CN1975546A - 显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是实现薄、低功耗、制造时能提高产量且能双面显示的显示器，这种显示器可用于像手机这种便携信息终端设备。包括第一基板1a和第二基板1b的液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器3001和反射型有源矩阵第二液晶显示器3002，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的对置区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的TFT区域。

Description

显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及能够双面显示的显示器，可以用于诸如手机等便携式信息终端设备，本发明还涉及这种显示器的制造方法。
背景技术
在常规的手机中，普遍使用一个主显示器和一个用于通知收到电子邮件或用于显示时间的背面显示器(副显示器)。
例如，有这样一种手机结构，其主显示器和副显示器都是透射型液晶屏。在这种结构中，一个背光源器件的两个侧面都设置有液晶屏(例如，参照文献1：日本公开专利申请2001-298519)。
另外，有一种有源矩阵液晶显示器，它使用像薄膜晶体管(下文中被称为TFT)这样的的有源元件(例如，参照文献2：日本公开专利申请H9-171192)。
发明内容
然而，在一个背光源器件的两个侧面各设置有一个液晶屏的结构中，使用了四块基板。另外，显示器的厚度变得比四块基板的总厚度和背光源的厚度还要厚。因为迫切需要使便携式信息终端设备等变薄，所以有必要制造更薄的显示器。
另外，有源矩阵液晶显示器具有下列结构：取向膜、衬垫材料和液晶插放在两块基板之间，一块基板上形成含电路的区域(该区域中设置了TFT、电容或电阻等元件，被称为TFT区域)，另一块基板上形成的区域(对置区域)则包含滤色片、黑色矩阵或用于给液晶加电压的电极。因此，为了制造一个液晶显示器，有必要准备两块基板，并且要单独制造其上形成TFT区域的基板和其上形成对置区域的基板。
因此，在常规的技术中，问题在于，含TFT等的基板的器件处理次数和含滤色片等的基板的器件处理次数的总器件处理次数变得很大。
器件处理的总次数增大会导致产量减小，还会使成本增大。
“器件处理次数”是指直到液晶显示器完成为止器件中的基板被处理的次数。在下文中也这样定义。
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种能双面显示的薄液晶显示器以及可提高产量的制造方法。
下面将描述本发明的液晶显示器的结构或用于制造这种液晶显示器的基板的结构。
“用于制造液晶显示器的基板”是指在其上形成上述TFT区域或对置区域中的至少一个区域的基板。
“TFT区域”是指至少具有电路的区域，其中设置了用于控制液晶显示的TFT、连接TFT的引线以及像素电极(在下文中，被称为“TFT等”)。另外，即使其它结构元件(例如，连接TFT的引线、像素电极、电容元件、电阻元件、夹层绝缘膜、滤色片、黑色矩阵等)也被包括在该电路中，只要用于控制液晶显示等的TFT被包括在该电路中，具有这种电路的区域仍然被包括在“TFT区域”中。
“对置区域”是指至少具有对置电极的区域。另外，即使夹层绝缘膜、滤色片、黑色矩阵等被包括在该区域中，只要包括对置电极，这种区域仍然被包括在“对置区域”中。
此处，用于将电压加到液晶上的电极被称为“像素电极”和“对置电极”。另外，由控制显示的TFT等控制其电压的电极也被称为“像素电极”。另一方面，位于像素电极相反一侧且在显示期间加恒定电压的电极被称为“对置电极”。
根据本发明，液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一栅电极；第二TFT区域，第二栅电极；第一对置区域，第一黑色矩阵；以及第二对置区域，第二黑色矩阵，其中第一栅电极、第二栅电极、第一黑色矩阵和第二黑色矩阵形成于相同的层中。
“黑色矩阵”通过用像窗框一样的黑色物质封住每一个RGB(红绿蓝)滤色片的边缘，来防止光泄漏(遮光)。同时，黑色矩阵可以用于改善对比度或防止在制造时的颜色混合。
当用掩模图形转移技术来处理同时形成的多个薄膜以便形成A1-AN这N个区域时(N是自然数且大于或等于2)，下面的描述表达为“A1、A2…AN形成于同一层中”。例如，当在形成导电膜之后通过掩模图形转移技术形成第一电极、第二电极、第一引线和第二引线时，下面的描述表达为“第一电极、第二电极、第一引线和第二引线都形成于同一层中”。另外，当“A1、A2…AN形成于同一层中”时，“A1、A2…AN是由相同的材料构成的”。
此处，“薄膜形成”是指在基板的整个表面上形成所希望的物质。例如，有一种方法，通过CVD方法、PVD方法、汽相沉积方法等在基板的整个表面上形成所希望的物质，还包括使用液态材料来形成薄膜的方法，比如旋转喷涂或狭缝类型。然而，本发明并不限于这些示例性的方法，背景技术还包括能够在基板的整个表面上形成所希望的物质的其它技术手段。在下文中这种表述也同样适用。
另外，“掩模图形”是掩模的几何图形。掩模图形由要制造的元件和电路结构来决定。在下文中这种表述也适用。
此外，“掩模图形转移技术”是指用所期望的物质形成所期望的掩模图形的技术。例如，有一种用所期望的物质来处理所期望的形状的方法，即通过形成临时掩模，蚀刻未被掩模覆盖的部分，之后用光刻、喷墨方法、纳米压印方法等来除去该临时掩模。或者，有一种将感光有机膜(例如抗蚀剂、丙烯酸、聚酰亚胺等)处理成所期望的形状的方法，即通过曝光，然后显影掩模图形以便除去曝光后的部分。另外，还有一种方法直接用所期望的物质通过喷墨方法、纳米压印方法等形成所期望的掩模图形。然而，本发明并不限于这些示例性的方法，背景技术中还包括能够用所期望的物质形成所期望的掩模图形的其它技术手段。在下文中这种表述也适用。
注意到，用所期望的物质来处理所期望的形状的方法已广泛使用，其中在形成薄膜之后，形成临时掩模，蚀刻未被临时掩模覆盖的部分，然后通过光刻除去该临时掩模。通过使用该方法，在设置有TFT、电容或电阻等元件的电路中，所期望的物质可以一次性形成于基板的整个表面上，然后将所期望的物质处理成所期望的掩模图形；因此，有可能用相同的材料同时形成多个单独的元件。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一引线；第二TFT区域，第二引线；第一对置区域，第一黑色矩阵；以及第二对置区域，第二黑色矩阵，其中第一引线、第二引线、第一黑色矩阵和第二黑色矩阵形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有第二TFT区域，该区域具有黑色矩阵。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一黑色矩阵；以及第二TFT区域，该区域具有第二黑色矩阵，其中第一黑色矩阵和第二黑色矩阵形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一栅电极；以及第二TFT区域，该区域具有第二栅电极和反射电极，其中第一栅电极、第二栅电极和反射电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一引线；以及第二TFT区域，该区域具有第二引线和反射电极，其中第一引线、第二引线和反射电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一栅电极；第二TFT区域，第二栅电极；以及第二对置区域，反射电极，其中第一栅电极、第二栅电极和反射电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一引线；第二TFT区域，第二引线；以及第二对置区域，反射电极，其中第一引线、第二引线和反射电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一透明电极；第一对置区域，第二透明电极；以及第二对置电极，第三透明电极，其中第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一透明电极；第一对置区域，第二透明电极；以及第二TFT区域，第三透明电极，其中第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一透明电极；第二TFT区域，第二透明电极；第一对置区域，第三透明电极；以及第二对置区域，第四透明电极，其中第一透明电极、第二透明电极、第三透明电极和第四透明电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一对置区域，该区域具有第一夹层绝缘膜；以及第二对置区域，该区域具有第二夹层绝缘膜，其中第一夹层绝缘膜和第二夹层绝缘膜形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一夹层绝缘膜；第二TFT区域，第二夹层绝缘膜；第一对置区域，第三夹层绝缘膜；以及第二对置区域，第四夹层绝缘膜，其中第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜、第三夹层绝缘膜和第四夹层绝缘膜形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一对置区域，该区域具有第一透明电极、第一红滤色片、第一绿滤色片和第一蓝滤色片；第二对置区域，该区域具有第二透明电极；以及第二TFT区域，该区域具有第二红滤色片、第二绿滤色片和第二蓝滤色片。第一透明电极形成于第一红滤色片、第一绿滤色片和第一蓝滤色片之上且互相接触；第二透明电极形成于第二红滤色片、第二绿滤色片和第二蓝滤色片之上且互相接触；第一红滤色片和第二红滤色片形成于同一层中；第一绿滤色片和第二绿滤色片形成于同一层中；第一蓝滤色片和第二蓝滤色片形成于同一层中；并且第一透明电极和第二透明电极形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一对置区域，该区域具有第一红滤色片、第一绿滤色片、第一蓝滤色片和第一透明电极；以及第二TFT区域，该区域具有第二红滤色片、第二绿滤色片、第二蓝滤色片、第二透明电极、第三透明电极和第四透明电极。第一红滤色片、第一绿滤色片和第一蓝滤色片形成于第一透明电极下面且互相接触；第二红滤色片形成于第二透明电极下面；第二绿滤色片相对应第三透明电极下面；第二蓝滤色片形成于第四透明电极下面；第一红滤色片和第二红滤色片形成于同一层中；第一绿滤色片和第二绿滤色片形成于同一层中；第一蓝滤色片和第二蓝滤色片形成于同一层中；并且第一透明电极、第二透明电极、第三透明电极和第四透明电极的材料形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一红滤色片、第一绿滤色片、第一蓝滤色片、第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极；以及第二TFT区域，该区域具有第二红滤色片、第二绿滤色片、第二蓝滤色片、第四透明电极、第五透明电极和第六透明电极。第一红滤色片和第二红滤色片由相同物质构成；第一绿滤色片和第二绿滤色片形成于同一层中；第一蓝滤色片和第二蓝滤色片形成于同一层中；第一透明电极、第二透明电极、第三透明电极、第四透明电极、第五透明电极和第六透明电极的材料形成于同一层中。
根据本发明，另一种液晶显示器或用于制造液晶显示器的基板具有下列结构：第一TFT区域，该区域具有第一夹层绝缘膜，该绝缘膜又包括第一黑色矩阵、第一红滤色片、第一绿滤色片和第一蓝滤色片；第一透明电极；第二透明电极；以及第三透明电极和第二TFT区域，该区域包括第二夹层绝缘膜；第二夹层绝缘膜包括第二黑色矩阵、第二红滤色片、第二绿滤色片和第二蓝滤色片；第四透明电极；第五透明电极；以及第六透明电极。第一红滤色片设置在第一透明电极下面；第二绿滤色片设置在第二透明电极下面；第一蓝滤色片设置在第三透明电极下面；第二红滤色片设置在第四透明电极下面；第二绿滤色片设置在第五透明电极下面；第二蓝滤色片设置在第六透明电极下面；第一黑色矩阵和第二黑色矩阵设置在同一层中；第一红滤色片和第二红滤色片设置在同一层中；第一绿色滤色片和第二绿色滤色片设置在同一层中；第一蓝色滤色片和第二蓝色滤色片设置在同一层中；第一透明电极、第二透明电极、第三透明电极、第四透明电极、第五透明电极和第六透明电极的材料形成于同一层中。
根据本发明的液晶显示器具有第一基板和第二基板，其中第一基板具有第一TFT区域和第二对置区域，而第二基板具有第二TFT区域和第一对置区域。
根据本发明的另一种液晶显示器具有第一基板和第二基板，其中第一基板具有第一TFT区域和第二TFT区域，而第二基板具有第一对置区域和第二对置区域。
根据本发明，包括第一基板和第二基板的另一种液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器和反射型有源矩阵第二液晶显示器，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的对置区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的TFT区域。
此处，将描述透射型有源矩阵液晶显示器和反射型有源矩阵液晶显示器。
“透射型”液晶显示器是指用屏幕背面的光源(例如，背光源等)进行显示的液晶显示器。换句话说，它是指光线从液晶显示器的背面入射即进行显示的表面和入射的表面相对的液晶显示器。在下文中这种表述同样适用。
“反射型”液晶显示器是指用屏幕前面的光源(例如，外部光源、前光源等)进行显示的液晶显示器。换句话说，它是指光线从液晶显示器前面入射、被液晶显示器中能够反射光的物质反射、并在入射面上进行显示的液晶显示器。在下文中这种表述同样适用。
“有源矩阵类型”的液晶显示器是指用每一个像素部分中设置的薄膜晶体管来控制液晶显示的液晶显示器。在下文中这种表述同样适用。
另外，根据本发明，包括第一基板和第二基板的另一种液晶显示器具有半透射型有源矩阵第一液晶显示器和反射型有源矩阵第二液晶显示器，第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的对置区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的TFT区域。
当光线从显示器背面入射时，“半透射型”液晶显示器具有“透射型”液晶显示器的功能。另一方面，当光线不从显示器背面入射时，液晶显示器具有“反射型”液晶显示器的功能。
另外，根据本发明，包括第一基板和第二基板的另一种液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器和反射型有源矩阵第二液晶显示器，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的TFT区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的对置区域。
另外，根据本发明，包括第一基板和第二基板的另一种液晶显示器具有半透射型有源矩阵第一液晶显示器和反射型有源矩阵第二液晶显示器，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的TFT区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的对置区域。
另外，根据本发明，第一液晶显示器的液晶和第二液晶显示器的液晶可以用密封剂来分隔开。
上述液晶显示器的结构和用于制造液晶显示器的基板的结构可以任意组合。
根据本发明的一个特征，显示器包括：第一基板，其中形成了第一TFT区域和第一对置区域；第二基板，其中形成了第二TFT区域和第二对置区域；第一液晶显示器，其中第一TFT区域和第二对置区域对置；以及第二液晶显示器，其中第二TFT区域和第一对置区域对置，其中形成于第一TFT区域中的栅电极，形成于第二TFT区域中的栅电极、形成于第二对置区域中的黑色矩阵以及形成于第一对置区域中的黑色矩阵都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，显示器包括：第一基板，其中形成了第一TFT区域和第一对置区域；第二基板，其中形成了第二TFT区域和第二对置区域；第一液晶显示器，其中第一TFT区域和第二对置区域对置；以及第二液晶显示器，其中第二TFT区域和第一对置区域对置，其中形成于第一TFT区域中的引线，形成于第二TFT区域中的引线、形成于第二对置区域中的黑色矩阵以及形成于第一对置区域中的黑色矩阵都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，在显示器中，形成于第二TFT区域中的栅电极和形成于第二TFT区域中的反射电极都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，在显示器中，形成于第二TFT区域中的引线和形成于第二TFT区域中的反射电极都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，在显示器中，形成于第一TFT区域中、第二TFT区域中以及第二对置区域中的多个透明电极都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，在显示器中，形成于第一TFT区域中、第二TFT区域中、第一对置区域中以及第二对置区域中的多个夹层绝缘膜都形成于同一层中。
根据本发明的另一个特征，在显示器中，第一液晶显示器是透射型液晶显示器，而第二液晶显示器是反射型或半透射型液晶显示器。
根据本发明的另一个特征，一种制造显示器的方法包括如下步骤：在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第一TFT区域的栅电极、第二TFT区域的栅电极、第二对置区域的黑色矩阵以及第一对置区域的黑色矩阵；通过分割具有第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的基板，形成了设置有第一TFT区域和第二对置区域的第一基板以及设置有第二TFT区域和第一对置区域的第二基板；以及通过连接第一基板和第二基板并使两者对置，形成了第一TFT区域和第一对置区域彼此对置的第一液晶显示器以及第二TFT区域和第二对置区域彼此对置的第二液晶显示器。
根据本发明的另一个特征，一种制造显示器的方法包括如下步骤：在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第一TFT区域的引线、第二TFT区域的引线、第二对置区域的黑色矩阵以及第一对置区域的黑色矩阵；通过分割具有第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的基板，形成了设置有第一TFT区域和第二对置区域的第一基板以及设置有第二TFT区域和第一对置区域的第二基板；以及通过连接第一基板和第二基板并使两者对置，形成了第一TFT区域和第一对置区域彼此对置的第一液晶显示器以及第二TFT区域和第二对置区域彼此对置的第二液晶显示器。
根据本发明的另一个特征，在制造显示器的方法中，在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第二TFT区域的栅电极和第二TFT区域的反射电极。
根据本发明的另一个特征，在制造显示器的方法中，在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第二TFT区域的引线和第二TFT区域的反射电极。
根据本发明的另一个特征，在制造显示器的方法中，在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第一TFT区域的透明电极、第二TFT区域的透明电极和第二对置区域的透明电极。
根据本发明的另一个特征，在制造显示器的方法中，在基板上形成第一和第二TFT区域以及第一和第二对置区域的过程中，同时形成了第一TFT区域的夹层绝缘膜、第二TFT区域的夹层绝缘膜、第一对置区域的夹层绝缘膜以及第二对置区域的夹层绝缘膜。
根据本发明的结构，可以提供一种功耗低且能双面显示的薄液晶显示器。
另外，根据本发明的结构，制造液晶显示器所用的基板数目可以减小。结果，产量可以提高且成本可以减小。
此外，根据本发明的结构，通过将相同的材料用作对置区域的制造材料和TFT区域的制造材料，便可以使对置区域和TFT区域同时形成。因此，器件处理次数和所用材料都可以减少。结果，产量可以提高，成本可以减小。
附图说明
图1A和1B是用于组装液晶显示器的方法；
图2A和2B是用于组装液晶显示器的方法；
图3A和3B是用于组装液晶显示器的方法；
图4A和4B是用于组装液晶显示器及使用该液晶显示器的手机的方法；
图5A和5B是用于组装液晶显示器的方法；
图6A和6B是用于组装液晶显示器的方法；
图7是用于在大尺寸基板上制造液晶显示器的基板图；
图8A和8B是在大尺寸基板上制造液晶显示器的基板图以及分割该基板的示例；
图9A到9D是制造底部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图10A到10D是制造底部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图11A到11D是制造底部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图12A到12D是制造底部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图13是制造底部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图14A到14D是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图15A到15D是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图16A到16D是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图17A到17C是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图18是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图19是制造顶部栅极TFT和对置区域(横截面图)的方法；
图20是双面显示器的横截面图(实施例5)；
图21是双面显示器的横截面图(实施例5)；
图22是双面显示器的横截面图(实施例6)；
图23是双面显示器的横截面图(实施例6)；
图24是双面显示器的横截面图(实施例6)；
图25是双面显示器的横截面图(实施例7)；
图26是双面显示器的横截面图(实施例8)；
图27是双面显示器的横截面图(实施例9)；
图28是双面显示器的横截面图(实施例10)；
图29是双面显示器的横截面图(实施例11)；
图30是双面显示器的横截面图(实施例12)；
图31是双面显示器的横截面图(实施例13)；
图32是双面显示器的横截面图(实施例14)；
图33是双面显示器的横截面图(实施例15)；
图34是双面显示器的横截面图(实施例16)；
图35是用于组装液晶显示器的方法；以及
图36示出了液晶显示器的横截面图。
具体实施方式
在下文中，将示出一实施例。注意到，下面的实施例可以通过适当组合加以实现。
(实施例1)
本实施例会解释一种将具有两个TFT区域和两个对置区域的有源矩阵基板组装到能双面显示的液晶显示屏中的方法。
首先，会解释基板的结构。
具有下述结构的基板是这样制造的：在基板1上，设置了第一TFT区域1001、第二TFT区域1002、第一对置区域2001以及第二对置区域2002，使得第一TFT区域1001和第二对置区域2002相邻，而第TFT区域1002和第一对置区域2001相邻(参照图1A)。
由硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃等玻璃、石英、硅晶片等制成的基板都可以被用作基板1。根据想要使用的半导体器件或诸如温度等工艺条件，可以适当选择这些材料。
如果基板1可以耐受处理温度，则也可以使用由聚碳酸酯、聚酰亚胺或丙烯酸材料等具有高耐热性的塑料材料制成的基板。另外，基板1的形状具有平面或曲面或两者皆有，并且根据工艺或制造设备，可以适当选择平板状、条纹状或拉长形的基板。
每一个TFT区域至少包括TFT、像素电极、根据电路配置或液晶显示器的功能电连接每一个TFT的引线、以及用于连接外部输入端(FPC等)和电路部分的引线。另外，如有必要，可以包括夹层绝缘膜、反射电极等。此外，就电路配置而言，如有必要，可以设置电容元件或电阻元件等元件。
根据电路配置，TFT、电容元件或电阻元件等元件、像素电极以及反射电极通过引线彼此相连。
注意到，夹层绝缘膜用于防止栅电极、引线等导体之间的短路。另外，通过使用能够平整化的材料(比如，丙烯酸、聚酰亚胺、硅氧烷等)，可以使基板上的凹陷和凸起平整化(因为TFT是通过不断重复膜形成过程、用光刻法转移掩模图形、再蚀刻而制造成的，所以随着诸多步骤的执行会形成许多凹陷和凸起)。
“平整化”是指，当基板上有凹陷和凸起时，在凸起上进行沉积以获得较薄的膜厚度，在凹陷上进行沉积以获得较厚的膜厚度；因此，级差减小了。在下文中这种表述同样适用。
另外，不必总是电连接反射电极，只要可以反射外部光即可。
TFT至少具有栅电极、栅绝缘膜和岛形半导体层，并且岛形半导体层至少具有源区、漏区和沟道形成区。如有必要，可以在沟道形成区和源区之间或沟道形成区和漏区之间设置低浓度掺杂区(即轻掺杂漏区，在下文中被称为LDD区)。
有可能用形成栅电极、岛形半导体层、引线、夹层绝缘膜、反射电极等时所用的材料来制造上述电容元件或电阻元件。
每一个对置区域都具有至少一个对置电极。另外，如有必要，可以包括滤色层、黑色矩阵、平整化绝缘层、反射电极等。根据液晶显示器的结构，可以适当选择这些元件。
注意到，滤色片用于给液晶显示器的显示图像上色，共有RGB(红绿蓝)三种类型。
另外，对置电极分别形成于对置区域中，对置电极用于向液晶加电压。
此外，“平整化绝缘膜”(或“保护膜”或“夹层绝缘膜”)是指，使在形成对置电极之前在对置区域中形成黑色矩阵或滤色片时所产生的凹陷和凸起平整化的膜。
有可能用形成栅电极、引线、夹层绝缘膜、反射电极等时所用的材料(即用来形成TFT的材料)来制造上述黑色矩阵、对置电极、平整化绝缘层、反射电极等。
例如，有可能用与栅电极或引线相同的材料(即用来形成TFT的材料)来形成黑色矩阵。换句话说，可以在制造TFT的栅电极和引线的同时，制造对置区域中的黑色矩阵。
此外，以相同的方式，有可能用与像素电极、栅电极和引线相同的材料来构成对置电极。换句话说，可以在制造TFT的像素电极、栅电极和引线的同时，制造对置区域中的对置电极。
此外，以相同的方式，有可能用与夹层绝缘膜相同的材料来构成平整化绝缘层，此处要使用能够平整化的材料。换句话说，可以在制造TFT的夹层绝缘膜的同时，制造对置区域中的平整化绝缘层。
这样，通过将与TFT的组成材料相同的材料用作对置区域的材料，便可以在形成TFT的组成材料之一的同时，形成对置区域的组成材料。因此，器件处理次数和制造对置区域所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
接下来，会解释用具有上述结构的基板来组装能双面显示的液晶显示器的工艺流程。
基板1被分割成具有第一TFT区域1001和第二对置区域2002的第一基板1a以及具有第二TFT区域1002和第一对置区域2001的第二基板1b(参照图1A和1B，分割的地方由图1A中的第一虚线8000a来表示)。
然后，取向膜形成于第一基板1a和第二基板1b上，散布衬垫材料，并且在第一基板1a的第一TFT区域1001和第二对置区域2002中未设置TFT的部分中形成密封剂4000(参照图2A)。
注意到，在第一TFT区域1001的一部分中形成密封剂4000的叠合区域5000中，形成引线(参照图2A和2B)。
然而，为了形成液晶的入口，在第一基板1a的第一TFT区域1001和第二对置区域2002的周边部分，不形成密封剂4000(参照图2A和2B)。
另外，形成密封剂4000可以使第一TFT区域1001和第二对置区域2002分隔开(参照图2A和2B)。
因此，可以在第一TFT区域1001和第二对置区域2002之间的整个区域中形成密封剂(参照图2A)。
另外，在第一TFT区域1001和第二对置区域2002之间的区域中，可以有由密封剂4000隔开的间距(参照图2B)。
注意到，在本实施例中，密封剂4000形成于基板1a中；然而，密封剂4000也可以形成在第二基板1b上。因此，可以适当选择密封剂形成的位置。
接下来，将第一基板1a和第二基板1b贴在一起，使得第一对置区域2001设置在第一TFT区域1001的对面，第二对置区域2002设置在第二TFT区域1002的对面。然后，使密封剂4000固化(参照图3A)。
然后，在从入口注入液晶之后，用第一密封区域4001和第二密封区域4002将液晶入口封住(参照图3B)。
注意到，通过用密封剂400来分割第一TFT区域1001和第二对置区域2002之间的区域，有可能遮住用于第一液晶显示区域3001的背光源的光。因此，可以使第二液晶显示区域3002的显示受到更小的影响。
另外，通过具有密封剂4000的上述结构，加在第一TFT区域1001上的电压不会影响第二液晶显示区域3002的显示，而加在第二TFT区域1002上的电压也不会影响第一液晶显示区域3001的显示。
注意到，在本实施例中，为了获得上述效果，用密封剂来分隔各液晶显示区域；然而，并不总需要将各个液晶显示区域分隔开(参照图35)。
接下来，贴上平整化板。
然后，贴上第一FPC 6001和第二FPC 6002(图4A)。
注意到，FPC是柔性印刷电路的缩写，在下文中也用到该缩写。
另外，包括第一TFT区域1001和第一对置区域2001的液晶显示区域被称为第一液晶显示区域3001，而包括第二TFT区域1002和第二对置区域2002的液晶显示区域被称为第二液晶显示区域3002(参照图4A)。
此外，第一液晶显示区域3001是透射型或半透射型液晶显示器，第二液晶显示区域3002是反射型液晶显示器。
因此，通过使用背光源等，便可以在第一液晶显示区域3001中获得明亮且清晰的显示，在无需提供背光源的情况下，可以在第二液晶显示区域3002中实现低功耗(在基板上设置第一液晶显示区域3001的第一TFT区域1001的那一侧，提供了上述背光源)。
注意到，在基板上设置第二液晶显示区域3002的第二TFT区域1002的那一侧，可以提供前光源。
此外，通过提供第一FPC 6001和第二FPC 6002，可以传送单独的显示信号。因此，可以实现下列能减小功耗的操作：当用作主屏幕的第一液晶显示区域3001进行显示时，关闭用作副屏幕的第二液晶显示区域3002的电源；以及当用作副屏幕的第二液晶显示区域3002进行显示时，关闭用作主屏幕的第一液晶显示区域3001的电源。
这样，便可以获得一种能双面显示的液晶显示器(参照图4A)。
图4B示出了装有液晶显示器的手机。
图36示出了用上述方法制造出的液晶显示器的横截面图。
第一液晶显示器7001是透射型或半透射型液晶显示器。来自背光源10000的光8001穿透第一液晶显示区域3001。另外，当背光源不发光时，外部光8002在第一液晶显示区域3001内被反射。因此，第一液晶显示区域3001的显示表面是与设置背光源10000的表面相反的那一面。
另外，第二液晶显示器7002是反射型液晶显示器。外部光8003在第二液晶显示区域3002内被反射。因此，第二液晶显示区域3002的显示表面就是设置背光源10000的那个表面。
外部光8002和8003是自然光。另外，可以通过使用背光源或光波导使光线入射。注意到，当外部光8003是自然光时，背光源并非必须位于背光源10000旁边。因此，液晶显示器可以更薄。
根据本实施例的结构，可以制造出能双面显示的薄液晶显示器，并且可以在一块基板上同时制造出对置区域；因此，制造液晶显示屏所用的基板数目可以减小。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例2)
在实施例1中，第一TFT区域1001、第二TFT区域1002、第一对置区域2001和第二对置区域2002设置在基板1上，使得第一TFT区域1001和第二对置区域2002彼此相邻，第二TFT区域1001和第一对置区域2001彼此相邻(参照图1A)。
在本实施例中，具有下列结构的基板是这样制造的：第一TFT区域1001、第二TFT区域1002、第一对置区域2001和第二对置区域2002设置在基板1上，使得第一TFT区域1001和第二对置区域2002彼此相邻，第二TFT区域1001和第一对置区域2001彼此相邻(参照图5A)。
像实施例1那样，在本实施例中，通过将与TFT的组成材料相同的材料用作对置区域的材料，便可以在形成TFT的组成材料之一的同时，形成对置区域的组成材料。因此，器件处理次数和制造对置区域所用的材料都可以减少。结果，处理时间和成本都可以减小。
像实施例1那样，在本实施例中，通过使用与栅电极或引线相同的材料(即构成TFT的材料)，便有可能在制造TFT的栅电极或引线的同时，制造对置区域的黑色矩阵。
同样，通过使用与像素电极、栅电极或引线相同的材料，便有可能在制造像素电极、栅电极或引线的同时，制造对置区域中的对置电极。
同样，通过使用与夹层绝缘膜相同的材料，便有可能形成平整化绝缘层，所用的材料要能够平整化。换句话说，可以在制造TFT的夹层绝缘膜的同时，制造对置区域的平整化绝缘层。
另外，在本实施例中，通过将滤色片和黑色有机膜用于TFT区域的夹层绝缘膜，便可以不再需要使用平整化绝缘层和黑色矩阵。
换句话说，RGB中任一颜色被分配给一个像素；因此，设置在像素电极下面的夹层绝缘膜可充当滤色片，分别分配给它们各种颜色，并且除了被置于像素电极下面以外，黑色有机膜可充当夹层绝缘膜，以便充当黑色矩阵。因此，在对置区域中，可以只形成对置电极。
因此，在对置区域中，没有必要再形成平整化绝缘膜，因为对置电极形成于平面基板上。
因此，器件处理次数和制造对置区域所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
另外，通过重新将黑色矩阵用于TFT的夹层绝缘膜，会增大所用的材料。因此，除了在像素电极下面以外，RGB任一种滤色片都可以被用于夹层绝缘膜。在这种情况下，器件处理次数和制造对置区域所用的材料都可以减少。结果，处理时间和成本都可以减小。
对于本实施例的结构而言，基板1被分割成具有第一TFT区域1001和第二TFT区域1002的第三基板1c以及具有第一对置区域2001和第二对置区域2002的第四基板1d。另外，第四基板1d被切得较短，使得第一TFT区域1001和第二TFT区域1002分别连接到FPC的区域露出来(参照图5A和5B；分割地方由图5A所示的第二虚线8000b和第三虚线8000c来表示)。
接下来，在第三基板1c上形成密封剂。像实施例1那样，形成密封剂4000，使得第一TFT区域1001和第二TFT区域1002完全分隔开(参照图6A)。
将第三基板1c和第四基板1d贴在一起，使得第一对置区域2001与第一TFT区域1001对置，第二对置区域2002则与第二TFT区域1002对置(参照图6B)。
然后，像实施例1那样，通过将FPC、平整化板和背光源连在一起，组装成液晶显示屏，以便制造例如手机。
在本实施例中，可以制造能双面显示的薄液晶显示器，并且制造液晶显示屏所用的基板数目仅是一块。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例3)
实施例1和2分别以这样一种模式为例，即在一块基板上形成四个区域(第一TFT区域1001、第二TFT区域1002、第一对置区域2001和第二对置区域2002)，对于能双面显示的液晶显示器而言这是最少的要求。
本实施例将解释制造多个TFT区域和对置区域的示例。
四个区域对于能双面显示的液晶显示器而言是最少的要求，它们排列成矩阵以便制造TFT区域和对置区域(参照图7；在图7中部分标号被省略)。
在完成TFT区域和对置区域之后，适当分割基板。结果，通过使用实施例1和2中的方法，有可能制造能双面显示的液晶显示器(参照图8A和8B；沿第四虚线8000d来分割基板)。
除了实施例1和2的效果，通过使用本实施例，还有可能从大尺寸基板中制造出多个液晶显示器。
因为可以从大尺寸基板中制造出多个液晶显示器，所以这意味着制造相同数量的液晶显示器时总的器件处理次数可以减小，从而使成本减小。
(实施例4)
像有源矩阵液晶显示器(其中设置有TFT、电容元件、电阻元件等元件)这种电路的典型制造方法包括如下步骤：执行膜形成过程，并通过掩模图形转移技术形成掩模图形，这些步骤不断重复以便在制造想要的元件的同时制造电路。
本实施例将解释用上述典型制造方法在一块基板上制造实施例1中的透射型或半透射型液晶显示器的第一TFT区域1001和第一对置区域2001以及反射型液晶显示器的第二TFT区域1002和第二对置区域2002的方法。
本实施例将解释制造反向交错TFT的典型方法的示例，这种反向交错TFT可用作第一TFT区域1001和第二TFT区域1002中的TFT。
注意到，为了方便，在用于解释本实施例的图中，示出了第一TFT区域1001中的一个TFT、第二TFT区域1002中的一个TFT、第一对置区域2001中的一个滤色片以及第二对置区域2002(红滤色区域)中的一个滤色片。每一个TFT区域都具有多个TFT、必需的元件、引线等；并且每一个对置区域都具有绿滤色区域、蓝滤色区域等。
此外，为了方便，在用于解释本实施例的图中，示出了由点划线围绕着的四个区域(第一TFT区域1001、第二TFT区域1002、第一对置区域2001和第二对置区域2002)。
另外，本发明可以用各种模式来实现。此外，本领域的技术人员很容易理解，各种变化和修改都是很明显的。因此，除非这种变化和修改背离了本发明的主旨和范围，否则它们都应该被解释成含在本文中。
注意到，在用于解释实施例的所有图中，相同的部分或具有相同功能的部分皆以相同的标号来表示，并且重复的解释将省略。
首先，准备基板100(参照图9A)。
由硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃等玻璃、石英、硅晶片等制成的基板都可以被用作基板100。根据想要使用的半导体器件或诸如温度等工艺条件，可以适当选择这些材料。
如果基板100可以耐受处理温度，则也可以使用由聚碳酸酯、聚酰亚胺或丙烯酸材料等具有高耐热性的塑料材料制成的基板。另外，基板100的形状具有平面或曲面或两者皆有，并且根据工艺或制造设备，可以适当选择平板状、条纹状或拉长形的基板。
接下来，在基板100上形成第一导电膜200(参照图9B)。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻第一导电膜200。因此，第一栅电极201a和第一栅引线202a形成于第一TFT区域1001中，第二栅电极201b和第二栅引线202b形成于第二TFT区域1002中，第一黑色矩阵203a形成于第一对置区域2001中，第二黑色矩阵203b形成于第二对置区域2002中。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图9C)。
注意到，第一栅引线202a和第一栅电极201a电连接(图中未示出)。
同样，第二栅引线202b和第二栅电极201b电连接(图中未示出)。
第一导电膜200是通过溅射方法由导电材料构成的，这是一种以导电材料或半导体材料为其主要成分的材料。
例如，钼形成了300纳米厚的膜。除了钼以外，第一导电膜还可以用任何其它材料来构成，不受特别的限制，只要其结构包含下列中的至少一层就可以：金属材料，比如钽、钛、钨或铬；硅化物，它是这些金属材料和硅化合物；像多晶硅这种具有N型或P型导电性的材料；以及以铜或铝等低阻金属材料为其主要成分的材料。
注意到，因为在转移掩模图形之后用光刻法蚀刻了第一导电膜200，所以第一栅电极201a、第二栅电极201b、第一栅引线202a、第二栅引线202b、第一黑色矩阵203a以及第二黑色矩阵203b都是用与第一导电膜200相同的材料构成。
通过用相同的材料在基板表面上同时制造黑色矩阵和栅电极，掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
接下来，形成栅绝缘膜103，并且在栅绝缘膜103上形成第一半导体膜102(参照图9D)。
栅绝缘膜103是一种用CVD方法、溅射方法等形成的绝缘材料，例如以硅为其主要成分的绝缘材料。
例如，形成300纳米厚的氮化硅膜。作为栅绝缘膜103，可以使用单层或叠层结构的含硅的其它绝缘膜。
第一半导体膜102一种用CVD方法、溅射方法等形成的半导体材料。
例如，形成150纳米厚的非晶硅膜。第一半导体膜102的材料并不限于硅，其它半导体材料也可以适当选用。
另外，最好在真空环境中连续形成栅绝缘膜103和第一半导体膜102。这是因为，在真空环境中连续形成多个膜可以防止栅绝缘膜的界面被大气污染，从而栅绝缘膜的界面中的缺陷减少了。
此外，为了提高第一半导体膜102的结晶性，可以用激光照射、熔炉退火、RTA(快速热退火)等添加的热能来执行结晶化。
为了控制本文要制造的TFT的阈值电压，可以通过掺杂将杂质离子引入第一半导体膜102中。
接下来，在第一半导体膜102上形成第一掺杂半导体膜104(参照图10A)。
第一掺杂半导体膜是一种由CVD方法等形成的含施主型元素的半导体膜。
例如，形成50纳米厚的含磷的硅膜。
注意到，在本实施例中，为了制造n沟道TFT，将含磷的硅膜用于第一掺杂半导体膜；然而，当要制造p沟道TFT时，则形成含受主型元素(比如硼)的半导体膜。
然后，在转移掩模图形之后，通过光刻来蚀刻堆叠的第一掺杂半导体膜104和第一半导体膜102。因此，在第一TFT区域1001中形成了第一岛形掺杂半导体层104a和第一岛形半导体层102a，在第二TFT区域1002中形成了第二岛形掺杂半导体层104b和第二岛形半导体层102b。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图10B)。
接下来，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻栅绝缘膜103。因此，通过暴露第一栅引线202a的一部分，形成了第一接触区域900a，通过暴露第二栅引线202b的一部分，形成了第二接触区域900b。
然后，形成了第二导电膜400(参照图10C)。
第二导电膜400是一种由导电材料通过溅射方法等形成的导电膜，这是一种以导电材料或半导体材料为其主要成分的材料。
例如，钼形成了300纳米厚的膜。除了钼以外，第二导电膜还可以用任何其它材料来构成，不受特别的限制，只要其结构包含下列中的至少一层就可以：金属材料，比如钽、钛、钨或铬；硅化物，它是这些金属材料和硅的化合物；像多晶硅这种具有N型或P型导电性的材料；以及以铜或铝等低阻金属材料为其主要成分的材料。
接下来，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻第二导电膜400。因此，第一TFT区域1001中形成了第一引线401a和第二引线401b，第二TFT区域1002中形成了第三引线401c和第一反射电极402a。之后，除去转移后的抗蚀性掩模。注意到，第一反射电极402同时用作反射电极和像素电极(参照图10D)。
注意到，根据掩模图形，此处形成的诸多引线分别适当地连接到TFT、透过接触区域露出的栅引线、其它元件等。
另外，在此时，形成掩模图形，使得只在将要成为TFT的沟道形成区的那个区域上才露出第一岛形掺杂半导体层104a，并且只在将要成为TFT的沟道形成区的那个区域上才露出第二岛形掺杂半导体层104b。之后，除去转移后的抗蚀性掩模。
然后，通过将第一引线401a和第二引线401b分别用作掩模，以自对准方式来蚀刻位于第一岛形半导体层的沟道形成区域上的掺杂半导体层，由此在第一TFT区域1001中形成了第一源区105a和第一漏区106a。同时，通过将第三引线401c和第一反射电极402a分别用作掩模，以自对准方式来蚀刻位于第二岛形半导体层的沟道形成区域上的掺杂半导体层，由此在第二TFT区域1002中形成了第二源区105b和第一漏区106b。
此处，包括第一岛形半导体层102a、第一源区105a和第一漏区106a的岛形半导体层被称为第三岛形半导体层102c；包括第二岛形半导体层102b、第二源区105b和第二漏区106b的岛形半导体层被称为第四岛形半导体层102d(参照图11A)。
接下来，形成第一夹层绝缘膜300(参照图11B)。
第一夹层绝缘膜300是用CVD方法、溅射方法等形成的绝缘材料，例如以硅为其主要成分的绝缘材料。
例如，形成200纳米厚的氮化硅膜。作为第一夹层绝缘膜300，也可以使用单层或叠层结构的含硅的其它绝缘膜。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻法来蚀刻第一夹层绝缘膜300。因此，通过暴露第一引线401a的一部分，形成了第三接触区域900c。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图11C)。
另外，与此同时，通过露出第二引线401b的一部分，形成了第四接触区域900d，通过暴露第三引线401c的一部分，形成了第五接触区域900e。
接下来，形成红滤色膜711(参照图11D)。
然后，采用光刻法，曝光和显影掩模图形。因此，在第一对置区域2001中形成了第一红滤色区域711a，在第二对置区域2002中形成了第二红滤色区域711b(参照图12A)。
红滤色膜711是用旋转涂敷方法等形成的红色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
接下来，形成绿滤色膜721，并且用光刻法曝光和显影掩模图形。因此，在第一对置区域2001中形成了第一绿滤色区域721a，在第二对置区域2002中形成了第二绿滤色区域721b。
绿滤色膜721是用旋转涂敷方法等形成的绿色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
然后，形成蓝滤色膜731，并且用光刻法曝光和显影掩模图形。因此，在第一对置区域2001中形成了第一蓝滤色区域731a，在第二对置区域2002中形成了第二蓝滤色区域731b。
蓝滤色膜731是用旋转涂敷方法等形成的蓝色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
接下来，形成第二夹层绝缘膜500(参照图12B)。
第二夹层绝缘膜500是用旋转涂敷方法等形成的绝缘材料。
例如，形成1微米厚的丙烯酸。除了丙烯酸以外，第二夹层绝缘膜500可以用任何材料来构成，没有特定限制，只要其结构包含至少一层以聚酰亚胺、硅氧烷等为主要成分的材料就可以。
通过使用这些材料，可以获得平整化效果。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻法来蚀刻第二夹层绝缘膜500。因此，形成了第一绝缘区域501a和第二绝缘区域501b(参照图12C)。
接下来，形成透明导电膜600(参照图12D)。
透明导电膜600是用溅射方法等形成的具有高透光率的导电膜。
例如，形成90纳米厚的氧化铟锡(在下文中被称为ITO)。除了ITO以外，通过使用含硅元素的氧化铟锡(在下文中，被称为ITSO)或IZO(氧化铟锌，其中氧化铟混合了2到20％的氧化锌)或它们组合的化合物等材料膜，也可以形成透明导电膜600。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻透明导电膜600。因此，第一透明电极601a形成于第一TFT区域中，第二透明电极601b形成于第一对置区域中，第三透明电极601c形成于第二对置区域中。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图13)。
如上所述，可以在一块基板上制造下列：透射型或半透射型第一TFT区域1001；反射型第二TFT区域1002；第一对置区域2001，与第一TFT区域1001对置；以及第二对置区域2002，与第二TFT区域1002对置。
接下来，用实施例1中所述的方法来制造液晶显示屏。
液晶显示屏具有第一液晶显示区域3001和第二液晶显示区域3002。第一液晶显示区域3001具有FPC连接引线9000a，第二液晶显示区域3002具有FPC连接引线9000b(参照图19；图19示出了实施例1中的基本部署应用于本实施例)。
如上所述，掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例5)
在实施例4中，与引线相同的材料被用于第二TFT区域1002中所形成的反射电极；然而，透明电极可以用于像素电极，而栅电极材料可以用于反射电极，而不再将反射电极同时用作反射电极和像素电极(参照图20和21)。
例如，第二反射电极204可以穿过栅绝缘膜103和第一夹层绝缘膜300而设置在像素电极的下层(参照图20)。
作为这种情况的制造方法，在实施例4中，可以在形成第一导电膜200的掩模图形时形成第二反射电极204，在形成第二导电膜400的掩模图形时可以形成第四引线401d而非第一反射电极402a，在形成透明导电膜600的掩模图形时可以形成第四透明电极601d。
另外，第二反射电极204和第四透明电极601d可以形成彼此接触(参照图21)。
作为这种情况的制造方法，在实施例4中，在形成第一导电膜200的掩模图形时可以形成第二反射电极204，在形成栅绝缘膜103的掩模图形时可以除去第二反射电极204上的栅绝缘膜103，在形成第一夹层绝缘膜300的掩模图形时可以除去在第二反射电极204上的第一夹层绝缘膜300，在形成第二导电膜400的掩模图形时可以形成第四引线401d而并不形成第一反射电极402a，在形成透明导电膜600的掩模图形时可以形成第四透明电极601d。
(实施例6)
在实施例4和5中，与栅电极相同的材料被用于黑色矩阵的材料；然而，与引线膜相同的材料也可以被用于黑色矩阵的材料(参照图22、23和24)。
作为这种情况的制造方法，在实施例4中，在形成第一导电膜200的掩模图形时并不形成第一黑色矩阵203a和第二黑色矩阵203b，在形成第二导电膜400的掩模图形时，第三黑色矩阵403a可以形成于第一对置区域2001中而第四黑色矩阵403b可以形成于第二对置区域2002中。
(实施例7)
本实施例将示出实施例2所述基板的制造方法的示例。注意到，因为使用与实施例4相同的制造方法，所以只对与实施例4不同的部分作解释。
作为本实施例的制造方法，在实施例4中，在第二对置区域2002中，在形成第一导电膜200的掩模图形时形成第三反射电极205而并不形成第二黑色矩阵203b，在形成第二导电膜400的掩模图形时形成第四引线401d而并不形成第一反射电极402a，在形成透明导电膜600的掩模图形时形成第四透明电极601d。之后，通过掩模图形转移技术，在第二对置区域2002中形成第三黑色矩阵800。
第三黑色矩阵是用黑色有机膜构成的。
因此，有可能形成透射型或半透射型第一液晶显示区域3001和反射型第二液晶显示区域3002(参照图25)。
(实施例8)
与第一导电膜200相同的材料被用于实施例7中的第二对置区域2002的第三反射电极205；然而，与第二导电膜400相同的材料也可以被用于第三反射电极205(参照图26)。
作为这种情况的制造方法，在实施例7中，在第二对置区域2002中，在形成第一导电膜200的掩模图形时并不形成第三反射电极205，在形成第二导电膜400的掩模图形时可以在第二对置区域2002中形成第四反射电极404。
(实施例9)
在实施例7中，并非总是必须形成第二夹层绝缘膜500(参照图27)。
在这种情况的实施例7中，形成第二夹层绝缘膜500的步骤和形成第二夹层绝缘膜500的掩模图形的步骤都可以被排除。
在本实施例中，因为形成第二夹层绝缘膜500不是必需的，所以掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例10)
在实施例8中，并非总是必须形成第二夹层绝缘膜500(参照图28)。
在这种情况的实施例8中，形成第二夹层绝缘膜500的步骤和形成第二夹层绝缘膜500的掩模图形的步骤都可以被排除。
在本实施例中，因为形成第二夹层绝缘膜500不是必需的，所以掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例11)
在实施例9中，有可能在第二TFT区域1002中形成滤色区域(参照图29)。
在实施例9中形成滤色区域时并不在第二对置区域2002中形成滤色区域，滤色区域可以形成在第二TFT区域1002的第四透明电极601d下面。
在这种情况下，因为滤色区域设置在要成为显示表面的那个基板表面上，所以可以获得清晰许多的显示。
(实施例12)
在实施例10中，有可能在第二TFT区域1002中形成滤色区域(参照图30)。
在这种情况下，在实施例10中形成滤色区域时并不在第二对置区域2002中形成滤色区域，可以形成滤色片使其设置在第二TFT区域1002的第四透明电极601d的下面。
在这种情况下，因为滤色区域设置在要成为显示表面的那个基板表面上，所以可以获得清晰许多的显示。
(实施例13)
本实施例将解释在一块基板上制造透射型或半透射型液晶显示器的第一TFT区域1001和第一对置区域2001以及反射型液晶显示器的第二TFT区域1002和第二对置区域2002的方法示例。
本实施例将解释制造顶部栅极TFT的方法示例，这种顶部栅极TFT用作第一TFT区域1001和第二TFT区域1002中的TFT。
注意到，为了方便，在用于解释本实施例的图中，示出了第一TFT区域1001的一个TFT、第二TFT区域1002的一个TFT、第一对置区域2001的一个滤色片以及第二对置区域2002的一个滤色片(红滤色区域)。每一个TFT区域都具有多个TFT、必需的元件、引线等；并且每一个对置区域都具有绿滤色区域、蓝滤色区域等。
另外，本发明可以用各种模式来实现。此外，本领域的技术人员很容易理解，各种变化和修改都是很明显的。因此，除非这种变化和修改背离了本发明的主旨和范围，否则它们都应该被解释成含在本文中。
注意到，在用于解释实施例的所有图中，相同的部分或具有相同功能的部分皆以相同的标号来表示，并且重复的解释将省略。
首先，准备基板100(参照图14A)。
由硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃等玻璃、石英、硅晶片等制成的基板都可以被用作基板100。根据想要使用的半导体器件或诸如温度等工艺条件，可以适当选择这些材料。
如果基板100可以耐受处理温度，则也可以使用由聚碳酸酯、聚酰亚胺或丙烯酸材料等具有高耐热性的塑料材料制成的基板。另外，基板100的形状具有平面或曲面或两者皆有，并且根据工艺或制造设备，可以适当选择平板状、条纹状或拉长形的基板。
接下来，在基板100上形成底部隔离膜101，并且在底部隔离膜101上形成第一半导体膜102(参照图14B)。
底部隔离膜101可防止杂质扩散到基板100中，并且形成100纳米厚的氮氧化硅。除了氮氧化硅以外，还可以用单层或叠层的氧氮化硅、氧化硅、氮化硅等来构成底部绝缘膜101。
第一半导体膜102是用CVD方法、溅射方法等形成的半导体材料。
例如，形成54纳米厚的非晶硅膜。第一半导体膜102的材料并不限于硅，其它半导体材料也可以适当选用。
另外，为了提高第一半导体膜102的结晶性，可以用激光照射、熔炉退火、RTA(快速热退火)等添加的热能来执行结晶化。
为了控制本文要制造的TFT的阈值电压，可以通过掺杂将杂质离子引入第一半导体膜102中。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻第一半导体膜102。因此，在第一TFT区域1001中形成了第一岛形半导体层102a和第二岛形半导体层102b。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图14C)。
接下来，形成栅绝缘膜103(参照图14D)。
栅绝缘膜103是用CVD方法、溅射方法等形成的绝缘材料，例如以硅为主要成分的绝缘材料。
例如，形成100纳米厚的氮氧化硅膜。作为栅绝缘膜103，可以使用单层或叠层结构的含硅的其它绝缘膜。
然后，在栅绝缘膜103上形成第一导电膜200(参照图15A)。
第一导电膜200是由导电材料通过溅射方法等而形成的导电膜，这是一种以导电材料或半导体材料为主要成分的材料。
例如，钼形成了300纳米厚的膜。除了钼以外，第一导电膜还可以用任何其它材料来构成，不受特别的限制，只要其结构包含下列中的至少一层就可以：金属材料，比如钽、钛、钨或铬；硅化物，它是这些金属材料和硅的化合物；像多晶硅这种具有N型或P型导电性的材料；以及以铜或铝等低阻金属材料为其主要成分的材料。
接下来，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻第一导电膜200。因此，第一栅电极201a和第一栅引线202a形成于第一TFT区域1001中，第二栅电极201b和第二栅引线202b形成于第二TFT区域1002中，第一黑色矩阵203a形成于第一对置区域2001中，第二黑色矩阵203b形成于第二对置区域2002中。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图15B)。
通过使用相同的材料在基板表面上同时制造黑色矩阵和栅电极，掩模的数目、器件处理次数和所用材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
然后，将杂质离子注入到第一岛形半导体层102a和第二岛形半导体层102b中，从而在第一TFT区域1001中形成第一源区105a和第一漏区106a并在第二TFT区域1002中形成第二源区105b和第二漏区106b(参照图15C)。
离子注入法、等离子体掺杂法或离子簇射掺杂法都是可以用的杂质注入方法，对于要注入的离子，在获取n型沟道TFT的情况下注入施主型元素(例如，磷或砷)，在获取p型沟道TFT的情况下注入受主型元素(例如，硼)。
另外，对于制造所谓的CMOS电路的情况(其中n型沟道TFT和p型沟道TFT设置在基板表面上)，当注入施主型元素时，在用掩模覆盖将要成为p型沟道TFT的区域之后执行注入，当注入受主型元素时，在用掩模覆盖将要成为n型沟道TFT的区域之后执行注入。
注意到，光刻方法被用于形成掩模。
接下来，形成第一夹层绝缘膜300(参照图15D)。
第一夹层绝缘膜300是用CVD方法、溅射方法等形成的绝缘材料，例如以硅为其主要成分的绝缘材料。
例如，形成100纳米厚的氮化硅膜。作为第一夹层绝缘膜300，也可以使用单层或叠层结构的含硅的其它绝缘膜。
然后，执行退火以便激活所注入的杂质离子。
在550℃的氮气炉中进行长达一个小时的退火。该退火过程可以通过RTA或激光照射来进行。
接下来，形成红滤色膜711(参照图16A)。
然后，用光刻方法曝光和显影掩模图形。因此，第一红滤色区域711a形成于第一对置区域2001中，第二红滤色区域711b形成于第二对置区域2002中(参照图16B)。
红滤色膜711是用旋转涂敷等方法形成的红色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
接下来，形成绿滤色膜721，用光刻方法曝光和显影掩模图形。因此，第一绿滤色区域721a形成于第一对置区域2001中，第二绿滤色区域721b形成于第二对置区域2002中。
绿滤色膜721是用旋转涂敷等方法形成的绿色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
接下来，形成蓝滤色膜731，用光刻方法曝光和显影掩模图形。因此，第一蓝滤色区域731a形成于第一对置区域2001中，第二蓝滤色区域731b形成于第二对置区域2002中。
蓝滤色膜731是用旋转涂敷等方法形成的蓝色抗蚀剂。
例如，形成1.0微米厚的彩色抗蚀剂。
接下来，形成第二夹层绝缘膜500(参照图16C)。
第二夹层绝缘膜500是用旋转涂敷等方法形成的绝缘材料。
例如，形成1微米厚的丙烯酸。除了丙烯酸以外，第二夹层绝缘膜500可以用任何材料来构成，没有特定限制，只要其结构包含至少一层以聚酰亚胺、硅氧烷等为主要成分的材料就可以。
通过使用这些材料，可以获得平整化效果。
接下来，在转移掩模图形之后，用光刻法来蚀刻第二夹层绝缘膜500。因此，在第一TFT区域中，通过暴露第一源区105a的一部分形成第一接触区域901a，通过暴露第一漏区106a的一部分形成第二接触区域901b，并且通过暴露第一栅电极201a的一部分形成第三接触区域901c；在在第二TFT区域中，通过暴露第二源区105b的一部分形成第四接触区域901d，通过暴露第二漏区106b的一部分形成第五接触区域901e，并且通过暴露第二栅电极201b的一部分形成第六接触区域901f(参照图16D)。
因为第一对置区域2001和第二对置区域2002上的第二夹层绝缘膜500并未除去，所以在第一对置区域2001和第二对置区域2002中形成了平整化层(参照图16D)。
通过使用相同的材料在基板上同时制造TFT区域的夹层绝缘材料和对置区域的平整化绝缘材料，掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
然后，形成第二导电膜400(参照图17A)。
第二导电膜400是一种由导电材料通过溅射等方法形成的导电膜，这是一种以导电材料或半导体材料为其主要成分的材料。
例如，在形成100纳米厚的钛之后，形成300纳米厚的铝。除了钛和铝的堆叠层以外，第二导电膜还可以用任何其它材料来构成，不受特别的限制，只要其结构包含下列中的至少一层就可以：金属材料，比如钽、钛、钨或铬；硅化物，它是这些金属材料和硅的化合物；像多晶硅这种具有N型或P型导电性的材料；以及以铜或铝等低阻金属材料为其主要成分的材料。
接下来，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻第二导电膜400。因此，第一TFT区域1001中形成了第一引线401a和第二引线401b，第二TFT区域1002中形成了第三引线401c和第一反射电极402a。之后，除去转移后的抗蚀性掩模。注意到，第一反射电极402a同时用作反射电极和像素电极(参照图17B)。
注意到，根据掩模图形，此处形成的诸多引线分别适当地连接到TFT、透过接触区域露出的栅引线、其它元件等。
接下来，形成透明导电膜600(参照图17C)。
透明导电膜600是用溅射等方法形成的具有高透光率的导电膜。
例如，形成90纳米厚的氧化铟锡(在下文中被称为ITO)。除了ITO以外，通过使用含硅元素的氧化铟锡(在下文中，被称为ITSO)或IZO(氧化铟锌，其中氧化铟混合了2到20％的氧化锌)或它们组合的化合物等材料膜，也可以形成透明导电膜600。
然后，在转移掩模图形之后，用光刻方法来蚀刻透明导电膜600。因此，第一透明电极601a形成于第一TFT区域中，第二透明电极601b形成于第一对置区域中，第三透明电极601c形成于第二对置区域中。之后，除去转移后的抗蚀性掩模(参照图18)。
如上所述，可以在一块基板上制造下列：透射型或半透射型第一TFT区域1001；反射型第二TFT区域1002；第一对置区域2001，与第一TFT区域1001对置；以及第二对置区域2002，与第二TFT区域1002对置。
接下来，用实施例1中所述的方法来制造液晶显示屏。
液晶显示屏具有第一液晶显示区域3001和第二液晶显示区域3002。第一液晶显示区域3001具有FPC连接引线9000a，第二液晶显示区域3002具有FPC连接引线9000b(参照图31；图31示出了实施例1中的基本部署应用于本实施例)。
如上所述，掩模的数目、器件处理次数和所用的材料都可以减少。结果，产量可以增大，成本可以减小。
(实施例14)
在实施例13中，与引线相同的材料被用于第二TFT区域1002中所形成的反射电极；然而，透明电极可以用于像素电极，而栅电极材料可以用于反射电极，而不再将反射电极同时用作反射电极和像素电极(参照图32)。
作为这种情况的制造方法，在实施例4中，可以在形成第一导电膜200的掩模图形时形成第二反射电极204，在形成第二导电膜400的掩模图形时可以形成第四引线401d而并不形成第一反射电极402a，在形成透明导电膜600的掩模图形时可以形成第四透明电极601d。
(实施例15)
本实施例将示出实施例2所述基板的制造方法的示例。注意到，因为使用与实施例13相同的制造方法，所以只对与实施例13不同的部分作解释。
作为本实施例的制造方法，在实施例13中形成第一导电膜200时在第二对置区域2002中形成第三反射电极205而并不形成黑色矩阵203b(第一黑色矩阵203a形成于第一对置区域2001中)。
另外，在形成滤色区域时不在第一对置区域2001和第二对置区域2002中形成滤色区域，滤色区域可以形成在第一TFT区域1001的透明电极下面以及第二TFT区域1002的透明电极下面。
此外，黑色有机膜被用于第二夹层绝缘膜500，并且滤色区域上的第二夹层绝缘膜500被除去。
此外，在形成第二导电膜400的掩模图形时形成第四引线401d而并不形成第一反射电极402a，在没有形成透明导电膜600的掩模图形的情况下形成第四透明电极601d。
注意到，在形成第一夹层绝缘膜300之后，形成滤色区域和第二夹层绝缘膜500；然而，如上所述，可以首先形成滤色区域，或者可以首先形成第二夹层绝缘膜500。
在首先形成第二夹层绝缘膜500的情况下，通过掩模图形转移技术，可以除去设置有滤色区域的地方的第二夹层绝缘膜。
接下来，按与实施例2相同的方式来组装液晶显示屏。
如上所述，可以制造能双面显示且具有第一液晶显示区域3001和第二液晶显示区域3002的液晶显示器，其中对置区域中没有滤色区域(参照图33)。
通过使用本实施例，在第一TFT区域1001和第一对置区域2001中可以形成充当黑色矩阵的区域；因此，可以提高第一液晶显示区域3001的对比度。
(实施例16)
在实施例15中，与第一导电膜200相同的材料被用于第二对置区域2002的第三反射电极205；然而，与第二导电膜400相同的材料可以被用于第三反射电极205(参照图34)。
作为这种情况的制造方法，在实施例15中，在形成第一导电膜200的掩模图形时并不在第二对置区域2002中形成第三反射电极205，在形成第二导电膜400的掩模图形时可以在第二对置区域2002中形成第四反射电极404。
通过使用本实施例，像实施例15那样，在第一TFT区域1001和第一对置区域2001中可以形成充当黑色矩阵的区域；因此，可以提高第一液晶显示区域3001的对比度。
此外，在本实施例中，因为在第一对置区域2001中透明电极和第四反射电极404彼此接触，所以对置区域中的电极阻抗可以减小。
本申请基于2005年12月1日提交到日本专利局且序列号为2005-347661的日本专利申请，其全部内容引用在此作为参考。

Claims (20)

1.一种显示器，它包括：
第一基板，其上形成了第一TFT区域和第一对置区域；以及
第二基板，其上形成了第二TFT区域和第二对置区域；
其中所述第一TFT区域和所述第二对置区域相对置，而所述第二TFT区域和所述第一对置区域相对置，
其中形成于所述第一TFT区域中的栅电极、形成于所述第二TFT区域中的栅电极、形成于所述第二对置区域中的黑色矩阵以及形成于所述第一对置区域中的黑色矩阵都形成于同一层中。
2.一种显示器，它包括：
第一基板，其上形成了第一TFT区域和第一对置区域；以及
第二基板，其上形成了第二TFT区域和第二对置区域；
其中所述第一TFT区域和所述第二对置区域相对置，而所述第二TFT区域和所述第一对置区域相对置，
其中形成于所述第一TFT区域中的引线、形成于所述第二TFT区域中的引线、形成于所述第二对置区域中的黑色矩阵以及形成于所述第一对置区域中的黑色矩阵都形成于同一层中。
3.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，形成于所述第二TFT区域中的栅电极和形成于所述第二TFT区域中的反射电极都形成于同一层中。
4.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，形成于所述第二TFT区域中的引线和形成于所述第二TFT区域中的反射电极都形成于同一层中。
5.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，在所述第一TFT区域、所述第二TFT区域和所述第二对置区域中形成的多个透明电极全都形成于同一层中。
6.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，在所述第一TFT区域、所述第二TFT区域、所述第一对置区域和所述第二对置区域中形成的多个夹层绝缘膜全都形成于同一层中。
7.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，第一液晶显示器是透射型液晶显示器，而第二液晶显示器是半透射型液晶显示器。
8.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，在所述第一TFT区域、所述第二TFT区域和所述第二对置区域中形成的多个透明电极全都形成于同一层中。
9.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，在所述第一TFT区域、所述第二TFT区域、所述第一对置区域和所述第二对置区域中形成的多个夹层绝缘膜全都形成于同一层中。
10.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，第一液晶显示器是透射型液晶显示器，而第二液晶显示器是半透射型液晶显示器。
11.一种制造显示器的方法，它包括如下步骤：
在基板上同时形成第一TFT区域的栅电极、第二TFT区域的栅电极、第二对置区域的黑色矩阵和第一对置区域的黑色矩阵；
将所述基板分割成其上设置有所述第一TFT区域和所述第二对置区域的第一基板以及其上设置有所述第二TFT区域和所述第一对置区域的第二基板；以及
将所述第一基板和所述第二基板粘结在一起，使得所述第一TFT区域和所述第一对置区域相对置且所述第二TFT区域和所述第二对置区域相对置。
12.一种制造显示器的方法，它包括如下步骤：
在基板上同时形成第一TFT区域的引线、第二TFT区域的引线、第二对置区域的黑色矩阵和第一对置区域的黑色矩阵；
将所述基板分割成其上设置有所述第一TFT区域和所述第二对置区域的第一基板以及其上设置有所述第二TFT区域和所述第一对置区域的第二基板；以及
将所述第一基板和所述第二基板粘结在一起，使得所述第一TFT区域和所述第一对置区域相对置且所述第二TFT区域和所述第二对置区域相对置。
13.如权利要求11所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第二TFT区域的栅电极和所述第二TFT区域的反射电极是同时形成的。
14.如权利要求12所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第二TFT区域的引线和所述第二TFT区域的反射电极是同时形成的。
15.如权利要求11所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT区域、所述第二TFT区域和所述第二对置区域中的多个透明电极都是同时形成的。
16.如权利要求11所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT区域、所述第二TFT区域、所述第一对置区域和所述第二对置区域中的多个夹层绝缘膜都是同时形成的。
17.如权利要求11所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT和所述第二TFT包括非晶硅膜。
18.如权利要求12所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT区域、所述第二TFT区域和所述第二对置区域中的多个透明电极都是同时形成的。
19.如权利要求12所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT区域、所述第二TFT区域、所述第一对置区域和所述第二对置区域中的多个夹层绝缘膜都是同时形成的。
20.如权利要求12所述的制造显示器的方法，其特征在于，所述第一TFT和所述第二TFT包括非晶硅膜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393950B (zh) * 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
CN106200061A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 凌晖科技股份有限公司 双面显示器的制造方法
US9904324B2 (en) 2014-06-18 2018-02-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Secondary screen structure of display device, double-sided display device and method for manufacturing e-paper screen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050170643A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device
US7231113B2 (en) * 2005-08-19 2007-06-12 Infinera Corporation Coupled optical waveguide resonators with heaters for thermo-optic control of wavelength and compound filter shape
JP2008225179A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器
TWI417581B (zh) * 2008-07-29 2013-12-01 Eternal Chemical Co Ltd 具有勻光特性之偏光回收膜
KR101859483B1 (ko) * 2012-03-06 2018-06-27 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시 장치 및 그 제조 방법
US11074025B2 (en) * 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
TWI554808B (zh) * 2015-04-13 2016-10-21 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板及液晶顯示器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171192A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方 法
US6574487B1 (en) 2000-02-23 2003-06-03 Motorola, Inc. Communication device with a dual-sided liquid crystal display
JP2003098545A (ja) 2001-09-20 2003-04-03 Sharp Corp 両面表示型液晶表示装置およびそれを備えた携帯型電子機器
KR100843691B1 (ko) * 2001-12-20 2008-07-04 엘지디스플레이 주식회사 양면표시 기능을 가지는 액정표시장치
US6933528B2 (en) * 2002-04-04 2005-08-23 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
TWI266106B (en) * 2002-08-09 2006-11-11 Sanyo Electric Co Display device with a plurality of display panels
CN1488972A (zh) * 2002-10-08 2004-04-14 胜华科技股份有限公司 具双面显示el背光之液晶显示装置
JP3719433B2 (ja) * 2002-10-30 2005-11-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393950B (zh) * 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
US9904324B2 (en) 2014-06-18 2018-02-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Secondary screen structure of display device, double-sided display device and method for manufacturing e-paper screen
CN106200061A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 凌晖科技股份有限公司 双面显示器的制造方法

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