JP7101029B2 - 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 - Google Patents
静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7101029B2 JP7101029B2 JP2018077066A JP2018077066A JP7101029B2 JP 7101029 B2 JP7101029 B2 JP 7101029B2 JP 2018077066 A JP2018077066 A JP 2018077066A JP 2018077066 A JP2018077066 A JP 2018077066A JP 7101029 B2 JP7101029 B2 JP 7101029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrodes
- voltage
- electrostatic chuck
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図5を参照して、第1実施例に係る基板保持方法MTを説明する。制御装置CNTは、図5の流れ図に示す第1実施例に係る基板保持方法MTを実行する。第1実施例において、制御装置CNTは、距離Lgapの長さ順に、電極14eに直流電圧を印加する。
図7を参照して、第2実施例に係る基板保持方法MTを説明する。制御装置CNTは、図7の流れ図に示す第2実施例に係る基板保持方法MTを実行する。第2実施例において、制御装置CNTは、静電チャック14の表面14sに載置される基板Wの反り状態を距離Lgapに基づいて特定し、特定した反り状態に基づいて電極14eに直流電圧を印加する。
図8を参照して、第3実施例に係る基板保持方法MTを説明する。制御装置CNTは、図8の流れ図に示す第3実施例に係る基板保持方法MTを実行する。第3実施例において、制御装置CNTは工程ST2において複数の電極14eに対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスSQのうち基板Wと静電チャック14との密着性が最も高い一の印加シーケンスSQを距離Lgapに基づいて選定する。制御装置CNTは、選定した印加シーケンスSQを用いて、直流電圧を電極14eに印加するタイミングを制御する。複数の印加シーケンスSQのそれぞれは、予め作製されており、相互に区別し得るような例えば識別記号が付与されている。
Claims (12)
- 基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面を備える静電チャックと、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置と、
前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する測定システムと、
を備え、
複数の前記電極のそれぞれは、直流電圧が印加されることによって、前記基板を吸着する静電気力を発生し、
複数の前記電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、
前記測定システムは、
複数の前記電極毎に前記距離を測定し、
前記制御装置は、
前記距離の長さ順に、前記電極に直流電圧を印加する、
基板処理装置。 - 基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面を備える静電チャックと、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置と、
前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する測定システムと、
を備え、
複数の前記電極のそれぞれは、直流電圧が印加されることによって、前記基板を吸着する静電気力を発生し、
複数の前記電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、
前記測定システムは、
複数の前記電極毎に前記距離を測定し、
前記制御装置は、
前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を前記距離に基づいて特定し、特定した該反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加し、
前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定した場合に、
前記表面の中央にある前記電極に最初に直流電圧を印加し、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す、
基板処理装置。 - 基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面を備える静電チャックと、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置と、
前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する測定システムと、
を備え、
複数の前記電極のそれぞれは、直流電圧が印加されることによって、前記基板を吸着する静電気力を発生し、
複数の前記電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、
前記測定システムは、
複数の前記電極毎に前記距離を測定し、
前記制御装置は、
前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を前記距離に基づいて特定し、特定した該反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加し、
前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定した場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加し、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す、
基板処理装置。 - 前記制御装置は、複数の前記電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち前記基板と前記静電チャックとの密着性が最も高い一の該印加シーケンスを選定し、選定した該印加シーケンスを用いて前記タイミングを制御する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、
前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定した場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加し、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、複数の前記電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する、
請求項1~5の何れか一項に記載の基板処理装置。 - 静電チャックを用いて基板を保持する基板保持方法であって、該静電チャックは、該基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面とを備え、複数の該電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、複数の該電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって該基板を吸着する静電気力を発生し、該方法は、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する工程を備え、
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の前記電極毎に前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する工程と、
前記距離の長さ順に、該電極に直流電圧を印加する工程と、
を備える、
基板保持方法。 - 静電チャックを用いて基板を保持する基板保持方法であって、該静電チャックは、該基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面とを備え、複数の該電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、複数の該電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって該基板を吸着する静電気力を発生し、該方法は、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する工程を備え、
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の前記電極毎に前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する工程と、
前記距離に基づいて、前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を特定する工程と、
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する工程と、
を備え、
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する前記工程は、
反り状態を特定する前記工程において、前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定された場合に、
前記表面の中央にある前記電極に最初に直流電圧を印加する工程と、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、
を備える、
基板保持方法。 - 静電チャックを用いて基板を保持する基板保持方法であって、該静電チャックは、該基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面とを備え、複数の該電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、複数の該電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって該基板を吸着する静電気力を発生し、該方法は、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する工程を備え、
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の前記電極毎に前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する工程と、
前記距離に基づいて、前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を特定する工程と、
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する工程と、
を備え、
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する前記工程は、
反り状態を特定する前記工程において、前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加する工程と、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、
を備える、
基板保持方法。 - 前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の前記電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち前記基板と前記静電チャックとの密着性が最も高い一の該印加シーケンスを選定し、選定した該印加シーケンスを用いて前記タイミングを制御する、
請求項7に記載の基板保持方法。 - 前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加する前記工程は、
反り状態を特定する前記工程において、前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加する工程と、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、
を備える、
請求項8に記載の基板保持方法。 - 前記タイミングを制御する前記工程では、複数の前記電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する、
請求項7~11の何れか一項に記載の基板保持方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018077066A JP7101029B2 (ja) | 2018-04-12 | 2018-04-12 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
TW108111889A TWI788552B (zh) | 2018-04-12 | 2019-04-03 | 靜電吸盤、基板處理裝置及基板保持方法 |
KR1020190041986A KR102716535B1 (ko) | 2018-04-12 | 2019-04-10 | 정전 척, 기판 처리 장치, 및 기판 보지 방법 |
US16/382,513 US11133759B2 (en) | 2018-04-12 | 2019-04-12 | Electrostatic chuck, substrate processing apparatus, and substrate holding method |
CN201910293463.4A CN110379757B (zh) | 2018-04-12 | 2019-04-12 | 静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018077066A JP7101029B2 (ja) | 2018-04-12 | 2018-04-12 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019186433A JP2019186433A (ja) | 2019-10-24 |
JP7101029B2 true JP7101029B2 (ja) | 2022-07-14 |
Family
ID=68160050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018077066A Active JP7101029B2 (ja) | 2018-04-12 | 2018-04-12 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11133759B2 (ja) |
JP (1) | JP7101029B2 (ja) |
KR (1) | KR102716535B1 (ja) |
CN (1) | CN110379757B (ja) |
TW (1) | TWI788552B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111540707A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 静电卡盘装置及晶片静电吸附方法 |
CN112289732B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-11-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | 基板处理装置 |
WO2022146667A1 (en) | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Mattson Technology, Inc. | Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus |
US11830754B2 (en) * | 2021-03-26 | 2023-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing method and apparatus |
US20240271668A1 (en) * | 2021-05-14 | 2024-08-15 | Estat Actuation, Inc. | Electroadhesive clutch for universal load directions transmission |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002505036A (ja) | 1997-06-11 | 2002-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェハ検知方法と装置 |
JP2003037159A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Toto Ltd | 静電チャックユニット |
JP2015216307A (ja) | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4692836A (en) | 1983-10-31 | 1987-09-08 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Electrostatic chucks |
US5184398A (en) * | 1991-08-30 | 1993-02-09 | Texas Instruments Incorporated | In-situ real-time sheet resistance measurement method |
JPH06163674A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | 試料保持装置のモニタ方法 |
JPH06204325A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置およびその吸着方法 |
US5872694A (en) * | 1997-12-23 | 1999-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage |
JP2000124299A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2002009140A (ja) | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャック装置 |
JP2003115442A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置におけるレチクル又はウエハの静電チャック方法 |
JP2003158174A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Canon Inc | 静電吸着装置、その製造方法及び固定保持方法 |
JP2004047513A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4600655B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 基板保持方法 |
JP4796523B2 (ja) | 2006-03-24 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | セラミックス焼成体の製造方法 |
US20090109595A1 (en) * | 2007-10-31 | 2009-04-30 | Sokudo Co., Ltd. | Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools |
JP2010123810A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置及び基板温度制御方法 |
SG183807A1 (en) * | 2010-03-26 | 2012-10-30 | Ulvac Inc | Substrate holding device |
JP6010433B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
JP5938716B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2016-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6761271B2 (ja) * | 2016-04-05 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | 処理装置及び物品の製造方法 |
JP6688172B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
-
2018
- 2018-04-12 JP JP2018077066A patent/JP7101029B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-03 TW TW108111889A patent/TWI788552B/zh active
- 2019-04-10 KR KR1020190041986A patent/KR102716535B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-12 US US16/382,513 patent/US11133759B2/en active Active
- 2019-04-12 CN CN201910293463.4A patent/CN110379757B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002505036A (ja) | 1997-06-11 | 2002-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェハ検知方法と装置 |
JP2003037159A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Toto Ltd | 静電チャックユニット |
JP2015216307A (ja) | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102716535B1 (ko) | 2024-10-11 |
TWI788552B (zh) | 2023-01-01 |
KR20190119532A (ko) | 2019-10-22 |
JP2019186433A (ja) | 2019-10-24 |
US11133759B2 (en) | 2021-09-28 |
US20190319555A1 (en) | 2019-10-17 |
CN110379757A (zh) | 2019-10-25 |
CN110379757B (zh) | 2024-03-22 |
TW201944524A (zh) | 2019-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7101029B2 (ja) | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 | |
TW464975B (en) | Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing chamber | |
JP5317424B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102569911B1 (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
JP4699127B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20170178872A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
US11569073B2 (en) | Assembly provided with coolant flow channel, method of controlling assembly provided with coolant flow channel, and substrate processing apparatus | |
TWI689033B (zh) | 於載置台吸附被吸附物之方法及處理裝置 | |
JP7154119B2 (ja) | 制御方法及びプラズマ処理装置 | |
KR20010087195A (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
US9793136B2 (en) | Plasma etching method | |
JP2006202939A (ja) | 吸着方法、脱離方法、プラズマ処理方法、静電チャック及びプラズマ処理装置 | |
US9548214B2 (en) | Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object | |
CN111029237B (zh) | 基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法 | |
JP7090149B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 | |
JP6142305B2 (ja) | 静電吸着方法及び静電吸着装置 | |
KR20210018988A (ko) | 정전 척, 포커스 링, 지지대, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP2002222850A (ja) | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 | |
JP2022520337A (ja) | 静電チャックのための方法およびツール | |
TW202202000A (zh) | 電漿處理裝置及匹配方法 | |
JP6510922B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
WO2024070268A1 (ja) | プラズマ処理装置及びエッチング方法 | |
TWI836422B (zh) | 等離子體蝕刻系統 | |
WO2022124334A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
WO2024070578A1 (ja) | プラズマ処理装置及び電源システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7101029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |