KR20140063415A - 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 탑재대 및 기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140063415A KR20140063415A KR1020130133326A KR20130133326A KR20140063415A KR 20140063415 A KR20140063415 A KR 20140063415A KR 1020130133326 A KR1020130133326 A KR 1020130133326A KR 20130133326 A KR20130133326 A KR 20130133326A KR 20140063415 A KR20140063415 A KR 20140063415A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- peripheral
- mounting table
- processing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 221
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 14
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
피처리 기판을 박리할 때에 피처리 기판의 흡착 현상에 의한 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴가 생기기 어려운 기판 탑재대 및 그것을 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판 G를 탑재하는 탑재면을 갖는 상부 절연 부재(4c)내에 직류 전압이 인가되는 흡착 전극(31)이 설치되어 구성된 정전 척(30)을 구비한 탑재대 본체와, 탑재대 본체를 온도 조절하는 온도 조절 기구(5)와, 기판 G의 이면측에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 기구(27)를 구비하며, 기판 G가 탑재되었을 때에, 기판 G와 주연 탑재부(41)보다 내측의 내측 부분의 상면의 사이에 전열 가스가 공급되는 공간(7)을 갖고, 흡착 전극(31)은, 주연 탑재부(41)에 대응하는 부분에 존재하지 않도록 설치되고, 주연 탑재부(41)는, 그 상면에 부착하는 부생성물이 그 위에 탑재된 기판의 이면에 밀착하지 않도록 형성된 오목부(41a)를 갖고 있다.
기판 G를 탑재하는 탑재면을 갖는 상부 절연 부재(4c)내에 직류 전압이 인가되는 흡착 전극(31)이 설치되어 구성된 정전 척(30)을 구비한 탑재대 본체와, 탑재대 본체를 온도 조절하는 온도 조절 기구(5)와, 기판 G의 이면측에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 기구(27)를 구비하며, 기판 G가 탑재되었을 때에, 기판 G와 주연 탑재부(41)보다 내측의 내측 부분의 상면의 사이에 전열 가스가 공급되는 공간(7)을 갖고, 흡착 전극(31)은, 주연 탑재부(41)에 대응하는 부분에 존재하지 않도록 설치되고, 주연 탑재부(41)는, 그 상면에 부착하는 부생성물이 그 위에 탑재된 기판의 이면에 밀착하지 않도록 형성된 오목부(41a)를 갖고 있다.
Description
본 발명은, 기판을 탑재하는 기판 탑재대 및 그것을 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이(FPD)나 반도체 디바이스의 제조 과정에 있어서는, 피처리 기판에 대해서, 에칭, 스퍼터링, CVD(화학 기상 성장) 등의 플라즈마 처리가 다용되고 있다.
이러한 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서는, 예를 들면, 챔버내에 한 쌍의 평행 평판 전극(상부 및 하부 전극)을 배치하고, 하부 전극으로서 기능하는 기판 탑재대에 피처리 기판을 탑재하고, 처리 가스를 챔버내에 도입함과 아울러, 전극의 적어도 한쪽에 고주파를 인가하여 전극 간에 고주파 전계를 형성하고, 이 고주파 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 피처리 기판에 대해서 플라즈마 처리를 실시하는 것이 알려져 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 하부 전극으로서의 기판 탑재대에 탑재된 피처리 기판의 온도가 플라즈마의 열에 의해 불균일하게 상승하면, 플라즈마 처리의 면내 균일성의 악화나 레지스트 연소 등의 제품 불량으로 이어진다. 이 때문에, 피처리 기판이 균일한 온도 분포가 되도록, 기판 탑재대를 온도 조절함과 아울러, 기판 탑재대와 기판의 사이의 공간에 가스를 채워 기판 탑재대의 열을 전달하도록 하고 있다. 또한, 그 공간의 압력을 유지하기 위해, 기판 탑재대의 상면의 외주부에, 피처리 기판의 주연부가 탑재되어 밀착되는 제방을 마련하고, 또한 피처리 기판의 뜨는 것, 어긋남을 방지하기 위해, 기판 탑재대의 상면에 정전 척(ESC)을 형성하여 피처리 기판을 정전 흡착에 의해 고정하고 있다(예를 들면 특허 문헌 1).
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
특허 문헌 1 : 일본 특개 제2008－84924호 공보
그런데, 정전 척은, 절연 부재의 내부에 설치된 흡착 전극에 직류 전압을 인가함으로써, 흡착 전극에 존재하는 전하와 챔버내의 플라즈마 전하의 사이의 쿨롱력에 의해 피처리 기판을 기판 탑재대 표면에 흡착 고정하는 것이지만, 예를 들면, 도전성 부생성물이 기판 탑재대(하부 전극)의 표면에 부착하고 있으면, 피처리 기판과 기판 탑재대의 사이에 전자가 들어가기 쉽고, 전자가 들어가면, 그 마이너스 전하와 흡착 전극의 플러스 전하가 결합하여, 정전 척의 전압을 오프했을 때에 반대로 피처리 기판이 기판 탑재대의 제방에 흡착되고, 그 후 제전(除電) 프로세스를 실행해도 전하의 제거가 불충분하게 된다. 또한, 부생성물이 제방의 표면에 부착함으로써, 피처리 기판과 제방의 사이의 극간이 부생성물로 매립되고, 기판과 기판 탑재대의 밀착도가 과도하게 되어, 피처리 기판의 흡착이 한층 조장된다. 이 때문에, 제전 후에 피처리 기판을 리프트 업(lift up)하여 기판 탑재대로부터 박리할 때에, 흡착 현상에 의한 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴(ESD) 발생의 원인이 되어 버린다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 피처리 기판을 박리할 때에 피처리 기판의 흡착 현상에 의한 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴가 생기기 어려운 기판 탑재대 및 그것을 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에서는, 처리 용기내에서 처리 가스에 의해 피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대로서, 피처리 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 상부 절연 부재내에 직류 전압이 인가되는 흡착 전극이 설치되어 구성된 정전 척을 구비한 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체를 온도 조절하는 온도 조절 기구와, 상기 탑재대 본체에 피처리 기판이 탑재되어 있을 때에, 피처리 기판의 이면측에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 기구를 구비하며, 상기 상부 절연 부재는, 피처리 기판의 주연부가 탑재되는 주연 탑재부를 갖고, 상기 상부 절연 부재의 상기 주연 탑재부보다 내측의 내측 부분은, 그 상면이 상기 주연 탑재부보다 낮게 형성되어 있고, 피처리 기판이 탑재되었을 때에, 피처리 기판과 상기 내측 부분의 상면의 사이에 상기 전열 가스가 공급되는 공간을 갖고, 상기 흡착 전극은, 상기 상부 절연 부재의 상기 주연 탑재부에 존재하지 않도록 설치되고, 상기 주연 탑재부는, 상기 처리 가스에 기인하여 그 상면에 부착하는 부생성물이 그 위에 탑재된 피처리 기판의 이면에 밀착하지 않도록 형성된 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대를 제공한다.
상기 제 1 관점의 기판 탑재대에 있어서, 상기 상부 절연 부재의 상기 내측 부분으로부터 상기 주연 탑재부와 동일한 높이 위치까지 연장하고, 그 상면에서 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부를 더 구비해도 좋다.
상기 오목부는, 상기 주연 탑재부의 상면에 형성된 그루브로 할 수 있다.
상기 그루브는, 상기 주연 탑재부 상면의 둘레방향을 따라 마련할 수 있다. 이 경우에, 상기 그루브는 복수 갖는 것이 바람직하고, 상기 복수의 그루브는, 균등한 간격 및 폭으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 주연 탑재부의 그루브를 포함하지 않는 부분의 폭은 5mm 이상인 것이 바람직하다.
상기 탑재대 본체는, 도전체 부분을 갖고, 상기 도전체 부분에 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 공급되어도 좋다.
본 발명의 제 2 관점에서는, 피처리 기판에 대해서 처리를 실시하기 위한 처리 용기와, 상기 처리 용기내에서 기판을 탑재하는 기판 탑재대와, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 기구를 구비하며, 상기 기판 탑재대는, 상기 제 1 관점의 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제 2 관점의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 탑재대의 상기 탑재대 본체는, 도전체 부분을 갖고, 상기 도전체 부분에 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원이 접속되고, 상기 처리 가스 공급 기구는, 상기 처리 용기의 상부에 상기 기판 탑재대와 대향하여 설치된, 상기 처리 가스를 상기 처리 용기내에 토출하기 위한 샤워 헤드를 갖고, 상기 기판 탑재대와 상기 샤워 헤드는 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고, 상기 고주파 전원으로부터 공급된 고주파 전력에 의해 상기 처리 용기내에 처리 가스의 플라즈마가 형성되는 구성으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 정전 척의 흡착 전극은, 상부 절연 부재의 주연 탑재부에 존재하지 않도록 설치되고, 또한 주연 탑재부는, 처리 가스에 기인하여 그 상면에 부착하는 부생성물이 그 위에 탑재된 피처리 기판의 이면에 밀착하지 않도록 형성된 오목부를 갖고 있다. 이 때문에, 주연 탑재부의 도전성의 부생성물에 전하가 돌아 들어가도, 그곳에 결합하는 전하가 존재하지 않고, 또한 오목부의 존재에 의해 주연 탑재부와 피처리 기판의 사이의 흡착력을 저감할 수 있으므로, 제전 후에 피처리 기판을 리프트 업하여 기판 탑재대로부터 박리할 때에, 흡착 현상에 의한 피처리 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴(ESD) 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례인 플라즈마 에칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 기판 탑재대를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 기판 탑재대의 일부분을 나타내는 평면도이다.
도 4는 종래의 기판 탑재대를 나타내는 단면도이다.
도 5는 종래의 기판 탑재대에 있어서, 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 6은 종래의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 도전성의 부생성물이 부착한 상태에서 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 7은 종래의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 기판을 탑재한 상태를 나타내는 도면으로서, (a)는 제방과 기판의 사이의 극간이 형성되어 있는 상태를 나타내고, (b)는 극간이 부생성물로 매립된 상태를 나타낸다.
도 8은 본 실시 형태의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 도전성의 부생성물이 부착한 상태에서 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 9는 그루브를 형성한 제방에 기판을 탑재한 상태를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 기판 탑재대를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 기판 탑재대의 일부분을 나타내는 평면도이다.
도 4는 종래의 기판 탑재대를 나타내는 단면도이다.
도 5는 종래의 기판 탑재대에 있어서, 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 6은 종래의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 도전성의 부생성물이 부착한 상태에서 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 7은 종래의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 기판을 탑재한 상태를 나타내는 도면으로서, (a)는 제방과 기판의 사이의 극간이 형성되어 있는 상태를 나타내고, (b)는 극간이 부생성물로 매립된 상태를 나타낸다.
도 8은 본 실시 형태의 기판 탑재대에 있어서, 제방에 도전성의 부생성물이 부착한 상태에서 정전 척에 의해 기판을 흡착한 상태와 흡착을 해제한 상태를 나타내는 모식도이다.
도 9는 그루브를 형성한 제방에 기판을 탑재한 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례인 플라즈마 에칭 장치를 나타내는 단면도, 도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 기판 탑재대를 나타내는 단면도, 도 3은 기판 탑재대의 일부분을 나타내는 평면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 이 플라즈마 에칭 장치(1)는, FPD용의 유리 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 기재함) G에 대해서 에칭을 행하는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence : EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 플라즈마 에칭 장치(1)는, 피처리 기판인 기판 G를 수용하는 처리 용기로서의 챔버(2)를 구비하고 있다. 챔버(2)는, 예를 들면, 표면이 알루마이트(alumite) 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지고, 기판 G의 형상에 대응하여 사각통 형상으로 형성되어 있다.
챔버(2)내의 바닥벽에는, 기판 G를 탑재함과 아울러, 하부 전극으로서 기능하는 기판 탑재대(4)가 설치되어 있다. 기판 탑재대(4)의 상세한 구조는 후술한다.
챔버(2)의 상부 또는 상벽에는, 챔버(2)내에 처리 가스를 공급함과 아울러 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(11)가, 기판 탑재대(4)와 대향하도록 설치되어 있다. 샤워 헤드(11)는, 내부에 처리 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(12)이 형성되어 있음과 아울러, 하면 또는 기판 탑재대(4)와의 대향면에 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(13)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(11)는 접지되어 있고, 기판 탑재대(4)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
샤워 헤드(11)의 상면에는 가스 도입구(14)가 설치되고, 이 가스 도입구(14)에는, 처리 가스 공급관(15)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(15)에는, 밸브(16) 및 매스 플로우 콘트롤러(17)를 거쳐서, 처리 가스 공급원(18)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(18)로부터는, 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 이용되는 가스를 이용할 수 있다.
챔버(2)의 바닥벽에는 배기관(19)이 접속되어 있고, 이 배기관(19)에는 배기 장치(20)가 접속되고, 도시하지 않는 압력 조정 밸브가 설치되어 있다. 배기 장치(20)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 의해 챔버(2)내를 배기하여 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하도록 구성되어 있다. 챔버(2)의 측벽에는, 기판 G를 반입출하기 위한 반입출구(21)가 형성되어 있음과 아울러, 이 반입출구(21)를 개폐하는 게이트 밸브(22)가 설치되어 있고, 반입출구(21)의 개방시에, 도시하지 않는 반송 수단에 의해 기판 G가 챔버(2) 내외로 반입출되도록 구성되어 있다.
또한, 플라즈마 에칭 장치(1)는, 플라즈마 에칭 장치(1)의 각 구성부를 제어하기 위한 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비한 제어부(40)를 구비하고 있다.
다음에, 기판 탑재대(4)의 상세한 구조에 대해 도 2, 3을 참조하여 설명한다.
기판 탑재대(4)는, 알루미늄 등의 금속이나 카본과 같은 도전성 재료로 이루어지는 기재(4a)와, 기재(4a)와 챔버(2)의 바닥부의 사이에 설치된 바닥부 절연 부재(4b)와, 기재(4a) 위에 설치된 상부 절연 부재(4c)와, 기재(4a)의 측벽을 덮는 측부 절연 부재(4d)를 갖고, 이들이 기판 G의 형상에 대응하여 사각판 형상 또는 기둥 형상으로 형성된 탑재대 본체를 구성하고 있다. 바닥부 절연 부재(4b), 상부 절연 부재(4c), 측부 절연 부재(4d)로서는, 알루미나 등의 절연성 세라믹스를 이용할 수 있다.
기재(4a)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(23)이 접속되어 있고, 이 급전선(23)에는 정합기(24) 및 고주파 전원(25)이 접속되어 있다. 고주파 전원(25)으로부터는, 예를 들면, 13.56MHz의 고주파 전력이 기판 탑재대(4)에 공급되고, 이에 의해, 기판 탑재대(4)가 하부 전극으로서 기능한다. 또한, 기재(4a)에는, 탑재된 기판 G의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 수단으로서, 냉각 매체를 통류시키는 냉매 유로(5)가 설치되어 있다.
기판 탑재대(4)의 상부를 구성하는 상부 절연 부재(4c)는, 그 상면의 외주부에, 기판 G의 주연부가 탑재되어 밀착되는 주연 탑재부로서의 제방(41)이 형성되어 있다. 상부 절연 부재(4c)의 제방(41)보다 내측의 내측 부분(42)은, 그 상면이 제방(41)의 상면보다 낮게 형성되어 있고, 기판 G가 탑재되었을 때에, 기판 G와 내측 부분(42)의 상면의 사이에 공간(7)이 형성된다. 공간(7)에는 하부로부터 연장하는 전열 가스 유로(26)가 접속되어 있고, 전열 가스 유로(26)의 타단에는 전열 가스 공급 기구(27)가 접속되어 있다. 그리고, 전열 가스 공급 기구(27)로부터 전열 가스 유로(26)를 거쳐서 공간(7)에 기판 G에 대한 열 전달을 위한 전열 가스, 예를 들면, He 가스가 공급되도록 되어 있다.
공간(7)의 내부에는, 내측 부분(42)의 상면으로부터 위쪽으로 연장하는 복수의 지지 부재(8)가 설치되어 있다. 제방(41)의 상면과 지지 부재(8)의 상면은 동일한 높이 위치를 갖고, 제방(41)의 상면에 주연부가 탑재된 기판 G의 하면 중앙부를 지지 부재의 상면에서 지지하도록 되어 있고, 제방(41)의 상면과 지지 부재(8)의 상면이 기판 G의 탑재면을 구성하고 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 지지 부재(8)가 원주 형상의 경우를 나타내고 있지만, 지지 부재(8)는, 공간(7)의 전체에 전열 가스가 공급되어, 기판 G를 지지할 수 있는 한, 격자 형상이나 편평 형상 등, 다른 여러 가지의 형상을 채용할 수 있다. 또한, 지지 부재(8)는 1개이어도 좋다.
상부 절연 부재(4c)의 내부에는, 기판 G의 면내 방향(즉, 수평 방향)을 따라 흡착 전극(31)이 설치되어 있고, 상부 절연 부재(4c)와 흡착 전극(31)에서 기판 G를 정전 흡착하기 위한 정전 척(30)이 구성되어 있다. 흡착 전극(31)은 판 형상, 막 형상, 격자 형상, 그물 형상 등 여러 가지의 형상을 취할 수 있다. 또한, 흡착 전극(31)은, 그 단부가 제방(41)에 따르지 않도록 설치되어 있다. 즉, 상부 절연 부재(4c)의 제방(41)에 대응하는 부분에는, 흡착 전극(31)이 존재하지 않도록 되어 있다. 흡착 전극(31)에는, 급전선(32)을 거쳐서 직류 전원(33)이 접속되어 있고, 흡착 전극(31)에 직류 전압이 인가되도록 되어 있다. 흡착 전극(31)으로의 급전은, 스위치(34)에서 온 오프 가능하다. 오프 상태에서는 급전선(32)은 접지된다.
제방(41)의 상면에는, 후술하는 바와 같이, 부생성물의 부착에 의한 기판 G와 제방(41)의 사이의 흡착력을 저감하여 과도의 밀착을 해소하는 관점으로부터, 둘레방향을 따라 1 이상(본 예의 경우에는 2개)의 그루브(41a)가 형성되어 있다. 그루브(41a)에는 전열 가스는 유입하지 않도록 되어 있다. 또한, 전열 가스의 공간(7)으로부터의 누출량을 저감하는 관점으로부터, 제방(41)의 폭은, 그루브(41a)를 제외한 기판이 탑재되는 부분의 폭의 합계로 5mm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 그루브(41a)를 2 이상으로 하여 그루브(41a)를 균등한 간격, 폭으로 형성하는 것이 보다 바람직하다. 그루브(41a)의 깊이는 특히 제한은 없지만, 제방(41)이 필요한 강도를 유지할 수 있는 범위로 하는 것이 바람직하다. 이러한 그루브(41a)를 마련하는 것 대신에, 또는 그루브(41a)를 마련하는 것에 부가하여, 제방(41)의 표면을 거칠게 하는 등, 다른 형태의 오목부를 형성해도 좋다.
기판 탑재대(4)에는, 기판 G의 교환을 행하기 위한 복수의 리프터 핀(도시하지 않음)이 기판 탑재대(4)의 상면(즉, 상부 절연 부재(4c)의 상면)에 대해서 돌몰(突沒) 가능하도록 설치되어 있고, 기판 G의 교환은, 기판 탑재대(4)의 상면으로부터 위쪽으로 돌출한 상태의 리프터 핀에 대해서 행해진다.
다음에, 이상과 같이 구성된 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서의 처리 동작에 대해 설명한다. 이하의 처리 동작은 제어부(40)의 제어 하에서 행해진다.
우선, 배기 장치(20)에 의해 챔버(2)내를 배기하여 소정의 압력으로 하고, 게이트 밸브(22)를 개방하여 반입출구(21)로부터 도시하지 않는 반송 수단에 의해 기판 G를 반입하고, 도시하지 않는 리프터 핀을 상승시킨 상태에서 그 위에 기판 G를 수취하여, 리프터 핀을 하강시킴으로써 기판 탑재대(4)상에 기판 G를 탑재시킨다. 반송 수단을 챔버(2)로부터 퇴피시킨 후, 게이트 밸브(22)를 닫는다.
이 상태에서, 압력 조정 밸브에 의해 챔버(2)내의 압력을 소정의 진공도로 조정함과 아울러, 처리 가스 공급원(18)으로부터, 처리 가스 공급관(15) 및 샤워 헤드(11)를 거쳐서 처리 가스를 챔버(2)내에 공급한다.
그리고, 고주파 전원(25)으로부터 정합기(24)를 거쳐서 기판 탑재대(4)(기재(4a))에 고주파 전력을 인가하고, 하부 전극으로서의 기판 탑재대와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(11)의 사이에 고주파 전계를 일으키게 하여 챔버(2)내의 처리 가스를 플라즈마화시킨다. 이 때에, 직류 전원(33)으로부터 정전 척(30)의 흡착 전극(31)에 직류 전압을 인가함으로써, 기판 G는 플라즈마를 거쳐서 쿨롱력에 의해 기판 탑재대(4)에 흡착 고정된다.
이 때, 냉매 유로(5)에 소정의 온도의 냉각 매체가 통류되어 기판 탑재대(4)가 온도 조절되고, 전열 가스 공급 기구(27)로부터 전열 가스 유로(26)를 거쳐서 기판 G 이면측의 공간(7)에 전열 가스가 공급되고, 기판 탑재대(4)의 열을 기판 G에 전열하여 기판 G의 온도가 제어된다.
이 상태에서, 기판 G에 대해서 플라즈마 처리, 본 실시 형태에서는 플라즈마 에칭 처리가 진행한다.
처리 종료 후, 고주파 전원(25)을 오프로 함과 아울러, 스위치(34)를 접지측으로 전환하여 직류 전원(33)으로부터의 직류 전압의 인가를 정지하여, 기판 G의 정전 흡착을 해제한다. 그리고, 리프트 핀(도시하지 않음)에 의해 기판 G를 리프트 업하여, 게이트 밸브(22)를 열고 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 처리 후의 기판 G를 반출한다.
그런데, 도 4에 나타낸 바와 같이, 종래의 기판 탑재대(4')에서는, 기판 G를 확실하게 흡착하기 위해서, 정전 척(30')의 흡착 전극(31')을 가능한 한 기판 G의 단부에 가까운 위치까지 마련하고 있다. 이러한 종래의 기판 탑재대(4')에서도, 제방(41')의 표면에 부생성물이 존재하지 않는 경우에는, 도 5(a)의 흡착 전극(31')에 전압을 인가하여 흡착 전극(31')의 표면과 기판 G의 표면에 전하가 생겨 기판 G가 흡착하고 있는 상태로부터, 전압의 인가를 정지하면, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 흡착 전극(31')으로부터 전하가 떨어지고, 기판 G의 표면의 전하도 떨어져서 기판 G의 흡착이 해제되므로, 기판 G를 리프트 업하였을 때에 기판 G는 문제없이 기판 탑재대(4')로부터 박리 가능하다. 그러나, 처리 가스를 플라즈마화하여 플라즈마 처리를 행하는 경우, 반응에 의해 부생성물이 생기고, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 그것이 부생성물(51)로서 기판 탑재대(4')의 표면, 특히 제방(41')의 표면에 부착하는 경우가 있다. 그 부생성물(51)이 도전성인 경우에는, 흡착 전극(31')에 전압을 인가하면, 부생성물(51)의 표면에 전하가 돌아 들어가서, 흡착 전극(31')의 그 바로 아래 부분의 전하와 결합한다. 이 상태에서 전압의 인가를 정지해도, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 제방(41')에 부착한 도전성의 부생성물(51)의 표면에 돌아 들어간 전하가 제거되지 않고, 흡착 전극(31')의 제방(41')에 대응하는 부분의 전하도 잔존한 채로 되어, 제방(41')의 부분에서 기판 G가 흡착한 채로 된다.
또한, 종래에는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제방(41')은, 정전 흡착 시에 기판 G와의 사이의 밀착성 및 공간(7)으로부터의 누설을 억제하는 것을 중시하여, 충분한 폭을 갖고 형성되어 있었다. 그러나, 미시적으로 보면, 도 7(a)에 나타낸 바와 같이 제방(41')과 기판 G의 사이에는 극간(52)이 존재하고, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 그 극간(52)이 플라즈마 처리에 의한 부생성물(51)로 매립되면, 부생성물(51)의 작용에 의해 기판 G와 제방(41')의 사이가 강고하게 밀착해 버려, 기판 G의 흡착이 한층 조장된다.
종래에는, 이와 같이, 제방(41')에 대응하는 부분의 전하의 잔류, 및 부생성물(51)에 의한 기판 G와 제방(41')의 사이의 과도의 밀착에 의해, 기판 G를 리프트 업하여 기판 탑재대(4')로부터 박리할 때에, 흡착 현상에 의한 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴(ESD) 발생이 생기고 있었다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 정전 척(30)의 흡착 전극(31)을 제방(41)에 따르지 않도록 마련하고, 상부 절연 부재(4c)의 제방(41)에 대응하는 부분에 흡착 전극(31)이 존재하지 않도록 하고, 또한, 제방(41)의 상면에 그루브(41a)를 형성하고 있다.
흡착 전극(31)을 제방(41)에 따르지 않도록 마련함으로써, 흡착 전극(31)에 전압을 인가하여 기판 G를 흡착했을 때에, 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 제방(41)에 형성된 도전성 부생성물(51)의 표면에 전하가 돌아 들어가도, 그 바로 아래 부분에 흡착 전극(31)이 존재하지 않기 때문에 그 전하에 결합하는 전하는 존재하지 않고, 전압의 인가를 정지하면, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 도전성의 부생성물(51)의 표면에 돌아 들어간 전하가 잔존하지 않고, 흡착 전극(31)의 전하가 모두 제거되고, 전하에 의한 기판 G의 흡착은 생기지 않는다. 또한, 흡착 전극(31)은, 물리적으로 제방(41)에 대응하는 부분에 약간 돌출하고 있어도, 흡착 전극(31)에 존재하는 전하와 제방(41)(도전성 부생성물)의 상면에 존재하는 전하가 영향이 있는 결합을 형성하지 않는 한, 「흡착 전극(31)이 제방(41)에 대응하는 부분에 존재하고 있지 않는」상태에 포함된다.
또한, 도 9에 나타낸 바와 같이, 제방(41)의 상면에 그루브(41a)를 마련함으로써, 그루브(41a)의 부분에서는 부생성물(51)이 기판 G에는 흡착하지 않기 때문에, 제방(41)의 그루브(41a)가 존재하지 않는 부분에서 기판 G가 부생성물(51)에 의해 흡착해도, 그 면적을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 부생성물(51)의 존재에 의한 기판 G의 흡착력을 저감할 수 있다.
이들에 의해, 정전 흡착력이 충분히 해제되지 않고, 기판 G와 제방(41)이 부생성물에 의해 과도하게 흡착하는 것을 회피할 수 있어, 제전 후에 기판 G를 리프트 업하여 기판 탑재대(4)로부터 박리할 때에, 흡착 현상에 의한 기판의 균열, 및 잔존하는 전하나 박리 대전에 의한 소자의 정전 파괴(ESD) 발생을 방지할 수 있다.
한편, 흡착 전극(31)이 기판 탑재대(4)의 제방(41)에 대응하는 부분에 존재하지 않으므로, 주연부의 기판 유지력이 저하하여 공간(7)으로부터의 전열 가스의 누출량 증대가 우려된다. 그러나, 평가 전극을 이용하여 누출량 조사를 행한 결과, 흡착 전극(31)이 제방(41)에 대응하는 부분에 존재하고 있는 경우가 3.77sccm이었던 것에 대해서, 흡착 전극(31)이 제방(41)에 대응하는 부분에 존재하고 있지 않는 경우가 3.8sccm으로, 거의 차이를 볼 수 없었다. 이로부터, 흡착 전극(31)이 제방(41)에 대응하는 부분에 존재하고 있지 않는 경우에도 충분한 기판 유지력을 얻는다는 것이 확인되었다.
또한, 제방(41)에 부생성물에 의한 흡착을 저감하는 그루브(41a)를 마련함으로써, 기판 G의 흡착력은 다소 저하하지만, 제방(41)의 기판 G에 접촉하는 부분의 면적을 확보함으로써 전열 가스 누출량의 증대 등의 악영향은 거의 생기지 않게 할 수 있다.
예를 들면, 제방(41)에 둘레방향을 따라 1개 이상의 그루브(41a)를 형성함으로써, 부생성물의 부착에 의한 기판 G와 제방(41)의 사이의 흡착력을 저감할 수 있지만, 이 때에, 전열 가스 누출량이 허용 범위가 되도록, 제방(41)의 그루브(41a) 이외의 부분의 폭을 확보하는 것이 바람직하고, 그러한 관점으로부터는, 제방(41)의 폭은, 그루브(41a)를 제외한 기판이 탑재되는 부분의 폭의 합계로 5mm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 그루브(41a)를 2 이상으로 하여 그루브(41a)를 균등한 간격, 폭으로 형성함으로써, 부생성물의 부착에 의한 기판 G와 제방(41)의 사이의 흡착력을 저감하는 효과와 누설을 저감하는 효과 양쪽을 보다 높일 수 있으므로 바람직하다. 즉, 그루브(41a)를 균등한 간격, 폭으로 마련함으로써, 단지 기판-제방 사이의 흡착력을 저감할 수 있을 뿐만 아니라, 기판-제방 사이에 부생성물이 발생해도 기판 G에 대한 부착력을 균등하게 분산할 수 있고, 국소적인 기판의 흡착에 의한 기판이나 장치의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 그루브(41a)를 복수 마련함으로써, 고압의 내측으로부터 그루브에 이를 때마다 팽창(감압)하여 저압의 외측에 도달하기 때문에, 전열 가스의 누출량을 보다 저감할 수 있다. 또한, 부생성물의 부착에 의한 기판 G와 제방(41)의 사이의 흡착력을 저감하기 위해서는, 이러한 그루브(41a)를 마련하는 것 대신에, 또는 그루브(41a)를 마련하는 것에 부가하여, 제방(41)의 표면을 거칠게 하는 등, 부생성물의 기판 G에의 흡착을 회피할 수 있는 다른 형태의 오목부를 형성하는 것도 유효하다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 일 없이 여러 가지 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 본 발명을 평행 평판형 플라즈마 에칭 장치에 적용한 예에 대해 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 유도 결합형 등의 다른 플라즈마 생성 수단을 이용한 것이어도 좋고, 또한 플라즈마 에칭에 한정하지 않고, 플라즈마 애싱, 플라즈마 CVD 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하고, 또한, 플라즈마 처리 장치에 한정하지 않고, 기판을 기판 탑재대에 탑재하여 처리하는 기판 처리 장치 전반에 적용 가능하다. 또한, 상기 실시 형태에서는 FPD용의 유리 기판에 적용한 예에 대해 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 반도체 기판 등, 다른 기판에 적용 가능함은 말할 필요도 없다.
1 : 플라즈마 에칭 장치(기판 처리 장치)
2 : 챔버(처리 용기)
4 : 기판 탑재대
4a : 기재
4b : 바닥부 절연 부재
4c : 상부 절연 부재
4d : 측부 절연 부재
5 : 냉매 유로
7 : 공간
8 : 지지 부재
15 ： 처리 가스 공급관
18： 처리 가스 공급원
19 ： 배기관
20 ： 배기 장치
21 : 반입출구
25 : 고주파 전원
26 : 전열 가스 유로
27 : 전열 가스 공급 기구
30 : 정전 척
31 : 흡착 전극
33 : 직류 전원
40 : 제어부
41 : 제방(주연 탑재부)
42 : 내측 부분
51 : 부생성물
52 : 극간
G : 기판
2 : 챔버(처리 용기)
4 : 기판 탑재대
4a : 기재
4b : 바닥부 절연 부재
4c : 상부 절연 부재
4d : 측부 절연 부재
5 : 냉매 유로
7 : 공간
8 : 지지 부재
15 ： 처리 가스 공급관
18： 처리 가스 공급원
19 ： 배기관
20 ： 배기 장치
21 : 반입출구
25 : 고주파 전원
26 : 전열 가스 유로
27 : 전열 가스 공급 기구
30 : 정전 척
31 : 흡착 전극
33 : 직류 전원
40 : 제어부
41 : 제방(주연 탑재부)
42 : 내측 부분
51 : 부생성물
52 : 극간
G : 기판
Claims (10)
- 처리 용기내에서 처리 가스에 의해 피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대로서,
피처리 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 상부 절연 부재내에 직류 전압이 인가되는 흡착 전극이 설치되어 구성된 정전 척을 구비한 탑재대 본체와,
상기 탑재대 본체를 온도 조절하는 온도 조절 기구와,
상기 탑재대 본체에 피처리 기판이 탑재되어 있을 때에, 피처리 기판의 이면측에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 기구
를 구비하며,
상기 상부 절연 부재는, 피처리 기판의 주연부가 탑재되는 주연 탑재부를 갖고, 상기 상부 절연 부재의 상기 주연 탑재부보다 내측의 내측 부분은, 그 상면이 상기 주연 탑재부보다 낮게 형성되어 있고, 피처리 기판이 탑재되었을 때에, 피처리 기판과 상기 내측 부분의 상면의 사이에 상기 전열 가스가 공급되는 공간을 갖고,
상기 흡착 전극은, 상기 상부 절연 부재의 상기 주연 탑재부에 존재하지 않도록 설치되고,
상기 주연 탑재부는, 상기 처리 가스에 기인하여 그 상면에 부착하는 부생성물이 그 위에 탑재된 피처리 기판의 이면에 밀착하지 않도록 형성된 오목부를 갖고 있는
것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 1 항에 있어서,
상기 상부 절연 부재의 상기 내측 부분으로부터 상기 주연 탑재부와 동일한 높이 위치까지 연장하고, 그 상면에서 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 오목부는, 상기 주연 탑재부의 상면에 형성된 그루브인 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 3 항에 있어서,
상기 그루브는, 상기 주연 탑재부 상면의 둘레방향을 따라 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 4 항에 있어서,
상기 그루브는 복수 갖는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 5 항에 있어서,
상기 복수의 그루브는, 균등한 간격 및 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주연 탑재부의 그루브를 포함하지 않는 부분의 폭은 5mm 이상인 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탑재대 본체는, 도전체 부분을 갖고, 상기 도전체 부분에 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대.
- 피처리 기판에 대해서 처리를 실시하기 위한 처리 용기와,
상기 처리 용기내에서 기판을 탑재하는 기판 탑재대와,
상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와,
상기 처리 용기내를 배기하는 배기 기구
를 구비하며,
상기 기판 탑재대는, 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는
기판 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,
상기 기판 탑재대의 상기 탑재대 본체는, 도전체 부분을 갖고, 상기 도전체 부분에 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원이 접속되고,
상기 처리 가스 공급 기구는, 상기 처리 용기의 상부에 상기 기판 탑재대와 대향하여 설치된, 상기 처리 가스를 상기 처리 용기내에 토출하기 위한 샤워 헤드를 갖고,
상기 기판 탑재대와 상기 샤워 헤드는 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고, 상기 고주파 전원으로부터 공급된 고주파 전력에 의해 상기 처리 용기내에 처리 가스의 플라즈마가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012250809A JP6010433B2 (ja) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | 基板載置台および基板処理装置 |
| JPJP-P-2012-250809 | 2012-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140063415A true KR20140063415A (ko) | 2014-05-27 |
Family
ID=50759789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130133326A KR20140063415A (ko) | 2012-11-15 | 2013-11-05 | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6010433B2 (ko) |
| KR (1) | KR20140063415A (ko) |
| CN (1) | CN103824800B (ko) |
| TW (1) | TWI595555B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979189A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-10-14 | 北京工业大学 | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6469985B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2019-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US10283398B2 (en) * | 2014-10-30 | 2019-05-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate placing table |
| JP6855687B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2021-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
| JP6584289B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
| JP6820206B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物を処理する方法 |
| US20210005493A1 (en) * | 2017-11-28 | 2021-01-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| JP7008497B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および温度制御方法 |
| CN108364845B (zh) * | 2018-03-20 | 2020-05-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种干法刻蚀设备 |
| JP7356446B2 (ja) * | 2018-04-04 | 2023-10-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 封止表面を有する静電チャック |
| JP7101029B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
| JP7204350B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2023-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板処理装置及びエッジリング |
| JP7115942B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法 |
| KR102550586B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2023-06-30 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 흡착 및 얼라인먼트 방법, 흡착 시스템, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| JP7228989B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、エッジリングの位置決め方法及び基板処理装置 |
| JP7209515B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2023-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持機構および成膜装置 |
| JP6982701B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2021-12-17 | 株式会社アルバック | 静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法 |
| JP7340938B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267436A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
| US5636098A (en) * | 1994-01-06 | 1997-06-03 | Applied Materials, Inc. | Barrier seal for electrostatic chuck |
| US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
| US7663860B2 (en) * | 2003-12-05 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck |
| JP4642550B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法 |
| JP5003102B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体 |
| JP5222442B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法 |
| JP5243465B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5871453B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置，基板保持機構，基板位置ずれ検出方法 |
| JP5869899B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2016-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
-
2012
- 2012-11-15 JP JP2012250809A patent/JP6010433B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-05 KR KR1020130133326A patent/KR20140063415A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-11-11 TW TW102140864A patent/TWI595555B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-11-15 CN CN201310573742.9A patent/CN103824800B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979189A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-10-14 | 北京工业大学 | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6010433B2 (ja) | 2016-10-19 |
| CN103824800A (zh) | 2014-05-28 |
| TW201438096A (zh) | 2014-10-01 |
| CN103824800B (zh) | 2018-01-19 |
| TWI595555B (zh) | 2017-08-11 |
| JP2014099519A (ja) | 2014-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20140063415A (ko) | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 | |
| CN109216148B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| JP5371238B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP6215871B2 (ja) | ガス導入開口を備えた基板支持体 | |
| JP5059450B2 (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
| JP4782733B2 (ja) | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| KR101406524B1 (ko) | 플라즈마 생성용 전극 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US8852386B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2008251764A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20170028849A (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
| JP2019176031A (ja) | プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 | |
| JP2009152434A (ja) | 基板処理装置 | |
| US8342121B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20220157573A1 (en) | Edge ring and substrate processing apparatus | |
| US10968514B2 (en) | Substrate mounting table | |
| JP7110020B2 (ja) | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 | |
| JP6727338B2 (ja) | 非シャドウフレーム式プラズマ処理チャンバ | |
| JP3880896B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| CN112928010A (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
| JP5390657B2 (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
| CN113936986B (zh) | 基板脱离方法和等离子体处理装置 | |
| US20210217649A1 (en) | Edge ring and substrate processing apparatus | |
| JP7204564B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP7145625B2 (ja) | 基板載置構造体およびプラズマ処理装置 | |
| JP4198443B2 (ja) | ガス処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |