CN110260993B - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
阵列基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110260993B CN110260993B CN201910535234.9A CN201910535234A CN110260993B CN 110260993 B CN110260993 B CN 110260993B CN 201910535234 A CN201910535234 A CN 201910535234A CN 110260993 B CN110260993 B CN 110260993B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- heat
- transparent substrate
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
- G01K1/024—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers for remote indication
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K5/00—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material
- G01K5/48—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid
- G01K5/56—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid constrained so that expansion or contraction causes a deformation of the solid
- G01K5/58—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid constrained so that expansion or contraction causes a deformation of the solid the solid body being constrained at more than one point, e.g. rod, plate, diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K5/00—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material
- G01K5/48—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid
- G01K5/56—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid constrained so that expansion or contraction causes a deformation of the solid
- G01K5/62—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid constrained so that expansion or contraction causes a deformation of the solid the solid body being formed of compounded strips or plates, e.g. bimetallic strip
- G01K5/70—Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid constrained so that expansion or contraction causes a deformation of the solid the solid body being formed of compounded strips or plates, e.g. bimetallic strip specially adapted for indicating or recording
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
Abstract
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板及显示装置。阵列基板的温度探测模组可包括:第一透明基板;导热基板,具有相对的第一面和第二面,第一面朝向第一透明基板,第二面背离第一透明基板并能够与待测温部件接触;第一相转变层,位于第一透明基板与导热基板之间,并形成在第一面上;反射层,形成在第一相转变层朝向第一透明基板的面上,并与第一透明基板之间具有空气间隙;连接结构,连接导热基板与第一透明基板,并环绕第一相转变层及反射层设置;其中,导热基板能够将待测温部件的热量传导至第一相转变层,第一相转变层能够在不同温度下进行收缩或膨胀,以改变空气间隙的大小。该方案制作工艺简单且成本较低。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着手机、手表、手环等显示装置的不断普及,用户对其要求越来越高,需要其不仅具有显示和通话功能,还需要具有其他功能,例如:温度探测功能。但传统温度探测器的结构较复杂,例如:热电偶温度计、热电阻温度计等,若将其集成在显示装置的内部,会大大增加显示装置的制作难度和制作成本。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种制作工艺简单且成本较低的温度探测模组、阵列基板及显示装置。
本申请第一方面提供了一种温度探测模组,其包括:
第一透明基板;
导热基板,具有相对的第一面和第二面,所述第一面朝向所述第一透明基板,所述第二面背离所述第一透明基板并能够与待测温部件接触;
第一相转变层,位于所述第一透明基板与所述导热基板之间,并形成在所述第一面上;
反射层,形成在所述第一相转变层朝向所述第一透明基板的面上,并与所述第一透明基板之间具有空气间隙;
连接结构,连接所述导热基板与所述第一透明基板,并环绕所述第一相转变层及所述反射层设置;
其中,所述导热基板能够将待测温部件的热量传导至所述第一相转变层,所述第一相转变层能够在不同温度下进行收缩或膨胀,以改变所述空气间隙的大小。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第一相转变层采用聚(N-异丙基丙烯酰胺)材料制作而成。
在本申请的一种示例性实施例中,所述导热基板包括第一导热层、隔热绝缘层、第二导热层及导热连接部,所述隔热绝缘层位于所述第一导热层和所述第二导热层之间,所述导热连接部嵌在所述隔热绝缘层内,并连接所述第一导热层和所述第二导热层;
其中,所述第一面为所述第二导热层背离所述隔热绝缘层的面,所述第二面为所述第一导热层背离所述隔热绝缘层的面。
在本申请的一种示例性实施例中,所述连接结构与所述第一相转变层和所述反射层之间无缝贴合。
本申请第二方面提供了一种阵列基板,所述阵列基板具有显示区域和非显示区域,且所述阵列基板包括衬底基板、显示模组及上述任一项所述的温度探测模组,
所述显示模组与所述温度探测模组形成在所述衬底基板的同一侧,所述显示模组与所述显示区域相对应,所述温度探测模组与所述非显示区域相对应,其中,所述导热基板的第二面与所述衬底基板相贴合。
在本申请的一种示例性实施例中,所述显示模组包括多个像素单元,各所述像素单元包括形成在所述衬底基板上的驱动基板、与所述驱动基板相对的第二透明基板、以及位于所述驱动基板和所述第二透明基板之间的像素结构,所述像素结构包括依次形成在所述驱动基板上的电热层和第二相转变层、环绕所述电热层及所述第二相转变层的阻挡支撑部,以及位于所述第二相转变层与所述第二透明基板之间有色非极性液体和极性液体;
其中,所述电热层能够将所述驱动基板输出的电能转换为热能并传导至所述第二相转变层,且所述第二相转变层的亲水性能够随着温度变化而发生变化,以改变所述有色非极性液体的形状。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第二相转变层与所述第一相转变层的材料相同,其中,在制作所述第二相转变层的同时制作所述第一相转变层;
所述第二透明基板与所述第一透明基板的材料相同,所述第二透明基板与所述第一透明基板为一体成型。
在本申请的一种示例性实施例中,所述驱动基板包括平坦层,所述电热层形成在所述平坦层上;
其中,所述平坦层与所述导热基板的隔热绝缘层的材料相同,在制作所述平坦层的同时制作所述隔热绝缘层;
所述电热层与所述导热基板的第二导热层和导热连接部的材料相同,在制作所述电热层的同时制作所述第二导热层和所述导热连接部。
在本申请的一种示例性实施例中,所述衬底基板上与所述非显示区域相对应的部位开设有探测口,以暴露所述导热基板的第二面。
本申请第三方面提供了一种显示装置,其包括上述任一项所述的阵列基板。
本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果:
本申请所提供的温度探测模组、阵列基板及显示装置,通过导热基板可将待测温部件的热量传导至第一相转变层,该第一相转变层根据接收到的温度能够进行收缩或膨胀,这样使得反射层与第一透明基板之间的空气间隙发生改变,由于光线在不同的空气间隙中会受到不同程度的干涉,进而呈现不同色光,如:红光、滤光以及蓝光,因此,通过直接观察温度探测模组呈现的光的颜色,即可了解到待测温部件的温度。
相比于传统温度探测器,本申请中的温度探测模组具有结构简单,制作工艺容易实现等特点,以便于温度探测模组集成在阵列基板中,从而可降低具有温度探测功能的阵列基板和显示装置的制作难度。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请一实施例所述的阵列基板的平面示意图;
图2示出了本申请一实施例所述的具有温度探测模组和显示模组的阵列基板的结构示意图;
图3示出了本申请一实施例所述的阵列基板的制作方法的流程图;
图4示出了完成步骤S300之后的结构示意图;
图5示出了完成步骤S301之后的结构示意图;
图6示出了完成步骤S302之后的结构示意图;
图7示出了完成步骤S305之后的结构示意图;
图8示出了完成步骤S308之后的结构示意图。
附图标记:
1、阵列基板;100、温度探测模组;101、第一透明基板;102、第一导热层;103、隔热绝缘层;104、第二导热层;105、导热连接部;106、第一相转变层;107、反射层;108、连接结构;109、衬底基板;109a、探测口;110、显示模组;111、第一缓冲层;112、第二缓冲层;113、多晶硅有源层;113a、沟道区;113b、重掺杂源区;113c、重掺杂漏区;114、栅极绝缘层;115、栅极层;116、层间绝缘层;117、漏极;118、源极;119、平坦层;120、第二透明基板;121、电热层;122、第三导热层;123、第二相转变层;124、有色非极性液体;125、极性液体;126、第一间隔柱;127、第二间隔柱。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本申请将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
本申请实施例提供了一种温度探测模组100,如图2所示,可集成在阵列基板1中,该温度探测模组100可包括第一透明基板101、导热基板、第一相转变层106、反射层107及连接结构108,其中:
第一透明基板101可采用玻璃材料制成,但不限于此。该第一透明基板101可供光线穿过。
导热基板可与第一透明基板101相对设置。详细说明,该导热基板可具有相对的第一面和第二面,该第一面朝向第一透明基板101,而第二面背离第一透明基板101并能够与待测温部件接触。
举例而言,在温度探测模组100集成到阵列基板1中时,为了保证温度探测模组100与显示模组110的厚度相同,本实施例中可将导热基板设置的较厚,同时为了减少导热基板的热损耗,可将导热基板设置成多层结构。
详细说明,该导热基板可包括第一导热层102、隔热绝缘层103、第二导热层104及导热连接部105,该隔热绝缘层103位于第一导热层102和第二导热层104之间,而导热连接部105可嵌在隔热绝缘层103内,并连接第一导热层102和第二导热层104,也就是说,导热连接部105周围被隔热绝缘材料填充,以尽可能的减小传导过程中的热损耗。其中,第一面可为第二导热层104背离隔热绝缘层103的面,第二面可为第一导热层102背离隔热绝缘层103的面,也就是说,待测温部件可与第一导热层102接触,且该第一导热层102可将待测温部件的热量经导热连接部105传导至第二导热层104。
第一相转变层106位于第一透明基板101与导热基板之间,并形成在导热基板的第一面上,导热基板可将待测温部件的热量传导至第一相转变层106,而此第一相转变层106能够在不同温度下进行收缩或膨胀。举例而言,此第一相转变层106可采用聚(N-异丙基丙烯酰胺)材料(简称:PNIPAM材料)制作而成,该PNIPAM材料具有向转变的性能,即,在外部温度刺激下,可发生膨胀或收缩,应当理解的是,该PNIPAM材料可逆转变。
该反射层107可形成在第一相转变层106朝向第一透明基板101的面上,并与第一透明基板101之间具有空气间隙。其中,光线由第一透明基板101进入温度探测模组100之后,会经过空气间隙并入射至反射层107上,接着在由反射层107从第一透明基板101反射出来。其中,由于第一相转变层106能够在不同温度下进行收缩或膨胀,因此,可改变反射层107与第一透明基板101之间空气间隙的大小,换言之,在第一相转变层106的作用下,反射层107与第一透明基板101之间空气间隙大小可随着待测温部件的温度变化而变化。由于光线在不同的空气间隙中会受到不同程度的干涉,进而呈现不同色光,如:红光、滤光以及蓝光,因此,通过直接观察温度探测模组100呈现的光(即:反射光)的颜色,即可了解到待测温部件的温度。
举例而言,此反射层107可采用能够进行反射的金属材料制作而成,但不限于此,也可采用其他可反射材料制作而成。
连接结构108可为框胶结构,该连接结构108可连接导热基板与第一透明基板101,并环绕第一相转变层106及反射层107设置。本实施例中,通过设置连接结构108不仅可以实现导热基板与第一透明基板101的连接,而且还可限制光线的传播路径,从而可保证光源利用率,继而可保证反射光的颜色呈现的准确性,以提高温度探测模组100的探测准确性。
可选地,连接结构108可与第一相转变层106和反射层107之间无缝贴合,以将光线限制在反射层107与第一透明基板101之间,进一步保证光源利用率,继而可保证反射光的颜色呈现的准确性,以提高温度探测模组100的探测准确性。
由上述内容可知,本实施例的温度探测模组100相比于传统温度探测器,具有结构简单,制作工艺容易实现等特点,以便于温度探测模组100集成在阵列基板1中,从而可降低具有温度探测功能的阵列基板1和显示装置的制作难度。
本申请实施例还提供了一种阵列基板1,该阵列基板1不仅具有显示功能,还具有温度探测功能。其中,如图1所示,此阵列基板1具有非显示区域A和显示区域B。
具体地,如图2所示,阵列基板1可包括衬底基板109、显示模组110及温度探测模组100。此衬底基板109可为玻璃基板,但不限于此。而显示模组110与温度探测模组100可形成在衬底基板109的同一侧,该显示模组110与显示区域B相对应,温度探测模组100与非显示区域A相对应。值得说明的是,本实施例提到的温度探测模组100可为前述任一实施例所描述的温度探测模组100,在此不再对温度探测模组100的结构进行详细赘述。
其中,该温度探测模组100中导热基板的第二面与衬底基板109相贴合。此外,为了方便温度探测模组100探测,衬底基板109上与非显示区域A相对应的部位可开设有探测口109a,以暴露导热基板的第二面,方便待测温部件与第二面接触,从而可提高温度探测模组100的检测准确性。
应当理解的是,为了在不影响显示装置整体外观质感的情况下,能够实现温度探测功能,可将探测口109a隐藏在设备商标之中,但不限于此,也可设置在其他非显示区域A。
在一实施例中,显示模组110可包括多个像素单元,多个像素单元可呈阵列分布。且各像素单元可包括驱动基板、第二透明基板120及像素结构,其中:
驱动基板可形成在衬底基板109上。具体地,该驱动基板可包括依次位于衬底基板109上的第一缓冲层111、位于第一缓冲层111之上的第二缓冲层112、位于第二缓冲层112之上的薄膜晶体管、以及覆盖薄膜晶体管的平坦层119。其中,平坦层119可与前述导热基板的隔热绝缘层103的材料相同,例如:均可为PI(聚酰亚胺)材料,但不限于此,这样在制作显示模组110中的平坦层119的同时可制作温度探测模组100中的隔热绝缘层103。而薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管,该薄膜晶体管可包括多晶硅有源层113(多晶硅有源层113包括沟道区113a、及分别位于沟道区113a相对两侧的重掺杂源区113b和重掺杂漏区113c)、位于多晶硅有源层113之上的栅极绝缘层114、位于栅极绝缘层114之上的栅极层115、位于栅极层115之上的层间绝缘层116、以及位于层间绝缘层116之上的源极118和漏极117,该源极118可穿过层间绝缘层116和栅极绝缘层114并与重掺杂源区113b连接,漏极117可穿过层间绝缘层116和栅极绝缘层114并与重掺杂漏区113c连接。
第二透明基板120可与驱动基板相对。此第二透明基板120可与温度探测模组100的第一透明基板101的材料相同,例如,均可为玻璃材料,但不限于此。其中,第二透明基板120与第一透明基板101可为一体成型,换言之,在制作显示模组110中的第二透明基板120的同时可制作温度探测模组100中的第一透明基板101。
像素结构位于驱动基板和第二透明基板120之间的像素结构。此像素结构可包括依次形成在驱动基板上的电热层121和第二相转变层123、环绕电热层121及第二相转变层123的阻挡支撑部,以及位于第二相转变层123与第二透明基板120之间有色非极性液体124和极性液体125。
其中,驱动基板施加电压时,即:驱动基板输出电能时,电热层121能够将驱动基板输出的电能转换为热能并传导至第二相转变层123,而第二相转变层123的亲水性能够随着温度变化而发生变化,以改变有色非极性液体124的形状,详细说明,第二相转变层123在受到温度刺激后,其亲水性逐渐增强,使得极性液体125在第二相转变层123的润湿性由不湿润变为湿润,从而可推挤有色非极性液体124,使得有色非极性液体124的形状发生改变,以形成不同灰度的反射显示,本实施例的显示模组110具有功耗低、视角好、阳光下容易读取等优点。
具体而言,前述像素结构的电热层121可形成在驱动基板的平坦层119上,且其部分结构可穿过平坦层119并与漏极117连接,这样使得驱动基板施加的电能能够通过漏极117传导至电热层121。其中,该电热层121与温度探测模组100中导热基板的第二导热层104和导热连接部105的材料相同,例如:均可为镍镉、钨铼合金等材料,这样在制作电热层121的同时可制作第二导热层104和导热连接部105。应当理解的是,导热基板中的第一导热层102的材料也可与电热层121的材料相同。
举例而言,此像素结构还可包括第三导热层122,此第三导热层122可位于电热层121与第二相转变层123之间,以提高热传导效率。该第三导热层122的材料与电热层121、导热基板中的第一导热层102、第二导热层104、导热连接部105的材料可相同,均可为镍镉、钨铼合金等材料,这样在制作电热层121和第三导热层122的同时可制作第二导热层104和导热连接部105。
且第二相转变层123与第一相转变层106的材料可相同,例如:均可采用PNIPAM材料制作而成,但不限于此,这样在制作第二相转变层123的同时可制作第一相转变层106。
其中,PNIPAM材料在高于32℃条件下,表现为亲油性(即:疏水性),PNIPAM材料在低于32℃条件下,则表现为亲水性,也就是说,在第二相转变层123采用PNIPAM材料制作而成时,当电热层121产生的热能低于32℃时,第二相转变层123表现为亲水性,当电热层121产生的热能高于32℃时,第二相转变层123表现为疏水性。应当理解的是,电热层121产生的热能大小与驱动基板输出的电能大小相关,也就是说,通过调整驱动基板输出的电能可实现第二相转变层123在亲水性和疏水性之间的转换。
举例而言,前述提到的有色非极性液体124可为有色油墨,例如:红色油墨、绿色油墨或蓝色油墨,但不限于此。而极性液体125可为水,但不限于此。
此外,前述提到的阻挡支撑部可包括两部分,分别为依次堆叠在平坦层119上的第一间隔柱126和第二间隔柱127,该第一间隔柱126和第二间隔柱127均环绕电热层121及第二相转变层123设置,用于间隔相邻像素单元之间的有色非极性液体124和极性液体125,以保证每个像素像素单元处的显示效果。其中,该第二间隔柱127的材料可与温度探测模组100中的连接结构108的材料相同,例如:均为框胶材料等,这样在制作第二间隔柱127的同时可制作连接结构108。
由上述内容可知,本实施例的显示模组110和温度探测模组100中部分结构的材料相同,例如:显示模组110中的第一透明基板101与温度探测模组100中的第二透明基板120、显示模组110中的第二相转变层123与温度探测模组100中的第一相转变层106、显示模组110中的平坦层119与温度探测模组100中的隔热绝缘层103、显示模组110中的电热层121和第三导热层122与温度探测模组100中的第二导热层104和导热连接部105、显示模组110中的第二间隔柱127与温度探测模组100中的连接结构108等等;且这些材料相同的部分可同时制作而成,也就是说,在制作显示模组110的同时可进行温度探测模组100的制作,这样相比于将单个温度探测器直接安装在阵列基板1内的方案,具有成本低和轻薄的特性。
为了更清楚地理解本申请一实施例的阵列基板1的制作方法,以下结合附图进行详细说明。
如图1和图3所示,该阵列基板1的制作方法可包括以下步骤:
步骤S300、在衬底基板109与非显示区域A相对的部位上形成第一导热层102。举例而言,可采用磁控溅射设备将镍镉或钨铼合金等材料溅射在非显示区域A,以形成第一导热层102,如图4所示。
步骤S301、在衬底基板109与显示区域B相对的部位上依次形成第一缓冲层111、第二缓冲层112和薄膜晶体管。举例而言,第一缓冲层111可为氮化硅膜,以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。第二缓冲莫也可为氮化硅膜,用以改善多晶硅有源层113的界面缺陷,提升电子传输特性。其中,薄膜晶体管可包括多晶硅有源层113、栅极绝缘层114、栅极层115、层间绝缘层116、源极118和漏极117,该薄膜晶体管的制作方法可为:首先,在第二缓冲层112上形成多晶硅薄膜,具体地,可先在第二缓冲层112上进行非晶硅薄膜的沉积,在此过程中,需严格控制非晶硅的厚度及缺陷,以避免激光退火(ELA)后产生mura,ELA晶化,特定波长特定激光强度条件下完成激光连续扫面照射,发生熔融和再结晶过程中,形成多晶硅晶粒,以形成多晶硅薄膜,此多晶硅晶粒的粒径在0.3μm至0.5μm的范围内;其次,采用特定掩膜板对多晶硅薄膜进行刻蚀,之后,进行栅极绝缘层114的沉积;然后,沉积栅极层115并图案化,之后进行SD掺杂,即:在多晶硅薄膜上形成沟道区113a、位于沟道区113a一侧的重掺杂源区113b、位于沟道区113a另一侧的重掺杂漏区113c,以形成多晶硅有源层113;再然后,制作层间绝缘层116,此层间绝缘层116优选氧化硅薄膜,也可为氧化硅/氮化硅叠层;最后,沉积源极118/漏极117,并图案化,以形成薄膜晶体管,如图5所示。
步骤S302、在显示区域B制作平坦层119,同时,在非显示区域A制作隔热绝缘层103,如图6所示。举例而言,此平坦层119与隔热绝缘层103均选用具有绝缘绝热特性的PI材料,具体地,可通过旋转涂覆的方式制作平坦层119和隔热绝缘层103。应当理解的是,隔热绝缘层103的上表面可与平坦层119的上表面相平齐。
步骤S303、在显示区域B依次制作电热层121和第三导热层122,同时,在非显示区域A依次制作导热连接部105和第二导热层104。举例而言,可采用磁控溅射设备将镍镉或钨铼合金等材料溅射在显示区域B和非显示区域A,以依次形成电热层121和第三导热层122,同时,在非显示区域A依次形成导热连接部105和第二导热层104。
步骤S304、在显示区域B制作第二相转变层123,同时,在非显示区域A制作第一相转变层106。举例而言,第一相转变层106和第二相转变层123可采用PNIPAM材料制作而成,但不限于此,只要其亲水特性与体积能够随温度变化而发生变化的材料都可以。
步骤S305、在非显示区域A制作反射层107,如图7所示。举例而言,可采用磁控溅射设备将具有反射特性的金属材料溅射在非显示区域A,以形成反射层107。
步骤S306、在显示区域B制作第一间隔柱126。举例而言,可先沉积第一间隔薄膜;然后对第一间隔薄膜进行图案化处理,以暴露出第二相转变层123;即完成第一间隔柱126的制作。此第一间隔柱126可采用绝缘有机材料制作而成。
步骤S307、在显示区域B制作第二间隔柱127,同时,在非显示区域A制作连接结构108。举例而言,此第二间隔柱127与连接结构108可为框胶结构。
步骤S308,形成透明盖板,并使此透明盖板与衬底基板109完成对盒,如图8所示。需要说明的是,此透明盖板中与非显示区域A相对的部位为前述提到的第一透明基板101;此透明盖板中与显示区域B相对的部位为前述提到的第二透明基板120。
步骤S309,将有色非极性液体124和极性液体125填充在第一间隔柱126和第二间隔柱127环绕的空间内。
步骤S310,对阵列基板1上与非显示区域A相对的部位进行刻蚀处理,以形成探测口109a,此探测口109a暴露导热基板的第二面,如图2所示。
通过以上步骤,可完成一阵列基板1的制作。需要说明的是,步骤S300与步骤S301的顺序可互换,步骤S305与步骤S306的顺序可互换。
本申请实施例还提供了一种显示装置,其包括前述任一实施例所描述的阵列基板1。举例而言,此显示装置可为电子阅读器、手机、手环、手表中的一种,但不限于此,也可为其他显示装置。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (9)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有显示区域和非显示区域,且所述阵列基板包括衬底基板、显示模组及温度探测模组,
所述显示模组与所述温度探测模组形成在所述衬底基板的同一侧,所述显示模组与所述显示区域相对应,所述温度探测模组与所述非显示区域相对应,其中,所述温度探测模组包括:
第一透明基板;
导热基板,具有相对的第一面和第二面,所述第一面朝向所述第一透明基板,所述第二面背离所述第一透明基板并与所述衬底基板相贴合;
第一相转变层,位于所述第一透明基板与所述导热基板之间,并形成在所述第一面上;
反射层,形成在所述第一相转变层朝向所述第一透明基板的面上,并与所述第一透明基板之间具有空气间隙;
连接结构,连接所述导热基板与所述第一透明基板,并环绕所述第一相转变层及所述反射层设置;
其中,所述导热基板能够将待测温部件的热量传导至所述第一相转变层,所述第一相转变层能够在不同温度下进行收缩或膨胀,以改变所述空气间隙的大小。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示模组包括多个像素单元,各所述像素单元包括形成在所述衬底基板上的驱动基板、与所述驱动基板相对的第二透明基板、以及位于所述驱动基板和所述第二透明基板之间的像素结构,所述像素结构包括依次形成在所述驱动基板上的电热层和第二相转变层、环绕所述电热层及所述第二相转变层的阻挡支撑部,以及位于所述第二相转变层与所述第二透明基板之间有色非极性液体和极性液体;
其中,所述电热层能够将所述驱动基板输出的电能转换为热能并传导至所述第二相转变层,且所述第二相转变层的亲水性能够随着温度变化而发生变化,以改变所述有色非极性液体的形状。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二相转变层与所述第一相转变层的材料相同,其中,在制作所述第二相转变层的同时制作所述第一相转变层;
所述第二透明基板与所述第一透明基板的材料相同,所述第二透明基板与所述第一透明基板为一体成型。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述驱动基板包括平坦层,所述电热层形成在所述平坦层上;
其中,所述平坦层与所述导热基板的隔热绝缘层的材料相同,在制作所述平坦层的同时制作所述隔热绝缘层;
所述电热层与所述导热基板的第二导热层和导热连接部的材料相同,在制作所述电热层的同时制作所述第二导热层和所述导热连接部。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述衬底基板上与所述非显示区域相对应的部位开设有探测口,以暴露所述导热基板的第二面。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一相转变层采用聚(N-异丙基丙烯酰胺)材料制作而成。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导热基板包括第一导热层、隔热绝缘层、第二导热层及导热连接部,所述隔热绝缘层位于所述第一导热层和所述第二导热层之间,所述导热连接部嵌在所述隔热绝缘层内,并连接所述第一导热层和所述第二导热层;
其中,所述第一面为所述第二导热层背离所述隔热绝缘层的面,所述第二面为所述第一导热层背离所述隔热绝缘层的面。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接结构与所述第一相转变层和所述反射层之间无缝贴合。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910535234.9A CN110260993B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 阵列基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910535234.9A CN110260993B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 阵列基板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110260993A CN110260993A (zh) | 2019-09-20 |
CN110260993B true CN110260993B (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=67919611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910535234.9A Active CN110260993B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 阵列基板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110260993B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111370594B (zh) * | 2020-03-19 | 2023-04-07 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113808535B (zh) * | 2021-09-15 | 2023-01-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的温控装置及Gamma曲线校正方法、装置 |
CN114023788A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-08 | 合肥视涯显示科技有限公司 | 硅基显示面板和显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1755483A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | Idc公司 | 操控调制器中热响应的装置和方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5295206A (en) * | 1992-10-05 | 1994-03-15 | Metatech Corporation | Fiberoptic temperature transducer |
US6816516B2 (en) * | 2001-03-21 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Error signal generation system |
CN100523905C (zh) * | 2004-09-27 | 2009-08-05 | Idc公司 | 用于为干涉式调制器显示器提供热补偿的系统和方法 |
US7675669B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US8164821B2 (en) * | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
CN101709638B (zh) * | 2009-11-24 | 2012-09-26 | 山东省科学院激光研究所 | 一种光纤温度压力传感器 |
JP5730638B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法 |
KR101214388B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2012-12-21 | 한국과학기술원 | 투과 격자판과 거울을 이용한 광섬유 센서 |
JP5803386B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光フィルターモジュール、および光分析装置 |
US20160123817A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Temperature sensor using on-glass diodes |
CN109298504B (zh) * | 2017-07-25 | 2021-01-29 | 安徽中科米微电子技术有限公司 | 微机电光学波长参考标准具 |
CN108414102A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-17 | 孝感锐创机械科技有限公司 | 一种非接触式光学测温系统 |
-
2019
- 2019-06-20 CN CN201910535234.9A patent/CN110260993B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1755483A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | Idc公司 | 操控调制器中热响应的装置和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110260993A (zh) | 2019-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110260993B (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
KR940004764B1 (ko) | 박막트랜지스타 판넬 및 제조방법 | |
US5062690A (en) | Liquid crystal display with redundant FETS and redundant crossovers connected by laser-fusible links | |
EP0216673B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un transistor de commande pour écran plat de visualisation, et élément de commande réalisé selon ce procédé | |
US4502204A (en) | Method of manufacturing insulated gate thin film field effect transistors | |
US5905548A (en) | Liquid crystal display device with large aperture ratio | |
TWI235974B (en) | Opto-electronic device and production method thereof and electronic machine | |
JP2000312006A (ja) | 半導体装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びに半導体装置及び電気光学装置 | |
JP2001343670A (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI402990B (zh) | 顯示裝置和顯示裝置的製造方法 | |
WO2008044368A1 (fr) | Affichage à cristaux liquides | |
CN102543754A (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | |
CN104393001A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN100550399C (zh) | 薄膜晶体管衬底、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置 | |
CN108681143A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
US20040155244A1 (en) | Transistor and method of manufacturing the same, electro-optical device, semiconductor device, and electronic apparatus | |
CN101853883B (zh) | 薄膜晶体管、其制造方法和使用其的液晶显示面板和电子装置 | |
US6519014B2 (en) | Array substrate for a transflective liquid crystal display device and the fabricating method | |
KR100604717B1 (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 | |
KR20050056217A (ko) | 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
JPH07506910A (ja) | 単結晶半導体層中に集積された駆動装置を含む反射型液晶ディスプレイおよびディスプレイ製造方法 | |
JP3062698B2 (ja) | 光弁基板用単結晶薄膜半導体装置 | |
JP2000047259A (ja) | 液晶表示装置 | |
GB2166276A (en) | Liquid crystal display apparatus | |
JP2001358212A (ja) | 電極基板の製造方法、並びにこの製造方法により製造された電極基板、これを用いた液晶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |