TWI402990B - 顯示裝置和顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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Description

顯示裝置和顯示裝置的製造方法
本發明係關於能夠雙面顯示的顯示裝置，可以用於諸如手機等攜帶型資訊終端設備，本發明還關於這種顯示裝置的製造方法。
在習知的手機中，普遍使用一個主顯示裝置和一個用於通知收到電子郵件或用於顯示時間的背面顯示裝置(副顯示裝置)。
例如，有這樣一種手機結構，其主顯示裝置和副顯示裝置都是透射型液晶板。在這種結構中，一個背光裝置的兩個側面都設置有液晶板(例如，參照文獻1：日本公開專利申請第2001－298519號案)。
另外，有一種主動矩陣液晶顯示裝置，它使用像薄膜電晶體(下文中被稱為TFT)這樣的的主動元件(例如，參照文獻2：日本公開專利申請第H9－171192號案)。
然而，在一個背光裝置的兩個側面各設置有一個液晶板的結構中，使用了四塊基板。另外，顯示裝置的厚度變得比四塊基板的總厚度和背光源的厚度還要厚。因為迫切需要使攜帶型資訊終端設備等變薄，所以有必要製造更薄的顯示裝置。
另外，主動矩陣液晶顯示裝置具有下列結構：取向膜、間隔器、和液晶插放在兩塊基板之間，一塊基板上形成含電路的區域(該區域中設置了TFT、電容或電阻等元件，被稱為TFT區域)，另一塊基板上形成的區域(相對區域)則包含濾色片、黑色矩陣或用於給液晶加電壓的電極。因此，為了製造一個液晶顯示裝置，有必要準備兩塊基板，並且要單獨製造其上形成TFT區域的基板和其上形成相對區域的基板。
因此，在習知的技術中，問題在於，含TFT等的基板的裝置處理次數和含濾色片等的基板的裝置處理次數的總裝置處理次數變得很大。
裝置處理的總次數增大會導致產量減小，還會使成本增大。
“裝置處理次數”是指直到液晶顯示裝置完成為止，裝置中的基板被處理的次數。在下文中也這樣定義。
考慮到上述問題，本發明的目的是提供一種能雙面顯示的薄液晶顯示裝置以及可提高產量的製造方法。
下面將描述本發明的液晶顯示裝置的結構或用於製造這種液晶顯示裝置的基板的結構。
“用於製造液晶顯示裝置的基板”是指在其上形成上述TFT區域或相對區域中的至少一個區域的基板。
“TFT區域”是指至少具有電路的區域，其中設置了用於控制液晶顯示的TFT、連接TFT的接線以及像素電極(在下文中，被稱為“TFT等”)。另外，即使其他結構元件(例如，連接TFT的接線、像素電極、電容元件、電阻元件、中間層絕緣膜、濾色片、黑色矩陣等)也被包括在該電路中，只要用於控制液晶顯示等的TFT被包括在該電路中，具有這種電路的區域仍然被包括在“TFT區域”中。
“相對區域”是指至少具有相對電極的區域。另外，即使中間層絕緣膜、濾色片、黑色矩陣等被包括在該區域中，只要包括相對電極，這種區域仍然被包括在“相對區域”中。
此處，用於將電壓加到液晶上的電極被稱為“像素電極”和“相對電極”。另外，由控制顯示的TFT等控制其電壓的電極也被稱為“像素電極”。另一方面，位於像素電極相反一側且在顯示期間加恒定電壓的電極被稱為“相對電極”。
根據本發明，液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一閘極電極；第二TFT區域，第二閘極電極；第一相對區域，第一黑色矩陣；以及第二相對區域，第二黑色矩陣，其中第一閘極電極、第二閘極電極、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成於相同的層中。
“黑色矩陣”藉由用像窗框一樣的黑色物質封住每一個RGB(紅綠藍)濾色片的邊緣，來防止光洩漏(遮光)。同時，黑色矩陣可以用於改善對比度或防止在製造時的顏色混合。
當用掩模圖形轉移技術來處理同時形成的多個薄膜以便形成A1 －AN 這N個區域時(N是自然數且大於或等於2)，下面的描述表達為“A1 、A2 ...AN 形成於同一層中”。例如，當在形成導電膜之後，藉由掩模圖形轉移技術形成第一電極、第二電極、第一接線和第二接線時，下面的描述表達為“第一電極、第二電極、第一接線和第二接線由同一層形成”。另外，當“A1 、A2 ...AN 形成於同一層中”時，“A1 、A2 ...AN 是由相同的材料構成的”。
此處，“薄膜形成”是指在基板的整個表面上形成所希望的物質。例如，有一種方法，藉由CVD方法、PVD方法、氣相沈積方法等在基板的整個表面上形成所希望的物質，還包括使用液態材料來形成薄膜的方法，比如旋轉噴塗或狹縫類型。然而，本發明並不限於這些示例性的方法，還包括能夠在基板的整個表面上形成所希望的物質的其他技術手段。在下文中這種表述也同樣適用。
另外，“掩模圖形”是掩模的幾何圖形。掩模圖形由要製造的元件和電路結構來決定。在下文中這種表述也適用。
此外，“掩模圖形轉移技術”是指用所期望的物質形成所期望的掩模圖形的技術。例如，有一種用所期望的物質來處理所期望的形狀的方法，即藉由形成臨時掩模，蝕刻未被掩模覆蓋的部分，之後用光微影、噴墨方法、奈米壓印方法等來除去該臨時掩模。或者，有一種將感光有機膜(例如抗蝕劑、丙烯酸、聚醯亞胺等)處理成所期望的形狀的方法，即藉由曝光，然後顯影掩模圖形以便除去曝光後的部分。另外，還有一種方法直接用所期望的物質藉由噴墨方法、奈米壓印方法等形成所期望的掩模圖形。然而，本發明並不限於這些示例性的方法，還包括能夠用所期望的物質形成所期望的掩模圖形的其他技術手段。在下文中這種表述也適用。
注意到，用所期望的物質來處理所期望的形狀的方法已廣泛使用，其中在形成薄膜之後，形成臨時掩模，蝕刻未被臨時掩模覆蓋的部分，然後藉由光微影除去該臨時掩模。藉由使用該方法，在設置有TFT、電容或電阻等元件的電路中，所期望的物質可以形成於基板的整個表面上，然後將所期望的物質處理成所期望的掩模圖形；因此，有可能用相同的材料同時形成多個單獨的元件。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一接線；第二TFT區域，第二接線；第一相對區域，第一黑色矩陣；以及第二相對區域，第二黑色矩陣，其中第一接線、第二接線、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有第二TFT區域，該區域具有黑色矩陣。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一黑色矩陣；以及第二TFT區域，該區域具有第二黑色矩陣，其中第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一閘極電極；以及第二TFT區域，該區域具有第二閘極電極和反射電極，其中第一閘極電極、第二閘極電極和反射電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一接線；以及第二TFT區域，該區域具有第二接線和反射電極，其中第一接線、第二接線和反射電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一閘極電極；第二TFT區域，第二閘極電極；以及第二相對區域，反射電極，其中第一閘極電極、第二閘極電極和反射電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一接線；第二TFT區域，第二接線；以及第二相對區域，反射電極，其中第一接線、第二接線和反射電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一透明電極；第一相對區域，第二透明電極；以及第二相對電極，第三透明電極，其中第一透明電極、第二透明電極和第三透明電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一透明電極；第一相對區域，第二透明電極；以及第二TFT區域，第三透明電極，其中第一透明電極、第二透明電極和第三透明電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一透明電極；第二TFT區域，第二透明電極；第一相對區域，第三透明電極；以及第二相對區域，第四透明電極，其中第一透明電極、第二透明電極、第三透明電極和第四透明電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一相對區域，該區域具有第一中間層絕緣膜；以及第二相對區域，該區域具有第二中間層絕緣膜，其中第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一中間層絕緣膜；第二TFT區域，第二中間層絕緣膜；第一相對區域，第三中間層絕緣膜；以及第二相對區域，第四中間層絕緣膜，其中第一中間層絕緣膜、第二中間層絕緣膜、第三中間層絕緣膜和第四中間層絕緣膜形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一相對區域，該區域具有第一透明電極、第一紅濾色片、第一綠濾色片和第一藍濾色片；第二相對區域，該區域具有第二透明電極；以及第二TFT區域，該區域具有第二紅濾色片、第二綠濾色片和第二藍濾色片。第一透明電極形成於第一紅濾色片、第一綠濾色片和第一藍濾色片之上且互相接觸；第二透明電極形成於第二紅濾色片、第二綠濾色片和第二藍濾色片之上且互相接觸；第一紅濾色片和第二紅濾色片形成於同一層中；第一綠濾色片和第二綠濾色片形成於同一層中；第一藍濾色片和第二藍濾色片形成於同一層中；並且第一透明電極和第二透明電極形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一相對區域，該區域具有第一紅濾色片、第一綠濾色片、第一藍濾色片和第一透明電極；以及第二TFT區域，該區域具有第二紅濾色片、第二綠濾色片、第二藍濾色片、第二透明電極、第三透明電極和第四透明電極。第一紅濾色片、第一綠濾色片和第一藍濾色片形成於第一透明電極下面且互相接觸；第二紅濾色片形成於第二透明電極下面；第二綠濾色片相對應第三透明電極下面；第二藍濾色片形成於第四透明電極下面；第一紅濾色片和第二紅濾色片形成於同一層中；第一綠濾色片和第二綠濾色片形成於同一層中；第一藍濾色片和第二藍濾色片形成於同一層中；並且第一透明電極、第二透明電極、第三透明電極和第四透明電極的材料形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一紅濾色片、第一綠濾色片、第一藍濾色片、第一透明電極、第二透明電極和第三透明電極；以及第二TFT區域，該區域具有第二紅濾色片、第二綠濾色片、第二藍濾色片、第四透明電極、第五透明電極和第六透明電極。第一紅濾色片和第二紅濾色片由相同物質構成；第一綠濾色片和第二綠濾色片形成於同一層中；第一藍濾色片和第二藍濾色片形成於同一層中；第一透明電極、第二透明電極、第三透明電極、第四透明電極、第五透明電極和第六透明電極的材料形成於同一層中。
根據本發明，另一種液晶顯示裝置或用於製造液晶顯示裝置的基板具有下列結構：第一TFT區域，該區域具有第一中間層絕緣膜，該絕緣膜又包括第一黑色矩陣、第一紅濾色片、第一綠濾色片和第一藍濾色片；第一透明電極；第二透明電極；以及第三透明電極和第二TFT區域，該區域包括第二中間層絕緣膜；第二中間層絕緣膜包括第二黑色矩陣、第二紅濾色片、第二綠濾色片和第二藍濾色片；第四透明電極；第五透明電極；以及第六透明電極。第一紅濾色片設置在第一透明電極下面；第二綠濾色片設置在第二透明電極下面；第一藍濾色片設置在第三透明電極下面；第二紅濾色片設置在第四透明電極下面；第二綠濾色片設置在第五透明電極下面；第二藍濾色片設置在第六透明電極下面；第一黑色矩陣和第二黑色矩陣設置在同一層中；第一紅濾色片和第二紅濾色片設置在同一層中；第一綠色濾色片和第二綠色濾色片設置在同一層中；第一藍色濾色片和第二藍色濾色片設置在同一層中；第一透明電極、第二透明電極、第三透明電極、第四透明電極、第五透明電極和第六透明電極的材料形成於同一層中。
根據本發明的液晶顯示裝置具有第一基板和第二基板，其中第一基板具有第一TFT區域和第二相對區域，而第二基板具有第二TFT區域和第一相對區域。
根據本發明的另一種液晶顯示裝置具有第一基板和第二基板，其中第一基板具有第一TFT區域和第二TFT區域，而第二基板具有第一相對區域和第二相對區域。
根據本發明，包括第一基板和第二基板的另一種液晶顯示裝置具有透射型主動矩陣第一液晶顯示裝置和反射型主動矩陣第二液晶顯示裝置，其中第一基板具有第一液晶顯示裝置的TFT區域和第二液晶顯示裝置的相對區域，而第二基板具有第一液晶顯示裝置的相對區域和第二液晶顯示裝置的TFT區域。
此處，將說明透射型主動矩陣液晶顯示裝置和反射型主動矩陣液晶顯示裝置。
“透射型”液晶顯示裝置是指用螢幕背面的光源(例如，背光源等)進行顯示的液晶顯示裝置。換句話說，它是指光線從液晶顯示裝置的背面入射即進行顯示的表面和入射的表面相對的液晶顯示裝置。在下文中這種表述同樣適用。
“反射型”液晶顯示裝置是指用螢幕前面的光源(例如，外部光源、前光源等)進行顯示的液晶顯示裝置。換句話說，它是指光線從液晶顯示裝置前面入射、被液晶顯示裝置中能夠反射光的物質反射、並在入射面上進行顯示的液晶顯示裝置。在下文中這種表述同樣適用。
“主動矩陣類型”的液晶顯示裝置是指用每一個像素部分中設置的薄膜電晶體來控制液晶顯示的液晶顯示裝置。在下文中這種表述同樣適用。
另外，根據本發明，包括第一基板和第二基板的另一種液晶顯示裝置具有半透射型主動矩陣第一液晶顯示裝置和反射型主動矩陣第二液晶顯示裝置，第一基板具有第一液晶顯示裝置的TFT區域和第二液晶顯示裝置的相對區域，而第二基板具有第一液晶顯示裝置的相對區域和第二液晶顯示裝置的TFT區域。
當光線從顯示裝置背面入射時，“半透射型”液晶顯示裝置具有“透射型”液晶顯示裝置的功能。另一方面，當光線不從顯示裝置背面入射時，液晶顯示裝置具有“反射型”液晶顯示裝置的功能。
另外，根據本發明，包括第一基板和第二基板的另一種液晶顯示裝置具有透射型主動矩陣第一液晶顯示裝置和反射型主動矩陣第二液晶顯示裝置，其中第一基板具有第一液晶顯示裝置的TFT區域和第二液晶顯示裝置的TFT區域，而第二基板具有第一液晶顯示裝置的相對區域和第二液晶顯示裝置的相對區域。
另外，根據本發明，包括第一基板和第二基板的另一種液晶顯示裝置具有半透射型主動矩陣第一液晶顯示裝置和反射型主動矩陣第二液晶顯示裝置，其中第一基板具有第一液晶顯示裝置的TFT區域和第二液晶顯示裝置的TFT區域，而第二基板具有第一液晶顯示裝置的相對區域和第二液晶顯示裝置的相對區域。
另外，根據本發明，第一液晶顯示裝置的液晶和第二液晶顯示裝置的液晶可以用密封劑來分隔開。
上述液晶顯示裝置的結構和用於製造液晶顯示裝置的基板的結構可以任意組合。
根據本發明的一個特徵，顯示裝置包括：第一基板，其中形成了第一TFT區域和第一相對區域；第二基板，其中形成了第二TFT區域和第二相對區域；第一液晶顯示裝置，其中第一TFT區域和第二相對區域相對；以及第二液晶顯示裝置，其中第二TFT區域和第一相對區域相對，其中形成於第一TFT區域中的閘極電極，形成於第二TFT區域中的閘極電極、形成於第二相對區域中的黑色矩陣以及形成於第一相對區域中的黑色矩陣由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，顯示裝置包括：第一基板，其中形成了第一TFT區域和第一相對區域；第二基板，其中形成了第二TFT區域和第二相對區域；第一液晶顯示裝置，其中第一TFT區域和第二相對區域相對；以及第二液晶顯示裝置，其中第二TFT區域和第一相對區域相對，其中形成於第一TFT區域中的接線，形成於第二TFT區域中的接線、形成於第二相對區域中的黑色矩陣以及形成於第一相對區域中的黑色矩陣由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，在顯示裝置中，形成於第二TFT區域中的閘極電極和形成於第二TFT區域中的反射電極由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，在顯示裝置中，形成於第二TFT區域中的接線和形成於第二TFT區域中的反射電極由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，在顯示裝置中，形成於第一TFT區域中、第二TFT區域中以及第二相對區域中的多個透明電極由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，在顯示裝置中，形成於第一TFT區域中、第二TFT區域中、第一相對區域中以及第二相對區域中的多個中間層絕緣膜由同一層形成。
根據本發明的另一個特徵，在顯示裝置中，第一液晶顯示裝置是透射型液晶顯示裝置，而第二液晶顯示裝置是反射型或半透射型液晶顯示裝置。
根據本發明的另一個特徵，一種製造顯示裝置的方法包括如下步驟：在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第一TFT區域的閘極電極、第二TFT區域的閘極電極、第二相對區域的黑色矩陣以及第一相對區域的黑色矩陣；藉由分割具有第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的基板，形成了設置有第一TFT區域和第二相對區域的第一基板以及設置有第二TFT區域和第一相對區域的第二基板；以及藉由連接第一基板和第二基板並使兩者相對，形成了第一TFT區域和第一相對區域彼此相對的第一液晶顯示裝置以及第二TFT區域和第二相對區域彼此相對的第二液晶顯示裝置。
根據本發明的另一個特徵，一種製造顯示裝置的方法包括如下步驟：在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第一TFT區域的接線、第二TFT區域的接線、第二相對區域的黑色矩陣以及第一相對區域的黑色矩陣；藉由分割具有第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的基板，形成了設置有第一TFT區域和第二相對區域的第一基板以及設置有第二TFT區域和第一相對區域的第二基板；以及藉由連接第一基板和第二基板並使兩者相對，形成了第一TFT區域和第一相對區域彼此相對的第一液晶顯示裝置以及第二TFT區域和第二相對區域彼此相對的第二液晶顯示裝置。
根據本發明的另一個特徵，在製造顯示裝置的方法中，在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第二TFT區域的閘極電極和第二TFT區域的反射電極。
根據本發明的另一個特徵，在製造顯示裝置的方法中，在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第二TFT區域的接線和第二TFT區域的反射電極。
根據本發明的另一個特徵，在製造顯示裝置的方法中，在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第一TFT區域的透明電極、第二TFT區域的透明電極和第二相對區域的透明電極。
根據本發明的另一個特徵，在製造顯示裝置的方法中，在基板上形成第一和第二TFT區域以及第一和第二相對區域的過程中，同時形成了第一TFT區域的中間層絕緣膜、第二TFT區域的中間層絕緣膜、第一相對區域的中間層絕緣膜以及第二相對區域的中間層絕緣膜。
根據本發明的結構，可以提供一種功耗低且能雙面顯示的薄液晶顯示裝置。
另外，根據本發明的結構，製造液晶顯示裝置所用的基板數目可以減小。結果，產量可以提高且成本可以減小。
此外，根據本發明的結構，藉由將相同的材料用作相對區域的製造材料和TFT區域的製造材料，便可以使相對區域和TFT區域同時形成。因此，裝置處理次數和所用材料都可以減少。結果，產量可以提高，成本可以減小。
在下文中，將說明實施例模式。注意到，下面的實施例模式可以藉由適當組合加以實現。
(實施例模式1)
本實施例模式將說明一種將具有兩個TFT區域和兩個相對區域的主動矩陣基板組裝到能雙面顯示的液晶顯示幕中的方法。
首先說明基板的結構。
具有下述結構的基板是這樣製造的：在基板1上，設置第一TFT區域1001、第二TFT區域1002、第一相對區域2001以及第二相對區域2002，使得第一TFT區域1001和第二相對區域2002相鄰，而第二TFT區域1002和第一相對區域2001相鄰(參照圖1A)。
由硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃等玻璃、石英、矽晶片等製成的基板都可以被用作基板1。根據想要使用的半導體裝置或諸如溫度等技術條件，可以適當選擇這些材料。
如果基板1可以耐受處理溫度，則也可以使用由聚碳酸酯、聚醯亞胺或丙烯酸材料等具有高耐熱性的塑膠材料製成的基板。另外，基板1的形狀具有平面或曲面或兩者皆有，並且根據技術或製造設備，可以適當選擇平板狀、條紋狀或拉長形的基板。
每一個TFT區域至少包括TFT、像素電極、根據電路配置或液晶顯示裝置的功能電連接每一個TFT的接線、以及用於連接外部輸入端(FPC等)和電路部分的接線。另外，如有必要，可以包括中間層絕緣膜、反射電極等。此外，就電路配置而言，如有必要，可以設置電容元件或電阻元件等元件。
根據電路配置，TFT、電容元件或電阻元件等元件、像素電極以及反射電極藉由接線彼此相連。
注意到，中間層絕緣膜用於防止閘極電極、接線等導體之間的短路。另外，藉由使用能夠平整化的材料(比如，丙烯酸、聚醯亞胺、矽氧烷等)，可以使基板上的凹陷和凸起平整化(因為TFT是藉由不斷重復膜形成過程、用光微影法轉移掩模圖形、再蝕刻而製造成的，所以隨著諸多步驟的執行會形成許多凹陷和凸起)。
“平整化”是指，當基板上有凹陷和凸起時，在凸起上進行沈積以獲得較薄的膜厚度，在凹陷上進行沈積以獲得較厚的膜厚度；因此，步階差異減小了。在下文中這種表述同樣適用。
另外，不必總是電連接反射電極，只要可以反射外部光即可。
TFT至少具有閘極電極、閘極絕緣膜和島形半導體層，並且島形半導體層至少具主動區、汲區和通道形成區。如有必要，可以在通道形成區和源區之間或通道形成區和汲區之間設置低濃度摻雜區(即輕摻雜汲區，在下文中被稱為LDD區)。
有可能用形成閘極電極、島形半導體層、接線、中間層絕緣膜、反射電極等時所用的材料來製造上述電容元件或電阻元件。
每一個相對區域都具有至少一個相對電極。另外，如有必要，可以包括濾色層、黑色矩陣、平整化絕緣層、反射電極等。根據液晶顯示裝置的結構，可以適當選擇這些元件。
注意到，濾色片用於給液晶顯示裝置的顯示影像上色，共有RGB(紅綠藍)三種類型。
另外，相對電極分別形成於相對區域中，相對電極用於向液晶加電壓。
此外，“平整化絕緣膜”(或“保護膜”或“中間層絕緣膜”)是指，使在形成相對電極之前，在相對區域中形成黑色矩陣或濾色片時所產生的凹陷和凸起平整化的膜。
有可能用形成閘極電極、接線、中間層絕緣膜、反射電極等時所用的材料(即用來形成TFT的材料)來製造上述黑色矩陣、相對電極、平整化絕緣層、反射電極等。
例如，有可能用與閘極電極或接線相同的材料(即用來形成TFT的材料)來形成黑色矩陣。換句話說，可以在製造TFT的閘極電極和接線的同時，製造相對區域中的黑色矩陣。
此外，以相同的方式，有可能用與像素電極、閘極電極和接線相同的材料來構成相對電極。換句話說，可以在製造TFT的像素電極、閘極電極和接線的同時，製造相對區域中的相對電極。
此外，以相同的方式，有可能用與中間層絕緣膜相同的材料來構成平整化絕緣層，此處要使用能夠平整化的材料。換句話說，可以在製造TFT的中間層絕緣膜的同時，製造相對區域中的平整化絕緣層。
這樣，藉由將與TFT的組成材料相同的材料用作相對區域的材料，便可以在形成TFT的組成材料之一的同時，形成相對區域的組成材料。因此，裝置處理次數和製造相對區域所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
接下來，說明用具有上述結構的基板來組裝能雙面顯示的液晶顯示裝置的處理流程。
基板1被分割成具有第一TFT區域1001和第二相對區域2002的第一基板1a以及具有第二TFT區域1002和第一相對區域2001的第二基板1b(參照圖1A和1B，分割的地方由圖1A中的第一虛線8000a來表示)。
然後，取向膜形成於第一基板1a和第二基板1b上，散佈間隔器，並且在第一基板1a的第一TFT區域1001和第二相對區域2002中未設置TFT的部分中形成密封劑4000(參照圖2A)。
注意到，在第一TFT區域1001的一部分中形成密封劑4000的疊合區域5000中，形成接線(參照圖2A和2B)。
然而，為了形成液晶的入口，在第一基板1a的第一TFT區域1001和第二相對區域2002的周邊部分，不形成密封劑4000(參照圖2A和2B)。
另外，形成密封劑4000可以使第一TFT區域1001和第二相對區域2002分隔開(參照圖2A和2B)。
因此，可以在第一TFT區域1001和第二相對區域2002之間的整個區域中形成密封劑(參照圖2A)。
另外，在第一TFT區域1001和第二相對區域2002之間的區域中，可以有由密封劑4000隔開的間距(參照圖2B)。
注意到，在本實施例模式中，密封劑4000形成於基板1a中；然而，密封劑4000也可以形成在第二基板1b上。因此，可以適當選擇密封劑形成的位置。
接下來，將第一基板1a和第二基板1b貼在一起，使得第一相對區域2001設置在第一TFT區域1001的對面，第二相對區域2002設置在第二TFT區域1002的對面。然後，使密封劑4000固化(參照圖3A)。
然後，在從入口注入液晶之後，用第一密封區域4001和第二密封區域4002將液晶入口封住(參照圖3B)。
注意到，藉由用密封劑400來分割第一TFT區域1001和第二相對區域2002之間的區域，有可能遮住用於第一液晶顯示區域3001的背光源的光。因此，可以使第二液晶顯示區域3002的顯示受到更小的影響。
另外，藉由具有密封劑4000的上述結構，加在第一TFT區域1001上的電壓不會影響第二液晶顯示區域3002的顯示，而加在第二TFT區域1002上的電壓也不會影響第一液晶顯示區域3001的顯示。
注意到，在本實施例模式中，為了獲得上述效果，用密封劑來分隔各液晶顯示區域；然而，並不總需要將各個液晶顯示區域分隔開(參照圖35)。
接下來，接附偏光板。
然後，接附第一FPC 6001和第二FPC 6002(圖4A)。
注意到，FPC是撓性印刷電路的縮寫，在下文中也用到該縮寫。
另外，包括第一TFT區域1001和第一相對區域2001的液晶顯示區域被稱為第一液晶顯示區域3001，而包括第二TFT區域1002和第二相對區域2002的液晶顯示區域被稱為第二液晶顯示區域3002(參照圖4A)。
此外，第一液晶顯示區域3001是透射型或半透射型液晶顯示裝置，第二液晶顯示區域3002是反射型液晶顯示裝置。
因此，藉由使用背光源等，便可以在第一液晶顯示區域3001中獲得明亮且清晰的顯示，在無需提供背光源的情況下，可以在第二液晶顯示區域3002中實現低功耗(在基板上設置第一液晶顯示區域3001的第一TFT區域1001的那一側，提供了上述背光源)。
注意到，在基板上設置第二液晶顯示區域3002的第二TFT區域1002的那一側，可以提供前光源。
此外，藉由提供第一FPC 6001和第二FPC 6002，可以傳送單獨的顯示訊號。因此，可以實現下列能減小功耗的操作：當用作主螢幕的第一液晶顯示區域3001進行顯示時，關閉用作副螢幕的第二液晶顯示區域3002的電源；以及當用作副螢幕的第二液晶顯示區域3002進行顯示時，關閉用作主螢幕的第一液晶顯示區域3001的電源。
這樣，便可以獲得一種能雙面顯示的液晶顯示裝置(參照圖4A)。
圖4B顯示裝有液晶顯示裝置的手機。
圖36顯示用上述方法製造出的液晶顯示裝置的橫截面圖。
第一液晶顯示裝置7001是透射型或半透射型液晶顯示裝置。來自背光源10000的光8001穿透第一液晶顯示區域3001。另外，當背光源不發光時，外部光8002在第一液晶顯示區域3001內被反射。因此，第一液晶顯示區域3001的顯示表面是與設置背光源10000的表面相反的那一面。
另外，第二液晶顯示裝置7002是反射型液晶顯示裝置。外部光8003在第二液晶顯示區域3002內被反射。因此，第二液晶顯示區域3002的顯示表面就是設置背光源10000的那個表面。
外部光8002和8003是自然光。另外，可以藉由使用背光源或光波導使光線入射。注意到，當外部光8003是自然光時，背光源並非必須位於背光源10000旁邊。因此，液晶顯示裝置可以更薄。
根據本實施例模式的結構，可以製造出能雙面顯示的薄液晶顯示裝置，並且可以在一塊基板上同時製造出相對區域；因此，製造液晶顯示幕所用的基板數目可以減小。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式2)
在實施例模式1中，第一TFT區域1001、第二TFT區域1002、第一相對區域2001和第二相對區域2002設置在基板1上，使得第一TFT區域1001和第二相對區域2002彼此相鄰，第二TFT區域1001和第一相對區域2001彼此相鄰(參照圖1A)。
在本實施例模式中，具有下列結構的基板是這樣製造的：第一TFT區域1001、第二TFT區域1002、第一相對區域2001和第二相對區域2002設置在基板1上，使得第一TFT區域1001和第二相對區域2002彼此相鄰，第二TFT區域1001和第一相對區域2001彼此相鄰(參照圖5A)。
像實施例模式1那樣，在本實施例模式中，藉由將與TFT的組成材料相同的材料用作相對區域的材料，便可以在形成TFT的組成材料之一的同時，形成相對區域的組成材料。因此，裝置處理次數和製造相對區域所用的材料都可以減少。結果，處理時間和成本都可以減小。
像實施例模式1那樣，在本實施例模式中，藉由使用與閘極電極或接線相同的材料(即構成TFT的材料)，便有可能在製造TFT的閘極電極或接線的同時，製造相對區域的黑色矩陣。
同樣，藉由使用與像素電極、閘極電極或接線相同的材料，便有可能在製造像素電極、閘極電極或接線的同時，製造相對區域中的相對電極。
同樣，藉由使用與中間層絕緣膜相同的材料，便有可能形成平整化絕緣層，所用的材料要能夠平整化。換句話說，可以在製造TFT的中間層絕緣膜的同時，製造相對區域的平整化絕緣層。
另外，在本實施例模式中，藉由將濾色片和黑色有機膜用於TFT區域的中間層絕緣膜，便可以不再需要使用平整化絕緣層和黑色矩陣。
換句話說，RGB中任一顏色被分配給一個像素；因此，設置在像素電極下面的中間層絕緣膜可充當濾色片，分別分配給它們各種顏色，並且除了被置於像素電極下面以外，黑色有機膜可充當中間層絕緣膜，以便充當黑色矩陣。因此，在相對區域中，可以只形成相對電極。
因此，在相對區域中，沒有必要再形成平整化絕緣膜，因為相對電極形成於平面基板上。
因此，裝置處理次數和製造相對區域所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
另外，藉由重新將黑色矩陣用於TFT的中間層絕緣膜，會增大所用的材料。因此，除了在像素電極下面以外，RGB任一種濾色片都可以被用於中間層絕緣膜。在這種情況下，裝置處理次數和製造相對區域所用的材料都可以減少。結果，處理時間和成本都可以減小。
對於本實施例模式的結構而言，基板1被分割成具有第一TFT區域1001和第二TFT區域1002的第三基板1c以及具有第一相對區域2001和第二相對區域2002的第四基板1d。另外，第四基板1d被切得較短，使得第一TFT區域1001和第二TFT區域1002分別連接到FPC的區域露出來(參照圖5A和5B；分割地方由圖5A所示的第二虛線8000b和第三虛線8000c來表示)。
接下來，在第三基板1c上形成密封劑。像實施例模式1那樣，形成密封劑4000，使得第一TFT區域1001和第二TFT區域1002完全分隔開(參照圖6A)。
將第三基板1c和第四基板1d貼在一起，使得第一相對區域2001與第一TFT區域1001相對，第二相對區域2002則與第二TFT區域1002相對(參照圖6B)。
然後，像實施例模式1那樣，藉由將FPC、偏光板和背光源連在一起，組裝成液晶顯示幕，以便製造例如手機。
在本實施例模式中，可以製造能雙面顯示的薄液晶顯示裝置，並且製造液晶顯示幕所用的基板數目僅是一塊。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式3)
實施例模式1和2分別以這樣一種模式為例，即在一塊基板上形成四個區域(第一TFT區域1001、第二TFT區域1002、第一相對區域2001和第二相對區域2002)，對於能雙面顯示的液晶顯示裝置而言這是最少的要求。
本實施例模式將說明製造多個TFT區域和相對區域的示例。
四個區域對於能雙面顯示的液晶顯示裝置而言是最少的要求，它們排列成矩陣以便製造TFT區域和相對區域(參照圖7；在圖7中部分標號被省略)。
在完成TFT區域和相對區域之後，適當分割基板。結果，藉由使用實施例模式1和2中的方法，有可能製造能雙面顯示的液晶顯示裝置(參照圖8A和8B；沿第四虛線8000d來分割基板)。
除了實施例模式1和2的效果，藉由使用本實施例模式，還有可能從大尺寸基板中製造出多個液晶顯示裝置。
因為可以從大尺寸基板中製造出多個液晶顯示裝置，所以這意味著製造相同數量的液晶顯示裝置時，總的裝置處理次數可以減小，從而使成本減小。
(實施例模式4)
像主動矩陣液晶顯示裝置(其中設置有TFT、電容元件、電阻元件等元件)這種電路的典型製造方法包括如下步驟：執行膜形成過程，並藉由掩模圖形轉移技術形成掩模圖形，這些步驟不斷重復以便在製造想要的元件的同時製造電路。
本實施例模式將說明以上述典型製造方法在一塊基板上製造實施例模式1中的透射型或半透射型液晶顯示裝置的第一TFT區域1001和第一相對區域2001以及反射型液晶顯示裝置的第二TFT區域1002和第二相對區域2002的方法。
本實施例模式將說明製造反向交錯TFT的典型方法的示例，這種反向交錯TFT可用作第一TFT區域1001和第二TFT區域1002中的TFT。
注意到，為了方便，在用於說明本實施例模式的圖中，顯示第一TFT區域1001中的一個TFT、第二TFT區域1002中的一個TFT、第一相對區域2001中的一個濾色片以及第二相對區域2002(紅濾色區域)中的一個濾色片。每一個TFT區域都具有多個TFT、必需的元件、接線等；並且每一個相對區域都具有綠濾色區域、藍濾色區域等。
此外，為了方便，在用於說明本實施例模式的圖中，顯示由點劃線圍繞著的四個區域(第一TFT區域1001、第二TFT區域1002、第一相對區域2001和第二相對區域2002)。
另外，本發明可以用各種模式來實現。此外，本領域的技術人員很容易理解，各種變化和修改都是很明顯的。因此，除非這種變化和修改背離了本發明的主旨和範圍，否則它們都應該被解釋成含在本文中。
注意到，在用於解釋實施例模式的所有圖中，相同的部分或具有相同功能的部分皆以相同的標號來表示，並且省略重復的說明。
首先，準備基板100(參照圖9A)。
由硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃等玻璃、石英、矽晶片等製成的基板都可以被用作基板100。根據想要使用的半導體裝置或諸如溫度等技術條件，可以適當選擇這些材料。
如果基板100可以耐受處理溫度，則也可以使用由聚碳酸酯、聚醯亞胺或丙烯酸材料等具有高耐熱性的塑膠材料製成的基板。另外，基板100的形狀具有平面或曲面或兩者皆有，並且根據技術或製造設備，可以適當選擇平板狀、條紋狀或拉長形的基板。
接下來，在基板100上形成第一導電膜200(參照圖9B)。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻第一導電膜200。因此，第一閘極電極201a和第一閘極接線202a形成於第一TFT區域1001中，第二閘極電極201b和第二閘極接線202b形成於第二TFT區域1002中，第一黑色矩陣203a形成於第一相對區域2001中，第二黑色矩陣203b形成於第二相對區域2002中。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖9C)。
注意到，第一閘極接線202a和第一閘極電極201a電連接(圖中未示出)。
同樣，第二閘極接線202b和第二閘極電極201b電連接(圖中未示出)。
第一導電膜200是藉由濺射方法由導電材料構成的，這是一種以導電材料或半導體材料為其主要成分的材料。
例如，鉬形成了300奈米厚的膜。除了鉬以外，第一導電膜還可以用任何其他材料來構成，不受特別的限制，只要其結構包含下列中的至少一層就可以：金屬材料，比如鉭、鈦、鎢或鉻；矽化物，它是這些金屬材料和矽化合物；像多晶矽這種具有N型或P型導電性的材料；以及以銅或鋁等低阻金屬材料為其主要成分的材料。
注意到，因為在轉移掩模圖形之後用光微影法蝕刻了第一導電膜200，所以第一閘極電極201a、第二閘極電極201b、第一閘極接線202a、第二閘極接線202b、第一黑色矩陣203a以及第二黑色矩陣203b都是用與第一導電膜200相同的材料構成。
藉由用相同的材料在基板表面上同時製造黑色矩陣和閘極電極，掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
接下來，形成閘極絕緣膜103，並且在閘極絕緣膜103上形成第一半導體膜102(參照圖9D)。
閘極絕緣膜103是一種用CVD方法、濺射方法等形成的絕緣材料，例如以矽為其主要成分的絕緣材料。
例如，形成300奈米厚的氮化矽膜。作為閘極絕緣膜103，可以使用單層或疊層結構的含矽的其他絕緣膜。
第一半導體膜102是一種用CVD方法、濺射方法等形成的半導體材料。
例如，形成150奈米厚的非晶矽膜。第一半導體膜102的材料並不限於矽，其他半導體材料也可以適當選用。
另外，最好在真空環境中連續形成閘極絕緣膜103和第一半導體膜102。這是因為，在真空環境中連續形成多個膜可以防止閘極絕緣膜的介面被大氣污染，從而閘極絕緣膜的介面中的缺陷減少了。
此外，為了提高第一半導體膜102的結晶性，可以用雷射照射、熔爐退火、RTA(快速熱退火)等添加的熱能來執行結晶化。
為了控制本文要製造的TFT的臨界值電壓，可以藉由摻雜將雜質離子引入第一半導體膜102中。
接下來，在第一半導體膜102上形成第一雜質半導體膜104(參照圖10A)。
第一雜質半導體膜是一種由CVD方法等形成的含施主型元素的半導體膜。
例如，形成50奈米厚的含磷的矽膜。
注意到，在本實施例模式中，為了製造n通道TFT，將含磷的矽膜用於第一雜質半導體膜；然而，當要製造p通道TFT時，則形成含受主型元素(比如硼)的半導體膜。
然後，在轉移掩模圖形之後，藉由光微影來蝕刻堆疊的第一雜質半導體膜104和第一半導體膜102。因此，在第一TFT區域1001中形成了第一島形雜質半導體層104a和第一島形半導體層102a，在第二TFT區域1002中形成了第二島形雜質半導體層104b和第二島形半導體層102b。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖10B)。
接下來，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻閘極絕緣膜103。因此，藉由暴露第一閘極接線202a的一部分，形成了第一接觸區域900a，藉由暴露第二閘極接線202b的一部分，形成了第二接觸區域900b。
然後，形成了第二導電膜400(參照圖10C)。
第二導電膜400是一種由導電材料藉由濺射方法等形成的導電膜，這是一種以導電材料或半導體材料為其主要成分的材料。
例如，鉬形成了300奈米厚的膜。除了鉬以外，第二導電膜還可以用任何其他材料來構成，不受特別的限制，只要其結構包含下列中的至少一層就可以：金屬材料，比如鉭、鈦、鎢或鉻；矽化物，它是這些金屬材料和矽的化合物；像多晶矽這種具有N型或P型導電性的材料；以及以銅或鋁等低阻金屬材料為其主要成分的材料。
接下來，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻第二導電膜400。因此，第一TFT區域1001中形成了第一接線401a和第二接線401b，第二TFT區域1002中形成了第三接線401c和第一反射電極402a。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模。注意到，第一反射電極402同時用作反射電極和像素電極(參照圖10D)。
注意到，根據掩模圖形，此處形成的諸多接線分別適當地連接到TFT、透過接觸區域露出的閘極接線、其他元件等。
另外，在此時，形成掩模圖形，使得只在將要成為TFT的通道形成區的那個區域上才露出第一島形雜質半導體層104a，並且只在將要成為TFT的通道形成區的那個區域上才露出第二島形雜質半導體層104b。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模。
然後，藉由將第一接線401a和第二接線401b分別用作掩模，以自對準方式來蝕刻位於第一島形半導體層的通道形成區域上的雜質半導體層，由此在第一TFT區域1001中形成了第一源區105a和第一汲區106a。同時，藉由將第三接線401c和第一反射電極402a分別用作掩模，以自對準方式來蝕刻位於第二島形半導體層的通道形成區域上的雜質半導體層，由此在第二TFT區域1002中形成了第二源區105b和第一汲區106b。
此處，包括第一島形半導體層102a、第一源區105a和第一汲區106a的島形半導體層被稱為第三島形半導體層102c；包括第二島形半導體層102b、第二源區105b和第二汲區106b的島形半導體層被稱為第四島形半導體層102d(參照圖11A)。
接下來，形成第一中間層絕緣膜300(參照圖11B)。
第一中間層絕緣膜300是用CVD方法、濺射方法等形成的絕緣材料，例如以矽為其主要成分的絕緣材料。
例如，形成200奈米厚的氮化矽膜。作為第一中間層絕緣膜300，也可以使用單層或疊層結構的含矽的其他絕緣膜。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影法來蝕刻第一中間層絕緣膜300。因此，藉由暴露第一接線401a的一部分，形成了第三接觸區域900c。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖11C)。
另外，與此同時，藉由露出第二接線401b的一部分，形成了第四接觸區域900d，藉由暴露第三接線401c的一部分，形成了第五接觸區域900e。
接下來，形成紅濾色膜711(參照圖11D)。
然後，採用光微影法，曝光和顯影掩模圖形。因此，在第一相對區域2001中形成了第一紅濾色區域711a，在第二相對區域2002中形成了第二紅濾色區域711b(參照圖12A)。
紅濾色膜711是用旋轉塗敷方法等形成的紅色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
接下來，形成綠濾色膜721，並且用光微影法曝光和顯影掩模圖形。因此，在第一相對區域2001中形成了第一綠濾色區域721a，在第二相對區域2002中形成了第二綠濾色區域721b。
綠濾色膜721是用旋轉塗敷方法等形成的綠色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
然後，形成藍濾色膜731，並且用光微影法曝光和顯影掩模圖形。因此，在第一相對區域2001中形成了第一藍濾色區域731a，在第二相對區域2002中形成了第二藍濾色區域731b。
藍濾色膜731是用旋轉塗敷方法等形成的藍色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
接下來，形成第二中間層絕緣膜500(參照圖12B)。
第二中間層絕緣膜500是用旋轉塗敷方法等形成的絕緣材料。
例如，形成1微米厚的丙烯酸。除了丙烯酸以外，第二中間層絕緣膜500可以用任何材料來構成，沒有特定限制，只要其結構包含至少一層以聚醯亞胺、矽氧烷等為主要成分的材料就可以。
藉由使用這些材料，可以獲得平整化效果。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影法來蝕刻第二中間層絕緣膜500。因此，形成了第一絕緣區域501a和第二絕緣區域501b(參照圖12C)。
接下來，形成透明導電膜600(參照圖12D)。
透明導電膜600是用濺射方法等形成的具有高透光率的導電膜。
例如，形成90奈米厚的氧化銦錫(在下文中被稱為ITO)。除了ITO以外，藉由使用含矽元素的氧化銦錫(在下文中，被稱為ITSO)或IZO(氧化銦鋅，其中氧化銦混合了2到20%的氧化鋅)或它們組合的化合物等材料膜，也可以形成透明導電膜600。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻透明導電膜600。因此，第一透明電極601a形成於第一TFT區域中，第二透明電極601b形成於第一相對區域中，第三透明電極601c形成於第二相對區域中。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖13)。
如上所述，可以在一塊基板上製造下列：透射型或半透射型第一TFT區域1001；反射型第二TFT區域1002；第一相對區域2001，與第一TFT區域1001相對；以及第二相對區域2002，與第二TFT區域1002相對。
接下來，用實施例模式1中所述的方法來製造液晶顯示幕。
液晶顯示幕具有第一液晶顯示區域3001和第二液晶顯示區域3002。第一液晶顯示區域3001具有FPC連接接線9000a，第二液晶顯示區域3002具有FPC連接接線9000b(參照圖19；圖19顯示實施例模式1中的基本佈置應用於本實施例模式)。
如上所述，掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式5)
在實施例模式4中，與接線相同的材料被用於第二TFT區域1002中所形成的反射電極；然而，透明電極可以用於像素電極，而閘極電極材料可以用於反射電極，而不再將反射電極同時用作反射電極和像素電極(參照圖20和21)。
例如，第二反射電極204可以穿過閘極絕緣膜103和第一中間層絕緣膜300而設置在像素電極的下層(參照圖20)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式4中，可以在形成第一導電膜200的掩模圖形時形成第二反射電極204，在形成第二導電膜400的掩模圖形時可以形成第四接線401d而非第一反射電極402a，在形成透明導電膜600的掩模圖形時可以形成第四透明電極601d。
另外，第二反射電極204和第四透明電極601d可以形成彼此接觸(參照圖21)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式4中，在形成第一導電膜200的掩模圖形時可以形成第二反射電極204，在形成閘極絕緣膜103的掩模圖形時可以除去第二反射電極204上的閘極絕緣膜103，在形成第一中間層絕緣膜300的掩模圖形時可以除去在第二反射電極204上的第一中間層絕緣膜300，在形成第二導電膜400的掩模圖形時可以形成第四接線401d而並不形成第一反射電極402a，在形成透明導電膜600的掩模圖形時可以形成第四透明電極601d。
(實施例模式6)
在實施例模式4和5中，與閘極電極相同的材料被用於黑色矩陣的材料；然而，與接線膜相同的材料也可以被用於黑色矩陣的材料(參照圖22、23和24)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式4中，在形成第一導電膜200的掩模圖形時並不形成第一黑色矩陣203a和第二黑色矩陣203b，在形成第二導電膜400的掩模圖形時，第三黑色矩陣403a可以形成於第一相對區域2001中，而第四黑色矩陣403b可以形成於第二相對區域2002中。
(實施例模式7)
本實施例模式將顯示實施例模式2所述基板的製造方法的示例。注意到，因為使用與實施例模式4相同的製造方法，所以只對與實施例模式4不同的部分作說明。
作為本實施例模式的製造方法，在實施例模式4中，在第二相對區域2002中，在形成第一導電膜200的掩模圖形時形成第三反射電極205而並不形成第二黑色矩陣203b，在形成第二導電膜400的掩模圖形時形成第四接線401d而並不形成第一反射電極402a，在形成透明導電膜600的掩模圖形時形成第四透明電極601d。之後，藉由掩模圖形轉移技術，在第二相對區域2002中形成第三黑色矩陣800。
第三黑色矩陣是用黑色有機膜構成的。
因此，有可能形成透射型或半透射型第一液晶顯示區域3001和反射型第二液晶顯示區域3002(參照圖25)。
(實施例模式8)
與第一導電膜200相同的材料被用於實施例模式7中的第二相對區域2002的第三反射電極205；然而，與第二導電膜400相同的材料也可以被用於第三反射電極205(參照圖26)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式7中，在第二相對區域2002中，在形成第一導電膜200的掩模圖形時並不形成第三反射電極205，在形成第二導電膜400的掩模圖形時可以在第二相對區域2002中形成第四反射電極404。
(實施例模式9)
在實施例模式7中，並非總是必須形成第二中間層絕緣膜500(參照圖27)。
在這種情況的實施例模式7中，形成第二中間層絕緣膜500的步驟和形成第二中間層絕緣膜500的掩模圖形的步驟都可以被排除。
在本實施例模式中，因為形成第二中間層絕緣膜500不是必需的，所以掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式10)
在實施例模式8中，並非總是必須形成第二中間層絕緣膜500(參照圖28)。
在這種情況的實施例模式8中，形成第二中間層絕緣膜500的步驟和形成第二中間層絕緣膜500的掩模圖形的步驟都可以被排除。
在本實施例模式中，因為形成第二中間層絕緣膜500不是必需的，所以掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式11)
在實施例模式9中，有可能在第二TFT區域1002中形成濾色區域(參照圖29)。
在實施例模式9中形成濾色區域時並不在第二相對區域2002中形成濾色區域，濾色區域可以形成在第二TFT區域1002的第四透明電極601d下面。
在這種情況下，因為濾色區域設置在要成為顯示表面的那個基板表面上，所以可以獲得清晰許多的顯示。
(實施例模式12)
在實施例模式10中，有可能在第二TFT區域1002中形成濾色區域(參照圖30)。
在這種情況下，在實施例模式10中形成濾色區域時並不在第二相對區域2002中形成濾色區域，可以形成濾色片使其設置在第二TFT區域1002的第四透明電極601d的下面。
在這種情況下，因為濾色區域設置在要成為顯示表面的那個基板表面上，所以可以獲得清晰許多的顯示。
(實施例模式13)
本實施例模式將說明在一塊基板上製造透射型或半透射型液晶顯示裝置的第一TFT區域1001和第一相對區域2001以及反射型液晶顯示裝置的第二TFT區域1002和第二相對區域2002的方法示例。
本實施例模式將說明製造頂部閘極TFT的方法示例，這種頂部閘極TFT用作第一TFT區域1001和第二TFT區域1002中的TFT。
注意到，為了方便，在用於說明本實施例模式的圖中，顯示第一TFT區域1001的一個TFT、第二TFT區域1002的一個TFT、第一相對區域2001的一個濾色片以及第二相對區域2002的一個濾色片(紅濾色區域)。每一個TFT區域都具有多個TFT、必需的元件、接線等；並且每一個相對區域都具有綠濾色區域、藍濾色區域等。
另外，本發明可以用各種模式來實現。此外，本領域的技術人員很容易理解，各種變化和修改都是很明顯的。因此，除非這種變化和修改背離了本發明的主旨和範圍，否則它們都應該被解釋成含在本文中。
注意到，在用於解釋實施例模式的所有圖中，相同的部分或具有相同功能的部分皆以相同的標號來表示，並且省略重復的說明。
首先，準備基板100(參照圖14A)。
由硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃等玻璃、石英、矽晶片等製成的基板都可以被用作基板100。根據想要使用的半導體裝置或諸如溫度等技術條件，可以適當選擇這些材料。
如果基板100可以耐受處理溫度，則也可以使用由聚碳酸酯、聚醯亞胺或丙烯酸材料等具有高耐熱性的塑膠材料製成的基板。另外，基板100的形狀具有平面或曲面或兩者皆有，並且根據技術或製造設備，可以適當選擇平板狀、條紋狀或拉長形的基板。
接下來，在基板100上形成底部隔離膜101，並且在底部隔離膜101上形成第一半導體膜102(參照圖14B)。
底部隔離膜101可防止雜質擴散到基板100中，並且形成100奈米厚的氮氧化矽。除了氮氧化矽以外，還可以用單層或疊層的氧氮化矽、氧化矽、氮化矽等來構成底部絕緣膜101。
第一半導體膜102是用CVD方法、濺射方法等形成的半導體材料。
例如，形成54奈米厚的非晶矽膜。第一半導體膜102的材料並不限於矽，其他半導體材料也可以適當選用。
另外，為了提高第一半導體膜102的結晶性，可以用雷射照射、熔爐退火、RTA(快速熱退火)等添加的熱能來執行結晶化。
為了控制本文要製造的TFT的臨界值電壓，可以藉由摻雜將雜質離子引入第一半導體膜102中。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻第一半導體膜102。因此，在第一TFT區域1001中形成了第一島形半導體層102a和第二島形半導體層102b。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖14C)。
接下來，形成閘極絕緣膜103(參照圖14D)。
閘極絕緣膜103是用CVD方法、濺射方法等形成的絕緣材料，例如以矽為主要成分的絕緣材料。
例如，形成100奈米厚的氮氧化矽膜。作為閘極絕緣膜103，可以使用單層或疊層結構的含矽的其他絕緣膜。
然後，在閘極絕緣膜103上形成第一導電膜200(參照圖15A)。
第一導電膜200是由導電材料藉由濺射方法等而形成的導電膜，這是一種以導電材料或半導體材料為主要成分的材料。
例如，鉬形成了300奈米厚的膜。除了鉬以外，第一導電膜還可以用任何其他材料來構成，不受特別的限制，只要其結構包含下列中的至少一層就可以：金屬材料，比如鉭、鈦、鎢或鉻；矽化物，它是這些金屬材料和矽的化合物；像多晶矽這種具有N型或P型導電性的材料；以及以銅或鋁等低阻金屬材料為其主要成分的材料。
接下來，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻第一導電膜200。因此，第一閘極電極201a和第一閘極接線202a形成於第一TFT區域1001中，第二閘極電極201b和第二閘極接線202b形成於第二TFT區域1002中，第一黑色矩陣203a形成於第一相對區域2001中，第二黑色矩陣203b形成於第二相對區域2002中。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖15B)。
藉由使用相同的材料在基板表面上同時製造黑色矩陣和閘極電極，掩模的數目、裝置處理次數和所用材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
然後，將雜質離子注入到第一島形半導體層102a和第二島形半導體層102b中，從而在第一TFT區域1001中形成第一源區105a和第一汲區106a，並在第二TFT區域1002中形成第二源區105b和第二汲區106b(參照圖15C)。
離子注入法、電漿摻雜法或離子灑射摻雜法都是可以用的雜質注入方法，對於要注入的離子，在獲取n型通道TFT的情況下注入施主型元素(例如，磷或砷)，在獲取p型通道TFT的情況下注入受主型元素(例如，硼)。
另外，對於製造所謂的CMOS電路的情況(其中n型通道TFT和p型通道TFT設置在基板表面上)，當注入施主型元素時，在用掩模覆蓋將要成為p型通道TFT的區域之後執行注入，當注入受主型元素時，在用掩模覆蓋將要成為n型通道TFT的區域之後執行注入。
注意到，光微影方法被用於形成掩模。
接下來，形成第一中間層絕緣膜300(參照圖15D)。
第一中間層絕緣膜300是用CVD方法、濺射方法等形成的絕緣材料，例如以矽為其主要成分的絕緣材料。
例如，形成100奈米厚的氮化矽膜。作為第一中間層絕緣膜300，也可以使用單層或疊層結構的含矽的其他絕緣膜。
然後，執行退火以便啟動所注入的雜質離子。
在550℃的氮氣爐中進行長達一個小時的退火。該退火過程可以藉由RTA或雷射照射來進行。
接下來，形成紅濾色膜711(參照圖16A)。
然後，用光微影方法曝光和顯影掩模圖形。因此，第一紅濾色區域711a形成於第一相對區域2001中，第二紅濾色區域711b形成於第二相對區域2002中(參照圖16B)。
紅濾色膜711是用旋轉塗敷等方法形成的紅色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
接下來，形成綠濾色膜721，用光微影方法曝光和顯影掩模圖形。因此，第一綠濾色區域721a形成於第一相對區域2001中，第二綠濾色區域721b形成於第二相對區域2002中。
綠濾色膜721是用旋轉塗敷等方法形成的綠色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
接下來，形成藍濾色膜731，用光微影方法曝光和顯影掩模圖形。因此，第一藍濾色區域731a形成於第一相對區域2001中，第二藍濾色區域731b形成於第二相對區域2002中。
藍濾色膜731是用旋轉塗敷等方法形成的藍色抗蝕劑。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蝕劑。
接下來，形成第二中間層絕緣膜500(參照圖16C)。
第二中間層絕緣膜500是用旋轉塗敷等方法形成的絕緣材料。
例如，形成1微米厚的丙烯酸。除了丙烯酸以外，第二中間層絕緣膜500可以用任何材料來構成，沒有特定限制，只要其結構包含至少一層以聚醯亞胺、矽氧烷等為主要成分的材料就可以。
藉由使用這些材料，可以獲得平整化效果。
接下來，在轉移掩模圖形之後，用光微影法來蝕刻第二中間層絕緣膜500。因此，在第一TFT區域中，藉由暴露第一源區105a的一部分形成第一接觸區域901a，藉由暴露第一汲區106a的一部分形成第二接觸區域901b，並且藉由暴露第一閘極電極201a的一部分形成第三接觸區域901c；在在第二TFT區域中，藉由暴露第二源區105b的一部分形成第四接觸區域901d，藉由暴露第二汲區106b的一部分形成第五接觸區域901e，並且藉由暴露第二閘極電極201b的一部分形成第六接觸區域901f(參照圖16D)。
因為第一相對區域2001和第二相對區域2002上的第二中間層絕緣膜500並未除去，所以在第一相對區域2001和第二相對區域2002中形成了平整化層(參照圖16D)。
藉由使用相同的材料在基板上同時製造TFT區域的中間層絕緣材料和相對區域的平整化絕緣材料，掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
然後，形成第二導電膜400(參照圖17A)。
第二導電膜400是一種由導電材料藉由濺射等方法形成的導電膜，這是一種以導電材料或半導體材料為其主要成分的材料。
例如，在形成100奈米厚的鈦之後，形成300奈米厚的鋁。除了鈦和鋁的堆疊層以外，第二導電膜還可以用任何其他材料來構成，不受特別的限制，只要其結構包含下列中的至少一層就可以：金屬材料，比如鉭、鈦、鎢或鉻；矽化物，它是這些金屬材料和矽的化合物；像多晶矽這種具有N型或P型導電性的材料；以及以銅或鋁等低阻金屬材料為其主要成分的材料。
接下來，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻第二導電膜400。因此，第一TFT區域1001中形成了第一接線401a和第二接線401b，第二TFT區域1002中形成了第三接線401c和第一反射電極402a。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模。注意到，第一反射電極402a同時用作反射電極和像素電極(參照圖17B)。
注意到，根據掩模圖形，此處形成的諸多接線分別適當地連接到TFT、透過接觸區域露出的閘極接線、其他元件等。
接下來，形成透明導電膜600(參照圖17C)。
透明導電膜600是用濺射等方法形成的具有高透光率的導電膜。
例如，形成90奈米厚的氧化銦錫(在下文中被稱為ITO)。除了ITO以外，藉由使用含矽元素的氧化銦錫(在下文中，被稱為ITSO)或IZO(氧化銦鋅，其中氧化銦混合了2到20%的氧化鋅)或它們組合的化合物等材料膜，也可以形成透明導電膜600。
然後，在轉移掩模圖形之後，用光微影方法來蝕刻透明導電膜600。因此，第一透明電極601a形成於第一TFT區域中，第二透明電極601b形成於第一相對區域中，第三透明電極601c形成於第二相對區域中。之後，除去轉移後的抗蝕性掩模(參照圖18)。
如上所述，可以在一塊基板上製造下列：透射型或半透射型第一TFT區域1001；反射型第二TFT區域1002；第一相對區域2001，與第一TFT區域1001相對；以及第二相對區域2002，與第二TFT區域1002相對。
接下來，用實施例模式1中所述的方法來製造液晶顯示幕。
液晶顯示幕具有第一液晶顯示區域3001和第二液晶顯示區域3002。第一液晶顯示區域3001具有FPC連接接線9000a，第二液晶顯示區域3002具有FPC連接接線9000b(參照圖31；圖31顯示實施例模式1中的基本佈置應用於本實施例模式)。
如上所述，掩模的數目、裝置處理次數和所用的材料都可以減少。結果，產量可以增大，成本可以減小。
(實施例模式14)
在實施例模式13中，與接線相同的材料被用於第二TFT區域1002中所形成的反射電極；然而，透明電極可以用於像素電極，而閘極電極材料可以用於反射電極，而不再將反射電極同時用作反射電極和像素電極(參照圖32)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式4中，可以在形成第一導電膜200的掩模圖形時形成第二反射電極204，在形成第二導電膜400的掩模圖形時可以形成第四接線401d而並不形成第一反射電極402a，在形成透明導電膜600的掩模圖形時可以形成第四透明電極601d。
(實施例模式15)
本實施例模式將顯示實施例模式2所述基板的製造方法的示例。注意到，因為使用與實施例模式13相同的製造方法，所以只對與實施例模式13不同的部分作說明。
作為本實施例模式的製造方法，在實施例模式13中形成第一導電膜200時在第二相對區域2002中形成第三反射電極205而並不形成黑色矩陣203b(第一黑色矩陣203a形成於第一相對區域2001中)。
另外，在形成濾色區域時不在第一相對區域2001和第二相對區域2002中形成濾色區域，濾色區域可以形成在第一TFT區域1001的透明電極下面以及第二TFT區域1002的透明電極下面。
此外，黑色有機膜被用於第二中間層絕緣膜500，並且濾色區域上的第二中間層絕緣膜500被除去。
此外，在形成第二導電膜400的掩模圖形時形成第四接線401d而並不形成第一反射電極402a，在沒有形成透明導電膜600的掩模圖形的情況下形成第四透明電極601d。
注意到，在形成第一中間層絕緣膜300之後，形成濾色區域和第二中間層絕緣膜500；然而，如上所述，可以首先形成濾色區域，或者可以首先形成第二中間層絕緣膜500。
在首先形成第二中間層絕緣膜500的情況下，藉由掩模圖形轉移技術，可以除去設置有濾色區域的地方的第二中間層絕緣膜。
接下來，按與實施例模式2相同的方式來組裝液晶顯示幕。
如上所述，可以製造能雙面顯示且具有第一液晶顯示區域3001和第二液晶顯示區域3002的液晶顯示裝置，其中相對區域中沒有濾色區域(參照圖33)。
藉由使用本實施例模式，在第一TFT區域1001和第一相對區域2001中可以形成充當黑色矩陣的區域；因此，可以提高第一液晶顯示區域3001的對比度。
(實施例模式16)
在實施例模式15中，與第一導電膜200相同的材料被用於第二相對區域2002的第三反射電極205；然而，與第二導電膜400相同的材料可以被用於第三反射電極205(參照圖34)。
作為這種情況的製造方法，在實施例模式15中，在形成第一導電膜200的掩模圖形時並不在第二相對區域2002中形成第三反射電極205，在形成第二導電膜400的掩模圖形時可以在第二相對區域2002中形成第四反射電極404。
藉由使用本實施例模式，像實施例模式15那樣，在第一TFT區域1001和第一相對區域2001中可以形成充當黑色矩陣的區域；因此，可以提高第一液晶顯示區域3001的對比度。
此外，在本實施例模式中，因為在第一相對區域2001中透明電極和第四反射電極404彼此接觸，所以相對區域中的電極阻抗可以減小。
1．．．基板
1001．．．第一TFT區域
1002．．．第二TFT區域
2001．．．第一相對區域
2002．．．第二相對區域
8000a．．．第一虛線
1a．．．第一基板
1b．．．第二基板
4000．．．密封劑
5000．．．疊合區域
4001．．．第一密封區域
4002．．．第二密封區域
3001．．．第一液晶顯示區域
3002．．．第二液晶顯示區域
6001．．．第一FPC
6002．．．第二FPC
7001．．．第一液晶顯示裝置
7002．．．第二液晶顯示裝置
8001．．．光
8002、8003．．．外部光
10000．．．背光源
8000b．．．第二虛線
8000c．．．第三虛線
8000d．．．第四虛線
100．．．基板
200．．．第一導電膜
201a．．．第一閘極電極
202a．．．第一閘極接線
201b．．．第二閘極電極
202b．．．第二閘極接線
203a．．．第一黑色矩陣
203b．．．第二黑色矩陣
103．．．閘極絕緣膜
102．．．第一半導體膜
104．．．第一雜質半導體膜
104a．．．第一島形雜質半導體層
104b．．．第二島形雜質半導體層
102a．．．第一島形半導體層
102b．．．第二島形半導體層
900a．．．第一接觸區域
900b．．．第二接觸區域
400．．．第二導電膜
401a．．．第一接線
401b．．．第二接線
401c．．．第三接線
402a．．．第一反射電極
105a．．．第一源區
105b．．．第二源區
106a．．．第一汲區
106b．．．第二汲區
102c．．．第三島形半導體層
300．．．第一中間層絕緣膜
900c．．．第三接觸區域
900d．．．第四接觸區域
900e．．．第五接觸區域
711．．．紅濾色膜
711a．．．第一紅濾色區域
711b．．．第二紅濾色區域
721．．．綠濾色膜
721a．．．第一綠濾色區域
721b．．．第二綠濾色區域
731．．．藍濾色膜
731a．．．第一藍濾色區域
731b．．．第二藍濾色區域
500．．．第二中間層絕緣膜
501a．．．第一絕緣區域
501b．．．第二絕緣區域
600．．．透明導電膜
601a．．．第一透明電極
601b．．．第二透明電極
601c．．．第三透明電極
9000a、9000b．．．FPC連接接線
204．．．第二反射電極
401a．．．第四接線
601d．．．第四透明電極
403a．．．第三黑色矩陣
403b．．．第四黑色矩陣
205．．．第三反射電極
800．．．第三黑色矩陣
404．．．第四反射電極
101．．．底部隔離膜
901a．．．第一接觸區域
901b．．．第二接觸區域
901c．．．第三接觸區域
901d．．．第四接觸區域
901e．．．第五接觸區域
圖1A和1B是用於組裝液晶顯示裝置的方法；圖2A和2B是用於組裝液晶顯示裝置的方法；圖3A和3B是用於組裝液晶顯示裝置的方法；圖4A和4B是用於組裝液晶顯示裝置的方法及使用該液晶顯示裝置的手機；圖5A和5B是用於組裝液晶顯示裝置的方法；圖6A和6B是用於組裝液晶顯示裝置的方法；圖7是用於在大尺寸基板上製造液晶顯示裝置的基板圖；圖8A和8B是在大尺寸基板上製造液晶顯示裝置的基板圖以及分割該基板的示例；圖9A到9D是製造底部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖10A到10D是製造底部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖11A到11D是製造底部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖12A到12D是製造底部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖13是製造底部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖14A到14D是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖15A到15D是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖16A到16D是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖17A到17C是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖18是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖19是製造頂部閘極TFT和相對區域(橫截面圖)的方法；圖20是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式5)；圖21是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式5)；圖22是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式6)；圖23是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式6)；圖24是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式6)；圖25是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式7)；圖26是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式8)；圖27是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式9)；圖28是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式10)；圖29是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式11)；圖30是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式12)；圖31是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式13)；圖32是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式14)；圖33是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式15)；圖34是雙面顯示裝置的橫截面圖(實施例模式16)；圖35是用於組裝液晶顯示裝置的方法；和圖36顯示液晶顯示裝置的橫截面圖。
1．．．基板
1001．．．第一TFT區域
1002．．．第二TFT區域
2001．．．第一相對區域
2002．．．第二相對區域
8000a．．．第一虛線

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包含：第一基板，其上形成第一薄膜電晶體區域和第一相對區域；第二基板，其上形成第二薄膜電晶體區域和第二相對區域；以及第一液晶材料及第二液晶材料；其中該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域以插放在其間的該第一液晶材料互相相對，而該第二薄膜電晶體區域和該第一相對區域以插放在其間的該第二液晶材料互相相對，其中形成於該第一薄膜電晶體區域中的閘極電極以及形成於該第一相對區域中的黑色矩陣與該第一基板接觸，以及其中形成於該第二薄膜電晶體區域中的閘極電極以及形成於該第二相對區域中的黑色矩陣與該第二基板接觸。
  2. 一種顯示裝置，包含：第一基板，其上形成第一薄膜電晶體區域和第一相對區域；第二基板，其上形成第二薄膜電晶體區域和第二相對區域；以及第一液晶材料及第二液晶材料；其中該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域以插放在其間的該第一液晶材料互相相對，而該第二薄膜電晶體 區域和該第一相對區域以插放在其間的該第二液晶材料互相相對，其中形成於該第一薄膜電晶體區域中的接線以及形成於該第一相對區域中的黑色矩陣與該第一基板接觸，以及其中形成於該第二薄膜電晶體區域中的接線以及形成於該第二相對區域中的黑色矩陣與該第二基板接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中形成於該第二薄膜電晶體區域中的閘極電極和形成於該第二薄膜電晶體區域中的反射電極由同一層形成。
  4. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中形成於該第二薄膜電晶體區域中的接線和形成於該第二薄膜電晶體區域中的反射電極由同一層形成。
  5. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中在該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、和該第二相對區域中形成的透明電極由同一層形成。
  6. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中在該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、該第一相對區域、和該第二相對區域中形成的中間層絕緣膜由同一層形成。
  7. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中第一液晶顯示裝置包含該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域，和第二液晶顯示裝置包含該第二薄膜電晶體區域和該第一相對區域，以及其中該第一液晶顯示裝置是透射型液晶顯示裝置，而 該第二液晶顯示裝置是半透射型液晶顯示裝置。
  8. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中在該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、和該第二相對區域中形成的透明電極由同一層形成。
  9. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中在該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、該第一相對區域、和該第二相對區域中形成的中間層絕緣膜由同一層形成。
  10. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中第一液晶顯示裝置包含該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域，和第二液晶顯示裝置包含該第二薄膜電晶體區域和該第一相對區域，以及其中該第一液晶顯示裝置是透射型液晶顯示裝置，而該第二液晶顯示裝置是半透射型液晶顯示裝置。
  11. 一種顯示裝置的製造方法，包含如下步驟：在基板上同時形成第一薄膜電晶體區域的閘極電極、第二薄膜電晶體區域的閘極電極、第二相對區域的黑色矩陣、和第一相對區域的黑色矩陣；將該基板分割成其上設置有該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域的第一基板、以及其上設置有該第二薄膜電晶體區域和該第一相對區域的第二基板；以及將該第一基板和該第二基板粘結在一起，使得該第一薄膜電晶體區域和該第一相對區域互相相對，且該第二薄膜電晶體區域和該第二相對區域互相相對。
  12. 一種顯示裝置的製造方法，包含如下步驟：在基板上同時形成第一薄膜電晶體區域的接線、第二薄膜電晶體區域的接線、第二相對區域的黑色矩陣、和第一相對區域的黑色矩陣；將該基板分割成其上設置有該第一薄膜電晶體區域和該第二相對區域的第一基板、以及其上設置有該第二薄膜電晶體區域和該第一相對區域的第二基板；以及將該第一基板和該第二基板粘結在一起，使得該第一薄膜電晶體區域和該第一相對區域互相相對，且該第二薄膜電晶體區域和該第二相對區域互相相對。
  13. 如申請專利範圍第11項的顯示裝置的製造方法，其中該第二薄膜電晶體區域的閘極電極和該第二薄膜電晶體區域的反射電極是同時形成的。
  14. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置的製造方法，其中該第二薄膜電晶體區域的接線和該第二薄膜電晶體區域的反射電極是同時形成的。
  15. 如申請專利範圍第11項的顯示裝置的製造方法，其中該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、和該第二相對區域中的透明電極都是同時形成的。
  16. 如申請專利範圍第11項的顯示裝置的製造方法，其中該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、該第一相對區域、和該第二相對區域中的中間層絕緣膜都是同時形成的。
  17. 如申請專利範圍第11項的顯示裝置的製造方法， 其中該第一薄膜電晶體和該第二薄膜電晶體包括非晶矽膜。
  18. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置的製造方法，其中該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、和該第二相對區域中的透明電極都是同時形成的。
  19. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置的製造方法，其中該第一薄膜電晶體區域、該第二薄膜電晶體區域、該第一相對區域、和該第二相對區域中的中間層絕緣膜都是同時形成的。
  20. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置的製造方法，其中該第一薄膜電晶體和該第二薄膜電晶體包括非晶矽膜。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050170643A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device
US7231113B2 (en) * 2005-08-19 2007-06-12 Infinera Corporation Coupled optical waveguide resonators with heaters for thermo-optic control of wavelength and compound filter shape
JP2008225179A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器
TWI417581B (zh) * 2008-07-29 2013-12-01 Eternal Chemical Co Ltd 具有勻光特性之偏光回收膜
TWI393950B (zh) * 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
KR101859483B1 (ko) * 2012-03-06 2018-06-27 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시 장치 및 그 제조 방법
US11074025B2 (en) * 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN104079692A (zh) 2014-06-18 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示设备副屏结构、双面显示手机及电子纸屏制作方法
TWI554808B (zh) * 2015-04-13 2016-10-21 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板及液晶顯示器
TW201643508A (zh) * 2015-06-01 2016-12-16 Lwo Technology Co Ltd 雙面顯示器的製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030117550A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Kang Sung Gu Liquid crystal display with two surface display function

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171192A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方 法
US6574487B1 (en) * 2000-02-23 2003-06-03 Motorola, Inc. Communication device with a dual-sided liquid crystal display
JP2003098545A (ja) 2001-09-20 2003-04-03 Sharp Corp 両面表示型液晶表示装置およびそれを備えた携帯型電子機器
US6933528B2 (en) * 2002-04-04 2005-08-23 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
TWI266106B (en) * 2002-08-09 2006-11-11 Sanyo Electric Co Display device with a plurality of display panels
CN1488972A (zh) * 2002-10-08 2004-04-14 胜华科技股份有限公司 具双面显示el背光之液晶显示装置
JP3719433B2 (ja) * 2002-10-30 2005-11-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030117550A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Kang Sung Gu Liquid crystal display with two surface display function

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