２１を介して基台１８に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（基台１８の側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。

第２の高周波電源６４は、第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力は、第１の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第１の高周波電力と共に第２の高周波電力が用いられる場合には、第２の高周波電力は基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第２の高周波電力の周波数は、例えば400［kHz］～13.56［MHz］の範囲内の周波数である。第２の高周波電源６４は、整合器６８及び電極プレート２１を介して基台１８に接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（基台１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。また、第２の高周波電力の代わりに基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の直流電圧を印加してもよい。バイアス用の直流電圧は負電圧のパルスであってもよい。また、バイアス用の直流電圧は静電チャック２０の内部に設けられた電極に印加されてもよい。

なお、第１の高周波電力を用いずに、第２の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第２の高周波電力の周波数は、13.56［MHz］よりも大きな周波数、例えば40［MHz］であり得る。プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源６２及び整合器６６を備えなくてもよい。

プラズマ処理装置１において、ガス供給部から内部空間１２ｃにガスが供給されて、プラズマが生成される。第１の高周波電力及び第２の高周波電力の少なくとも一方が供給されることによって、上部電極３０と基台１８（下部電極）との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界によってプラズマが生成される。

プラズマ処理装置１は、制御部ＭＣを更に備え得る。制御部ＭＣは、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部ＭＣは、プラズマ処理装置１の各部を制御する。

制御部ＭＣでは、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部ＭＣでは、表示装置によって、プラズマ処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、プラズマ処理装置１で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従ってプラズマ処理装置１の各部を制御する。

図１と共に図２を更に参照して、図１に示す載置台１６の領域ＥＲの構成を更に説明する。特に、導電性リングＤＲ、フォーカスリングＦＲの構成を詳細に説明する。

図２に示す例のように、カバーリングＣＲは内側カバーリングＣＲａと外側カバーリングＣＲｂの二つの誘電体部材で構成されている。なお、カバーリングＣＲは、一つの誘電体部材で構成してもよいし、３つ以上の誘電体部材で構成してもよい。

フォーカスリングＦＲの内周側（内周部）は載置部３１の周縁部３１ｂである静電チャック２０上に載置され、外周側（外周部）は内側カバーリングＣＲａを覆うように配置される。フォーカスリングＦＲの外周部は、内側カバーリングＣＲａに載置されていてもよい。フォーカスリングＦＲの内周部が周縁部３１ｂで確実に支持されるよう、内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａを周縁部３１ｂの上面よりも低く形成し、フォーカスリングＦＲの外周部下面と内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａとの間に隙間が設けられてもよい。すなわち、フォーカスリングＦＲの外周部は内側カバーリングＣＲａに載置されていなくてもよい。静電チャック２０の本体の厚みは、内側カバーリングＣＲａの厚みと比較して極めて小さい。このため、フォーカスリングＦＲは、静電チャック２０を介して第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４と高周波回路として結合している。

給電ラインＳＰは、フォーカスリングＦＲに電気的に接続されている。給電ラインＳＱは、導電性リングＤＲに電気的に接続されている。直流電源装置ＤＣは、給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続され、給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続されている。直流電源装置ＤＣは、フォーカスリングＦＲ及び導電性リングＤＲのそれぞれに同じ又は異なる直流電圧を印加するように構成されている。

直流電源装置ＤＣは、図３に示す構成及び図４に示す構成の何れか一方の構成を有する。図３及び図４を参照して直流電源装置ＤＣの構成を説明する。まず、図３に示す直流電源装置ＤＣの構成を説明する。直流電源装置ＤＣは、フィルタＦＴ１、フィルタＦＴ２及び直流電源ＤＣＳを備える。フィルタＦＴ１は、給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続される。フィルタＦＴ２は、給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続される。直流電源ＤＣＳは、フィルタＦＴ１及び給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続される。直流電源ＤＣＳは、フィルタＦＴ２及び給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続される。直流電源ＤＣＳは、フォーカスリングＦＲ及び導電性リングＤＲに共通の直流電圧を印加するように構成されている。フィルタＦＴ１及びフィルタＦＴ２は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４のそれぞれから出力される高周波の直流電源ＤＣＳへの入力を遮断するように構成されている。例えば、フィルタＦＴ１はフォーカスリングＦＲから給電ラインＳＰを介して入力する高周波を遮断し、フィルタＦＴ２は導電性リングＤＲから給電ラインＳＱを介して入力する高周波を遮断する。フィルタＦＴ１及びフィルタＦＴ２によって、高周波によって直流電源ＤＣＳが受ける影響を低減又は解消し得る。制御部ＭＣは、直流電源ＤＣＳから出力される直流電圧を制御するように構成されている。

上記のように図３に示す構成の直流電源装置ＤＣを備えるプラズマ処理装置は、フォーカスリングＦＲ及び導電性リングＤＲのそれぞれに給電ラインＳＰ及び給電ラインＳＱを介して直流電源装置ＤＣから共通の（同じ）直流電圧が印加され得る構成を有している。従って、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間の電位差は、給電ラインＳＰ及び給電ラインＳＱのそれぞれを介して供給される直流電圧によって低減される。

プラズマ処理装置１が図３に示す構成を有する直流電源装置ＤＣを備える場合における直流電圧の印加の態様について、概略的に説明する。まず、エッチング処理が予め施された基板の端部に形成された溝の傾き（基板表面に対する垂直方向からの傾き）から、当該傾きを解消するために必要となるフォーカスリングＦＲに印加する直流電圧（直流電源ＤＣＳから出力する直流電圧）を取得する。例えば当該溝の傾きと直流電源ＤＣＳから出力する直流電圧との対応関係は予めテーブル等によって設けられている。制御部ＭＣは、プラズマ処理を実行している場合（第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４から高周波を出力している場合）において、当該テーブル等から取得した直流電圧を出力するように直流電源ＤＣＳを制御する。

次に図４に示す直流電源装置ＤＣの構成を説明する。直流電源装置ＤＣは、直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２を備える。直流電源ＤＣＳ１は、給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続されている。直流電源ＤＣＳ１は、フォーカスリングＦＲに直流電圧を印加するように構成されている。直流電源ＤＣＳ２は、給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続されている。直流電源ＤＣＳ２は、導電性リングＤＲに直流電圧を印加するように構成されている。直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２は、互いに独立に直流電圧を出力するように構成されている。制御部ＭＣは、直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２のそれぞれから出力される直流電圧を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、フォーカスリングＦＲ及び導電性リングＤＲの電位差を低減するように、直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２のそれぞれから出力される直流電圧を制御する。例えば、制御部ＭＣは、フォーカスリングＦＲの電位及び導電性リングＤＲの電位を揃えるように、直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２のそれぞれから出力される直流電圧を制御する。

上記のように図４に示す構成の直流電源装置ＤＣを備えるプラズマ処理装置は、フォーカスリングＦＲ及び導電性リングＤＲのそれぞれに給電ラインＳＰ及び給電ラインＳＱを介して直流電源装置ＤＣから互いに異なる直流電圧が印加され得る構成を有している。従って、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間の電位差は、給電ラインＳＰ及び給電ラインＳＱのそれぞれを介して供給される直流電圧によって低減又は解消される。

プラズマ処理装置１が図４に示す構成を有する直流電源装置ＤＣを備える場合における直流電圧の印加の態様について、概略的に説明する。まず、エッチング処理が予め施された基板の端部に形成された溝の傾き（基板表面に対する垂直方向からの傾き）から、当該傾きを解消するために必要となる直流電圧を取得する。取得する直流電圧は、フォーカスリングＦＲに印加する直流電圧（直流電源ＤＣＳ１から出力する直流電圧）及び導電性リングＤＲに印加する直流電圧（直流電源ＤＣＳ２から出力する直流電圧）である。例えば当該溝の傾きと直流電源ＤＣＳ１から出力する直流電圧と直流電源ＤＣＳ２から出力する直流電圧との対応関係は予めテーブル等によって設けられている。制御部ＭＣは、プラズマ処理を実行している場合（第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４から高周波を出力している場合）において、当該テーブル等から取得した各直流電圧を出力するように直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２を制御する。

図２に戻って説明する。導電性リングＤＲは、外側カバーリングＣＲｂの上に載置されている。外側カバーリングＣＲｂの厚みは大きいため、導電性リングＤＲは、外側カバーリングＣＲｂを介して第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４と高周波回路として結合していない。

外側カバーリングＣＲｂは、内周側の上面ＳＦｃと外周側の上面ＳＦｄを備える。外側カバーリングＣＲｂの内周側は、フォーカスリングＦＲに近いため、外周側よりも消耗しやすい。したがって、図２の例では、消耗しやすい箇所（外側カバーリングＣＲｂの内周側の上面ＳＦｃ）のみを覆うように導電性リングＤＲを配置している。すなわち、導電性リングＤＲの外周ＯＰｄは、カバーリングＣＲの外周ＯＰｅよりも内側に位置するよう配置され、カバーリングＣＲの外周上面がプラズマ処理空間（内部空間１２ｃ）に露出している。なお、導電性リングＤＲは、外側カバーリングＣＲｂの上面全てを覆うように配置してもよい。また、図２の例では、外周側の上面ＳＦｄと導電性リングＤＲで覆われている内周側の上面ＳＦｃとが同一平面上にあるように構成されているが、同一平面上にないように構成してもよい。例えば、導電性リングＤＲによって覆われない外側カバーリングＣＲｂの上面ＳＦｄは、導電性リングＤＲの上面ＳＦｂより高くなるようにしてもよいし、同一の高さにしてもよい。

図２に示すように、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間には、空隙ＡＳが設けられている。より具体的に、フォーカスリングＦＲの外周ＯＰｃにある第１側面ＳＳａと、導電性リングＤＲの内周ＩＰｂにある第２側面ＳＳｂとは、互いに対向して離隔している。導電性リングＤＲの内周下面ＩＬＳｂは、フォーカスリングＦＲの外周下面ＩＬＳａよりも下方に位置する。

図２に示す例のように、第２側面ＳＳｂの面積は、導電性リングＤＲの上面ＳＦｂの面積よりも小さくなるように構成されている。導電性リングＤＲの上面ＳＦｂは、フォーカスリングＦＲの上面よりも高くなっている。換言すれば、導電性リングＤＲの内周ＩＰｂの厚みは、フォーカスリングＦＲの外周ＯＰｃの厚みよりも厚くなっている。

第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとの間の距離ＧＡは、空隙ＡＳの幅である。後述する通り、第１側面ＳＳａ及び第２側面ＳＳｂはキャパシタとして機能する。したがって、距離ＧＡは、ゼロより大きく、且つ、フォーカスリングＦＲの厚みＳＨよりも小さいことがあり得る。

カバーリングＣＲは、更に離隔部ＤＴを備える。離隔部ＤＴは、フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂとを離隔させる。

図２に示す例のように、内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａよりも外側カバーリングＣＲｂの内周側の上面ＳＦｃを低く構成することにより、内側カバーリングＣＲａと外側カバーリングＣＲｂとの間に段差部を設けることで離隔部ＤＴを構成している。段差部と導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂとが当接するため、導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂとフォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａとは接触しない。すなわち、離隔部ＤＴを設けることにより、第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとが接触し、キャパシタとして機能しなくなることを防ぐことができる。

上記した構成の載置台１６において、導電性リングＤＲはカバーリングＣＲの上に配置される。カバーリングＣＲの厚みは静電チャック２０の本体の厚みと比較して大きいため、導電性リングＤＲは、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４とカバーリングＣＲを介して高周波回路として結合されていない。また、フォーカスリングＦＲの外周ＯＰｃの第１側面ＳＳａと、導電性リングＤＲの内周ＩＰｂの第２側面ＳＳｂとは、互いに対向して離隔している。従って、第１側面ＳＳａ及び第２側面ＳＳｂは、キャパシタとして機能する。すなわち、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとが、第１側面ＳＳａ及び第２側面ＳＳｂにて容量結合する。高周波電力が基台１８に印加されると、フォーカスリングＦＲの外周ＯＰｃにある第１側面ＳＳａに存在する正または負の電荷により、導電性リングＤＲの内部で静電誘導が生じる。このため、導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂに集まった電荷と等量かつ逆の電荷が、プラズマの電位に引き寄せられて導電性リングＤＲの上面ＳＦｂに集まる。上面ＳＦｂの面積は、第２側面ＳＳｂの面積よりも大きいため、上面ＳＦｂに存在する単位面積当たりの電荷の量は、第２側面ＳＳｂに存在する単位面積当たりの電荷の量より小さくなる。したがって、フォーカスリングＦＲの電位よりも導電性リングＤＲの電位が低くなり、導電性リングＤＲに向かうプラズマ中のイオンの加速が低減される。よって、導電性リングＤＲ（すなわち、フォーカスリングＦＲの外側の領域）がスパッタされにくくなる。

導電性リングＤＲは、カバーリングＣＲの消耗しやすい箇所を覆うように配置され、カバーリングＣＲよりもスパッタに対する耐性が高い材質で形成されている。また、導電性リングＤＲに向かうイオンの加速が低減されるため、導電性リングＤＲ自体もスパッタされにくくなっている。したがって、フォーカスリングＦＲの外周周囲のカバーリングＣＲの消耗により、フォーカスリングＦＲのカソードとしての面積の変動を抑制することができる。このため、基板端部におけるチルティングの発生等のプロセス変動を抑制することができる。

また、導電性リングＤＲの上面ＳＦｂの面積を調整することによって、導電性リングＤＲの上面ＳＦｂの電位を調整することができる。

さらに、導電性リングＤＲは、フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと対向して配置される。フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａの側方側に物体（導電性リングＤＲ）が存在するため、第１側面ＳＳａに向かうイオンは導電性リングＤＲにより遮られる。よって、フォーカスリングＦＲは第１側面ＳＳａからスパッタされにくくなるため、フォーカスリングＦＲの消耗を抑制することができる。

なお、図２に示す例のように、基板載置部３１ａとフォーカスリングＦＲを載置する周縁部３１ｂを静電チャック２０で構成しているが、これに限られない。基板載置部３１ａの静電チャックと周縁部３１ｂの静電チャックは、それぞれ独立して設けてもよい。また、図５に示すように、基板載置部３１ａのみを静電チャック２０とし、周縁部３１ｂを基台１８にて構成してもよい。また、フォーカスリングＦＲの内周側だけでなく、フォーカスリング全体を周縁部３１ｂに載置するようにしてもよい。周縁部３１ｂは、基板載置部３１ａよりも低く形成し、段差部としてもよい。

また、図２に示す例のように、内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａよりも外側カバーリングＣＲｂの内周側の上面ＳＦｃを低く構成することにより、離隔部ＤＴを構成したが、これに限られない。図６に示すように、導電性リングＤＲが載置されているカバーリングＣＲに凹状の溝を設け、導電性リングＤＲの内周下面ＩＬＳｂを下方に向けて凸状に設けられていても良い。この場合、導電性リングＤＲの内周下面ＩＬＳｂは、カバーリングＣＲの凹部（溝）内に収容される。凸状の内周下面ＩＬＳｂが凹状の溝に嵌め込まれることによって、カバーリングＣＲにおける導電性リングＤＲの位置が安定的に維持され得る。なお、図６では離隔部ＤＴとして外側カバーリングＣＲｂに溝を設けているが、内側カバーリングＣＲａ側に設けてもよい。この場合、導電性リングＤＲの内周側は内側カバーリングＣＲａに載置され、導電性リングＤＲの外周側は外側カバーリングＣＲｂに載置される。また、図６では、フォーカスリングＦＲが載置されているカバーリングＣＲの上面ＳＦａと、導電性リングＤＲが載置されているカバーリングＣＲの上面ＳＦｃが同一の高さで構成されているが、異なる高さで構成してもよい。例えば、導電性リングＤＲが載置されているカバーリングＣＲの上面ＳＦｃが、フォーカスリングＦＲが載置されているカバーリングＣＲの上面ＳＦａよりも高くなるように構成してもよい。

また、図２に示す例のように、フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと、導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂとを、互いに対向して離隔させることによりキャパシタとして機能させているが、これに限られない。図７に示すように、フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの内周部上面とが、互いに対向して離隔するように構成してもよい。図７に示す導電性リングＤＲは、内周部の下部が内周側に突出している。導電性リングＤＲの突出した下部内周部の上面とフォーカスリングＦＲの下面とは、互いに対向して離隔している。また、フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと、導電性リングＤＲの上部内周部の側面である第２側面ＳＳｂとは、互いに対向して離隔している。

内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａよりも外側カバーリングＣＲｂの内周側の上面ＳＦｃが低くなっており、内側カバーリングＣＲａと外側カバーリングＣＲｂとの間に離隔部ＤＴとなる段差部が形成されている。導電性リングＤＲの下部内周部の側面である第３側面ＳＳｃが段差部（内側カバーリングＣＲａの外周側面）に当接するため、導電性リングＤＲの上部内周部の側面である第２側面ＳＳｂとフォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａとは接触しない。また、内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａは、導電性リングＤＲの下部内周部の上面よりも高い位置に形成されている。したがって、フォーカスリングＦＲの下面が内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａに当接するため、導電性リングＤＲの下部内周部の上面とフォーカスリング下面とは接触しない。

図７に示す例のように、第１側面ＳＳａおよび第２側面ＳＳｂのみならず、フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの下部内周部上面もキャパシタとして機能させることができる。これにより、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間のキャパシタンスを大きくすることができる。

フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの下部内周部上面との間の距離ＧＢは、第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとの間の距離ＧＡよりも小さくなるように構成してもよい。距離ＧＢは距離ＧＡよりも小さいため、第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとの間のキャパシタンスよりも、フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの下部内周部上面との間のキャパシタンスの方が大きくなる。このため、フォーカスリングＦＲおよび導電性リングＤＲの消耗により第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂの面積が変動しても、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間のキャパシタンスの変動を小さくすることができる。さらに、第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとの間の距離ＧＡを大きくすることができるため、堆積物により空隙ＡＳが閉塞してキャパシタとして機能しなくなる（もしくはキャパシタンスが大きく変動する）ことを抑制することができる。

フォーカスリングＦＲの外周部下面と対向する導電性リングＤＲの下部内周部上面の面積を、フォーカスリングＦＲの外周部側面と対向する導電性リングＤＲの内周部側面の面積よりも大きくなるように構成してもよい。フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの下部内周部上面との間のキャパシタンスが大きくなるため、フォーカスリングＦＲと導電性リングＤＲとの間のキャパシタンスの変動を小さくすることができる。

図７に示す例のように、導電性リングＤＲの内周部側面と上面との間に傾斜部を形成してもよい。傾斜部を設けることにより、フォーカスリングＦＲの上面と導電性リングＤＲの上面の高さの変化が緩和され、導電性リングＤＲおよびフォーカスリングＦＲの上方に形成されるシースの不連続性を緩和することができる。

図２～図７に示す例のように、導電性リングＤＲの上面ＳＦｂがフォーカスリングＦＲの上面よりも高くなるように構成しているが、これに限られない。導電性リングＤＲの上面ＳＦｂをフォーカスリングＦＲの上面と同じ高さになるように構成してもよいし、フォーカスリングＦＲの上面よりも低く構成してもよい。

図７に示す例のように、フォーカスリングＦＲの外周部下面と導電性リングＤＲの内周部上面とが、互いに対向して離隔している。なお、図８に示すように、フォーカスリングＦＲの外周部上面と導電性リングＤＲの内周部下面とが、互いに対向して離隔するように構成されていてもよい。

図８に示す導電性リングＤＲは、内周部の上部が内周側に突出している。導電性リングＤＲの突出した上部内周部の下面とフォーカスリングＦＲの上面とは、互いに対向して離隔している。また、フォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと、導電性リングＤＲの下部内周部の側面である第２側面ＳＳｂとは、互いに対向して離隔している。

内側カバーリングＣＲａの上面ＳＦａよりも外側カバーリングＣＲｂの内周側の上面ＳＦｃが低くなっており、内側カバーリングＣＲａと外側カバーリングＣＲｂとの間に離隔部ＤＴとなる段差部が形成されている。導電性リングＤＲの下部内周部の側面である第２側面ＳＳｂが段差部（内側カバーリングＣＲａの外周側面）に当接するため、導電性リングＤＲの上部内周部の側面である第２側面ＳＳｂとフォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａとは接触しない。また、導電性リングＤＲの突出した上部内周部の下面は、フォーカスリングの外周部の上面よりも高い位置に形成されている。したがって、導電性リングＤＲの上部内周部の下面とフォーカスリング上面とは接触しない。

図７に示す例と同様に、フォーカスリングＦＲの外周部上面と導電性リングＤＲの上部内周部下面との間の距離ＧＣは、第１側面ＳＳａと第２側面ＳＳｂとの間の距離ＧＡよりも小さくなるように構成されていてもよい。フォーカスリングＦＲの外周部上面と対向する導電性リングＤＲの上部内周部下面の面積は、フォーカスリングＦＲの外周部側面と対向する導電性リングＤＲの内周部側面の面積より大きくてもよい。

図８に示す例のように、空隙ＡＳが導電性リングＤＲの上部内周部により覆われているため、堆積物により空隙ＡＳが閉塞してキャパシタとして機能しなくなる（もしくはキャパシタンスが大きく変動する）ことを抑制することができる。

図７および図８に示す例のように、フォーカスリングＦＲの外周部下面（上面）と導電性リングＤＲの内周部上面（下面）とが互いに対向して離隔している。更にフォーカスリングＦＲの第１側面ＳＳａと導電性リングＤＲの第２側面ＳＳｂとが互いに対向して離隔している。しかしながら、フォーカスリングＦＲの外周部下面（上面）と導電性リングＤＲの内周部上面（下面）のみが互いに対向して離隔していてもよい。

図２～図８に示す例のように、フォーカスリングＦＲの外周側（外周部）で内側カバーリングＣＲａを覆うようにフォーカスリングＦＲを配置した。しかしながら、フォーカスリングＦＲ全体を静電チャック２０上または基台１８に配置しても良い。すなわち、フォーカスリングＦＲの内周側（内周部）のみならず、外周側（外周部）も載置部３１の周縁部３１ｂである静電チャック２０上または基台１８に載置してもよい。

図９には、フォーカスリングＦＲの外周部上面と導電性リングＤＲの内周部下面のみが互いに対向して離隔するように構成された例が示されている。また、フォーカスリングＦＲ全体は、静電チャック２０上に載置されている。

カバーリングＣＲの内周部は、フォーカスリングＦＲの外周部に載置されている。導電性リングＤＲはカバーリングＣＲに載置されている。導電性リングＤＲの内周部は下方に突出する突出部を有し、突出部下面（内周部下面）はフォーカスリングＦＲの外周部上面と互いに対向して離隔している。導電性リングＤＲはカバーリングＣＲに載置されているため、カバーリングＣＲ上面と導電性リングＤＲの外周部下面は当接する。すなわち、カバーリングＣＲの上面が離隔部ＤＴとなり、導電性リングＤＲの突出部下面とフォーカスリングＦＲの外周部上面とは接触しない。なお、図９に示す例のように、導電性リングＤＲの内周部に下方に突出する突出部が形成されているが、導電性リングＤＲの内周部下面とフォーカスリング外周部上面との間で十分なキャパシタンスが得られるようであれば、突出部は形成されていなくてもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる例示的実施形態における要素を組み合わせて他の例示的実施形態を形成することが可能である。

例えば、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置１は、複数の給電ラインＳＰ及び複数の給電ラインＳＱを備える。フォーカスリングＦＲは、載置台１６の周縁部３１ｂに沿って延びている形状を有する。導電性リングＤＲは、フォーカスリングＦＲを囲むように延びている形状を有する。複数の給電ラインＳＰは、フォーカスリングＦＲの周方向に互いに離隔して配置されている。複数の給電ラインＳＱは、導電性リングＤＲの周方向に互いに離隔して配置されている。

また、独立した二つの直流電源のそれぞれにフィルタが設けられた構成も可能である。具体的には、一つの直流電源ＤＣＳを有する図３に示す直流電源装置ＤＣのフィルタＦＴ１及びフィルタＦＴ２は、複数の直流電源（直流電源ＤＣＳ１及び直流電源ＤＣＳ２）を有する図４に示す直流電源装置ＤＣにも適用し得る。この場合、フィルタＦＴ１は給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続され、フィルタＦＴ２は給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続され得る。直流電源ＤＣＳ１はフィルタＦＴ１及び給電ラインＳＰを介してフォーカスリングＦＲに電気的に接続され、直流電源ＤＣＳ２はフィルタＦＴ２及び給電ラインＳＱを介して導電性リングＤＲに電気的に接続され得る。

以上の説明から、本開示の種々の例示的実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の例示的実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１６…載置台、２０…静電チャック、２０ｐ…直流電源、３１ｂ…周縁部、ＣＲ…カバーリング、ＤＣ…直流電源装置、ＤＣＳ…直流電源、ＤＲ…導電性リング、ＤＴ…離隔部、ＦＲ…フォーカスリング、ＦＴ１…フィルタ、ＦＴ２…フィルタ、ＭＣ…制御部、ＳＰ…給電ライン、ＳＱ…給電ライン、Ｗ…基板。

Claims (18)

1. 基板を載置する基板載置部と該基板載置部を取り囲む周縁部とを有する載置台と、
   前記載置台の前記周縁部に載置された導電性を有するフォーカスリングと、
   前記載置台の外周を囲み、誘電体で構成されたカバーリングと、
   前記カバーリングに載置された導電性リングと、
   前記載置台に結合された高周波電源と、
   前記フォーカスリングに電気的に接続された第１の給電ライン、及び、前記導電性リングに電気的に接続された第２の給電ラインと、
   前記第１の給電ラインを介して前記フォーカスリングに電気的に接続され、前記第２の給電ラインを介して前記導電性リングに電気的に接続された直流電源装置と、
   を備え、
   前記直流電源装置は、前記フォーカスリング及び前記導電性リングのそれぞれに同じ又は異なる直流電圧を印加するように構成され、
   前記フォーカスリングの外周部にある第１の面と、前記導電性リングの内周部にある第２の面とは、互いに対向して離隔し、
   前記カバーリングは、前記フォーカスリングと前記導電性リングとを離隔させる離隔部を有する、プラズマ処理装置。
2. 前記フォーカスリングの内周部は、前記載置台の前記周縁部により支持され、フォーカスリングの前記外周部は、前記カバーリングの内周部上面を覆う、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記フォーカスリングと前記導電性リングは、前記第１の面と前記第２の面で容量結合している、
   請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、ゼロより大きく、且つ、前記フォーカスリングの厚みよりも小さい、
   請求項１～３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記導電性リングの内周部下面は、前記フォーカスリングの外周部下面よりも下方に位置する、
   請求項１～４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記離隔部は、前記導電性リングの内周部側面が当接するように構成されており、前記カバーリングの表面に形成された段差部である、
   請求項１～５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記離隔部は、前記カバーリングの表面に形成された溝部であり、
   前記導電性リングの内周部下面は、前記溝部内に収容される、
   請求項１～５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第１の面は、前記フォーカスリングの外周部側面であり、前記第２の面は、前記導電性リングの内周部側面である、
   請求項１～７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第１の面は、前記フォーカスリングの外周部下面であり、前記第２の面は、前記導電性リングの内周部上面である、
   請求項１～６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記フォーカスリングの外周部側面と、前記導電性リングの内周部側面とが、互いに対向して離隔している、
    請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記フォーカスリングの外周部下面と対向する前記導電性リングの内周部上面の面積は、該フォーカスリングの外周部側面と対向する該導電性リングの内周部側面の面積よりも大きい、
    請求項１～６、９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記フォーカスリングの外周部下面と前記導電性リングの内周部上面との間の隙間は、該フォーカスリングの外周部側面と該導電性リングの内周部側面との間の隙間よりも狭い、
    請求項１～６、９、１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記第１の面は、前記フォーカスリングの外周部上面であり、前記第２の面は、前記導電性リングの内周部下面である、
    請求項１～４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記直流電源装置は、第１のフィルタ、第２のフィルタ及び直流電源を備え、
    前記第１のフィルタは、前記第１の給電ラインを介して前記フォーカスリングに電気的に接続され、
    前記第２のフィルタは、前記第２の給電ラインを介して前記導電性リングに電気的に接続され、
    前記直流電源は、前記第１のフィルタ及び前記第１の給電ラインを介して前記フォーカスリングに電気的に接続され、前記第２のフィルタ及び前記第２の給電ラインを介して前記導電性リングに電気的に接続され、該フォーカスリング及び該導電性リングに共通の直流電圧を印加するように構成され、
    前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタは、前記高周波電源から出力される高周波の前記直流電源への入力を遮断するように構成される、
    請求項１～１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記直流電源装置は、第１の直流電源及び第２の直流電源を備え、
    前記第１の直流電源は、前記第１の給電ラインを介して前記フォーカスリングに電気的に接続され、該フォーカスリングに直流電圧を印加するように構成され、
    前記第２の直流電源は、前記第２の給電ラインを介して前記導電性リングに電気的に接続され、該導電性リングに直流電圧を印加するように構成され、
    前記第１の直流電源及び前記第２の直流電源は、互いに独立に直流電圧を出力するように構成される、
    請求項１～１４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記第１の直流電源及び前記第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御するように構成された制御部を更に備え、
    前記制御部は、前記フォーカスリング及び前記導電性リングの電位差を低減するように、前記第１の直流電源及び前記第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御する、
    請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記制御部は、前記フォーカスリングの電位及び前記導電性リングの電位を揃えるように、前記第１の直流電源及び前記第２の直流電源のそれぞれから出力される直流電圧を制御する、
    請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
18. 複数の前記第１の給電ライン及び複数の前記第２の給電ラインを備え、
    前記フォーカスリングは、前記載置台の前記周縁部に沿って延びている形状を有し、
    前記導電性リングは、前記フォーカスリングを囲むように延びている形状を有し、
    複数の前記第１の給電ラインは前記フォーカスリングの周方向に互いに離隔して配置され、複数の前記第２の給電ラインは前記導電性リングの周方向に互いに離隔して配置される、
    請求項１～１７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

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