TW202224064A - 邊緣環及基板處理裝置 - Google Patents

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TW202224064A
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佐佐木淳一
池上真史
佐藤充明
赤羽和彦
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種可在減低邊緣環之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體的洩漏及微粒的發生之邊緣環及基板處理裝置。 本發明之邊緣環，係配置於被處理基板的周圍之邊緣環，並具備：由第一材料形成，並於內周側之側面下部具有第一傾斜部之環狀的第一構件，以及由與第一材料不同之第二材料形成，具有與第一傾斜部相向之第二傾斜部，並設於第一構件的下部之環狀的第二構件。

Description

邊緣環及基板處理裝置
本發明係關於一種邊緣環及基板處理裝置。
在對基板進行之電漿處理中，會將邊緣環沿著配置於設為既定真空度之腔室內之基板的外周配置。藉由配置邊緣環，可在基板的面內均一地進行電漿處理。
又，對基板進行之電漿處理，係在將載置於靜電吸盤上之基板及邊緣環以靜電吸附力吸附於靜電吸盤之狀態下進行。再者，為提升基板與靜電吸盤之間的熱傳遞性，以及邊緣環與靜電吸盤之間的熱傳遞性，在靜電吸盤與基板之間，以及靜電吸盤與邊緣環之間供給He氣等傳熱氣體。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010－251723號公報
[發明欲解決之課題]
本發明提供一種可在減低邊緣環之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體的洩漏及微粒的產生之邊緣環及基板處理裝置。 [解決課題之手段]
依本發明之一態樣之邊緣環，係配置於被處理基板周圍之邊緣環，並具備：由第一材料形成，並於其內周側之側面下部具有第一傾斜部之環狀之第一構件，以及由與第一材料不同之第二材料形成，並具有與第一傾斜部相向之第二傾斜部，且設於第一構件的下部之環狀之第二構件。 [發明效果]
透過本發明，可在減低邊緣環之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體的洩漏及微粒的產生。
以下，對於本發明之邊緣環及基板處理裝置之實施態樣，基於圖式進行詳細說明。又，本發明之技術不限於以下之實施態樣。
邊緣環會在電漿處理中消耗，而由碳化矽(SiC)形成之邊緣環(以下亦稱為SiC邊緣環。)，因耐電漿性較高，故可減低邊緣環的更換頻率。但，SiC邊緣環因剛性較高，降低來自靜電吸盤之吸附力，而會增加傳熱氣體的洩漏。對此，吾人認為可藉由在邊緣環之靜電吸盤側貼合剛性低於SiC之構件，例如矽(Si)，使對於靜電吸盤之追隨性提升而改善吸附力。但於此同時，因於SiC與Si貼合之交界會形成間隙，反應生成物會附著於此間隙。間隙之反應生成物，會隨著電漿處理時間的經過堆積並剝離而產生微粒。因此，期待一種可在減低邊緣環之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體的洩漏及微粒的產生之技術。
［基板處理裝置100之構成］ 圖1係表示本發明之一實施態樣中的基板處理裝置之一例之圖。圖1所示之基板處理裝置100係電容耦合型之電漿處理裝置。基板處理裝置100，具有以例如鋁或不鏽鋼等構成之金屬製的處理容器亦即腔室10。腔室10係安全接地。
於腔室10內，水平配置有圓盤狀的基座11。基座11係配置於載置作為被處理基板之半導體基板(以下會稱為「晶圓W」。)及邊緣環ER之靜電吸盤25的底面。又，基座11發揮作為被施加射頻電壓之下部電極的機能。基座11例如係由鋁構成，並經由絕緣性之筒狀固持構件12，而受到從腔室10底部向垂直上方延伸之筒狀支撐部13支撐。
於腔室10之側壁與筒狀支撐部13之間，形成排氣路14，於排氣路14之入口或途中配置有環狀之擋板15。又，於腔室10之底部，設有排氣口16，排氣裝置18經由排氣管17連接於排氣口16。排氣裝置18具有真空泵，並將腔室10所提供之處理空間減壓至既定之真空度。又，排氣管17具有APC(Automatic Pressure Control Valve，自動壓力控制閥)，APC係自動進行腔室10內之壓力控制。又，於腔室10之側壁，安裝有用以開閉晶圓W之搬出搬入口19之閘閥20。
射頻電源21-1、21-2經由匹配器22-1、22-2電性連接於基座11。射頻電源21-1係將生成電漿用之射頻電壓施加於基座11。射頻電源21-1係將27～100MHz之射頻電壓施加於基座11，較佳係將例如40MHz之射頻電壓施加於基座11。又，射頻電源21-2係將用以將離子引入晶圓W之射頻電壓施加於基座11。射頻電源21-2係將400kHz～40MHz之射頻電壓施加於基座11，較佳係將例如3MHz之射頻電壓施加於基座11。匹配器22-1係使射頻電源21-1之輸出阻抗與基座11側之輸入阻抗匹配。匹配器22-2係使射頻電源21-2之輸出阻抗與基座11側之輸入阻抗匹配。
靜電吸盤25係配置於基座11之頂面，並透過靜電吸附力吸附載置於靜電吸盤25上之晶圓W及邊緣環ER。靜電吸盤25具有圓板狀之中心部25a、環狀之外周部25b，以及直徑比中心部25a更大之圓盤狀的基底部25f，中心部25a係相較於外周部25b向上方突出。中心部25a及外周部25b的底面與基底部25f的頂面接合而形成靜電吸盤25。於中心部25a的頂面載置晶圓W。於外周部25b的頂面，載置以環狀包圍中心部25a之邊緣環ER。又，中心部25a係藉由將以導電膜構成之電極板25c夾入一對介電膜之間而形成。另一方面，外周部25b係藉由將以導電膜構成之電極板25d、25e夾入一對介電膜之間而形成。亦即，電極板25c、25d、25e係設於靜電吸盤25之內部。又，電極板25c係設於靜電吸盤25內部之與晶圓W對應的區域。電極板25d、25e係設於靜電吸盤25內部之與邊緣環ER對應的區域。
直流電源26係電性連接於電極板25c。直流電源28係電性連接於電極板25d。直流電源29係電性連接於電極板25e。靜電吸盤25係藉由「透過從直流電源26向電極板25c施加的直流電壓而產生」之庫倫力或強生拉貝克(Johnson-Rahbek)力，將晶圓W吸附固持。又，靜電吸盤25係藉由「透過從直流電源28、29向電極板25d、25e施加的直流電壓而產生」之庫倫力或強生拉貝克力，將邊緣環ER吸附固持。亦即，俯視圖1時，於靜電吸盤25之內部，設有在與晶圓W至少一部份重疊之區域將晶圓W靜電吸附之電極，同時設有在與邊緣環ER至少一部份重疊之區域將邊緣環ER靜電吸附之電極。
如上所述，於靜電吸盤25之中心部25a的頂面載置晶圓W。又，於靜電吸盤25之外周部25b的頂面，載置以環狀包圍中心部25a之邊緣環ER。亦即，邊緣環ER係以包圍晶圓W的周圍之方式配置於靜電吸盤25上。又，靜電吸盤25之底面與基座11之頂面係互相接觸。故，基座11及靜電吸盤25係形成為載置晶圓W及邊緣環ER之載置台。
於基座11之內部，設有在圓周方向上延伸之環狀之冷媒室31。於冷媒室31，從冷卻單元32經由配管33、34循環供給既定溫度之冷媒(例如冷卻水)，並透過該冷媒之溫度控制靜電吸盤25上之晶圓W的處理溫度。
再者，傳熱氣體(例如He氣。)從傳熱氣體供給部35經由氣體供給管36及氣體導入孔101、102、103，供給至靜電吸盤25的頂面與晶圓W的底面之間，以及靜電吸盤25的頂面與邊緣環ER的底面之間。氣體供給管36係以貫穿基座11與靜電吸盤25之基底部25f之方式配置。又，於靜電吸盤25之中心部25a，設有連結於氣體供給管36之氣體導入孔101、102。於靜電吸盤25之外周部25b，設有連結於氣體供給管36之氣體導入孔103。在靜電吸盤25之外周部25b中，電極板25d及電極板25e之2個電極板，係以將氣體導入孔103夾在電極板25d與電極板25e之間之方式配置。透過從傳熱氣體供給部35經由氣體供給管36及氣體導入孔101、102、103供給之傳熱氣體，提升晶圓W與靜電吸盤25之間的熱傳遞性，以及邊緣環ER與靜電吸盤25之間的熱傳遞性。
於腔室10之頂蓋部，配置有作為接地電位的上部電極之噴淋頭24。噴淋頭24具有包含多個氣體通氣孔37a之電極板37及支撐電極板37之電極支撐體38。又，於電極支撐體38之內部設有緩衝室39，來自處理氣體供給部40之氣體供給管41係連接於緩衝室39之氣體導入口38a。
在基板處理裝置100中，在進行例如乾式蝕刻處理時，首先使閘閥20為開啟狀態，將晶圓W搬入腔室10內並載置於靜電吸盤25之上。然後，由處理氣體供給部40，將例如由既定流量比例之C 4F 8氣體、O 2氣體及Ar氣體組成之混合氣體作為處理氣體，以既定之流量及流量比導入腔室10內。腔室10內之壓力，係透過排氣裝置18設為既定值。又，藉由在由直流電源26將直流電壓施加於電極板25c的同時，由直流電源28、29將直流電壓施加於電極板25d、25e，而將晶圓W及邊緣環ER靜電吸附於靜電吸盤25上。然後，由射頻電源21-1、21-2將射頻電壓施加於基座11。藉此，將由噴淋頭24噴吐出之處理氣體電漿化，而透過由此電漿生成之自由基及離子蝕刻晶圓W的表面。
［邊緣環ER之構成］ 接著，利用圖2說明邊緣環ER之構成。圖2係表示本實施態樣中的邊緣環之構成之一例之圖。圖2所示之邊緣環ER1，相當於圖1之邊緣環ER。
如圖2所示，邊緣環ER1係藉由將環狀之第一構件M1及環狀之第二構件M2經由接合層B2接合而形成。第一構件M1係由具有耐電漿性之第一材料形成。第二構件M2係由與第一材料不同之第二材料，例如，耐電漿性比第一材料更低之第二材料形成。又，第二構件M2亦可由剛性比第一材料更低之第二材料形成。此情況下，可說形成第二構件M2之第二材料，其柔軟性比形成第一構件M1之第一材料更高。作為形成第一構件M1之第一材料之一例，可舉出碳化矽(SiC)、碳化鎢(WC)、氧化鎂(MgO)或氧化釔(Y 2O 3)。又，作為形成第二構件M2之第二材料之一例，可舉出矽(Si)。又，第一材料及第二材料不限於該等材料。
第一構件M1係以在外周側覆蓋第二構件M2之方式形成，並以在內周側與後述之第二構件M2的突出部P21相向之方式形成。第一構件M1於其內周側之側面下部具有傾斜部S13。傾斜部S13係第一傾斜部之一例。傾斜部S13係第一構件M1之內周側的側面之中，對下側之角進行倒角(Chamfer)之部分。又，倒角係將角斜切45度之倒角，但在本實施態樣中，只要係「略平行於與傾斜部S13相向之後述之第二構件M2之傾斜部S23」的角度，亦可係其他角度。又，第一構件M1之內周側之側面的上部，進行比傾斜部S13更大幅度之倒角，而形成傾斜之形狀。
第二構件M2係設於第一構件M1之下部，並於內周側之上部設有突出部P21。突出部P21係設於比第一構件M1之內周側更靠向晶圓W側。突出部P21之外周側之傾斜部S23係與第一構件M1之傾斜部S13相向。傾斜部S23係第二傾斜部之一例。又，傾斜部S23之角度，較佳係略平行於傾斜部S13之角度。亦即，在第一構件M1之傾斜部S13與第二構件M2之傾斜部S23之間，在鉛直方向剖面上，存在向晶圓W的中心側傾斜且上方開放的間隙(以下稱為傾斜間隙。)。第二構件M2的底面S21係與靜電吸盤25之外周部25b的頂面相接。
於第二構件M2的頂面S22，形成有例如深度約40μm之凹部，其與第一構件M1的底面U1之間形成接合層B2。接合層B2包含例如聚矽氧系接合劑。又，接合層B2可更包含導電性填充物。藉由使接合層B2含有導電性填充物，提升第一構件M1與第二構件M2之間的熱傳導性。作為導電性填充物之一例，可舉出氧化鋁。
第二構件M2之外周側的側面，其上部側被第一構件M1覆蓋，其下部側因第一構件M1的底面S11位於第二構件M2的底面S21之更上側，故未被第一構件M1覆蓋。故，第一構件M1及第二構件M2之中，僅第二構件M2與靜電吸盤25之外周部25b的頂面相接。因此，在使用剛性比第一材料更低之第二材料作為第二構件M2之情況，在將邊緣環ER1靜電吸附於靜電吸盤25時，可使邊緣環ER1對於靜電吸盤25之密合性更加提升。
於靜電吸盤25之中心部25a，設有形成環狀之凸出形狀之密封帶SB11、SB12，並由密封帶SB11、SB12將晶圓W支撐於中心部25a上。故，對應於密封帶SB11、SB12的高度之空間SP1、SP2，形成於中心部25a的頂面與晶圓W的底面之間。因空間SP1、SP2係與氣體導入孔102連結，故從傳熱氣體供給部35供給之傳熱氣體，通過氣體導入孔102而導入至空間SP1、SP2。
又，於靜電吸盤25之外周部25b，設有形成環狀之凸出形狀之密封帶SB21、SB22，並由密封帶SB21、SB22將邊緣環ER1支撐於外周部25b上。故，對應於密封帶SB21、SB22的高度之空間SP3，形成於外周部25b的頂面與第二構件M2的底面S21之間。因空間SP3係與氣體導入孔103連結，故從傳熱氣體供給部35供給之傳熱氣體，通過氣體導入孔103而導入至空間SP3。
又，上述之實施態樣中，係以將第一構件M1與第二構件M2經由接合層B2接合之情況舉例，但第一構件M1與第二構件M2亦可係透過擴散接合而接合。又，第一構件M1及第二構件M2亦可係利用3D列印機形成。
［第一構件與第二構件之間隙中的反應生成物］ 接著，利用圖3說明第一構件與第二構件之內周側的間隙中的反應生成物之附著。圖3係表示實施例及比較例中的第一構件與第二構件之內周側的間隙之一例之圖。圖3中，將依本實施態樣之邊緣環ER1中的傾斜間隙作為實施例進行說明。又，一併說明第一構件與第二構件之間隙為鉛直方向，亦即縱向之間隙(以下稱為縱間隙。)之比較例1，以及在第一構件與第二構件之間無間隙之情況(以下稱為無間隙。)之比較例2。
首先，實施例之邊緣環ER1中，在第一構件M1與第二構件M2之內周側的交界部分，第一構件M1之內周側的側面與第二構件M2之傾斜部S23的最上部有間隔D1之間隙。又，連接於第一構件M1之傾斜部S13之底面U1，係與連接於第二構件M2之傾斜部S23的最下部之頂面S22接觸。又，間隔D1例如設為0.4mm。又，晶圓W之端部，設為不會覆蓋傾斜部S23。此時，反應生成物會附著於傾斜部S13及傾斜部S23，但附著於傾斜部S23之反應生成物會被來自上部的離子I所濺射。又，當離子I與傾斜部S23碰撞，會反彈而接觸傾斜部S13，從而濺射附著於傾斜部S13之反應生成物。亦即，在傾斜部S13及傾斜部S23，減低了反應生成物之附著。
接著，比較例1之邊緣環ER2中，附著於第一構件M11與第二構件M12之縱間隙之相向的面S31、S32之反應生成物DP1，因面S31、S32係略平行於來自上部之離子的軌跡之面，故不易被離子所濺射。故，附著於面S31、S32之反應生成物DP1，會隨著電漿處理時間的經過堆積並剝離而產生微粒。
比較例2之邊緣環ER3中，反應生成物DP2會附著於第一構件M21之內周側的側面下部中進行了倒角之傾斜部S33。來自上部之離子，雖然會在位於第一構件M21與晶圓W之間的第二構件M22的頂面S34反彈，但因為頂面S34係略為水平，故接觸傾斜部S33之離子較少，不易由離子進行濺射。故，附著於傾斜部S33之反應生成物DP2，會隨著電漿處理時間的經過堆積並剝離而產生微粒。
［實驗結果］ 接著，將對於圖3所示之實施例、比較例1及比較例2進行加速實驗後之結果，利用圖4進行說明。圖4係表示實施例及比較例中的實驗結果之一例之圖。圖4中，作為加速條件，設定條件1～3。條件1，係將生成電漿用之射頻電源21-1的輸出設為10000W、負載比設為30％，並將引入離子用之射頻電源21-2的輸出設為3500W、負載比設為30％。亦即，條件1係將射頻電力之有效值設為4050W。條件2，係將生成電漿用之射頻電源21-1的輸出設為10000W、負載比設為60％，並將引入離子用之射頻電源21-2的輸出設為3500W，負載比設為60％。亦即，條件2係將射頻電力之有效值設為8100W。
條件3，係將射頻電源21-1及射頻電源21-2之輸出設為與條件1相同，並將晶圓位置向圖4中之上側(＋側)偏移0.5mm，以使晶圓W之缺口側(圖4中之下側)之間隙變大。又，條件1～3中，電漿處理時間(蝕刻處理時間)係設為50小時。
實施例之邊緣環ER1中，微粒的個數，在條件1下為「22個」，在條件2下為「33個」，在條件3下為「21個」。相對於此，比較例1之邊緣環ER2中，微粒的個數，在條件1下為「532個」，在條件2下為「506個」，在條件3下為「1853個」。又，比較例2之邊緣環ER3中，微粒的個數，在條件1下為「170個」，在條件2下為「273個」，在條件3下為「333個」。如此，比較例1、2之邊緣環ER2、ER3中，在條件1～3之全部的條件下，微粒的個數皆比實施例之邊緣環ER1更為增加。另一方面，實施例之邊緣環ER1中，在條件1～3中之微粒的個數幾乎未變化，並可將微粒的個數抑制在40個以下。亦即，實施例之邊緣環ER1，即使在使射頻電力之輸出變化時，或晶圓W之位置偏移時，仍可抑制微粒的產生。
［傾斜間隙之加工精度的影響］ 接著，利用圖5說明傾斜間隙中加工精度的影響。圖5係表示關於加工精度之比較例之一例之圖。圖5中，將擴大了第一構件M31與第二構件M32之間的傾斜間隙之情況作為比較例3，並將第一構件M41之傾斜部S37相較於第二構件M42之突出部的最頂面更為突出之情況作為比較例4進行說明。
比較例3之邊緣環ER4，係第二構件M32之突出部P31從第一構件M31之傾斜部S35遠離之情況，亦即，對應於邊緣環ER1的間隔D1之間隔D11，相較於間隔D1變大而擴大了傾斜間隙之情況。又，邊緣環ER4中，將間隔D11設為1mm。吾人認為在此情況下，在第二構件M32之傾斜部S36反彈之離子，變得較不易與第一構件M31之傾斜部S35接觸，故附著於傾斜部S35之反應生成物會增加。因此，邊緣環ER1之間隔D1，較佳係設為未滿1mm。
比較例4之邊緣環ER5，係因第一構件M41之傾斜部S37之面積比第二構件M42之傾斜部S38更大，而成為第一構件M41之傾斜部S37的最頂面相較於第二構件M42之突出部的最頂面，向上部突出了距離D21之狀態。吾人認為在此情況下，因在第二構件M42之傾斜部S38反彈之離子，較不易與傾斜部S37中之距離D21的範圍接觸，故附著於距離D21的範圍之反應生成物會增加。如比較例3、4所示，在邊緣環ER之加工精度較差之情況，反應生成物會附著於傾斜間隙，故在邊緣環ER具有期望之加工精度之情況，證實有可抑制反應生成物之附著而抑制微粒的產生之效果。
以上，透過本實施態樣，邊緣環ER係配置於被處理基板(晶圓W)的周圍之邊緣環，並具備由第一材料形成，且在內周側之側面下部具有第一傾斜部(傾斜部S13)之環狀的第一構件M1，以及由與第一材料不同之第二材料形成，且具有與第一傾斜部相向之第二傾斜部(傾斜部S23)，並設於第一構件M1的下部之環狀的第二構件M2。其結果，可在減低邊緣環ER之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體的洩漏及微粒的產生。
又，透過本實施態樣，第二構件M2在內周側之上部具有突出部P21，第二傾斜部係設於突出部P21。其結果，可在第一構件M1與第二構件M2之間設置傾斜間隙。
又，透過本實施態樣，突出部P21係設於比第一構件M1之內周側更靠向被處理基板側。其結果，可在第一構件M1與第二構件M2之間設置傾斜間隙。
又，透過本實施態樣，第一傾斜部與第二傾斜部之間隔係在水平距離上未滿1mm。其結果，可抑制反應生成物向第一傾斜部之附著。
又，透過本實施態樣，第二材料之剛性比第一材料更低。其結果，可抑制傳熱氣體之洩漏。
又，透過本實施態樣，第一材料為碳化矽、碳化鎢、氧化鎂或氧化釔，第二材料為矽。其結果，可在減低邊緣環ER之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體之洩漏。
又，透過本實施態樣，第一構件M1與第二構件M2係經由接合層B2而接合。其結果，可在減低邊緣環ER之更換頻率的同時，抑制傳熱氣體之洩漏。
又，透過本實施態樣，接合層B2含有聚矽氧系接合劑。其結果，可將剛性不同之第一構件M1與第二構件M2接合。
又，透過本實施態樣，接合層B2更含有導電性填充物。其結果，可提升第一構件M1與第二構件M2之間的熱傳導性。
又，透過本實施態樣，接合層B2係設於形成於第二構件M2之頂面之凹部。其結果，可防止接合層B2暴露於電漿。
應當認為本發明之實施態樣之全部內容皆為例示，而非用於限制。上述之實施態樣，可不脫離所附之申請專利範圍及其主旨，而以各種形體進行省略、置換、變更。
例如，依本發明之邊緣環，不僅電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可適用於其他基板處理裝置。作為其他基板處理裝置，可係感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置、利用輻射狀槽孔天線之電漿處理裝置、螺旋波電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置等。
又，本實施態樣之基板處理裝置100中，於靜電吸盤25之外周部25b，設有2個用以進行靜電吸附之電極板，但為了進行靜電吸附而設於外周部25b之電極板的數量，例如可係1個，亦可係3個以上。
本明細書中，將半導體基板作為電漿處理的對象進行說明，但電漿處理的對象不限於半導體基板。電漿處理的對象，亦可係用於LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)或FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等之各種基板，或者光罩、CD基板、印刷電路基板等。
10:腔室 11:基座 12:筒狀固持構件 13:筒狀支撐部 14:排氣路 15:擋板 16:排氣口 17:排氣管 18:排氣裝置 19:搬出搬入口 20:閘閥 21-1,21-2:射頻電源 22-1,22-2:匹配器 24:噴淋頭 25:靜電吸盤 25a:中心部 25b:外周部 25c,25d,25e:電極板 25f:基底部 26,28,29:直流電源 31:冷媒室 32:冷卻單元 33,34:配管 35:傳熱氣體供給部 36:氣體供給管 37:電極板 37a:氣體通氣孔 38:電極支撐體 38a:氣體導入口 39:緩衝室 40:處理氣體供給部 41:氣體供給管 100:基板處理裝置 101,102,103:氣體導入孔 B2:接合層 ER,ER1,ER2,ER3,ER4,ER5:邊緣環 M1,M11,M21,M31,M41:第一構件 M2,M12,M22,M32,M42:第二構件 U1:底面 P21,P31:突出部 S11,S21:底面 S22:頂面 S13,S23,S33:傾斜部 S31,S32:面 S34:頂面 S35:傾斜部 S36:傾斜部 S37:傾斜部 S38:傾斜部 SB11,SB12,SB21,SB22:密封帶 SP1,SP2,SP3:空間 D1,D11:間隔 D21:距離 DP1:反應生成物 W:晶圓
圖1係表示本發明之一實施態樣中的基板處理裝置之一例之圖。 圖2係表示本實施態樣中的邊緣環的構成之一例之圖。 圖3係表示實施例及比較例中的第一構件與第二構件之內周側的間隙之一例之圖。 圖4係表示實施例及比較例中的實驗結果之一例之圖。 圖5係表示關於加工精度之比較例之一例之圖。
25a:中心部
25b:外周部
25c,25d,25e:電極板
102,103:氣體導入孔
B2:接合層
ER1:邊緣環
M1:第一構件
M2:第二構件
U1:底面
P21:突出部
S11,S21:底面
S22:頂面
S13,S23:傾斜部
SB11,SB12,SB21,SB22:密封帶
SP1,SP2,SP3:空間
W:晶圓

Claims (11)

  1. 一種邊緣環，係配置於被處理基板的周圍，包含： 第一構件，由第一材料形成並形成為環狀，於內周側之側面下部具有第一傾斜部；以及， 第二構件，由與該第一材料不同之第二材料形成並形成為環狀，設於該第一構件之下部，並具有與該第一傾斜部相向之第二傾斜部。
  2. 如請求項1所述之邊緣環，其中， 該第二構件，於內周側之上部具有突出部，該第二傾斜部係設於該突出部。
  3. 如請求項2所述之邊緣環，其中， 該突出部，係設於比該第一構件之內周側更靠向該被處理基板側。
  4. 如請求項1～3中任一項所述之邊緣環，其中， 該第一傾斜部與該第二傾斜部之間隔，在水平距離上未滿1mm。
  5. 如請求項1～4中任一項所述之邊緣環，其中， 該第二材料，其剛性比該第一材料更低。
  6. 如請求項1～5中任一項所述之邊緣環，其中， 該第一材料為碳化矽、碳化鎢、氧化鎂或氧化釔，該第二材料為矽。
  7. 如請求項1～6中任一項所述之邊緣環，其中， 該第一構件與該第二構件，係經由接合層而接合。
  8. 如請求項7所述之邊緣環，其中， 該接合層含有聚矽氧系接合劑。
  9. 如請求項7或8所述之邊緣環，其中， 該接合層更包含導電性填充物。
  10. 如請求項7～9中任一項所述之邊緣環，其中， 該接合層，係設於形成於該第二構件之頂面之凹部。
  11. 一種基板處理裝置，包含： 處理容器，提供處理空間； 載置台，設於該處理容器內，並且載置被處理基板；以及， 邊緣環，以包圍該被處理基板的周圍之方式配置； 該邊緣環，包含：以第一材料形成，並於內周側之側面下部具有第一傾斜部之環狀的第一構件，以及由與該第一材料不同之第二材料形成，具有與該第一傾斜部相向之第二傾斜部，並設於該第一構件的下部之環狀的第二構件。
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