JP5730638B2 - 基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法 - Google Patents
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Description
25、65、75、85、95、105、115 フォーカスリング
25T 薄肉部
25Ta 上面
25Tb 下面
25c 凹部
25d 被覆部材
65T、75T、85T、95T、105T、115T 温度測定部材
38 コリメータ
Claims (25)
- 温度が測定される基板処理装置の処理室内構成部材であって、
消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面と、
互いに平行である前記消耗面側の面及び前記非消耗面側の面を備えた温度測定部と、
前記温度測定部の前記消耗面側の面を被覆する被覆部と、を有し、
前記温度測定部へ前記非消耗面側の面から測定光を照射したときの前記非消耗面側の面で反射した測定光と前記消耗面側の面で反射した測定光との光路長差が前記温度測定部の温度変化に伴って変化することを利用して前記温度測定部の温度が測定されることを特徴とする基板処理装置の処理室内構成部材。 - 前記温度測定部は、前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面は、それぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項2又は3記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記被覆部は、シリコン(Si)、炭化珪素(SiC)、石英、サファイア、セラミック、アルミナ(Al2O3)及び窒化アルミニウム(AlN)のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、
該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。 - 前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項6又は7記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定用部材は、シリコン(Si)、石英又はサファイアからなることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部であり、該基板処理装置の処理室内構成部材の一部における前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該鏡面加工が施された消耗面側の面は前記被覆部によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた切欠部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記切欠部を構成する一部によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に接合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記薄板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記薄板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記厚板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記厚板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。
- 低コヒーレンス光の干渉を利用して基板処理装置の処理室内構成部材の温度を測定する方法であって、
消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面とを備えた前記基板処理装置の処理室内構成部材に設けられ、前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行である温度測定部であって、前記消耗面側の面が被覆部で被覆された温度測定部に対して前記非消耗面側の面から測定光を照射する光照射ステップと、
前記温度測定部の非消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光及び前記消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光をそれぞれ受光する受光ステップと、
前記受光ステップで受光した前記2つの反射光の光路長差を求める光路長差検出ステップと、
前記光路長差検出ステップで検出した光路長差と、予め求めた前記2つの反射光の光路長差と前記温度測定部の温度との関係に基づいて前記温度測定部の温度を算出する温度算出ステップと、
を有することを特徴とする基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。 - 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項17又は18記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記被覆部は、シリコン(Si)、炭化珪素(SiC)、石英、サファイア、セラミック、アルミナ(Al2O3)及び窒化アルミニウム(AlN)のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項17乃至19のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、
該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。 - 前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項21記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項21又は22記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記温度測定用部材は、シリコン(Si)、石英又はサファイアからなることを特徴とする請求項21乃至23のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
- 前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項16乃至24のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。
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