KR20210076858A - 에지 링 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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미츠아키 사토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 플라즈마 처리에 이용되는 에지 링의 교환 빈도를 저감하는 동시에 전열 가스의 리크를 억제하는 것.
[해결 수단] 에지 링은 환상의 제 1 부재와 환상의 제 2 부재를 갖고, 제 1 부재는 하면에 오목부를 갖고, 또한, 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되고, 제 2 부재는 제 1 부재의 오목부에 배치되고, 또한, 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성된다.

Description

에지 링 및 기판 처리 장치{EDGE RING AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 에지 링 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판에 대한 플라즈마 처리에 있어서, 소정의 진공도로 된 챔버 내에 배치된 기판의 외주를 따라서 에지 링이 배치되는 일이 있다. 에지 링이 배치되는 것에 의해, 기판의 면 내에서 균일하게 플라즈마 처리를 실행할 수 있다.
또한, 기판에 대한 플라즈마 처리는 정전 척 상에 탑재된 기판 및 에지 링이 정전 흡착력으로 정전 척에 흡착된 상태로 실행된다. 게다가, 기판과 정전 척 사이의 열전달성, 및 에지 링과 정전 척 사이의 열전달성을 향상시키기 위해서, 정전 척과 기판 사이, 및 정전 척과 에지 링 사이에 He 가스 등의 전열 가스가 공급된다.
종래, 실리콘 카바이드(SiC)로 형성된 에지 링(이하에서는 「SiC 에지 링」이라고 부르는 일이 있음)이 알려져 있다. SiC 에지 링은 내플라즈마성이 높기 때문에, 에지 링의 교환 빈도를 저감할 수 있다.
일본 특허 공개 제 2010-251723 호 공보
본 개시에서는, 교환 빈도를 저감하는 동시에 전열 가스의 리크의 억제가 가능한 에지 링을 제안한다.
개시태양의 에지 링은 환상의 제 1 부재와 환상의 제 2 부재를 갖는다. 제 1 부재는 하면에 오목부를 갖고, 또한, 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성된다. 제 2 부재는 제 1 부재의 오목부에 배치되고, 또한, 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성된다.
본 개시의 에지 링을 플라즈마 처리에 이용하는 것에 의해, 에지 링의 교환 빈도를 저감하는 동시에 전열 가스의 리크를 억제할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2는 에지 링 및 웨이퍼의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 에지 링의 구성예를 도시하는 도면이다.
이하에, 본 개시의 기술의 실시형태를 도면에 근거하여 설명한다. 이하의 실시형태에 있어서 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여한다.
<기판 처리 장치의 구성>
도 1은 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(100)는 예를 들면, 알루미늄 또는 스테인리스강 등으로 이루어지는 금속제의 처리 용기인 챔버(10)를 갖는다. 챔버(10)는 보안 접지되어 있다.
챔버(10) 내에는, 원반 형상의 서셉터(11)가 수평하게 배치되어 있다. 서셉터(11)는 피처리 기판으로서의 반도체 기판(이하에서는 「웨이퍼(W)」라고 부르는 일이 있음)과, 에지 링(ER)이 탑재되는 정전 척(25)의 하면에 배치된다. 또한, 서셉터(11)는 고주파 전압이 인가되는 하부 전극으로서 기능한다. 서셉터(11)는 예를 들면, 알루미늄으로 이루어지고, 절연성의 통형상 보지 부재(12)를 거쳐서, 챔버(10)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장되는 통형상 지지부(13)로 지지되어 있다.
챔버(10)의 측벽과 통형상 지지부(13) 사이에는 배기로(14)가 형성되고, 배기로(14)의 입구 또는 도중에 환상의 배플판(15)이 배치되는 동시에, 챔버(10)의 바닥부에는 배기구(16)가 마련되고, 배기구(16)에 배기관(17)을 거쳐서 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 배기 장치(18)는 진공 펌프를 갖고, 챔버(10)에 의해서 제공되는 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 또한, 배기관(17)은 APC(Automatic Pressure Control Valve)를 갖고, APC는 자동적으로 챔버(10) 내의 압력 제어를 실행한다. 또한, 챔버(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입반출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 장착되어 있다.
서셉터(11)에는, 고주파 전원(21-1, 21-2)이 정합기(22-1, 22-2)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원(21-1)은 플라즈마 생성용의 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가한다. 고주파 전원(21-1)은 27㎒ 내지 100㎒의 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가하고, 예를 들면, 40㎒의 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가하는 것이 바람직하다. 또한, 고주파 전원(21-2)은 웨이퍼(W)에 이온을 인입하기 위한 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가한다. 고주파 전원(21-2)은 400㎑ 내지 40㎒의 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가하고, 예를 들면, 3㎒의 고주파 전압을 서셉터(11)에 인가하는 것이 바람직하다. 정합기(22-1)는 고주파 전원(21-1)의 출력 임피던스와 서셉터(11)측의 입력 임피던스를 정합시키고, 정합기(22-2)는 고주파 전원(21-2)의 출력 임피던스와 서셉터(11)측의 입력 임피던스를 정합시킨다.
챔버(10)의 천장부에는, 접지 전위의 상부 전극으로서의 샤워 헤드(24)가 배치되어 있다.
정전 척(25)은 서셉터(11)의 상면에 배치되고, 정전 척(25) 상에 탑재된 웨이퍼(W) 및 에지 링(ER)을 정전 흡착력으로 흡착한다. 정전 척(25)은 원판 형상의 중심부(25a)와, 환상의 외주부(25b)와, 중심부(25a)보다 직경이 큰 원반 형상의 기저부(基底部)(25f)를 갖고, 중심부(25a)는 외주부(25b)에 대해서 상방으로 돌출하여 있다. 중심부(25a) 및 외주부(25b)의 하면과, 기저부(25f)의 상면이 접착되어서 정전 척(25)이 형성된다. 중심부(25a)의 상면에는 웨이퍼(W)가 탑재되고, 외주부(25b)의 상면에는, 중심부(25a)를 환상으로 둘러싸는 에지 링(ER)이 탑재된다. 또한, 중심부(25a)는 도전막으로 이루어지는 전극판(25c)이 한 쌍의 유전막 사이에 끼워넣어지는 것에 의해서 형성되는 한편, 외주부(25b)는 도전막으로 이루어지는 전극판(25d, 25e)이 한 쌍의 유전막 사이에 끼워넣는 것에 의해서 형성된다. 즉, 전극판(25c, 25d, 25e)은 정전 척(25)의 내부에 마련된다. 또한, 전극판(25c)은 정전 척(25)의 내부에 있어서 웨이퍼(W)와 대응하는 영역에 마련되고, 전극판(25d, 25e)은 정전 척(25)의 내부에 있어서 에지 링(ER)과 대응하는 영역에 마련된다. 전극판(25c)에는 직류 전원(26)이 전기적으로 접속되고, 전극판(25d)에는 직류 전원(28)이 전기적으로 접속되며, 전극판(25e)에는 직류 전원(29)이 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 정전 척(25)은 직류 전원(26)으로부터 전극판(25c)에 인가되는 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롬력 또는 존슨·라벡력(Johnson-Rahbek force)에 의해서 웨이퍼(W)를 흡착 보지하는 동시에, 직류 전원(28, 29)으로부터 전극판(25d, 25e)에 인가되는 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롬력 또는 존슨·라벡력에 의해서 에지 링(ER)을 흡착 보지한다. 즉, 도 1을 평면에서 바라보았을 경우, 정전 척(25)의 내부에는, 웨이퍼(W)와 적어도 일부 중복되는 영역에 웨이퍼(W)를 정전 흡착하는 전극이 마련되는 동시에, 에지 링(ER)과 적어도 일부 중복되는 영역에 에지 링(ER)을 정전 흡착하는 전극이 마련된다.
상기와 같이, 정전 척(25)의 중심부(25a)의 상면에는 웨이퍼(W)가 탑재되고, 정전 척(25)의 외주부(25b)의 상면에는, 중심부(25a)를 환상으로 둘러싸는 에지 링(ER)이 탑재된다. 즉, 에지 링(ER)은 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 정전 척(25) 상에 배치된다. 또한, 정전 척(25)의 하면과 서셉터(11)의 상면이 서로 접하여 있다. 따라서, 서셉터(11) 및 정전 척(25)은 웨이퍼(W) 및 에지 링(ER)이 탑재되는 탑재대로서 형성된다.
서셉터(11)의 내부에는, 원주 방향으로 연장되는 환상의 냉매실(31)이 마련되어 있다. 냉매실(31)에는, 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 거쳐서 소정 온도의 냉매(예를 들면, 냉각수)가 순환 공급되고, 그 냉매의 온도에 의해서 정전 척(25) 상의 웨이퍼(W)의 처리 온도가 제어된다.
게다가, 전열 가스 공급부(35)로부터 전열 가스(예를 들면, He 가스)가, 가스 공급관(36) 및 가스 도입 구멍(101, 102, 103)을 거쳐서, 정전 척(25)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이, 및 정전 척(25)의 상면과 에지 링(ER)의 하면 사이에 공급된다. 가스 공급관(36)은 서셉터(11)와 정전 척(25)의 기저부(25f)를 관통하여 배치된다. 또한, 정전 척(25)의 중심부(25a)에는, 가스 공급관(36)에 연결되는 가스 도입 구멍(101, 102)이 마련되고, 정전 척(25)의 외주부(25b)에는, 가스 공급관(36)에 연결되는 가스 도입 구멍(103)이 마련된다. 정전 척(25)의 외주부(25b)에 있어서, 전극판(25d)과 전극판(25e)의 2개의 전극판은, 전극판(25d)과 전극판(25e) 사이에 가스 도입 구멍(103)을 사이에 두고 배치된다. 전열 가스 공급부(35)로부터 가스 공급관(36) 및 가스 도입 구멍(101, 102, 103)을 거쳐서 공급되는 전열 가스에 의해, 웨이퍼(W)와 정전 척(25) 사이의 열전달성, 및 에지 링(ER)과 정전 척(25) 사이의 열전달성이 향상한다.
천장부의 샤워 헤드(24)는 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는 전극판(37)과, 전극판(37)을 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 또한, 전극 지지체(38)의 내부에 버퍼실(39)이 마련되고, 버퍼실(39)의 가스 도입구(38a)에는 처리 가스 공급부(40)로부터의 가스 공급관(41)이 접속되어 있다.
기판 처리 장치(100)에서 예를 들면, 드라이에칭 처리가 실행될 때, 먼저 게이트 밸브(20)가 개방 상태로 되고, 웨이퍼(W)가 챔버(10) 내에 반입되어서 정전 척(25) 상에 탑재된다. 그리고, 처리 가스 공급부(40)에서, 예를 들면, 소정의 유량 비율의 C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스가 처리 가스로서 소정의 유량 및 유량비로 챔버(10) 내에 도입되고, 배기 장치(18)에 의해 챔버(10) 내의 압력이 소정 값으로 된다. 또한, 직류 전원(26)에서 직류 전압이 전극판(25c)에 인가되는 동시에, 직류 전원(28, 29)에서 직류 전압이 전극판(25d, 25e)에 인가되는 것에 의해, 웨이퍼(W) 및 에지 링(ER)이 정전 척(25) 상에 정전 흡착된다. 그리고, 고주파 전원(21-1, 21-2)에서 고주파 전압이 서셉터(11)에 인가된다. 이에 의해, 샤워 헤드(24)에서 토출되는 처리 가스가 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해서 생성되는 라디칼이나 이온에 의해서 웨이퍼(W)의 표면이 에칭된다.
<정전 척, 에지 링 및 웨이퍼의 위치 관계>
도 2는 정전 척, 에지 링 및 웨이퍼의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 에지 링(ER)은 환상의 형상을 갖고, 에지 링(ER)의 내주부(51)는 에지 링(ER)의 외주부(52)보다 얇게 형성되어 있다. 또한, 정전 척(25)의 외주부(25b)는 정전 척(25)의 중심부(25a)보다 얇게 형성되어 있다. 정전 척(25)의 외주부(25b)에 에지 링(ER)이 탑재되고, 정전 척(25)의 중심부(25a)에 웨이퍼(W)가 탑재된다. 일례에서는, 에지 링(ER)의 내주부(51)는, 에지 링(ER)의 내주부(51)의 상면이 정전 척(25)의 중심부(25a)의 상면보다 낮아지도록 형성되어 있다. 또한 일례에서는, 에지 링(ER)의 외주부(52)는, 에지 링(ER)의 외주부(52)의 상면이 웨이퍼(W)의 상면과 대략 동일한 높이가 되도록, 또는 웨이퍼(W)의 상면보다 높아지도록 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 원반 형상의 형상을 갖고, 웨이퍼(W)의 직경은 정전 척(25)의 중심부(25a)의 직경보다 크다. 따라서, 웨이퍼(W)가 정전 척(25)의 중심부(25a)에 탑재되었을 때에는, 웨이퍼(W)의 주연부(61)가 정전 척(25)의 중심부(25a)보다 외측으로 돌출하고, 웨이퍼(W)의 주연부(61)의 하면과 에지 링(ER)의 내주부(51)의 상면이 서로 대향한다.
또한, 정전 척(25)의 중심부(25a)에는, 예를 들면, 6개의 가스 도입 구멍(101) 및 6개의 가스 도입 구멍(102)이 마련되고, 정전 척(25)의 외주부(25b)에는, 예를 들면, 6개의 가스 도입 구멍(103)이 마련된다. 따라서, 전열 가스는 가스 도입 구멍(101, 102)을 통해서 정전 척(25)의 중심부(25a)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에 도입되는 동시에, 가스 도입 구멍(103)을 통해서 정전 척(25)의 외주부(25b)의 상면과 에지 링(ER)의 외주부(52)의 하면 사이에 도입된다.
<에지 링의 구성>
도 3은 에지 링의 구성예를 도시하는 도면이다. 도 3에 도시하는 에지 링(ER1)은 도 1 및 도 2에 도시되는 에지 링(ER)에 상당한다.
도 3에 있어서, 에지 링(ER1)은 환상의 부재(M1)와, 환상의 부재(M2)가 접착층(B2)을 거쳐서 접합되는 것에 의해 형성된다. 부재(M1)는 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되고, 부재(M2)는 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성된다. 바꿔말하면, 부재(M2)를 형성하는 제 2 재료는, 부재(M1)를 형성하는 제 1 재료보다 유연성이 높다. 부재(M1)를 형성하는 제 1 재료의 일례로서, 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드(WC), 산화 마그네슘(MgO), 또는 이트리아(Y2O3)를 들 수 있다. 또한, 부재(M2)를 형성하는 제 2 재료의 일례로서, 실리콘을 들 수 있다.
부재(M1)는 부재(M1)의 하면(S11)에 오목부(C1)를 갖고, 부재(M2)는 부재(M1)의 오목부(C1)에 배치된다.
부재(M2)의 두께(T2)는 예를 들면, 오목부(C1)의 깊이(D1)보다 크다. 이 경우, 부재(M2)의 하면(S21)은, 부재(M1)의 하면(S11)보다 정전 척(25)측으로 돌출하기 때문에, 부재(M1) 및 부재(M2) 중 부재(M2)만이 정전 척(25)의 외주부(25b)의 상면과 접한다. 그 결과, 에지 링(ER1)을 정전 척(25)에 정전 흡착했을 때에, 정전 척(25)에 대한 에지 링(ER1)의 밀착성이 보다 향상한다.
접착층(B2)은 오목부(C1)의 바닥면(U1)과, 부재(M2)의 상면(S22) 사이에 마련된다. 또한, 부재(M2)의 상면(S22)에는, 예를 들면, 40㎛ 정도의 깊이의 오목부(C2)가 형성되고, 접착층(B2)은 부재(M2)의 상면(S22)에 형성된 오목부(C2)에 마련된다. 접착층(B2)은 예를 들면, 실리콘계 접착제를 포함한다.
또한, 접착층(B2)은 도전성 필러를 더 포함해도 좋다. 접착층(B2)이 도전성 필러를 포함하는 것에 의해, 부재(M1)와 부재(M2) 사이의 열전도성이 향상한다. 도전성 필러의 일례로서 알루미나를 들 수 있다.
정전 척(25)의 중심부(25a)에는, 환상의 볼록 형상을 취하는 시일 밴드(SB11, SB12)가 마련되고, 시일 밴드(SB11, SB12)에 의해서 웨이퍼(W)가 중심부(25a) 상에 지지된다. 따라서, 시일 밴드(SB11, SB12)의 높이에 대응한 공간(SP1, SP2)이, 중심부(25a)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이에 형성된다. 공간(SP1, SP2)은 가스 도입 구멍(101, 102)과 각각 연결되어 있기 때문에, 전열 가스 공급부(35)로부터 공급되는 전열 가스는, 가스 도입 구멍(101, 102)을 통해서 공간(SP1, SP2)에 각각 도입된다.
또한, 정전 척(25)의 외주부(25b)에는, 환상의 볼록 형상을 취하는 시일 밴드(SB21, SB22)가 마련되고, 시일 밴드(SB21, SB22)에 의해서 에지 링(ER1)이 외주부(25b) 상에 지지된다. 따라서, 시일 밴드(SB21, SB22)의 높이에 대응한 공간(SP3)이, 외주부(25b)의 상면과 부재(M2)의 하면(S21) 사이에 형성된다. 공간(SP3)은 가스 도입 구멍(103)과 연결되어 있기 때문에, 전열 가스 공급부(35)로부터 공급되는 전열 가스는, 가스 도입 구멍(103)을 통해서 공간(SP3)에 도입된다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 부재(M1)와 부재(M2)가 접착층(B2)을 거쳐서 접합되는 경우를 일례로 들었지만, 부재(M1)와 부재(M2)는 확산 접합에 의해 접합되어도 좋다.
이상과 같이, 본 개시의 에지 링(에지 링(ER1))은 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되는 환상의 제 1 부재(부재(M1))와, 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성되는 환상의 제 2 부재(부재(M2))를 갖는다. 제 2 부재는 제 1 부재의 하면에 형성된 오목부(오목부(C1))에 배치된다.
본 개시의 에지 링에 있어서는, 플라즈마 처리 중에 플라즈마에 노출되는 제 1 부재가 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되기 때문에, 에지 링에 내플라즈마성을 갖게 할 수 있다. 또한, 정전 척과 접하는 제 2 부재가 제 1 재료보다 강성이 낮은(즉, 제 1 재료보다 유연성이 높은) 제 2 재료로 형성되기 때문에, 에지 링과 정전 척 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 개시의 에지 링을 이용함으로써, 에지 링의 교환 빈도를 저감하는 동시에 전열 가스의 리크를 억제할 수 있다.
이상, 에지 링 및 기판 처리 장치를 상기 실시형태에 의해 설명하였지만, 본 개시에 따른 에지 링 및 기판 처리 장치는 상기 실시형태로 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 범위 내에서 여러가지의 변형 및 개량이 가능하다.
예를 들어, 본 개시에 따른 에지 링은 용량 결합형 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 장치뿐만 아니라, 그 외의 기판 처리 장치에도 적용 가능하다. 그 외의 기판 처리 장치로서는, 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 처리 장치, 래디얼 라인 슬롯 안테나(Radial Line Slot Antenna)를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP; Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR; Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 좋다.
또한, 본 실시형태의 기판 처리 장치(100)에서는, 정전 척(25)의 외주부(25b)에는, 정전 흡착을 위한 전극판이 2개 마련되어 있지만, 정전 흡착을 위해서 외주부(25b)에 마련되는 전극판의 수는 예를 들면, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다.
본 명세서에서는, 플라즈마 처리의 대상으로 하여 반도체 기판에 대해서 설명하였지만, 플라즈마 처리의 대상은 반도체 기판으로 한정되지 않는다. 플라즈마 처리의 대상은 LCD(Liquid Crystal Display)나 FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
W : 웨이퍼 ER, ER1 : 에지 링
M1, M2 : 부재 11 : 서셉터
25 : 정전 척 100 : 기판 처리 장치

Claims (11)

  1. 피처리 기판의 주위에 배치되는 에지 링에 있어서,
    하면에 오목부를 갖고, 또한, 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되는 환상의 제 1 부재와,
    상기 오목부에 배치되고, 또한, 상기 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성되는 환상의 제 2 부재를 구비하는
    에지 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 재료는 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드, 산화 마그네슘, 또는 이트리아이며,
    상기 제 2 재료는 실리콘인
    에지 링.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 부재의 두께가 상기 오목부의 깊이보다 큰
    에지 링.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재는 상기 오목부의 바닥면과 상기 제 2 부재의 상면 사이에 마련되는 접착층을 거쳐서 접합되는
    에지 링.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접착층은 실리콘계 접착제를 포함하는
    에지 링.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 접착층은 도전성 필러를 더 포함하는
    에지 링.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 제 2 부재의 상기 상면에 형성된 오목부에 마련되는
    에지 링.
  8. 처리 공간을 제공하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되고, 또한, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대와.
    상기 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치되는 에지 링을 구비하고,
    상기 탑재대는 평면에서 바라볼 때 상기 에지 링과 적어도 일부 중복되는 영역에 상기 에지 링을 정전 흡착하는 전극을 갖고,
    상기 에지 링은,
    하면에 오목부를 갖고, 또한, 내플라즈마성을 갖는 제 1 재료로 형성되는 환상의 제 1 부재와,
    상기 오목부에 배치되고, 상기 제 1 재료보다 강성이 낮은 제 2 재료로 형성되고, 또한, 상기 탑재대의 상면과 접하는 하면을 갖는 환상의 제 2 부재를 갖는
    기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 탑재대의 상기 상면과 상기 제 2 부재의 상기 하면 사이에 전열 가스가 공급되는 공간을 더 구비하는
    기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 탑재대는 상기 전열 가스를 상기 공간에 도입하는 도입 구멍을 갖고,
    상기 전극은 상기 도입 구멍을 사이에 두고 배치되는 2개의 전극인
    기판 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재 중 상기 제 2 부재만이 상기 탑재대의 상면과 접하는
    기판 처리 장치.
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